JP4089985B2 - 多ヘッド型磁界センサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はアモルファス磁性エレメントを用いた多ヘッド型磁界センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
アモルファス合金ワイヤとして、自発磁化の方向がワイヤ周方向に対し互いに逆方向の磁区が交互に磁壁で隔てられた構成の外殻部を有する、零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス合金ワイヤが開発されている。例えば、Co70.5B15Si10Fe4.5が開発されている。
【0003】
かかる零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス磁性ワイヤに高周波電流したときに発生するワイヤ両端間出力電圧中のインダクタンス電圧分は、ワイヤの横断面内に生じる円周方向磁束によって上記の円周方向に易磁化性の外殻部が円周方向に磁化されることに起因し、従って、周方向透磁率μθも同外殻部の円周方向の磁化に依存する。
【0004】
この通電中のアモルファスワイヤにワイヤ軸方向の外部磁界を作用させると、上記通電による円周方向磁束と外部磁束との合成により、上記円周方向に易磁化性を有する外殻部に作用する磁束の方向が円周方向からずれ、それだけ円周方向への磁化が生じ難くなり、上記周方向透磁率μθが変化し、上記インダクタンス電圧分が変動することになる。
【0005】
上記の通電電流の周波数がMHzオ−ダになると、高周波表皮効果を無視し得なくなり、表皮深さδ=(2ρ/wμθ)1/2(μθは前記した通り、円周方向透磁率、ρは電気抵抗率、wは角周波数)がμθにより変化し、このμθが前記した通り、外部磁界によって変化するので、ワイヤ両端間出力電圧中の抵抗電圧分も外部磁界で変動するようになる。
そこで、外部磁界による上記インダクタンス電圧分と抵抗電圧分の双方、すなわち、ワイヤ両端間出力電圧の変動(以下、MI効果という)から外部磁界を検出することが提案されている(特開平7−181239号)。
【0006】
更に、アモルファス磁性エレメントの二個を共通の絶縁基板上に配設すると共に各アモルファス磁性エレメントにバイアスコイルを並設した2ヘッドMI型磁界センサの各ヘッドをダブルハ−トレ−発振回路の各トランジスタ−Tr、Tr のコレクタ−側に組み込み、外部磁界を各トランジスタ−のコレクタ−電圧として増幅検波させ、この検波出力を差動回路に入力させ、更に増幅回路を経てセンサ出力として取り出し、各ヘッドのバイアス磁界の方向を同方向とすることにより外部勾配磁界を検出し、各ヘッドのバイアス磁界の方向を互いに逆方向とすることにより外部一様磁界を検出することも提案されている。
この2ヘッド型磁界センサ方式によれば、差動回路方式であるために、コモンモ−ドノイズを相殺でき、零点調整が不要である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の2ヘッド型磁界センサでは、各アモルファス磁性エレメントに対してバイアスコイルを配設する必要があり、このバイアスコイルのために、センサの小型化を図ることが難しい。
また、電極には銅等の通常の電極材を使用しており、電極とアモルファス磁性エレメントとの接合が困難であり、通常のはんだ接合方式は使用し難く、このため、例えば、アモルファス磁性エレメントの端部を、はんだ濡れ性の良好な導電材料からなる補助部材で挾持した状態にて接合部のはんだ付けを行うことが提案されているが(特開平8−236167号)、はんだ接合部の嵩高化が避けられず、かかる面からもセンサの小型化が困難である。
【0008】
本発明の目的は、アモルファス磁性エレメントを電極間に接続し、該エレメントに電流を流し、アモルファス磁性エレメントを通過する外部磁界をバイアス磁界の重畳のもとで上記アモルファス磁性エレメントの両端間電圧で検波する磁界センサヘッドの複数箇を配設し、これら磁界センサヘッドの検波出力の差で上記複数箇の磁界センサヘッドにわたる分布外部磁界を検出する多ヘッド型磁界センサの小型化を図ることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る多ヘッド型磁界センサは、アモルファス磁性エレメントを電極間に接続し、該エレメントに電流を流し、アモルファス磁性エレメントを通過する外部磁界をバイアス磁界の重畳のもとで上記アモルファス磁性エレメントの両端間電圧で検波する磁界センサヘッドの2箇を平行に配設し、これら磁界センサヘッドの検波出力の差で上記複数箇の磁界センサヘッドにわたる分布外部磁界を検出する左右対称の2ヘッド型磁界センサであり、互いに平行な二本の左右のアモルファス磁性エレメントの間隔が1.5〜4.0mmとされ、これら電極のうち各アモルファス磁性エレメントの先端に接続された電極の先端側がかぎ状とされ、これら電極のかぎ状部分で前記の平行アモルファス磁性エレメントが左右から挟まれており、前記電極が磁化された磁性体とされ、この磁化電極の静磁界が上記バイアス磁界として作用させることを特徴とする。
請求項2に係る多ヘッド型磁界センサは、アモルファス磁性エレメントを電極間に接続し、該エレメントに電流を流し、アモルファス磁性エレメントを通過する外部磁界をバイアス磁界の重畳のもとで上記アモルファス磁性エレメントの両端間電圧で検波する磁界センサヘッドの複数箇(2箇は除く)を平行に配設し、これら磁界センサヘッドの検波出力の差で上記複数箇の磁界センサヘッドにわたる分布外部磁界を検出する多ヘッド型磁界センサにおいて、磁界センサヘッドの配設ピッチを1.5〜4.0mmとし、各磁界センサヘッドの電極に磁化した磁性体を用い、この磁化電極の静磁界を上記バイアス磁界として作用させることを特徴とする
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図1の(イ)は本発明に係る2ヘッド型磁界センサの一例を示す平面図、図1の(ロ)は図1の(イ)におけるロ−ロ断面図である。
図1において、1は絶縁基板、例えば、ガラスエポキシ基板、セラミックス基板等である。2a,2bは磁性体からなる一対のバ−状電極であり、二組を左右対称に配設し、各組の一方の電極2aの先端側をかぎ状とし、両電極の先端側を絶縁基板1の片面側に固定し、両電極2a,2bの先端21a,21b間を結ぶ方向をバ−状電極の方向に一致させてある。これら各組のバ−状電極2a,2bは先端21a,21b間に所定方向及び大きさの静磁界を作用させるように磁化してある。3は各組のバ−状電極の先端21a,21b間に溶接により接続したアモルファス磁性ワイヤである。
A 及びA は上記一対の磁化電極とアモルファス磁性エレメントとからなる磁界センサヘッドを示している。
【0011】
上記のアモルファス磁性ワイヤ3には、自発磁化の方向がワイヤ周方向に対し互いに逆方向である磁区が交互に磁壁で隔てられた構成の外殻部を有する、零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス合金ワイヤが使用される。
【0012】
図2は本発明に係る2ヘッド型磁界センサによる勾配外部磁界の検出方法を示している。
図2において、4,4は2ヘッド型磁界センサの各センサヘッドA1、A2に接続した発振回路、例えば、ハ−トレ−型発振回路、5は両センサヘッドA1、A2のアモルファス磁性ワイヤ3に電流を流すために組み込んだ電源、61及び62は発振回路4から取り出した外部磁界の振幅変調波を包絡線検波するショットキ−バリアダイオ−ドと低域通過フィルタ−、7はセンサヘッドに対する上記各包絡線検波の直流変換値の差を出力する差動回路、8は増幅器をそれぞれ示している。
Hex1及びHex2は勾配外部磁界中、各センサヘッドA1,A2のアモルファス磁性エレメント3の軸方向を通過する局部磁界を示している。
【0013】
図2において、両センサヘッドA1,A2の電極の磁化によるバイアス磁界Hb1,Hb2は、大きさが等しく同方向とされている。
従って、電源5による各センサヘッドA1,A2のアモルファス磁性エレメント3,3への通電下、各アモルファス磁性エレメント3,3の両端間にMI効果で外部磁界信号を発生させ得、この外部磁界信号で発振回路4,4のトランジスタ−Trをオン・オフさせ、外部磁界信号で振幅変調された電圧を各発振回路4,4のTrのエミッタ−側に出現させ得、この振幅変調波をショットキ−バリアダイオ−ドと低域通過フィルタ−とで包絡線検波し、直流に変換して差動回路7で両直流入力の差を発生させる。
而して、上記のHex1とHex2とに差があれば、各センサヘッドA1,A2に対する各発振回路の発振電圧の差のために差動回路7が出力されて勾配磁界が検出される。
これに対し、一様磁界、すなわちHex1=Hex2の外部磁界では、各発振回路の発振電圧に差が無いために検出されず、地磁気のようなノイズ磁界は相殺できる。従って、空間的に変化する磁界のみを高感度で検出できる。
【0014】
上記において、両センサヘッドA1,A2の電極の磁化によるバイアス磁界を逆方向とすれば、一様磁界に対する各センサヘッドに対する各発振回路の発振電圧に差が生じるから、一様外部磁界の検出が可能となる。
【0015】
上記のように、本発明に係る2ヘッド型磁界センサにおいては、バイアスコイルを用いることなく、磁性電極の磁化による静磁界をバイアス磁界として勾配外部磁界や一様外部磁界を検出できる。
本発明に係る多ヘッド型磁界センサにおいては、電極に磁性材を使用しているから、アモルファス磁性エレメントと電極との溶接を強固に行うことができる(アモルファス磁性ワイヤが破断するほど強固な溶接が可能)。これに対して、電極が通常の電極材である銅の場合、アモルファス磁性エレメントとの溶接は不可であり、既述した通り、特殊なはんだ付けに依存せざるを得ず、接合箇所の嵩高化が避けられないが、本発明では当該接合部を充分にコンパクトにできる。
【0016】
なお、磁性材とアモルファス磁性エレメントとの溶接を強固に行い得る理由としては、磁性材とアモルファス磁性エレメントとは鉄、コバルト、クロ−ム等の共通する原子を有し、電子レベルでの結合が推定できる。
かかる磁性材料としては、次ぎの硬質磁性材や反硬質磁性材を挙げることができる。
(1)硬質磁性材
Fe、Co、Cr、Ni−Co合金(Co20重量%,Ni80重量%)、パ−マロイ(Fe10重量%,Ni90重量%)、スパ−マロイ(Fe50重量%,Ni50重量%)、コバ−ル(Co17〜18重量%,Ni28〜29重量%,残部Fe)。
(2)半硬質磁性材
17%Cr鋼(C0.7重量%,Cr2.5重量%,Co17重量%,残部Fe)、36%Co鋼(C0.7重量%,Cr4重量%,Co36重量%,残部Fe)、バイカロイ系合金(V10〜20重量%,Cr10〜20重量%,Co52重量%,残部Fe)、P−6合金(V4重量%,Co45重量%,Ni6重量%,残部Fe)Fe−Ni−Al合金(Al9重量%,Co微量,Cu微量,Ni14〜18重量%)、Fe−Mn−Ti合金(Ti3重量%,Mn12〜13重量%,残部Fe)、Fe−Mn合金(Mn12.5重量%,残部Fe)、Fe−Mn−Cr−N合金(N若干,Cr7重量%,Mn12重量%,Co若干,Mo若干,残部Fe)、マルエ−ジング鋼(Co0.01重量%,Al0.16重量%,Si0.1重量%,P0.007重量%,Ti19.7重量%,Mn0.18重量%,Co12.15重量%,Ni19.74重量%,Mo3.13重量%,残部Fe)、Fe−Cr−Co合金(Si1.5重量%,Cr25〜35重量%,Co10重量%,残部Fe)、Fe−Cr−Mo合金(Co12重量%,Mo8重量%,残部Fe)、Fe−Cr−Ni−Cr合金(Cr6〜9重量%,Co22重量%,Ni14〜11,残部Fe)、炭素鋼(C0.5重量%,残部Fe)、FNC合金(Ni16〜18重量%,Cu6重量%,残部Fe)、Fe−Mn−Co合金(Mn5〜10重量%,Co13〜20重量%,残部Fe)、Fe−Ni−Al−Ti合金(Al3〜4.5重量%,Ti若干,Ni14〜23重量%,残部Fe)、Fe−Co−Ni−Cr−Cu(Co20〜25重量%,Ni12重量%、Cr7〜5重量%,Cu3重量%,残部Fe)、リカロイ(Nb3.1重量%,残部Fe)、Fe−Co−Cu−V合金(V0.9重量%,Co16.3重量%,Cu20.9重量%,残部Fe)、Co−Cr鋼(C0.80〜0.84重量%,Cr4.4〜4.6重量%,Mn0.5〜0.6重量%,Co14〜15重量%,残部Fe)、Co−Fe−Au合金(Fe12重量%,Au6重量%,残部Co)、Co−Fe−Ti合金(Ti3重量%,Fe12重量%,残部Co)、Co−Fe−Be合金(Be1.3重量%,Fe10.2重量%,残部Co)、ニブコロイ(Fe12重量%,Nb3重量%,残部Co)、Fe−Cu合金(Fe60重量%,残部Cu)、Fe−Cu−Mn合金(Mn1.7重量%,Fe80重量%,残部Cu)等。
【0017】
本発明に係る多ヘッド型磁界センサにおいてアモルファス磁性エレメントには、上記アモルファス磁性ワイヤ(外径は、通常φ20μm〜φ50μm)以外に、基板上に真空蒸着やイオンスパッタリング等により形成したアモルファス磁性薄膜(厚み0.001〜5μm)を使用することもできる。
上記の実施例では、磁界センサヘッドの個数を二個としているが、図3に示すように、二個以上とすることもでき、この場合、ヘッドのピッチPは通常1.5〜4.0mmとされる。更に、絶縁基板の両面に複数箇の磁界センサヘッドを配設することもできる。
【0018】
【発明の効果】
本発明に係るMI式の多ヘッド型磁界センサにおいては、各ヘッドの電極に磁性材を用い、この電極の磁化による静磁界を各ヘッドのバイアス磁界として使用しており、バイアスコイルを省略でき、また、磁性材とアモルファス磁性エレメントとの優れた溶接性のために電極とアモルファス磁性エレメントとの溶接接合部をコンパクトにできるから、多ヘッド型MI式磁界センサの小型化を図ることができる。更に、左右対称構造としてあるから、ヘッド間の間隔をより一層小さくでき、磁気分解能の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る多ヘッド型磁界センサの一例を示す図面である。
【図2】 図1に示す磁界センサによる外部磁界の検出方法を示す図面である。
【図3】 本発明に係る多ヘッド型磁界センサの上記とは別の例を示す図面である。
【符号の説明】
1 絶縁基板
2a 電極
21a 電極先端
2b 電極
21b 電極先端
3 アモルファス磁性エレメント
A1 磁界センサヘッド
A2 磁界センサヘッド
Claims (2)
- アモルファス磁性エレメントを電極間に接続し、該エレメントに電流を流し、アモルファス磁性エレメントを通過する外部磁界をバイアス磁界の重畳のもとで上記アモルファス磁性エレメントの両端間電圧で検波する磁界センサヘッドの2箇を平行に配設し、これら磁界センサヘッドの検波出力の差で上記複数箇の磁界センサヘッドにわたる分布外部磁界を検出する左右対称の2ヘッド型磁界センサであり、互いに平行な二本の左右のアモルファス磁性エレメントの間隔が1.5〜4.0mmとされ、これら電極のうち各アモルファス磁性エレメントの先端に接続された電極の先端側がかぎ状とされ、これら電極のかぎ状部分で前記の平行アモルファス磁性エレメントが左右から挟まれており、前記電極が磁化された磁性体とされ、この磁化電極の静磁界が上記バイアス磁界として作用させることを特徴とする多ヘッド型磁界センサ。
- アモルファス磁性エレメントを電極間に接続し、該エレメントに電流を流し、アモルファス磁性エレメントを通過する外部磁界をバイアス磁界の重畳のもとで上記アモルファス磁性エレメントの両端間電圧で検波する磁界センサヘッドの複数箇(2箇は除く)を平行に配設し、これら磁界センサヘッドの検波出力の差で上記複数箇の磁界センサヘッドにわたる分布外部磁界を検出する多ヘッド型磁界センサにおいて、磁界センサヘッドの配設ピッチを1.5〜4.0mmとし、各磁界センサヘッドの電極に磁化した磁性体を用い、この磁化電極の静磁界を上記バイアス磁界として作用させることを特徴とする多ヘッド型磁界センサ。
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Families Citing this family (2)
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JP2921262B2 (ja) * | 1992-06-04 | 1999-07-19 | 株式会社村田製作所 | 長尺型磁気センサ |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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