JP4768972B2 - インダクタ - Google Patents
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Description
2 シリコン基板
3 層間絶縁膜
4 低抵抗層
5 素子分離層
11 シリコンと金属の合金
12 シリコンと金属の合金
13 インダクタ配線より下層のメタル配線
14 インダクタ配線の内側の端子
15 p型シリコン基板
16 高濃度にp型不純物を導入したシリコン
21 シリコンと金属の合金
31 絶縁膜
32 ポリシリコン
41 シリコンと強磁性体の合金
42 MOSFET領域
43 インダクタ領域
51 中空の領域
61メタル層
62ポリシリコン層
63シリコン基板と逆極性のシリコン層
64低抵抗シリコン層
Claims (7)
- シリコン基板上に形成するインダクタ配線において、インダクタ配線近傍の前記シリコン基板上に、前記シリコン基板よりも低抵抗のシリコン層を形成し、
前記低抵抗のシリコン層はインダクタ配線直下には形成されないことを特徴とするインダクタ。 - 請求項1において、前記低抵抗のシリコン層上にシリコンと金属の合金層を形成することを特徴とするインダクタ。
- 請求項1において、インダクタ配線近傍の前記シリコン基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に前記シリコン基板よりも低抵抗のポリシリコン層を形成することを特徴とするインダクタ。
- 請求項3において、前記低抵抗のポリシリコン層上にシリコンと金属の合金層を形成することを特徴とするインダクタ。
- 請求項2または4のいずれか1つにおいて、前記合金層は強磁性の金属とシリコンとの合金であることを特徴とするインダクタ。
- 請求項1〜5のいずれか1つにおいて、前記低抵抗の層は前記インダクタ配線に対して垂直な方向に切れ目の入った短冊状であることを特徴とするインダクタ。
- 請求項1〜4のいずれか1つにおいて、前記低抵抗の層の上部には配線層間膜用の絶縁膜がないことを特徴とするインダクタ。
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