JP4794240B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4794240B2 JP4794240B2 JP2005238383A JP2005238383A JP4794240B2 JP 4794240 B2 JP4794240 B2 JP 4794240B2 JP 2005238383 A JP2005238383 A JP 2005238383A JP 2005238383 A JP2005238383 A JP 2005238383A JP 4794240 B2 JP4794240 B2 JP 4794240B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- insulating film
- crystal display
- data line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
4:ブラックマトリクス
6:カラーフィルター(R、G、B)
8:共通電極
10:カラーフィルター基板
12:下部ガラス基板
14,102:ゲートライン
16,104:データライン
18,106:薄膜トランジスタ(TFT)
20:薄膜トランジスタ基板
22,118:画素電極
24:液晶
108:ゲート電極
110:ソース電極
112:ドレイン電極
114:ドレインコンタクトホール
116:活性層
130、138:コンタクトホール
120:ストレージキャパシタ
126:ゲートパッド
128:ゲートパッド下部電極
132:ゲートパッド上部電極
134:データパッド
136:データパッド下部電極
140:データパッド上部電極
142:基板
144:ゲート絶縁膜
146:オーミック接触層
150:保護膜
156:反射電極
160、166、168:コンタクト電極
170:透過ホール
230、250、260:マスク
232、252、262:石英基板
236:ハフトーン透過層
234、254、264:遮断層
239:フォトレジスト
240、240A、240B:フォトレジストパターン
Claims (13)
- 第1及び第2基板と、
前記第1基板上のゲートラインと、
前記第1基板上のゲート絶縁膜と、
前記ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインと、
前記ゲートライン及びデータラインと接続された薄膜トランジスタと、
前記ゲートラインと前記データライン及び前記薄膜トランジスタ上に形成され、前記画素領域内で透過ホールを有する有機絶縁膜と、
前記透過ホール内と前記画素領域の有機絶縁膜上とに形成され、前記薄膜トランジスタと接続された画素電極と、
前記画素電極上に形成され、前記画素電極の端部より内側に位置する端部を備え、前記透過ホールの画素電極を露出させる反射電極を含み、
ソース電極が前記データラインと接続され、ドレイン電極が前記画素電極と接続され、そして、前記有機絶縁膜は単一層であり、前記ソース電極、ドレイン電極及び画素電極と接触し、
前記ゲートラインと前記データラインとの中、少なくとも一つのラインと接続されたパッドをさらに含み、
前記パッドは、前記ゲートラインと前記データラインとの中、少なくとも一つのラインと接続されたパッド下部電極と、前記有機絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を貫通して前記パッド下部電極を露出させるコンタクトホール及び前記コンタクトホールを通じて、前記パッド下部電極と接続されたパッド上部電極とを含み、
前記パッド下部電極から伸張され、前記データラインと隣接したデータリンクと、前記データリンク及びデータラインを露出させる複数のコンタクトホール及び前記コンタクトホールを貫通して前記データリンク及びデータラインと接続されたコンタクト電極とをさらに含み、
前記コンタクト電極は、前記画素電極と同一の透明導電膜及び前記反射電極と同一の反射金属層で形成されることを特徴とする液晶表示装置。
- 前記有機絶縁膜及び画素電極が、エンボッシング表面を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記反射電極が、前記有機絶縁膜及び画素電極と同一のエンボッシング表面を有することを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記反射電極が、前記画素電極と接続され、前記透過ホールの側面を包むように形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記透過ホールは、前記有機絶縁膜と前記ゲート絶縁膜とを貫通することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極が、前記有機絶縁膜を貫通するドレインコンタクトホールを通じて、前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極と接続されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記反射電極及び画素電極が、前記ゲートラインとデータラインの中、少なくとも一つのラインと重畳されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記データラインと交差するストレージラインを含むストレージキャパシタをさらに含み、前記ストレージラインが前記ゲート絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタから延長された前記ドレイン電極と重畳されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記データライン及び薄膜トランジスタと重畳された半導体パターンをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記反射金属層は、前記透明導電膜と同一の端部を備えるか、または前記透明導電膜の端部より内側に位置した端部を備えるように形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記コンタクト電極が、シーラントによって密封される領域に位置することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記パッドは、ゲートパッド及びデータパッドの中の一つであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板と前記第2基板との間の液晶層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2004-101554 | 2004-12-04 | ||
KR1020040101554A KR101139522B1 (ko) | 2004-12-04 | 2004-12-04 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011004651A Division JP5124657B2 (ja) | 2004-12-04 | 2011-01-13 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006163356A JP2006163356A (ja) | 2006-06-22 |
JP4794240B2 true JP4794240B2 (ja) | 2011-10-19 |
Family
ID=36573748
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005238383A Expired - Fee Related JP4794240B2 (ja) | 2004-12-04 | 2005-08-19 | 液晶表示装置 |
JP2011004651A Expired - Fee Related JP5124657B2 (ja) | 2004-12-04 | 2011-01-13 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011004651A Expired - Fee Related JP5124657B2 (ja) | 2004-12-04 | 2011-01-13 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7626669B2 (ja) |
JP (2) | JP4794240B2 (ja) |
KR (1) | KR101139522B1 (ja) |
CN (1) | CN1782842A (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8149346B2 (en) | 2005-10-14 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP5105811B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2012-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US7768618B2 (en) * | 2005-12-26 | 2010-08-03 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabrication method thereof |
US7821613B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP5011479B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2012-08-29 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置の製造方法 |
US20080024702A1 (en) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Pixel structure and fabrication method thereof |
JP4905261B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2012-03-28 | ソニー株式会社 | 反射板を有する表示パネルの製造方法 |
TWI418903B (zh) * | 2009-09-30 | 2013-12-11 | Au Optronics Corp | 陣列基板及其製造方法 |
KR101658514B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2016-09-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
US8988440B2 (en) | 2011-03-15 | 2015-03-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Inactive dummy pixels |
KR101976068B1 (ko) * | 2012-12-06 | 2019-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102241249B1 (ko) | 2012-12-25 | 2021-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기 |
WO2014103900A1 (en) | 2012-12-25 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN103185981B (zh) * | 2013-03-15 | 2016-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩色滤光阵列基板及其制备方法和显示装置 |
US9915848B2 (en) | 2013-04-19 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US9704894B2 (en) | 2013-05-10 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including pixel electrode including oxide |
TWI649606B (zh) | 2013-06-05 | 2019-02-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
US9293480B2 (en) * | 2013-07-10 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
KR102106004B1 (ko) * | 2013-10-22 | 2020-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN103779202B (zh) * | 2014-01-27 | 2016-12-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素结构及其制作方法和显示面板 |
WO2016063169A1 (en) | 2014-10-23 | 2016-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US10680017B2 (en) | 2014-11-07 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device |
TWI561894B (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Manufacturing method of making electronic connection structure, tft substrate, and insulation layer |
CN105355631A (zh) * | 2015-10-10 | 2016-02-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置、掩膜板 |
US10782575B2 (en) | 2016-05-27 | 2020-09-22 | Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. | Array substrate and display panel, and fabrication methods thereof |
CN105785640A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曲面显示装置及其制备方法 |
CN106898616B (zh) * | 2017-03-17 | 2019-11-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法及tft基板 |
CN110989259B (zh) * | 2019-12-12 | 2023-01-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5162933A (en) | 1990-05-16 | 1992-11-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Active matrix structure for liquid crystal display elements wherein each of the gate/data lines includes at least a molybdenum-base alloy layer containing 0.5 to 10 wt. % of chromium |
KR940004322B1 (ko) | 1991-09-05 | 1994-05-19 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
US5317433A (en) | 1991-12-02 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display device with a transistor on one side of insulating layer and liquid crystal on the other side |
WO1994012453A1 (en) * | 1992-11-30 | 1994-06-09 | Daikin Industries, Ltd. | Process for producing perfluoroalkyl bromide |
DE4339721C1 (de) | 1993-11-22 | 1995-02-02 | Lueder Ernst | Verfahren zur Herstellung einer Matrix aus Dünnschichttransistoren |
TW321731B (ja) | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
JP3866783B2 (ja) | 1995-07-25 | 2007-01-10 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
KR0156202B1 (ko) | 1995-08-22 | 1998-11-16 | 구자홍 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JPH09113931A (ja) | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
DE19712233C2 (de) * | 1996-03-26 | 2003-12-11 | Lg Philips Lcd Co | Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür |
JP3527731B2 (ja) | 1998-03-05 | 2004-05-17 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル |
JP4815659B2 (ja) * | 2000-06-09 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
KR100803177B1 (ko) | 2001-05-14 | 2008-02-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP2003015145A (ja) | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | 電極形成方法及び液晶表示装置 |
US6734935B2 (en) | 2001-07-04 | 2004-05-11 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array panel for a transflective liquid crystal display device |
KR100380142B1 (ko) | 2001-07-18 | 2003-04-11 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 |
KR100858297B1 (ko) * | 2001-11-02 | 2008-09-11 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
JP3977099B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2007-09-19 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 液晶表示装置及びその製造方法 |
KR100456151B1 (ko) * | 2002-04-17 | 2004-11-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
KR100870522B1 (ko) * | 2002-09-17 | 2008-11-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100484950B1 (ko) * | 2002-10-31 | 2005-04-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP3770240B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2006-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP4354205B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2009-10-28 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
KR100931681B1 (ko) | 2003-04-08 | 2009-12-14 | 삼성전자주식회사 | 어레이 기판 및 이를 갖는 액정표시장치 |
KR100531410B1 (ko) | 2003-04-15 | 2005-11-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
JP2004325822A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
-
2004
- 2004-12-04 KR KR1020040101554A patent/KR101139522B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-06-29 US US11/168,315 patent/US7626669B2/en active Active
- 2005-08-19 JP JP2005238383A patent/JP4794240B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-30 CN CNA2005100937693A patent/CN1782842A/zh active Pending
-
2009
- 2009-07-13 US US12/458,456 patent/US8294855B2/en active Active
-
2011
- 2011-01-13 JP JP2011004651A patent/JP5124657B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006163356A (ja) | 2006-06-22 |
US20090275155A1 (en) | 2009-11-05 |
US8294855B2 (en) | 2012-10-23 |
KR20060062644A (ko) | 2006-06-12 |
JP2011128631A (ja) | 2011-06-30 |
KR101139522B1 (ko) | 2012-05-07 |
US7626669B2 (en) | 2009-12-01 |
US20060119771A1 (en) | 2006-06-08 |
JP5124657B2 (ja) | 2013-01-23 |
CN1782842A (zh) | 2006-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4794240B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4142672B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4772599B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP4268956B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4537946B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP3923501B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4619997B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP4433480B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP3923500B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
US7471357B2 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
JP4439448B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
US8115893B2 (en) | Liquid crystal display device with reflection and transmission regions | |
JP2006189768A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
US7416926B2 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
KR20060073374A (ko) | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
JP2008242428A (ja) | 半透過型液晶表示パネル及びその製造方法 | |
KR101296898B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090610 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090907 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110113 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110613 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110704 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |