JP5421742B2 - トランス - Google Patents
トランス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5421742B2 JP5421742B2 JP2009266578A JP2009266578A JP5421742B2 JP 5421742 B2 JP5421742 B2 JP 5421742B2 JP 2009266578 A JP2009266578 A JP 2009266578A JP 2009266578 A JP2009266578 A JP 2009266578A JP 5421742 B2 JP5421742 B2 JP 5421742B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- wiring
- silicon
- region
- surface side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
本実施形態のトランスは、図1に示すように、シリコン基板1を用いて形成されてコア2および当該コア2に巻回された複数(図示例では、3つ)のコイル3(31,32,33)を有している。ここにおいて、シリコン基板1としては、主表面である一表面が(100)面で高抵抗率(例えば、抵抗率が100Ωcm以上)の単結晶のp形シリコン基板を用いているが、p形シリコン基板に限らず、n形シリコン基板を用いてもよい。
Si+2HF+(2−n)h+→SiF2+2H++ne−
SiF2+2HF→SiF4+H2
SiF4+2HF→SiH2F6
すなわち、シリコン基板1の陽極酸化では、Fイオンの供給量とホールh+の供給量との兼ね合いで多孔質化あるいは電解研磨が起こることが知られており、Fイオンの供給量の方がホールの供給量よりも多い場合には多孔質化が起こり、ホールh+の供給量がFイオンの供給量よりも多い場合には電解研磨が起こる。したがって、本実施形態のようにシリコン基板1として導電形がp形のものを用いている場合には、陽極酸化による多孔質化の速度はホールh+の供給量で決まるから、シリコン基板1中を流れる電流の電流密度で多孔質化の速度が決まり、多孔質部15の厚みが決まることになる。
本実施形態のトランスの基本構成は実施形態1と略同じであり、図4に示すように、基体10が、シリコン基板1を複数備え(図示例では、2つ備え)、これら複数のシリコン基板1が厚み方向に重ねて配置されている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
図7に示す本実施形態のトランスの基本構成は実施形態2と略同じであり、シリコン領域20が、各シリコン基板1,1の一部を陽極酸化することにより形成されたポーラスシリコン領域(多孔質シリコン領域)により構成されている点が相違する。なお、実施形態2と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
図8に示す本実施形態のトランスの基本構成は実施形態2と略同じであり、実施形態2にて説明したシリコン領域20と各シリコン酸化膜23とで構成されていた部分の代わりに、シリカ領域21が形成されている点が相違する。なお、実施形態3と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
2 コア
3 コイル
10 基体
20 シリコン領域
21 シリカ領域
22 埋込穴
23 シリコン酸化膜
24 磁性材料部
31 第1配線
32 第2配線
33 貫通配線
Claims (7)
- シリコン基板を用いて形成されてコアおよび当該コアに巻回された複数のコイルを有するトランスであって、前記コアは、前記シリコン基板からなる基体の一部により構成され前記基体の厚み方向に沿った複数の埋込穴が2次元的に配列されたシリコン領域と、前記シリコン領域の各前記埋込穴それぞれの内側に埋め込まれた複数の磁性材料部と、各前記磁性材料部と各前記埋込穴の内周面との間に介在するシリコン酸化膜とで構成され、前記コイルは、前記基体の一表面側で前記コアの長さ方向に並設され平面視において前記コアに交差する複数の線状の第1配線と、前記基体の他表面側で前記コアの長さ方向に並設され平面視において前記コアに交差する複数の線状の第2配線と、前記基体の厚み方向に貫設され前記第1配線と前記第2配線とを接続する複数の貫通配線とで構成されてなり、前記基体は、前記一表面と各前記磁性材料部との間に第1絶縁膜のみが介在し、前記他表面と各前記磁性材料部との間に第2絶縁膜のみが介在していることを特徴とするトランス。
- 前記シリコン領域は、ポーラスシリコン領域であることを特徴とする請求項1記載のトランス。
- 前記コイルは、前記コアに多重に巻回されてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載のトランス。
- 前記基体は、前記シリコン基板を複数備え、前記複数の前記シリコン基板が厚み方向に重ねて配置されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のトランス。
- シリコン基板を用いて形成されてコアおよび当該コアに巻回された複数のコイルを有するトランスであって、前記コアは、前記シリコン基板からなる基体の一部により構成され前記基体の厚み方向に沿った複数の埋込穴が2次元的に配列されたシリカ領域と、前記シリカ領域の各前記埋込穴それぞれの内側に埋め込まれた複数の磁性材料部とで構成され、前記コイルは、前記基体の一表面側で前記コアの長さ方向に並設され平面視において前記コアに交差する複数の線状の第1配線と、前記基体の他表面側で前記コアの長さ方向に並設され平面視において前記コアに交差する複数の線状の第2配線と、前記基体の厚み方向に貫設され前記第1配線と前記第2配線とを接続する複数の貫通配線とで構成されてなり、前記基体は、前記一表面と各前記磁性材料部との間に前記シリカ領域の一部のみが介在し、前記他表面と各前記磁性材料部との間に前記シリカ領域の他の一部のみが介在していることを特徴とするトランス。
- 前記シリカ領域は、多孔質シリカ領域であることを特徴とする請求項5記載のトランス。
- 前記基体は、前記シリコン基板を複数備え、前記複数の前記シリコン基板が厚み方向に重ねて配置されてなることを特徴とする請求項5または請求項6記載のトランス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009266578A JP5421742B2 (ja) | 2009-11-24 | 2009-11-24 | トランス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009266578A JP5421742B2 (ja) | 2009-11-24 | 2009-11-24 | トランス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011114033A JP2011114033A (ja) | 2011-06-09 |
JP5421742B2 true JP5421742B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=44236162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009266578A Expired - Fee Related JP5421742B2 (ja) | 2009-11-24 | 2009-11-24 | トランス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5421742B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110415946A (zh) * | 2018-04-29 | 2019-11-05 | 深南电路股份有限公司 | 电磁元件及其制造方法 |
US11450472B2 (en) | 2018-04-29 | 2022-09-20 | Shennan Circuits Co., Ltd. | Electromagnetic device and method for manufacturing the same |
US20220013275A1 (en) * | 2018-10-30 | 2022-01-13 | Beihang University | Mems solenoid inductor and manufacturing method thereof |
JP7378166B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2023-11-13 | 北京航空航天大学 | Memsソレノイドトランス及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0593010U (ja) * | 1992-05-22 | 1993-12-17 | 株式会社三協精機製作所 | 電磁コイル |
JPH08298211A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Canon Inc | プリントインダクタ |
SG74672A1 (en) * | 1997-12-29 | 2000-08-22 | Texas Instruments Inc | Integrated circuit and method of using porous silicon to achieve component isolation in radio frequency applications |
FR2779006B1 (fr) * | 1998-05-19 | 2003-01-24 | St Microelectronics Sa | Procede de formation de silicium poreux dans un substrat de silicium, en particulier pour l'amelioration des performances d'un circuit inductif |
JP2003179148A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-06-27 | Denso Corp | 半導体基板およびその製造方法 |
KR100569590B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-04-10 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고주파 반도체 장치 및 그 제조방법 |
JP2009135325A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | インダクタンス素子及びその製造方法 |
JP2009135326A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | インダクタンス素子及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-11-24 JP JP2009266578A patent/JP5421742B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011114033A (ja) | 2011-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI394186B (zh) | 一種線圈電感之形成方法 | |
US9027229B2 (en) | Coil assembly comprising planar coil | |
KR20180031653A (ko) | 칩 전자부품 및 그 제조방법 | |
JP6414947B2 (ja) | パワーインダクタおよびその製造方法 | |
JP5421742B2 (ja) | トランス | |
JP2019134141A (ja) | インダクタ部品およびその製造方法 | |
KR101514499B1 (ko) | 공통모드필터 제조방법 및 공통모드필터 | |
JP2020013855A (ja) | インダクタ部品 | |
JP7267641B2 (ja) | Memsソレノイドインダクタ及びその製造方法 | |
JP5082271B2 (ja) | チップコイルとその製造方法 | |
CN104977548B (zh) | 一种多孔铁芯结构微型磁通门传感器 | |
JP2013135232A (ja) | インダクタの製造方法 | |
JP2020013854A (ja) | インダクタ部品 | |
WO2020184517A1 (ja) | キャパシタ及びその製造方法 | |
JP2020088289A (ja) | インダクタンス素子及び電子機器 | |
JP6485984B1 (ja) | コイル部品 | |
JP5699905B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR101973449B1 (ko) | 인덕터 | |
JP2007227730A (ja) | チップコイル | |
JP2007227729A (ja) | インダクタンス部品 | |
CN106898458B (zh) | 电感器及其形成方法 | |
JP2010056177A (ja) | トランス | |
JP2008010695A (ja) | インダクタンス部品 | |
JP2008270269A (ja) | 巻線型電子部品用コア、その製造方法及び巻線型電子部品 | |
JP5286645B2 (ja) | インダクタンス部品とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120118 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120611 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130507 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130716 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131122 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |