JP2002181908A - 磁界センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一つのＭＩ素子と一つのコイルを用いて、少
ない部品点数で、センサ出力のリニアリティがよく、感
度のよい、温度ドリフトやノイズのない磁界センサを提
供することにある。 【解決手段】 コイル２に交互に極性が逆の電流を流
し、ＭＩ素子にかかるバイアス磁界の極性を周期的に変
え、極性を変える毎にＭＩ素子からの信号を保持し、前
後の保持信号を差動増幅器の二つの入力端子に入力し
て、差動信号を出力し、リニアリティのよい、感度のよ
い、温度ドリフトやノイズのない磁界センサの出力を得
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、車載用ナビゲーシ
ョンシステムの地磁気センサ等に用いられる、磁気イン
ピーダンス効果素子（以下、ＭＩ(Magnetic Impedance)
素子と称する）を用いた磁界センサに係り、特に、一つ
のＭＩ素子を用いてバイアス磁界を反転させ、反転前の
信号と反転後の信号の差分をセンサ出力するＭＩ素子を
用いた磁界センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】磁界センサに用いられるＭＩ素子の磁気
インピーダンス効果（以下、ＭＩ(Magnetic Impedance)
効果と称する）とは、高透磁率を有する磁性体に高周波
電流を流した際の表皮効果によりその磁性体のインピー
ダンスが外部磁界によって変化する現象である。原理的
には、例えば外部磁界が線状磁性体の長手方向にかかる
と線状磁性体の透磁率が増し、線状磁性体に高周波電流
を流したときの表皮効果が大きくなり、これは、見かけ
上、線状磁性体の断面積が小さくなったことに相当し、
交流インピーダンスが上がる現象である。

【０００３】本発明の従来技術を図５から図６に基づい
て説明する。図５は、ＭＩ効果の原理図、図６は、ＭＩ
素子にバイアス磁界をかけたときの出力電圧を示す図で
ある。

【０００４】図５はこのＭＩ効果を利用したＭＩ素子の
原理図で、例えばアモルファス軟磁性ワイヤ等からなる
高透磁率の線状磁性体１００にコイル１０１を巻回して
電池１０２を接続し、外部磁界Ｈｅｘと同一方向の磁界
ｈ１を線状磁性体１００の長手方向にかける。外部磁界
Ｈｅｘは、線状磁性体１００がおかれている実際の外部
磁界の中で、線状磁性体１００の長手方向の外部磁界の
成分である。ここで、発振器１０３とアースとの間に抵
抗１０４と線状磁性体１００を直列につないで配線し、
線状磁性体１００に発振器１０３により発生するパルス
電圧を印加すると、抵抗器１０４と線状磁性体１００の
間に交流電圧Ｅが発生する。

【０００５】出力電圧Ｅは、図６に示す曲線１０５とな
る。ＭＩ素子は、バイアス磁界を印加しない場合は、即
ち、図５において電池１０２を取り除いた場合は、外部
磁界Ｈｅｘとの関係は点線１０６のように、縦軸に対し
て線対称になっていて、外部磁界Ｈｅｘがゼロのとき出
力電圧Ｅの変化率はゼロである。この場合は、外部磁界
Ｈｅｘが微弱なとき出力電圧Ｅの変化率が小さいので、
測定精度が非常に悪くなる。これを防ぐため、通常、バ
イアス磁界をかけて、出力電圧Ｅの曲線を原点からプラ
ス方向またはマイナス方向に平行移動させる。こうする
と微弱な外部磁界でも、外部磁場Ｈｅｘがゼロ近傍で出
力電圧Ｅの変化率が大きくなるので、外部磁界Ｈｅｘが
検知できるようになる。

【０００６】更に、図５において電池１０２の極性を変
えるとバイアス磁界ｈ１が−ｈ１となって線状磁性体１
００に印加され、バイアス磁界が反対になる。このと
き、出力電圧Ｅは図６の曲線１０７となる。曲線１０５
と曲線１０７は、縦軸に対して線対称で、これら２つの
曲線の値を差し引き（回路的には、差動増幅を行う）、
原点を通る直線１０８として用いるのが、通常行われる
方法である。従って、実際には、外部磁界Ｅｘ中で２つ
のＭＩ素子を平行に配置し、各ＭＩ素子に対して逆方向
のバイアス磁界をかける二つコイルを配置し、各ＭＩ素
子に同じ高周波出力をかけると共に、二つのコイルに逆
方向の電流を流して逆方向のバイアス磁界をかけ、各Ｍ
Ｉ素子の出力電圧を差動増幅器に入力し差動出力を得る
ようにしていた。この理由は、出力電圧Ｅを示す曲線１
０８が原点を通り変化率の大きい略直線になるのでセン
サ出力として取り扱いやすいこと、原点付近での変化率
が曲線１０７を単独で用いるより大きくなること、更に
差動増幅により差動出力を使うので、温度ドリフトやノ
イズをキャンセルすることが上げられる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術においては、二つのコイルと二つの線状磁性
体よりなるＭＩ素子を用いるので、二つの線状磁性体の
磁気特性のばらつきがあり、二つのコイルも磁気特性に
ばらつきがあることにより、同じ高周波出力を二つのＭ
Ｉ素子に印加した場合、それぞれのＭＩ素子の外部磁場
Ｅｘに対する出力１０５，１０６が、縦軸に対して対称
でなくなる。このことに起因して、二つのＭＩ素子の出
力の差を取ってセンサ出力する従来技術では、センサ出
力のリニアリティが失われてしまうという問題があっ
た。

【０００８】本発明の目的は、一つのＭＩ素子と一つの
コイルを用いて、少ない部品点数で、センサ出力のリニ
アリティがよく、感度のよい、温度ドリフトやノイズの
ない磁界センサを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の磁界センサは、発振器の高周波出力を印加
される磁気インピーダンス効果素子と、前記磁気インピ
ーダンス効果素子にバイアス磁界を与えるコイルと、こ
のコイルの電流の極性を切り換えるコイル電流極性切換
回路と、前記磁気インピーダンス効果素子と差動増幅器
の間に位置し、前記磁気インピーダンス効果素子の出力
電圧を、第１の信号保持回路及び第２の信号保持回路へ
切り換えて出力する信号切換回路とを備え、前記コイル
電流極性切換回路により前記バイアス磁界を反転させ、
このバイアス磁界の反転と同期させて前記信号切換回路
を切り換え、前記第１及び第２の信号保持回路はそれぞ
れの入力電圧を保持し、前記第１及び第２の信号保持回
路をそれぞれ前記差動増幅器の入力端子に接続し差動出
力を得るようにした。この構成によれば、二つのＭＩ素
子と二つのコイルを使わずに済むので、部品点数が減り
構造が簡単になる。また、一つのＭＩ素子を使うので、
二つのＭＩ素子を用いた場合に生ずる二つのＭＩ素子の
特性のばらつきに起因して差動出力のリニヤアリティが
なくなることを防止できる。また、コイルも一つのコイ
ルを用いるので、二つのコイルを用いる場合に生ずる各
コイルの特性のばらつきに起因するバイアス磁界のばら
つきがない。

【００１０】また、本発明の磁界センサは、前記発振器
が、前記コイル電流極性切換回路及び前記信号切換回路
に前記高周波出力を印加し、前記高周波出力の周期でコ
イルの電流の極性を切り換えると共に前記信号切換回路
を切り換えるようにした。この構成によれば、発振器の
高周波出力と、コイルに流れる電流の向きを反転するト
リガ電圧と、信号切換回路の切り換えが同一周期なの
で、一つの発振器を設けるだけでよい。

【００１１】また、本発明の磁界センサは、前記出力電
圧を前記信号切換回路により前記第１の信号保持回路と
第２の信号保持回路とを切り換えてそれぞれへ交互に出
力する出力時間帯が、前記コイル駆動回路の駆動時間帯
より短く、かつこれに含まれているようにした。この構
成によれば、コイル駆動の極性反転によるバイアス磁界
の乱れを避けて信号の読みとりができるので、正しい信
号を読み取ることができ、差動増幅器の出力が正確にな
る。

【００１２】前記信号切換回路及び前記コイル駆動回路
を駆動するのはパルス信号であり、前記信号切換回路を
駆動するパルスの幅が、前記コイル駆動回路を駆動する
パルスの幅より小さく、かつ時間帯がこれに含まれてい
るこの構成によれば、パルス信号を使うので、正弦波信
号を使って駆動するより時間が正確な駆動ができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の磁界センサの実施形態を
図１から図４を使って説明する。図１は本発明の一実施
形態の磁界センサに用いられるＭＩ素子を、図２は本実
施形態のＭＩ素子が組み込まれた磁界サンサの回路のブ
ロック図を、図３は本実施形態のＭＩ素子が組み込まれ
た磁界センサの回路図を、図４は図３の回路の各点の信
号のタイミングチャートをそれぞれ示している。

【００１４】図１は、本実施形態の磁界センサのＭＩ素
子１を示し、線状磁性体からなっている。線状磁性体２
は、例えば、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ系の合金組成からな
る軟磁性材料のアモルファスワイヤが好適である。コイ
ル２は、ＭＩ素子１に数十ターン一定の方向に巻回され
ていて、通電することによりＭＩ素子１にバイアス磁界
を与えるようになっている。本実施形態の磁界センサで
は、コイル２に交互に極性が逆の電流を流し、ＭＩ素子
にかかるバイアス磁界（Ｙ１，Ｙ２）を周期的に変え、
極性を変える毎にＭＩ素子からの信号Ｘを保持し、前後
の保持信号を差動増幅器の二つの入力端子に入力して、
差動信号を出力し、リニアリティのよい、感度のよい、
温度ドリフトやノイズのない出力を得ている。以下詳述
する。

【００１５】図２のブロック図、図３の回路図及び図４
の回路の各点のタイミングチャートを用いて、本実施形
態の磁界センサの回路の構成及び動作を説明する。

【００１６】本実施形態の磁界センサの回路の構成を説
明すると、まず、発振器３が素子駆動回路４、コイル電
流極性切換回路６及び信号切替回路７の３つの回路に接
続されている。素子駆動回路４は、更に信号切換回路７
に接続され、素子駆動回路４と信号切換回路７との接続
点とアースとの間にＭＩ素子１が接続されている。コイ
ル駆動回路５が、コイル電流極性切換回路６に接続さ
れ、コイル電流極性切換回路６は、更にコイル２に接続
されている。コイル２は更にアースに接続されている。
コイル２はＭＩ素子１にバイアス磁界を与えるため、Ｍ
Ｉ素子１と平行に隣接しているか、ＭＩ素子１に巻回さ
れている。信号切替回路７は、更に、第１の信号保持回
路８及び第２の信号保持回路９に接続されている。第１
の信号保持回路８は差動増幅回路１０のプラス入力端子
に、第２の信号保持回路９は差動増幅回路１０のマイナ
ス入力端子に接続されている。

【００１７】ＭＩ素子１は、素子駆動回路４から高周波
電圧を受け、外部磁界Ｅｘに応じて変化する自己のイン
ピーダンスに応じた出力を信号切換回路７に与える。コ
イル２は、コイル駆動回路５及びコイル電流極性切換回
路６から反転する電流を受け、ＭＩ素子に対するバイア
ス磁界を反転させる。発振器３は、インバータ２０の入
力側端子が抵抗ｒ０を介してアースに接続され、インバ
ータ２０はインバータ２１、インバータ２２と直列に接
続されている。インバータ２１とインバータ２２の接続
点とアースの間にはキャパシタｃ１が接続され、インバ
ータ２２の出力側端子とアースとの間には抵抗ｒ１が接
続されている。素子駆動回路４は、ＮＡＮＤ回路２５の
出力側端子に抵抗ｒ８の一端が接続され、他端はスイッ
チングトランジスタＴｒ１のベースに接続されている。
スイッチングトランジスタＴｒ１のコレクタは定電圧Ｖ
ｃｃに接続され、エミッタは抵抗ｒ９の一端に接続さ
れ、抵抗ｒ９の他端はＭＩ素子１に接続されている。コ
イル駆動回路５は、＋１２Ｖの電源と抵抗ｒ１０を接続
したものと、これと並行して−１２Ｖの電源に抵抗ｒ１
１を接続したものである。コイル電流極性切換回路６
は、アナログスイッチＳＷ３とＳＷ４である。信号切換
回路７は、アナログスイッチＳＷ１、ＳＷ２である。

【００１８】第１の信号保持回路８は、ボルテージフォ
ロワの配線をしたオペアンプ２６のプラス入力端子とア
ースとの間にキャパシタｃ８が接続されている。第２の
信号保持回路９は、ボルテージフォロワの配線をしたオ
ペアンプ２７のプラス入力端子とアースとの間にキャパ
シタｃ８が接続されている。差動増幅回路１０は、オペ
アンプ２９のプラス入力端子には入力抵抗ｒ１２が接続
され、マイナス入力端子には入力抵抗ｒ１３が接続され
ている。オペアンプ２９のマイナス入力端子と出力端子
との間には抵抗ｒ１５が接続されている。また、定電圧
Ｖｃｃとアースとの間に直列接続された抵抗ｒ１６と抵
抗ｒ１７とが挿入され両抵抗ｒ１６，ｒ１７との接続点
とオペアンプ２８のプラス入力端子と接続されている。
オペアンプ２８の出力端子と差動増幅器２９のプラス入
力端子との間に抵抗１４が接続されている。

【００１９】次に、本実施形態の磁界センサの回路の動
作を信号の流れに沿って概略説明する。発振器３から高
周波のパルス電圧が出力されると、これが素子駆動回路
４により、ＭＩ素子１に高周波電圧が印加される。ＭＩ
素子１はコイル２によってバイアス磁界がかけられる。
コイル２はコイル駆動回路５によって駆動され、コイル
２とコイル駆動回路５の間に配置されるコイル電流極性
切換回路６により電流の極性が反転される。反転の周期
は発振器３によって決定される。ＭＩ素子１に発生した
電圧はＰ点に現れ、信号切換回路７に入力される。信号
切り換え回路７は時間によって、Ｐ点に現れた電圧の出
力先を第１の信号保持回路８と第２の信号保持回路９に
交互に切り換えて出力する。この切り換えのタイミング
は発振器３によって決定され、コイル電流極性切換回路
６による反転の周期と等しくなる。第１の信号保持回路
８と第２の信号保持回路９は、入力された電圧を次の入
力があるまで保持する機能を有している。第１の信号保
持回路８の電圧はオペアンプ２６を介して差動増幅器１
０のプラス入力端子に入力され、第２の信号保持回路９
の電圧はオペアンプ２７を介して差動増幅器１０のマイ
ナス入力端子に入力される。差動増幅器１０はこれら２
つの電圧の差分の電圧を外部磁界の強度として出力す
る。

【００２０】以下、本実施形態の磁界センサの回路の信
号の流れ及び回路の動作について、個別の回路毎に詳述
する。発振器３は、インバータ２０，２１，２２、抵抗
ｒ０，ｒ１及びキャパシタｃ１を用いて発振回路を形成
し数百ｋＨｚの高周波のパルス信号であるタイミングチ
ャートのＡ信号（回路中Ａ点の信号）を出力する。Ａ信
号は、インバータ２３，２４を経て元の信号に戻るとキ
ャパシタｃ２、抵抗ｒ２による積分回路により、タイミ
ングチャートのＢ信号（回路中Ｂ点の信号）を作り素子
駆動回路４へ入力する。Ａ信号はまた、インバータ２３
により反転して位相を半波長ずらし、キャパシタｃ３、
抵抗ｒ３による積分回路によりタイミングチャートのＣ
信号を作り、これも素子駆動回路４へ入力する。更に、
Ａ信号をインバ−タ２３、２４により元に戻した信号を
キャパシタｃ４、抵抗ｒ４による積分回路によりタイミ
ングチャートのａ信号（回路中のａ出力）を作り、信号
切換回路７へ出力する。また、ａ信号と同じ信号を元に
して、キャパシタｃ４及び抵抗ｒ４と回路定数の異なる
キャパシタｃ５、抵抗ｒ５による積分回路によりタイミ
ングチャートのｃ信号（回路中のｃ出力）を作り、コイ
ル電流特性切換回路６へ出力する。更に、Ａ信号をイン
バータ２３により反転して、位相を半波長ずらし、キャ
パシタｃ６、抵抗ｒ６による積分回路によりタイミング
チャートのｂ信号（回路中のｂ出力）を作り、信号切換
回路７へ出力する。また、ｂ信号と同じ信号を元にし
て、キャパシタｃ６及び抵抗ｒ６と回路定数の異なるキ
ャパシタｃ７、抵抗ｒ７による積分回路によりタイミン
グチャートのｄ信号（回路中のｄ出力）を作り、コイル
電流極性切換回路６へ出力する。

【００２１】素子駆動回路４において、Ｂ信号とＣ信号
をＮＡＮＤ回路２５に入力して、ＮＡＮＤ回路２５から
タイミングチャートのＤ信号（回路中Ｄ点の信号）を出
力し、これを入力抵抗ｒ８を介してスイッチングトラン
ジスタＴｒ１のベースへ入力している。スイッチングト
ランジスタＴｒ１は、直流定電圧電源の定電圧Ｖｃｃを
Ｄ信号によってＯＮ、ＯＦＦし抵抗ｒ９を介してＭＩ素
子１に高周波パルスを印加している。

【００２２】コイル電流極性切換回路６において、アナ
ログスイッチＳＷ３，ＳＷ４は所定のスレッシュホール
ド電圧を設定して、ｃ信号、ｄ信号を受け、タイミング
チャートのＳＷ３のトリガ信号、ＳＷ４のトリガ信号を
作っている。これらトリガ信号に従って、ＳＷ３、ＳＷ
４は交互にＯＮ、ＯＦＦし、タイミングチャートのコイ
ル電流に示されるように、コイル駆動回路５からの電流
をコイル２に正逆方向に流して、コイル２によりＭＩ素
子１にかかるバイアス磁界を反転させている。

【００２３】信号切替回路７において、アナログスイッ
チＳＷ１，ＳＷ２では所定のスレッシュホールド電圧を
設定して、ａ信号、ｂ信号を受け、タイミングチャート
のＳＷ１のトリガ信号、ＳＷ２のトリガ信号を作ってい
る。これらトリガ信号に従って、ＳＷ１、ＳＷ２は交互
にＯＮ、ＯＦＦし、ＭＩ素子１からの入力を、それぞれ
第１の信号保持回路８と第２の信号保持回路９とに切り
換えて出力する。

【００２４】第１、第２の信号保持回路８，９におい
て、キャパシタｃ８，ｃ９は信号切替回路７から入力さ
れた電圧を保持し、オペアンプ２６，２７を介して差動
増幅回路１０へ出力する。このとき、オペアンプ２６，
２７はボルテージフォロワ接続されて前段のインピーダ
ンスの影響を受けないようになっている。

【００２５】差動増幅回路１０において、第１の信号保
持回路８からの入力と第２の信号保持回路９からの入力
の差を差動出力として出力し、センサ出力としている。
オペアンプ２８は、差動増幅器２９のオフセット電圧を
与えている。

【００２６】図４のタイミングチャートについて述べる
と、コイル電流を駆動する時間帯（ＳＷ３，ＳＷ４のト
リガ信号の時間帯）が、ＭＩ素子１に高周波パルスを印
加する時間帯（Ｃ信号のＯＮ時間帯）より長くて、これ
を含み、ＭＩ素子１に高周波パルスを印加する時間帯
は、信号保持回路８，９に信号を取り込む時間帯（ＳＷ
１，ＳＷ２のトリガ信号の時間帯）より長くて、これを
含む。即ち、ＳＷ１のＯＮする時間帯は、コイル電流の
一方向に流れる時間帯より短く、かつこれに含まれ、Ｓ
Ｗ２のＯＮする時間帯は、コイル電流の一方向に流れる
時間帯より短く、かつこれに含まれる。このように、コ
イル電流の流れる時間帯よりＳＷ１をＯＮして信号をピ
ークホールド回路に取り込む時間帯を短くし、なおか
つ、ＳＷ１をＯＮする時間帯が含まれるようにしておか
ないと、正確に信号をピークホールド回路に取り込むこ
とができない。ＳＷ１のＯＮする時間帯がコイル電流の
一方向に流れる時間帯に含まれない時間帯を持った場合
は、コイル電流が本来の電流方向と反対方向のバイアス
に於けるデータを取り込むことが起きて正確な値を取り
込めないこととなる。また、上記タイミングチャートの
ｃ信号の代わりにＢ信号を使い、ｄ信号の代わりにＣ信
号を使っても、回路的には同じ結果が得られる。

【００２７】

【発明の効果】以上のように、本発明の磁界センサは、
発振器の高周波出力を印加される磁気インピーダンス効
果素子と、磁気インピーダンス効果素子にバイアス磁界
を与えるコイルと、このコイルの電流の極性を切り換え
るコイル電流極性切換回路と、磁気インピーダンス効果
素子と差動増幅器の間に位置し、磁気インピーダンス効
果素子の出力電圧を、第１の信号保持回路及び第２の信
号保持回路へ切り換えて出力する信号切換回路とを備
え、コイル電流極性切換回路によりバイアス磁界を反転
させ、このバイアス磁界の反転と同期させて信号切換回
路を切り換え、第１及び第２の信号保持回路はそれぞれ
の入力電圧を保持し、第１及び第２の信号保持回路をそ
れぞれ差動増幅器の入力端子に接続し差動出力を得るよ
うにした。この構成によれば、二つのＭＩ素子と二つの
コイルを使わずに済むので、部品点数が減り構造が簡単
になる。また、一つのＭＩ素子を使うので、二つのＭＩ
素子を用いた場合に生ずる二つのＭＩ素子の特性のばら
つきに起因して差動出力のリニヤアリティがなくなるこ
とを防止できる。また、コイルも一つのコイルを用いる
ので、二つのコイルを用いる場合に生ずる各コイルの特
性のばらつきに起因するバイアス磁界のばらつきがな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁界センサに用いられるＭＩ素子を示
す図である。

【図２】本発明の磁界サンサの回路のブロック図であ
る。

【図３】本発明の磁界センサの回路図である。

【図４】図３の回路の各点の信号のタイミングチャート
を示す図である。

【図５】一般的なＭＩ効果の原理図である。

【図６】一般的なＭＩ素子にバイアス磁界をかけたとき
の出力電圧を示す図である。

【符号の説明】

１ ＭＩ素子 ２ コイル ３ 発振器 ４ 素子駆動回路 ５ コイル駆動回路 ６ コイル電流極性切換回路 ７ 信号切換回路 ８ 第１の信号保持回路 ９ 第２の信号保持回路 １０ 差動増幅回路

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発振器の高周波出力が印加される磁気イ
   ンピーダンス効果素子と、前記磁気インピーダンス効果
   素子にバイアス磁界を与えるコイルと、このコイルの電
   流の極性を切り換えるコイル電流極性切換回路と、前記
   磁気インピーダンス効果素子と差動増幅器の間に位置
   し、前記磁気インピーダンス効果素子の出力電圧を、第
   １の信号保持回路及び第２の信号保持回路へ切り換えて
   出力する信号切換回路とを備え、前記コイル電流極性切
   換回路により前記バイアス磁界を反転させ、このバイア
   ス磁界の反転と同期させて前記信号切換回路を切り換
   え、前記第１及び第２の信号保持回路はそれぞれの入力
   電圧を保持し、前記第１及び第２の信号保持回路をそれ
   ぞれ前記差動増幅器の入力端子に接続し差動出力を得る
   ことを特徴とする磁界センサ。
2. 【請求項２】 前記発振器は、前記コイル電流極性切換
   回路及び前記信号切換回路に前記高周波出力を印加し、
   前記高周波出力の周期でコイルの電流の極性を切り換え
   ると共に前記信号切換回路を切り換えることを特徴とす
   る請求項１記載の磁界センサ。
3. 【請求項３】 前記出力電圧を前記信号切換回路により
   前記第１の信号保持回路と第２の信号保持回路とを切り
   換えてそれぞれへ交互に出力する出力時間帯は、前記コ
   イル駆動回路の駆動時間帯より短く、かつ前記コイル駆
   動回路の駆動時間帯に含まれていることを特徴とする請
   求項１記載の磁界センサ。
4. 【請求項４】 前記信号切換回路及び前記コイル駆動回
   路を駆動するのはパルス信号であり、前記信号切換回路
   を駆動するパルスの幅が、前記コイル駆動回路を駆動す
   るパルスの幅より小さく、かつ時間帯が前記コイル駆動
   回路を駆動するパルスの幅に含まれていることを特徴と
   する請求項３記載の磁界センサ。