JP5699905B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5699905B2 JP5699905B2 JP2011237469A JP2011237469A JP5699905B2 JP 5699905 B2 JP5699905 B2 JP 5699905B2 JP 2011237469 A JP2011237469 A JP 2011237469A JP 2011237469 A JP2011237469 A JP 2011237469A JP 5699905 B2 JP5699905 B2 JP 5699905B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- slit
- semiconductor substrate
- semiconductor device
- outermost periphery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る半導体装置は、無線通信を行うためのコイルを備えたものである。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図6は本実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図1のA−A断面に相当する図である。
本実施形態では、第2実施形態と異なる部分について説明する。第2実施形態では、スリット12に埋込部材13としてPoly−Siを埋め込んでいたが、本実施形態ではスリット12内を全て酸化膜で埋め込んだ構造となっている。
本実施形態では、第1〜第3実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、コイル30の直下に2本のスリット12を設けたことが特徴となっている。
本実施形態では、第1〜第4実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、半導体基板10のうち一方向に沿ったコイル30の部分の直下を除いた領域に別のスリットを設けている。
本実施形態では、第5実施形態と異なる部分について説明する。図14は本実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図1のA−A断面に相当する図である。この図に示されるように、本実施形態では半導体基板10のうち2つの別のスリット15の間が回路形成領域50とされ、この回路形成領域50に所望の回路が形成されている。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図15は本実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図1のA−A断面に相当する図である。この図に示されるように、本実施形態では、コイル30の最外周に位置する部分の直下以外にはスリット12が設けられておらず、コイル30の最外周に位置する部分以外のコイル配線直下に回路形成領域50が設けられている。
本実施形態では、第1〜第7実施形態と異なる部分について説明する。図16は本実施形態に係る半導体装置の平面図である。図16(a)に示されるように上記各実施形態では一方向に沿ってスリット12が形成されていたが、図16(b)に示されるように図16(a)における一方向に垂直な方向を一方向としてこの方向に沿ってスリット12を設けても良い。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図17は本実施形態に係る半導体装置の断面図である。この図に示されるように、コイル30の直下に位置するスリット12は、半導体基板10の一面11に垂直な方向において、半導体基板10を貫通している。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図18は本実施形態に係る半導体装置の平面図である。この図に示されるように、スリット12は、一方向だけでなく、この一方向に対して直角の方向に傾けられた他方向に沿っても形成されている。このように、スリット12を二方向に設けても良い。これにより、半導体基板10がスリット12によって区画されるので、渦電流の面積を小さくすることができる。
本実施形態では、第1〜第10実施形態と異なる部分について説明する。図19は本実施形態に係る半導体装置の平面図である。この図に示されるように、本実施形態では、半導体基板10の一面11の面方向において一方向と直角の他方向のそれぞれに沿ってスリット12がコイル30の直下に形成されている。
本実施形態では、第1〜第11実施形態と異なる部分について説明する。上記各実施形態では、コイル30が四角形状の渦状にレイアウトされていたが、図20に示されるように円形の渦状にレイアウトされていても良い。
本実施形態では、第12実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、図21に示されるようにコイル30は三角形の渦状にレイアウトされていても良い。この場合、上述の「他方向」は一方向に直角ではなく、一方向に対して例えば60°と120°にそれぞれ傾けられている。もちろん、この角度も一例であり、他の角度でも良い。
上記各実施形態で示された半導体装置の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、スリット12は少なくとも1本設けられていれば渦電流の面積を低減できる効果がある。
11 一面
12 スリット
15 別のスリット
20 絶縁層
30 コイル
50 回路形成領域
Claims (8)
- 一面(11)を有する半導体基板(10)と、前記半導体基板(10)の一面(11)に形成された絶縁層(20)と、前記絶縁層(20)の上方に渦状に形成されたコイル(30)と、を備えた半導体装置であって、
前記半導体基板(10)は、前記コイル(30)のうちの最外周に位置する部分の少なくとも一部の直下に、前記一面(11)に平行な面方向のうちの一方向に沿って形成されたスリット(12)を少なくとも2本備えており、
前記コイル(30)のうちの最外周に位置する部分の少なくとも一部は前記一方向に沿って形成されており、
前記少なくとも2本のスリット(12)は、前記コイル(30)のうちの最外周に位置する部分において前記一方向に垂直な方向の幅の範囲内に位置しており、
さらに、前記一方向に垂直な方向において、前記コイル(30)の一方の端と1本のスリット(12)の端とが一致すると共に、前記コイル(30)の他方の端と他の1本のスリット(12)の端とが一致していることを特徴とする半導体装置。 - 前記スリット(12)は、絶縁膜の単膜、絶縁膜を含む複合膜、および空隙のいずれかによって満たされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記スリット(12)は、前記一方向と、この一方向に対して傾けられた他方向と、に沿って形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記コイル(30)のうちの最外周に位置する部分の少なくとも一部は前記一方向に沿って形成されており、
前記スリット(12)は、前記半導体基板(10)の一面(11)において、前記一方向に沿った前記コイル(30)の一方の端および他方の端からそれぞれ突出していると共に、当該突出した長さが前記コイルの一方の端から他方の端までの長さの半分以上になっていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記スリット(12)は、前記半導体基板(10)の一面(11)に垂直な方向において、前記半導体基板(10)を貫通していることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記半導体基板(10)は、前記半導体基板(10)の一面(11)において、前記コイル(30)が形成された範囲のうち前記コイル(30)の最外周に位置する部分の直下を除いた領域に別のスリット(15)を備えており、
