JPH0769407B2 - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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- JPH0769407B2 JPH0769407B2 JP2049458A JP4945890A JPH0769407B2 JP H0769407 B2 JPH0769407 B2 JP H0769407B2 JP 2049458 A JP2049458 A JP 2049458A JP 4945890 A JP4945890 A JP 4945890A JP H0769407 B2 JPH0769407 B2 JP H0769407B2
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- hall
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- A41—WEARING APPAREL
- A41D—OUTERWEAR; PROTECTIVE GARMENTS; ACCESSORIES
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- A41D25/06—Neckties with knot, bow or like tied by the user
- A41D25/10—Means for holding the knot, or the like
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A41—WEARING APPAREL
- A41B—SHIRTS; UNDERWEAR; BABY LINEN; HANDKERCHIEFS
- A41B3/00—Collars
- A41B3/12—Collars with supports for neckties or cravats
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Textile Engineering (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は半導体ホールセンサを磁気検出に使用する磁気
検出装置に関する。
検出装置に関する。
（従来の技術） 従来、電子モータのロータ磁極の位置検出には半導体ホ
ールセンサ単体のホール出力電圧が使用されている。
ールセンサ単体のホール出力電圧が使用されている。
このように半導体ホールセンサは単体で使用するのが一
般的であるが、以下のような問題点があった。
般的であるが、以下のような問題点があった。
（イ）出力電圧の温度依存性が生ずる。
一般に半導体では温度によってキャリアの数及び易動度
が変化するため、ホール出力電圧も変化し、実使用上問
題となる。即ち、実装上あるいは使用温度上制限が加わ
る温度による変化量は半導体材料固有のバンドギャップ
できまる。Si1.1eV,InSb0.18eV,InAs0.36eV,GaAs1.43eV
であるのでGaAsがこの点で最も優れている（温度特性が
小さく、−500ppm/℃のオーダである）。しかし、温度
特性のために、使用用途の範囲に制限があることは事実
で、例えば広い温度幅の環境にさらされる車や、高信頼
性を要求される産業用途ではまだまだ難点がある。
が変化するため、ホール出力電圧も変化し、実使用上問
題となる。即ち、実装上あるいは使用温度上制限が加わ
る温度による変化量は半導体材料固有のバンドギャップ
できまる。Si1.1eV,InSb0.18eV,InAs0.36eV,GaAs1.43eV
であるのでGaAsがこの点で最も優れている（温度特性が
小さく、−500ppm/℃のオーダである）。しかし、温度
特性のために、使用用途の範囲に制限があることは事実
で、例えば広い温度幅の環境にさらされる車や、高信頼
性を要求される産業用途ではまだまだ難点がある。
（ロ）零磁界での出力、即ちオフセット電圧が存在す
る。
る。
実際の半導体ホールセンサ素子では、形状のわずかな非
対称性や材料の不均質性があるため、電流の流れが一様
でなくなり、零磁界でも出力電圧が生ずる。オフセット
電圧が大きいと、磁束Ｂの正負に対する出力電圧が異な
る。即ち、例えば＋Ｂの出力に対してホール素子の実際
の出力|VM（＋）｜＝|VH＋ＶHO｜とすると、−Ｂに対し
ては|VM（−）｜＝|VH−ＶHO｜となる。したがって、|V
HO｜が大きいと、本来|VM（＋）｜＝|VM（−）｜＝|VH
｜としての回路設計がなされるので、設計マージンがと
れなくなる。最悪、モータが動作しなくなることもあ
る。
対称性や材料の不均質性があるため、電流の流れが一様
でなくなり、零磁界でも出力電圧が生ずる。オフセット
電圧が大きいと、磁束Ｂの正負に対する出力電圧が異な
る。即ち、例えば＋Ｂの出力に対してホール素子の実際
の出力|VM（＋）｜＝|VH＋ＶHO｜とすると、−Ｂに対し
ては|VM（−）｜＝|VH−ＶHO｜となる。したがって、|V
HO｜が大きいと、本来|VM（＋）｜＝|VM（−）｜＝|VH
｜としての回路設計がなされるので、設計マージンがと
れなくなる。最悪、モータが動作しなくなることもあ
る。
又、従来、特性の揃った一対の半導体ホールセンサ素子
を一定の間隔を設けて配設し両者の差電圧を出力に取出
すことで、２素子の線上での磁場の傾斜を検出するもの
もある。しかしながら、このような２素子の線上での磁
場の傾斜を検出するものでは同一特性の素子間の差電圧
を取り出すため磁場そのものの検出には使用できない。
あくまで磁場の変化分の検出に限られる。
を一定の間隔を設けて配設し両者の差電圧を出力に取出
すことで、２素子の線上での磁場の傾斜を検出するもの
もある。しかしながら、このような２素子の線上での磁
場の傾斜を検出するものでは同一特性の素子間の差電圧
を取り出すため磁場そのものの検出には使用できない。
あくまで磁場の変化分の検出に限られる。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、磁場その
ものを良好に検出し得、かつ、ホール出力電圧の温度特
性及びオフセット電圧を改善し得る磁気検出装置を提供
することを目的とする。
ものを良好に検出し得、かつ、ホール出力電圧の温度特
性及びオフセット電圧を改善し得る磁気検出装置を提供
することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段と作用） 本発明は上記目的を達成するために、同一半導体チップ
あるいは同一外囲器内に形成した一対のホールセンサか
らなる磁気検出装置において、一方のホールセンサの出
力電圧を他方のホールセンサの出力電圧より大きくし、
両方のホールセンサの出力電圧の差を出力として取り出
すことを特徴とするものである。
あるいは同一外囲器内に形成した一対のホールセンサか
らなる磁気検出装置において、一方のホールセンサの出
力電圧を他方のホールセンサの出力電圧より大きくし、
両方のホールセンサの出力電圧の差を出力として取り出
すことを特徴とするものである。
（実施例） 以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図であり、７は半
導体チップ又は外囲器で、この同一半導体チップ上又は
同一外囲器内には第１のホールセンサ５及び第２のホー
ルセンサ６が形成される。この第１のホールセンサ５に
は入力端子ＩC（−）１及び入力端子ＩC1（＋）２及び
出力端子ＶH1（＋）３が設けられ、第２のホールセンサ
６には入力端子ＩC（−）１及び入力端子ＩC2（＋）
２′及び出力端子ＶH2（＋）４が設けられる。前記第１
のホールセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）を第２のホール
センサ６の出力電圧ＶH2（＋）より大きくなるように第
１のホールセンサ５を構成する。しかして、第１のホー
ルセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）と第２のホールセンサ
６の出力電圧ＶH2（＋）の差を磁気検出装置の出力とし
て取り出す。尚、入力端子２に加えられた制御電流ＩC1
（＋）は第１のホールセンサ５を通って入力端子１に流
れ、入力端子２′に加えられた制御電流ＩC2（＋）は第
２のホールセンサ６を通って入力端子１に流れる。又、
第１のホールセンサ５及び第２のホールセンサ６には磁
束密度Ｂが貫通している。
導体チップ又は外囲器で、この同一半導体チップ上又は
同一外囲器内には第１のホールセンサ５及び第２のホー
ルセンサ６が形成される。この第１のホールセンサ５に
は入力端子ＩC（−）１及び入力端子ＩC1（＋）２及び
出力端子ＶH1（＋）３が設けられ、第２のホールセンサ
６には入力端子ＩC（−）１及び入力端子ＩC2（＋）
２′及び出力端子ＶH2（＋）４が設けられる。前記第１
のホールセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）を第２のホール
センサ６の出力電圧ＶH2（＋）より大きくなるように第
１のホールセンサ５を構成する。しかして、第１のホー
ルセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）と第２のホールセンサ
６の出力電圧ＶH2（＋）の差を磁気検出装置の出力とし
て取り出す。尚、入力端子２に加えられた制御電流ＩC1
（＋）は第１のホールセンサ５を通って入力端子１に流
れ、入力端子２′に加えられた制御電流ＩC2（＋）は第
２のホールセンサ６を通って入力端子１に流れる。又、
第１のホールセンサ５及び第２のホールセンサ６には磁
束密度Ｂが貫通している。
第２図は本発明に係る半導体チップ８上に形成した電極
構造の一例であり、第１のホールセンサ５は入力電極Ｉ
C（−）11−1,入力電極ＩC1（＋）12,出力電極ＶH1
（＋）13,出力電極ＶH（−）17−1,動作領域15より構成
され、第２のホールセンサ６は入力電極ＩC（−）11−
2,入力電極ＩC2（＋）12′，出力電極ＶH2（＋）14,出
力電極ＶH（−）17−2,動作領域16より構成される。前
記入力電極ＩC（−）11−１と入力電極ＩC（−）11−２
はパターンで接続され、前記出力電極ＶH（−）17−１
と出力電極ＶH（−）17−２はパターンで接続される。
構造の一例であり、第１のホールセンサ５は入力電極Ｉ
C（−）11−1,入力電極ＩC1（＋）12,出力電極ＶH1
（＋）13,出力電極ＶH（−）17−1,動作領域15より構成
され、第２のホールセンサ６は入力電極ＩC（−）11−
2,入力電極ＩC2（＋）12′，出力電極ＶH2（＋）14,出
力電極ＶH（−）17−2,動作領域16より構成される。前
記入力電極ＩC（−）11−１と入力電極ＩC（−）11−２
はパターンで接続され、前記出力電極ＶH（−）17−１
と出力電極ＶH（−）17−２はパターンで接続される。
次に、第１のホールセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）を第
２のホールセンサ６の出力電圧ＶH2（＋）より大きくす
る手段について説明する。
２のホールセンサ６の出力電圧ＶH2（＋）より大きくす
る手段について説明する。
一般に、ホールセンサの出力電圧ＶHは以下のように表
わされる。
わされる。
ＶH＝Ｋ＊・Rd・Ic・Ｂ ただし、Ｋ＊は比感度,Rdは入力抵抗,Icは制御電流,Bは
ホールセンサ素子動作層を貫通する磁束密度である。
ホールセンサ素子動作層を貫通する磁束密度である。
さらに、Ｋ＊は以下のように表わされる。
ただし、ＲHはホール係数でキャリア濃度に逆比例す
る。ｄは動作層の厚み、fHは動作層の形状と易動度で決
まる因子である。
る。ｄは動作層の厚み、fHは動作層の形状と易動度で決
まる因子である。
第１のホールセンサ５のホール係数ＲHを第２のホー
ルセンサ６のホール係数ＲHより大きくすることによ
り、第１のホールセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）を第２
のホールセンサ６の出力電圧ＶH2（＋）より大きくす
る。
ルセンサ６のホール係数ＲHより大きくすることによ
り、第１のホールセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）を第２
のホールセンサ６の出力電圧ＶH2（＋）より大きくす
る。
すなわち、第３図に示すように、半導体基板32に形成さ
れた第１のホールセンサ５の動作層30のイオン注入の打
込エネルギを、第２のホールセンサ６の動作層31のイオ
ン注入の打込エネルギより大きくし、同じ抵抗値を維持
して動作層30を動作層31より深く形成すると、キャリヤ
密度ｎが小さくなるので、ＲH∝1/nよりホール係数ＲH
は大きくなり第１のホールセンサ５のホール出力電圧Ｖ
Hを大きくすることができる。
れた第１のホールセンサ５の動作層30のイオン注入の打
込エネルギを、第２のホールセンサ６の動作層31のイオ
ン注入の打込エネルギより大きくし、同じ抵抗値を維持
して動作層30を動作層31より深く形成すると、キャリヤ
密度ｎが小さくなるので、ＲH∝1/nよりホール係数ＲH
は大きくなり第１のホールセンサ５のホール出力電圧Ｖ
Hを大きくすることができる。
これと同時に、動作層30の不純物散乱が動作層31の不純
物散乱より減少するので、易動度が大きくなり、因子fH
が大きくなり第１のホールセンサ５のホール出力電圧Ｖ
Hを大きくすることができる。
物散乱より減少するので、易動度が大きくなり、因子fH
が大きくなり第１のホールセンサ５のホール出力電圧Ｖ
Hを大きくすることができる。
尚、第３図において、N+層26,27、動作層30より第１の
ホールセンサ５が形成され、N+層28,29、動作層31より
第２のホールセンサ６が形成される。前記N+層26には入
力電極ＩC（−）21を介してボンディングワイヤ33が接
続され、前記N+層27には入力電極ＩC1（＋）を介してボ
ンディングワイヤ34が接続される。又、前記N+層28には
入力電極ＩC（−）が設けられ、前記N+層29には入力電
極ＩC2（＋）24を介してボンディングワイヤ35が接続さ
れる。25は半導体基板32の表面に形成された絶縁膜であ
る。
ホールセンサ５が形成され、N+層28,29、動作層31より
第２のホールセンサ６が形成される。前記N+層26には入
力電極ＩC（−）21を介してボンディングワイヤ33が接
続され、前記N+層27には入力電極ＩC1（＋）を介してボ
ンディングワイヤ34が接続される。又、前記N+層28には
入力電極ＩC（−）が設けられ、前記N+層29には入力電
極ＩC2（＋）24を介してボンディングワイヤ35が接続さ
れる。25は半導体基板32の表面に形成された絶縁膜であ
る。
尚、因子fHだけを変える手段としては動作層の形状を変
える手段もある。
える手段もある。
第１のホールセンサ５の貫通磁束密度Ｂを第２のホー
ルセンサ６の貫通磁束密度Ｂより大きくすることによ
り、第１のホールセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）を第２
のホールセンサ６の出力電圧ＶH2（＋）より大きくす
る。
ルセンサ６の貫通磁束密度Ｂより大きくすることによ
り、第１のホールセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）を第２
のホールセンサ６の出力電圧ＶH2（＋）より大きくす
る。
即ち、第４図に示すように、第３図のように形成した半
導体チップにおいて、第１のホールセンサ５に対応した
上面に、磁性体例えば軟磁性材料36を形成する。この軟
磁性材料36を形成するには例えばフェライト粉等の磁性
粉を混ぜた樹脂を半導体チップの上面に滴下してエンキ
ャップ状に形成する。すなわち、磁性体の集磁効果によ
り周囲磁束が集束され磁束密度Ｂが大きくなり、第１の
ホールセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）を第２のホールセ
ンサ６の出力電圧ＶH2（＋）より大きくすることができ
る。尚、磁性体としてヒステリシス特性を持たない軟磁
性材料を用いた場合には残留磁気の影響を小さくし、交
番磁界での使用に支障がないようにするこができる。
導体チップにおいて、第１のホールセンサ５に対応した
上面に、磁性体例えば軟磁性材料36を形成する。この軟
磁性材料36を形成するには例えばフェライト粉等の磁性
粉を混ぜた樹脂を半導体チップの上面に滴下してエンキ
ャップ状に形成する。すなわち、磁性体の集磁効果によ
り周囲磁束が集束され磁束密度Ｂが大きくなり、第１の
ホールセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）を第２のホールセ
ンサ６の出力電圧ＶH2（＋）より大きくすることができ
る。尚、磁性体としてヒステリシス特性を持たない軟磁
性材料を用いた場合には残留磁気の影響を小さくし、交
番磁界での使用に支障がないようにするこができる。
尚、半導体チップの第１のホールセンサに対応した下面
あるいは面に磁性体を形成してもよい。半導体チップの
下面に磁性体を形成するには磁性体をペレット状に切り
出して半導体チップに接着するか、あるいは磁性粉を混
ぜた樹脂を半導体チップの裏面に塗布する。
あるいは面に磁性体を形成してもよい。半導体チップの
下面に磁性体を形成するには磁性体をペレット状に切り
出して半導体チップに接着するか、あるいは磁性粉を混
ぜた樹脂を半導体チップの裏面に塗布する。
第１のホールセンサ５のの入力抵抗Rdを第２のホール
センサ６の入力抵抗Rdより大きくすることにより、第１
のホールセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）を第２のホール
センサ６の出力電圧ＶH2（＋）より大きくする。この場
合は定電流使用に有効である。
センサ６の入力抵抗Rdより大きくすることにより、第１
のホールセンサ５の出力電圧ＶH1（＋）を第２のホール
センサ６の出力電圧ＶH2（＋）より大きくする。この場
合は定電流使用に有効である。
即ち、第１のホールセンサ５の動作層のシート抵抗ρｓ
を第２のホールセンサ６の動作層のシート抵抗ρｓより
高くすればいいので、第１のホールセンサ５の動作層の
ドーズ量を少なくする。例えば、第１のホールセンサ５
の動作層のドーズ量を200KeVで２×1012cm-2とし、第２
のホールセンサ６の動作層のドーズ量を200KeVで４×10
12cm-2とすることにより、第１のホールセンサ５の入力
抵抗Rdを第２のホールセンサ６の入力抵抗Rdより大きく
することができ、第１のホールセンサ５の出力電圧ＶH1
（＋）を第２のホールセンサ６の出力電圧ＶH2（＋）よ
り大きくすることができる。
を第２のホールセンサ６の動作層のシート抵抗ρｓより
高くすればいいので、第１のホールセンサ５の動作層の
ドーズ量を少なくする。例えば、第１のホールセンサ５
の動作層のドーズ量を200KeVで２×1012cm-2とし、第２
のホールセンサ６の動作層のドーズ量を200KeVで４×10
12cm-2とすることにより、第１のホールセンサ５の入力
抵抗Rdを第２のホールセンサ６の入力抵抗Rdより大きく
することができ、第１のホールセンサ５の出力電圧ＶH1
（＋）を第２のホールセンサ６の出力電圧ＶH2（＋）よ
り大きくすることができる。
次に本実施例の効果について説明する。
温度改善効果 第５図に示すように、同一温度特性を有する第１のホー
ルセンサ５と第２のホールセンサ６の差を出力として取
り出すので、温度特性は相殺され、小さくなる。
ルセンサ５と第２のホールセンサ６の差を出力として取
り出すので、温度特性は相殺され、小さくなる。
尚、モノリシックでも、ハイブリッドでも同様の効果を
期待できる。
期待できる。
オフセット電圧（ＶHO）縮小効果 ハイブリッドの場合に限るが、特性が同一で接近したオ
フセット電圧を有する一対のホールセンサをペアリング
することで実現できる。すなわち、第１のホールセンサ
５のオフセット電圧をＶHO1とし、第２のホールセンサ
６のオフセット電圧をＶHO2とした場合、ペアリングし
た一対のホールセンサのオフセット電圧ＶHOはＶHO＝Ｖ
HO1−ＶHO2で、ＶHO1ＶHO2ならＶHO０である。
フセット電圧を有する一対のホールセンサをペアリング
することで実現できる。すなわち、第１のホールセンサ
５のオフセット電圧をＶHO1とし、第２のホールセンサ
６のオフセット電圧をＶHO2とした場合、ペアリングし
た一対のホールセンサのオフセット電圧ＶHOはＶHO＝Ｖ
HO1−ＶHO2で、ＶHO1ＶHO2ならＶHO０である。
［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、磁場そのものを良好
に検出することができ、かつ、ホール出力電圧の温度特
性及びオフセット電圧を改善することができる磁気検出
装置を提供することができる。
に検出することができ、かつ、ホール出力電圧の温度特
性及びオフセット電圧を改善することができる磁気検出
装置を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は本発
明に係る半導体チップ上面の一例を示す構成説明図、第
３図は本発明に係る半導体チップの一例を示す断面図、
第４図は本発明に係る半導体チップの他の例を示す断面
図、第５図は本発明に係る温度特性の一例を示す特性図
である。 1,2,2′……入力端子、3,4……出力端子、５……第１の
ホールセンサ、６……第２のホールセンサ、７……半導
体チップ又は外囲器、11−1,11−2,12,12′,21,22,23,2
4……入力電極、13,14,17−1,17−２……出力電極、15,
16……動作領域、18……半導体チップ、26……絶縁膜、
26,27,28,29……Ｎ＋層、30,31……動作層、32……半導
体基板、33,34,35……ボンディングワイヤ、36……軟磁
性材料。
明に係る半導体チップ上面の一例を示す構成説明図、第
３図は本発明に係る半導体チップの一例を示す断面図、
第４図は本発明に係る半導体チップの他の例を示す断面
図、第５図は本発明に係る温度特性の一例を示す特性図
である。 1,2,2′……入力端子、3,4……出力端子、５……第１の
ホールセンサ、６……第２のホールセンサ、７……半導
体チップ又は外囲器、11−1,11−2,12,12′,21,22,23,2
4……入力電極、13,14,17−1,17−２……出力電極、15,
16……動作領域、18……半導体チップ、26……絶縁膜、
26,27,28,29……Ｎ＋層、30,31……動作層、32……半導
体基板、33,34,35……ボンディングワイヤ、36……軟磁
性材料。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−122465（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−110277（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−57983（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−2085（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−17083（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−47588（ＪＰ，Ａ) 特公 昭51−439（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭42−2791（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭58−43682（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭56−39066（ＪＰ，Ｂ２) 実公 昭44−4377（ＪＰ，Ｙ１)
Claims (3)
- 【請求項１】同一半導体チップあるいは同一外囲器内に
形成した同一の温度特性及び同一のオフセット電圧出力
を有する一対のホールセンサからなり、一方のホールセ
ンサの出力電圧を他方のホールセンサの出力電圧より大
きくし、両方のホールセンサの出力電圧の差を出力とし
て取り出す磁気検出装置において、一方のホールセンサ
の出力電圧を他方のホールセンサの出力電圧より大きく
する手段として、半導体チップにおける一方のホールセ
ンサの上もしくは下もしくは両方に磁性体を配置したこ
とを特徴とする磁気検出装置。 - 【請求項２】同一半導体チップあるいは同一外囲器内に
形成した同一の温度性及び同一のオフセット電圧出力を
有する一対のホールセンサからなり、一方のホールセン
サの出力電圧を他方のホールセンサの出力電圧より大き
くし、両方のホールセンサの出力電圧の差を出力として
取り出す磁気検出装置において、一方のホールセンサの
出力電圧を他方のホールセンサの出力電圧より大きくす
る手段として、半導体基板に形成された一方のホールセ
ンサの動作層のイオン注入の打込エネルギを、他方のホ
ールセンサの動作層のイオン注入の打込エネルギより大
きくし、同じ抵抗値を維持して一方のホールセンサの動
作層を他方のホールセンサの動作層より深く形成したこ
とを特徴とする磁気検出装置。 - 【請求項３】同一半導体チップあるいは同一外囲器内に
形成した同一の温度特性及び同一のオフセット電圧出力
を有する一対のホールセンサからなり、一方のホールセ
ンサの出力電圧を他方のホールセンサの出力電圧より大
きくし、両方のホールセンサの出力電圧の差を出力とし
て取り出す磁気検出装置において、一方のホールセンサ
の出力電圧を他方のホールセンサの出力電圧より大きく
する手段として、一方のホールセンサの動作層のドーズ
量を他方のホールセンサの動作層のドーズ量より少なく
し、一方のホールセンサの動作層のシート抵抗を他方の
ホールセンサの動作層のシート抵抗より高くしたことを
特徴とする磁気検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2049458A JPH0769407B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 磁気検出装置 |
| KR1019910002993A KR910017201A (ko) | 1990-03-02 | 1991-02-25 | 자기검출장치 |
| KR2019950002626U KR960000763Y1 (ko) | 1990-03-02 | 1993-02-17 | 자기검출장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2049458A JPH0769407B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 磁気検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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