JP4798288B2 - 蒸着装置 - Google Patents
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Description
コンベア手段の外部には、コンベア手段に臨んでケースをホルダーに供給するための供給位置、蒸着処理前にコーティング設備を減圧するポンプが配設されている排出(減圧)位置、コーティング設備内の部品を蒸着するためのマイクロ波を生成する手段とコーティング設備を減圧するためのポンプが配設されているコーティング位置、及びホルダーからケースを搬出するための荷下ろし位置が定められ、それぞれの位置にはそれらの作業を行うための設備が設けられている。
特許文献1のコーティング装置は、1つのコーティング設備によって複数の部品を処理するため、コーティング設備内の減圧時間が長くなり、コーティング位置にて作業時間を要する。これと比較して、ケースをコンベア手段に搬入、搬送する時間は、減圧作業及びコーティング処理に比べ、短時間で作業することができる。したがって、ケースの供給位置では、コンベア手段へのケース搬送が終了し、ケースの荷下ろし位置では、コンベア手段からケースの搬出が終了していても、コーティング位置では減圧作業、コーティング処理が継続して行われることとなる。
本発明は、既存の容器供給・取出装置、蒸着ユニット、真空装置、マイクロ波発振器などを使用するにもかかわらず、容器への蒸着時間を大幅に短縮し、装置も大型化することなく、コーティング層を均一化できる蒸着装置を提供することを目的とする。
上記蒸着装置の該蒸着ユニットは基台やチャンバー本体を含み、該チャンバー本体は該基台に対して上下移動し該処理室を閉じる閉位置と該処理室を開放する開位置とを規定し、該蒸着ユニットが該搬入/搬出域から該予備減圧域への移動途中あるいは該予備減圧域に位置せしめられた後に該チャンバー本体が該閉位置に移動され、該蒸着ユニットが該減圧解除域に位置せしめられた後に該チャンバー本体が該開位置に移動せしめられることが好ましい。
上記蒸着装置の該主減圧手段は、該蒸着ユニットの該基台に配設され、一端が該処理室に連通され他端が開放されていて且つ途中に第一の開閉弁手段を有する第一の流路と、第二の真空排気系に配設され、一端が開放され他端が第二の真空源に連通されていて且つ途中に第三の開閉弁手段を有する第三の流路と、該第一の流路と該第三の流路とを接続或いは非接続の状態に位置せしめることを可能にする第二の可動部材とからなり、該主減圧域に位置する該蒸着ユニットの該処理室内を減圧状態にする際は、該第一の開閉弁手段が閉状態、該第三の開閉弁手段が閉状態且つ該第二の可動部材により該第一の流路と該第三の流路が接続された状態から、該第三の開閉弁手段を開状態に、次に該第一の開閉弁手段を開状態とし、その後、該蒸着ユニットを該蒸着域から該減圧解除域に移動する際は、該第一及び該第二の開閉弁手段をそれぞれ閉状態にした後に、該第二の可動部材により該第一の流路と該第三の流路とを非接続状態にすることが好ましい。
上記蒸着装置の該被蒸着体は合成樹脂製容器であり、該容器の内面全体に渡って薄膜が蒸着されることが好ましい。
2 供給コンベア
3 容器供給ホイール
3a,7a 回転軸
3b,7b ホイール
3c ギヤ
4 搬送ホイール
5,6 容器搬入/搬出装置
7 容器排出ホイール
8 排出コンベア
9 内側搬送路
9a,10a 容器支持部
10 外側搬送路
12 外枠
14 回転体
14a 外周面
14b 支持台
14c 柱状部
15 蒸着ユニット
16 チャンバー本体
16a,17a シール部材
17 基台
18 昇降ユニット
18a ガイドレール
21 ガイドブロック
23 天蓋
24 処理室
25 容器
27 原料ガス供給棒
28 容器支持部
29,31 吸排気口
30 原料ガス供給管
32 導波管
32a R型フランジ部
32b 真空遮蔽板
34 マイクロ波発振器
35 マイクロ波発振器電源
40 スライドバルブ部(第一の開閉弁手段)
41a〜41c 流路
42 スライドプレート
43 真空遮断弁
44a〜44c 弁座
45a〜45c 下端開口
58,59a〜59c 真空フランジ
61 真空排気系(第一の真空排気系)
62,72 アッパープレート
63 蛇腹状配管(第一の可動部材)
64 真空バルブ部(第二の開閉弁手段)
65,75a〜75c 排気用流路
66,76 シリンダ
71 真空排気系(第二の真空排気系)
73a〜73c 蛇腹状配管(第二の可動部材)
74a〜74c 真空バルブ部(第三の開閉弁手段)
81,83 開閉バルブ
82 原料ガスボンベ
84 原料ガスタンク
85 エア供給手段
89,90 原料ガス流量調整弁
86,91 吸入流路
87,88 大気解放バルブ
95 真空ポンプ(第一の真空源)
96,97 真空ポンプ(第二の真空源)
f,h 容器受け渡しエリア(容器受け渡し位置)
本発明に係わる蒸着システムは、ペットボトル等の容器の内面に、マイクロ波によって原料ガスを蒸着するものである。容器は、蒸着システムの上流側から下流側へ順に位置する供給コンベア2、容器供給ホイール3、搬送ホイール4、容器搬入/搬出装置(ロボット)5,6、蒸着装置1と流れ、再度容器搬入/搬出装置5,6を経て搬送ホイール4に戻され、該搬送ホイール4から容器排出ホイール7、排出コンベア8へ流れる。
搬送ホイール4は、内側搬送路9の受け渡しエリアfまで容器を搬送し、搬入/搬出装置5,6に容器を受け渡す。搬入/搬出装置5,6は周知技術のロボットを使用し、回転軸を中心に可動し容器把持部を反転することができ、正立姿勢で搬送されてきた容器を内側搬送路9の容器支持部9aから受け取り容器の姿勢を180度反転させて、倒立した状態で蒸着装置1に容器を供給する。
蒸着装置1には、四角形状の外枠12が設けられ、該外枠12の内部には回転体14が設けられている。回転体14は支持台14bと柱状部14cとを備え、支持台14bの上端側は、上方外側へ張り出すように形成され、その上部には水平面が形成されている。支持台14bの上には柱状部14cが配設されている。回転体14は矢印g(図1参照)の時計回り方向へ回転可能であり、垂直方向へ延びる支持台14bの外周部には、複数の蒸着ユニット15が配設されている。本実施形態では、蒸着ユニット15が回転体14の周方向へ16個配設され、2個の蒸着ユニット15を1組として形成している。各蒸着ユニット15は、回転体14の中心軸周りに円周方向の軌道に沿って移動する。
蒸着ユニット15には、チャンバー本体16と基台17との間に形成されたシール取付部にシール部材17aが装着され、処理室24を気密にできるようにシール部材17aが設けられている。基台17には、処理室24の排気を行い減圧状態にするための真空ポンプと連通する吸排気口31が排気管を介して接続されている。
一方、基台17には、容器25の口頸部の支持部が設けられ、該口頸部を下側に配置したまま容器25を支持する。容器25の内部には、容器支持部28に立設させた原料ガス供給棒27を挿入してある。また、基台17には、容器25内を減圧するための吸排気口29が設けられている。
基台17の内部には、容器25側の吸排気口29に連通する流路41a,41c及び処理室24側の吸排気口31に連通する流路41bを設け、流路41a〜41cにはスライドバルブ部40を配設している。なお、各流路41a〜41c及びこれらに配設されるバルブ構造は、実質的に同じ構造であるので、これらをまとめて説明する。
スライドバルブ部40には、図示しないシリンダに連結されているスライドプレート42と該スライドプレート42に連結されている真空遮断弁43が設けられている。真空遮断弁43は、シリンダによって水平方向へ前後移動が可能であり、前進位置にて、流路41a〜41cに形成された弁座44a〜44cに当接して閉じ、流路41a〜41cの気体の流れを遮断し、後退位置では開放して流路41a〜41cの気体の流れを許容する。流路41a〜41cの下端部には下端開口45a〜45cが形成されている。
アッパープレート62の下降位置では、基台17と真空排気系61とが分離状態となり、基台17側の流路41a〜41cの下端開口45a〜45cは、大気と連通する。蛇腹状配管63は、伸縮可能であり、アッパープレート62の昇降を許容する。
真空バルブ部64の側部には真空フランジ58が設けられ、真空ポンプ95と接続される。真空バルブ部64は、開閉によって真空ポンプ95と流路65との間の空気の流れを連通、遮断する。真空ポンプ95は、スライドバルブ部40及び真空バルブ部64が開放状態で、処理室24及び容器25内を減圧する。
真空排気系71は、基台17の下部に着離可能に配設され、真空排気系71の上端部はアッパープレート72が設けられ、アッパープレート72の下部には、蛇腹状配管73a〜73c、真空バルブ部74a〜74cが配設され、これらと蛇腹状配管73a〜73cを連通させる流路75a〜75cが設けられている。アッパープレート72は、両端部にある油圧(又は空圧)シリンダ76によって昇降可能に構成され、上昇位置において、基台17の下端開口45a〜45cと真空排気系71の流路75a〜75cとが気密になるように連結される。アッパープレート72の下降位置では、基台17と真空排気系71とが分離状態となり、流路41a〜41cの下端開口45a〜45cは、大気と連通する。蛇腹状配管73a〜73cは、伸縮可能であり、アッパープレート72の昇降を許容する。
第3ステージの真空排気系71では、真空フランジ59a,59cに真空ポンプ96を接続し、真空フランジ59bに真空ポンプ97を接続し、2台の真空ポンプ96,97が接続されている。
なお、処理室24よりも容器25内を高真空にするので、第3ステージでは、処理室24を減圧する真空ポンプ97よりも容器25の内部を減圧する真空ポンプ96の方が、高真空に減圧できるものが使用されている。
図11に示すように、原料ガス供給棒27には、開閉バルブ81及び原料ガス流量調整弁89を介して酸素が充填された原料ガスボンベ82が連結され、また開閉バルブ83及び原料ガス流量調整弁90を介してHMDSO(ヘキサメチルジシロキサン)が充填された原料ガスタンク84が連結されている。
基台17には、吸排気口29に連通する吸入流路91が設けられ、吸入流路91には、大気解放バルブ87が接続され、また吸排気口31に連通する吸入流路86が設けられ、吸入流路86には大気解放バルブ88を接続している。
容器排出ホイール7は、矢印jの反時計回り方向へ回転し、容器排出ホイール7の回転接線方向に延在する排出コンベア8の受け渡し位置kにて、容器25の受け渡しができる。排出コンベア8では、矢印mの直線方向へ容器25を搬送する。
上述したように、容器25は、蒸着システムの上流側位置に配設されている供給コンベア2によって、連続的に搬送される。容器25は、供給コンベア2の受け渡し位置bで、容器供給ホイール3の図示しない複数備えた把持部の1つによって把持される。そして、回転軌道を接する搬送ホイール4の内側搬送路9の受け渡し位置dで容器25を、搬送ホイール4に供給する。容器供給ホイール3は、このように、容器支持部9aに容器25を連続的に供給することができ、容器支持部9aには、容器が連続的に配設される。
内側搬送路9は、矢印e方向へ回転し、容器25を受け渡しエリアfに搬送し、搬入/搬出装置5,6は、容器支持部9aの容器25を把持し、容器25を正立姿勢から180度回転させる。
その後回転体14を90度回転させ、後続するチャンバー本体16に、同様の手順にて順次、容器25を供給排出し、2つのチャンバー本体16毎に容器25の供給、排出を連続的に行う。
これらの真空排気と同時に原料ガス供給管30から蒸着のための原料ガスを供給する。原料ガスは、図11に示す原料ガスボンベ82からO2が供給され、原料ガスタンク84からHMDSO(ヘキサメチルジシロキサン)が供給される。そして、原料ガスを供給してからマイクロ波の発振がされ、成膜が行われる。すなわち、マイクロ波発振電源35がマイクロ波発振器34に電源を供給し、マイクロ波が発振され、マイクロ波が導波管32を通って容器内に伝達され、容器25の内部にプラズマが発生し、薄膜が形成される。処理室24では1つの容器25を蒸着するので蒸着膜の均一化を図ることができる。
プラズマ処理を終了した後、処理用の原料ガスの供給及びマイクロ波の導入を停止する。容器25への蒸着が終了すると第3ステージが終了し、蒸着ユニットを90度回転させる。
第4ステージが終了した後は、回転体14が90度回転し、チャンバー本体16から容器25が搬入/搬出装置5,6によって搬送ホイール4に受け渡され、上述した第1ステージの作業が繰り返される。
なお、第1ステージで基台17に容器25の出し入れをしている時間では、回転体14の反対側の第3ステージで、容器25の蒸着作業が同時に行われ、同時に第1ステージの両サイドの第2ステージでは、チャンバー本体16の下降と予備排気等の作業が行われ、第4ステージでは、大気開放後、チャンバー本体16の上昇が行われる。
また、回転体14が回転する周期は、第3ステージでの蒸着作業時間を基準にして、90度毎の回転体14の回転移動が行われる。
外側搬送路10は、矢印e方向へ回転して容器25を搬送し、受け渡し位置iで容器25を容器排出ホイール7の図示しない把持手段に受け渡す。容器排出ホイール7は、矢印jの反時計回り方向へ回転し、排出コンベア8の受け渡し位置kで容器25を受け渡す。排出コンベア8では、矢印mの直線方向へ容器25を搬送し、次工程に容器25を供給する。
本実施形態では、図13に示すように、処理室24及び容器25内の真空排気を2回に分けて行い、第2ステージでは処理室24及び容器25内の予備排気を行い、第3ステージでは、主減圧による真空排気を行うようにした。こうして、処理室24と容器25内の真空作業を予め行い、それらの空間を所定値まで迅速に減圧するようになった。その結果、実質上、真空排気を行ってからマイクロ波による蒸着が終了するまで、7.0秒で行うようになった。
なお、図13中のテーブル回転他とは、回転体14の回転移動及びその他空圧回路などが作動に要する時間である。
本発明の蒸着時間を大幅に短縮可能にした第2ステージでの予備排気作業及び第3ステージでの真空排気作業の試験例について説明する。
[スタート時(基台17と真空排気系61との接続)]
図6の状態から真空バルブ部64を閉状態とし、アッパープレート62を上昇させて、基台17と真空排気系61とを接続し、スライドバルブ部40の真空遮断弁43は開放状態とする。
[予備排気開始]
上記スタート時の状態から、真空バルブ部64を閉状態から開放状態とする。このとき、処理室24,容器25内部、流路41a〜41c及び流路65は連通状態となり、真空ポンプ95によって、処理室24及び容器25内部を減圧する。
[基台17と真空排気系61との分離準備]
上記予備排気後、真空バルブ部64を開放状態から閉状態にする。次いで、スライドバルブ部40を閉状態にする。
[基台17と真空排気系61との分離]
アッパープレート62を下降させて、基台17と真空排気系61とを分離する。そして、回転体14を回転させて、基台17(蒸着ユニット15)を第3ステージに移送させる。
なお、この状態では、基台17の流路41a〜41cは、真空遮断弁43の位置から下端開口43a〜43c側が、基台17と第2ステージの真空排気系61とが分離されたことによって、大気圧となる。
図9及び図10を参照にして、主減圧による減圧処理手順は、以下の通りである。
[基台17と真空排気系71との接続]
予備排気が終了した状態では、基台17側のスライドバルブ部40の真空遮断弁43は、閉状態であり、引き続きこの状態が維持される。そして、真空排気系71の真空バルブ部74a〜74cを閉状態にし、アッパープレート72を下降位置から上昇位置に移動し、基台17と真空排気系71とを接続する。
[真空排気開始]
真空バルブ部74a〜74cを閉状態から開放状態とし、基台17側の流路41a〜41cと真空排気系71の流路75a〜75cとを連通させる。基台17側のスライドバルブ部40が閉状態にしたままで、フランジ59a〜59cに接続した真空ポンプ96,97によって流路41a〜41c及びこれに連通する流路75a〜75c内を減圧する。
[真空排気接続完了]
予め流路41a〜41c及び流路75a〜75c内を減圧した後、スライドバルブ部40を閉状態から開放状態にし、処理室24及び容器25内のさらなる減圧が行われる。
試験結果は、以下のとおりである。
[試験結果]
上記待機時間Xを0.5秒、0.6秒、0.8秒、0.4秒、1.5秒として、これらの順に大気圧となった流路41a〜41cの排気を行い、容器25の内部の真空度を測定した。試験結果を図12に示す。図12に示す予備減圧開始時は、容器25内の圧力は常圧(約1×105Pa)である。
図12の楕円の点線で示すように、待機時間Xが短いほど、容器25内の圧力が上昇するのが分かった。すなわち、基台17と真空排気系61との切り離しによって、大気となった流路41a〜41cを減圧するのに時間がかかるためであり、待機時間Xが短いと流路41a〜41c及び流路75a〜75cを十分に減圧できないままに容器24と流路41a〜41cとを接続してしまうことになる。しかしながら、図12の矢印Aに示すように、蒸着の開始時には、待機時間Xに影響なく、真空度がほぼ一致する。これにより、待機時間Xを短くしても真空度に影響がないことが分かった。したがって、第2ステージと第3ステージとに分けて、減圧しても何ら問題が生じないことが分かった。
上記実施形態では、第3ステージにおいて、2つの真空ポンプ96,97によって、処理室24と容器25内を別々の真空ポンプによって減圧させたが、蒸着処理内容によっては、第2ステージのように1つの真空ポンプで処理室24と容器25内を減圧させてもよい。また、設備費はかかるが、4つの処理室24及び容器25内を1つの真空ポンプで減圧させたが、各々独立させて1つの処理室24,容器内25を1つの真空ポンプで減圧させることが可能である。
上記実施形態では、容器25に原料を蒸着させるために、電磁波発振装置であるマイクロ波発振器34を用いたが、これに代えて高周波発振装置を使用できる。
Claims (4)
- 間欠回転可能な支持台と
該支持台上に周方向に間隔をおいて配設され、該支持台の間欠回転によって搬入/搬出域、予備減圧域、蒸着域及び減圧解除域に順次に位置せしめられる、開閉自在な処理室を備えた複数個の蒸着ユニットと
該搬入/搬出域に位置せしめられている該蒸着ユニットの該処理室内から薄膜が蒸着された被蒸着体を搬出し且つ被蒸着体が搬出された該蒸着ユニットの該処理室内に薄膜を蒸着すべき被蒸着体を搬入するための被蒸着体搬入/搬出手段と
該予備減圧域に位置せしめられている該蒸着ユニットの該処理室内を排気して減圧状態にせしめる予備減圧手段と
該蒸着域に位置せしめられている該蒸着ユニットの該処理室内に存在する被蒸着体へ薄膜を蒸着せしめるために該処理室内を排気して減圧状態にせしめる主減圧手段、該処理室内へ薄膜蒸着に必要な気体を供給する気体供給手段及び該処理室内に電磁波を生成するための電磁波生成手段を含む蒸着手段と
該減圧解除域に位置せしめられている該蒸着ユニットの該処理室内の減圧状態を解除する減圧解除手段とから構成され
該予備減圧手段は、
該蒸着ユニットの該基台に配設され、一端が該処理室に連通され他端が開放されていて且つ途中に第一の開閉弁手段を有する第一の流路と
第一の真空排気系に配設され、一端が開放され他端が第一の真空源に連通されていて且つ途中に第二の開閉弁手段を有する第二の流路と
該第一の流路と該第二の流路とを接続或いは非接続の状態に位置せしめることを可能にする第一の可動部材とからなり、
該予備減圧域に位置する該蒸着ユニットの該処理室内を減圧状態にする際は、該第一の開閉弁手段が閉状態、該第二の開閉弁手段が閉状態且つ該第一の可動部材により該第一の流路と該第二の流路とが接続された状態から、該第一の開閉弁手段及び該第二の開閉弁手段を開状態とし、その後、該蒸着ユニットを該予備減圧域から該蒸着域に移動する際は、該第一及び該第二の開閉弁手段をそれぞれ閉状態にした後に、該第一の可動部材により該第一の流路と該第二の流路とを非接続状態ににすることを特徴とする蒸着手段。 - 該主減圧手段は、
該蒸着ユニットの該基台に配設され、一端が該処理室に連通され他端が開放されていて且つ途中に第一の開閉弁手段を有する第一の流路と
第二の真空排気系に配設され、一端が開放され他端が第二の真空源に連通されていて且つ途中に第三の開閉弁手段を有する第三の流路と
該第一の流路と該第三の流路とを接続或いは非接続の状態に位置せしめることを可能にする第二の可動部材とからなり、
該主減圧域に位置する該蒸着ユニットの該処理室内を減圧状態にする際は、該第一の開閉弁手段が閉状態、該第三の開閉弁手段が閉状態且つ該第二の可動部材により該第一の流路と該第三の流路が接続された状態から、該第三の開閉弁手段を開状態に、次に該第一の開閉弁手段を開状態とし、その後、該蒸着ユニットを該蒸着域から該減圧解除域に移動する際は、該第一及び該第二の開閉弁手段をそれぞれ閉状態にした後に、該第二の可動部材により該第一の流路と該第三の流路とを非接続状態にすることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。 - 該蒸着ユニットは基台やチャンバー本体を含み、該チャンバー本体は該基台に対して上下移動し該処理室を閉じる閉位置と該処理室を開放する開位置とを規定し、該蒸着ユニットが該搬入/搬出域から該予備減圧域への移動途中あるいは該予備減圧域に位置せしめられた後に該チャンバー本体が該閉位置に移動され、該蒸着ユニットが該減圧解除域に位置せしめられた後に該チャンバー本体が該開位置に移動せしめられることを特徴とする請求項1又は2に記載の蒸着装置。
- 該被蒸着体は合成樹脂製容器であり、該容器の内面全体に渡って薄膜が蒸着されることを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の蒸着装置。
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Citations (2)
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JP2003013223A (ja) * | 2001-04-27 | 2003-01-15 | Shibaura Mechatronics Corp | 真空処理装置 |
JP2005526613A (ja) * | 2002-05-24 | 2005-09-08 | エスアイジー テクノロジー リミテッド | 工作物のプラズマ処理方法および装置 |
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JP2005526613A (ja) * | 2002-05-24 | 2005-09-08 | エスアイジー テクノロジー リミテッド | 工作物のプラズマ処理方法および装置 |
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