前記別のスリット(15)は、前記半導体基板(10)の一面(11)を基準とした深さが、前記コイル(30)のうちの最外周に位置する部分の少なくとも一部の直下に位置するスリット(12)よりも浅いことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記半導体基板(10)は、前記半導体基板(10)の一面(11)において、前記コイル(30)が形成された範囲のうち前記コイル(30)の最外周に位置する部分の直下を除いた領域に回路が形成された回路形成領域(50)を備えていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記コイル(30)のうちの最外周に位置する部分の少なくとも一部の直下に位置するスリット(12)は、前記回路形成領域(50)のトレンチ分離用として用いられることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011237469A JP5699905B2 (ja) | 2011-10-28 | 2011-10-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011237469A JP5699905B2 (ja) | 2011-10-28 | 2011-10-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013098238A JP2013098238A (ja) | 2013-05-20 |
JP5699905B2 true JP5699905B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=48619917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011237469A Expired - Fee Related JP5699905B2 (ja) | 2011-10-28 | 2011-10-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5699905B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5720712B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2015-05-20 | トヨタ自動車株式会社 | 冷却器 |
JP7034031B2 (ja) * | 2018-08-01 | 2022-03-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN114823638A (zh) * | 2022-04-27 | 2022-07-29 | 电子科技大学 | 一种低寄生电容集成电感结构 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE510443C2 (sv) * | 1996-05-31 | 1999-05-25 | Ericsson Telefon Ab L M | Induktorer för integrerade kretsar |
JPH10321802A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | インダクタ素子 |
JP2000040786A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002093622A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インダクタ素子 |
US7750413B2 (en) * | 2003-06-16 | 2010-07-06 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
-
2011
- 2011-10-28 JP JP2011237469A patent/JP5699905B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013098238A (ja) | 2013-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5673359B2 (ja) | コイル部品及びその製造方法 | |
JP2007300143A (ja) | 半導体基体中に形成されたスパイラル形状インダクタ及びそのインダクタを形成するための方法 | |
JP2005191540A (ja) | 配線構造及びその製造方法 | |
US10566126B2 (en) | Chip inductor and manufacturing method thereof | |
JP2007165761A (ja) | 半導体装置 | |
WO2010052839A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5082271B2 (ja) | チップコイルとその製造方法 | |
JP2010080774A (ja) | 半導体装置 | |
WO2018037667A1 (ja) | 半導体装置、撮像装置、および半導体装置の製造方法 | |
JP5699905B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5339974B2 (ja) | インダクタ装置及びその製造方法 | |
JP5179365B2 (ja) | マイクロ電子組立体及びこれを形成するための方法 | |
JP2004031520A (ja) | 半導体集積回路及びその製造方法 | |
JP2022174315A (ja) | チップインダクタ | |
JP2009088269A (ja) | 半導体装置、およびその製造方法 | |
JP5421742B2 (ja) | トランス | |
JP2009111036A (ja) | 薄膜トランスおよびその製造方法 | |
JP2005252272A (ja) | 半導体基板上に形成されるインダクタンス素子 | |
JP2009267207A (ja) | 信号伝送装置および信号伝送装置の製造方法 | |
JP2010080551A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010034248A (ja) | スパイラルインダクタ | |
KR100576542B1 (ko) | 집적형 인덕터 | |
JP7411590B2 (ja) | インダクタ部品およびその製造方法 | |
JP2013084842A (ja) | 配線構造及びその製造方法 | |
JP5377568B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140708 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140709 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150202 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5699905 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |