JP4769927B2 - シリカ吸着材の製造方法 - Google Patents
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シリカゲルの製造において、ケイ酸ソーダを酸で加水分解し,生成する初期のシリカ分子は一次粒子(primely particle)といわれている。この一次粒子の粒子径は、pH,温度,塩,シリカ濃度の影響を受けて変化する。一次粒子の粒子径の増大と共に、一次粒子が系から分離し沈殿を生じたり,均一なゲル状態を示したりする。シリカゲルはこの一次粒子が互いに連結した構造を持ち,粒子間の空隙が細孔となる。
SiO2/Na2O(モル比)が5.0以上8.0以下であるケイ酸ソーダを粉砕する工程と、
粉砕したケイ酸ソーダを酸処理及び/又は水洗する工程と、
乾燥させる工程と、を有し、
全細孔面積に対し、細孔径が1.0〜1.5nmである細孔の細孔面積の割合が20〜50%であり、細孔径が1.5〜2nmである細孔の細孔面積の割合が20〜29%であり、細孔径が2〜4nmである細孔の細孔面積の割合が20〜40%であり、細孔径が4〜10nmである細孔の細孔面積の割合が3〜10%であり、細孔径が10nm以上である細孔の細孔面積の割合が0.5〜2%であるシリカ吸着材の製造方法であることを特徴とするシリカ吸着材の製造方法を要旨とする。
・前記全細孔容積は、図1に示すような窒素脱着等温線に基づき、BET法(DHプロット)を用いて算出した値である。
本発明では、ケイ酸ソーダを粉砕する工程と、
粉砕したケイ酸ソーダを酸処理及び/又は水洗する工程と、
乾燥させる工程と、を有することを特徴とする。
まず、前記a)で得られたケイ酸ソーダを粉砕機を用いて2mm以下に粉砕した。そして、粉砕したケイ酸ソーダを98%硫酸により、室温(例えば20°C)の条件で3分間酸処理を行い、シリカ吸着材とした。
まず、前記a)で得られたケイ酸ソーダを粉砕機を用いて2mm以下に粉砕した。そして、粉砕したケイ酸ソーダを50%硫酸により、室温(例えば20°C)の条件で3分間酸処理を行い、シリカ吸着材とした。
本実施例2のシリカ吸着材は、前記実施例1と同様に、低相対圧から高相対圧に至るまで高い吸着能を発揮することができる。
まず、前記a)で得られたケイ酸ソーダを粉砕機を用いて2mm以下に粉砕した。そして、粉砕したケイ酸ソーダを25%硫酸により、室温(例えば20°C)の条件で3分間酸処理を行い、シリカ吸着材とした。
本実施例3のシリカ吸着材は、前記実施例1と同様に、低相対圧から高相対圧に至るまで高い吸着能を発揮することができる。
(比較例1)
市販されているA形シリカゲル(富士シリシア化学(株)製)を比較例1のシリカ吸着材とし、前記実施例1のc)と同様に特性を測定した。その結果を図1、図2、及び上記表1に示す。
市販されているB形シリカゲル(富士シリシア化学(株)製)を比較例2のシリカ吸着材とし,前記実施例1のc)と同様に特性を測定した。その結果を図1、図2、及び上記表1に示す。
(比較例3)
市販されているID型シリカゲル(富士シリシア化学(株)製)を比較例3のシリカ吸着材とし,前記実施例1のc)と同様に特性を測定した。その結果を図1、図2、及び上記表1に示す。
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
Claims (1)
- SiO2/Na2O(モル比)が5.0以上8.0以下であるケイ酸ソーダを粉砕する工程と、
粉砕したケイ酸ソーダを酸処理及び/又は水洗する工程と、
乾燥させる工程と、を有し、
全細孔面積に対し、細孔径が1.0〜1.5nmである細孔の細孔面積の割合が20〜50%であり、細孔径が1.5〜2nmである細孔の細孔面積の割合が20〜29%であり、細孔径が2〜4nmである細孔の細孔面積の割合が20〜40%であり、細孔径が4〜10nmである細孔の細孔面積の割合が3〜10%であり、細孔径が10nm以上である細孔の細孔面積の割合が0.5〜2%であるシリカ吸着材の製造方法であることを特徴とするシリカ吸着材の製造方法。
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