JP2002093622A - インダクタ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のインダクタ素子の構成では、渦巻き型
配線とシリコン基板との間に発生する寄生容量Ｃｐおよ
びシリコン基板中を流れる渦巻き型配線間の抵抗成分Ｒ
ｐを十分に抑制することができなかった。 【解決手段】 半導体基板上に絶縁層を介して形成され
た渦巻き型配線の隣り合う配線間およびその渦巻き型配
線の外周に対応する半導体基板の位置に、渦巻き型配線
を包囲するように渦巻き状のトレンチを形成し、そのト
レンチの内部に絶縁性物質を充填した構成を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波領域におい
て使用されるインダクタ素子、特に高周波で動作する集
積回路が形成された半導体基板上に形成された、いわゆ
るオンチップタイプのインダクタ素子の構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話や携帯端末（ＰＤＡ）に
代表される移動体通信機器の技術革新は急激に進歩して
おり、機器の高機能化、小型軽量化に応えるための半導
体集積回路の小型高集積化、低消費電力化への取り組み
が急ピッチで進んでいる。

【０００３】マイクロウェーブ領域の高周波で動作する
システムにはインダクタやキャパシタのような受動素子
が従来外付け部品として使用されてきたが、これらの外
付け部品の高集積化や半導体チップへの内蔵による携帯
機器の小型軽量化が強く要望されている。

【０００４】しかしながらシリコン基板上に絶縁層を介
してインダクタを形成した場合、シリコン基板は導電体
として作用するためインダクタを構成する配線とシリコ
ン基板との間に寄生容量が発生し、高周波で入力される
信号のシリコン基板への洩れ経路を形成することにな
り、性能を劣化させる要因となっている。これを解決す
るために従来トランジスタの素子間の分離に用いられた
トレンチを応用する技術が報告されている。

【０００５】図９（ａ），（ｂ），（ｃ）はこのような
従来のインダクタ素子の一例を示すものであり、図に示
すように不純物がドープされたシリコン基板１の表面に
は一定の深さと一定の幅を有するトレンチ２が形成され
ている。このトレンチ２が形成されたシリコン基板１の
表面には第１の絶縁層３が形成され、この第１の絶縁層
３上にはＡｌ等の導電膜よりなる引き出し配線４が形成
されている。この引き出し配線４の一部を覆って第１の
絶縁層３の上には第２の絶縁層５が形成され、この第２
の絶縁層５上にはインダクタを構成するＡｌ等の導電膜
よりなる渦巻き型配線６が形成されている。

【０００６】この渦巻き型配線６の内側端の内部接点６
ａは第２の絶縁層５を貫通して形成されたプラグ７によ
って引き出し配線４に接続されていて引き出し配線４は
外部の入力または出力端子（図示せず）に接続される。

【０００７】一方渦巻き型配線６の外側端は外部接点６
ｂを形成しており、渦巻き型配線６の側方にはグランド
電極８が設けられている。

【０００８】上記従来のインダクタ素子の構成において
トレンチ２には導電率が低い絶縁物質が充填されていて
インダクタを構成する導電体と基板間に発生する寄生容
量を小さくし、また基板への洩れ電流を防止している。

【０００９】なお、図９（ｃ）は図９（ａ）に示す平行
して形成されているトレンチ２に直交してトレンチ２ａ
が設けられている場合を示すものである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のインダクタ素子の構成では、トレンチ２が平行に形成
されている場合、トレンチ２に垂直に交差する渦巻き型
配線６どうしの分離が弱く、図１０に示すように渦巻き
型配線６とシリコン基板１との間に発生する寄生容量Ｃ
ｐおよびシリコン基板１中を流れる渦巻き型配線６間の
抵抗成分Ｒｐをトレンチ２，２ａ（図示せず）によって
十分に抑制することができないという課題がある。

【００１１】また図９（ｃ）のように格子状に形成した
トレンチ２，２ａはその交差部において充填されている
絶縁物質の平面性が悪く、半導体基板の平坦性を低下さ
せるという課題を有している。

【００１２】本発明は上記課題を解決するものであり、
インダクタ素子を形成する渦巻き型配線間を効率よく分
離することができ、したがって信号の損失を低減するこ
とができるインダクタ素子を提供することを目的とする
ものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、半導体基板上に絶縁層を介して形成された
渦巻き型配線の隣り合う配線間およびその渦巻き型配線
の外周に対応する半導体基板の位置に、渦巻き型配線を
包囲するように渦巻き状のトレンチを形成し、そのトレ
ンチの内部に絶縁性物質を充填した構成を有するもので
あり、オンチップタイプのインダクタ素子の配線間の分
離を大きくすることができるため、信号の半導体基板へ
のリークを低減し、また信号のシリコン基板における損
失を低減することが可能となる。

【００１４】本発明の請求項１に記載の発明は、半導体
基板上に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に
形成された引き出し配線と、その引き出し配線の上面に
形成された第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に引き出し
配線の一部と導電性のプラグで電気的に接続して形成さ
れた渦巻き型配線と、渦巻き型配線の隣り合う配線間お
よび渦巻き型配線の外周に対応する半導体基板の位置に
形成された渦巻き状のトレンチと、トレンチの内部に充
填された絶縁性物質とを備えるものであり、半導体基板
との寄生容量を大幅に低減することができとともに信号
の半導体基板へのリークを低減し、また信号のシリコン
基板における損失を低減することが可能となる。

【００１５】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１に記載のインダクタ素子に関し、絶縁性物質が充填さ
れた渦巻き状のトレンチが、半導体基板上に形成されて
いる渦巻き型配線の隣り合う配線間および渦巻き型配線
の外周に対応する半導体基板の位置に複数本平行して形
成されていることを特徴とするものであり、配線間のよ
り効果的な分離を得ることができる。

【００１６】本発明の請求項３に記載の発明は、半導体
基板上に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に
形成された引き出し配線と、その引き出し配線の上面に
形成された第２の絶縁層と、その第２の絶縁層上に引き
出し配線の一部と導電性のプラグで電気的に接続して形
成された渦巻き型配線と、渦巻き型配線の直下および渦
巻き型配線の隣り合う配線間および渦巻き型配線の外周
に対応する半導体基板の位置に複数本形成された渦巻き
状のトレンチと、トレンチの内部に充填された絶縁性物
質とを備えるものである。

【００１７】本発明の請求項４に記載の発明は、半導体
基板上に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に
形成された引き出し配線と、その引き出し配線の上面に
形成された第２の絶縁層と、その第２の絶縁層上に引き
出し配線の一部と導電性のプラグで電気的に接続して形
成された渦巻き型配線と、渦巻き型配線の隣り合う配線
間および渦巻き型配線の外周に対応する半導体基板の位
置に複数本形成された渦巻き状のトレンチと、渦巻き型
配線直下に対応する半導体基板の位置に渦巻き型配線の
渦巻き方向に対してほぼ直交して複数個並列して形成さ
れたドミノ型トレンチと、トレンチの内部に充填された
絶縁性物質とを備えるものであり、シリコン基板に流れ
る渦電流を低減することができ、インダクタに流れる信
号成分の損失を低減できる。

【００１８】本発明の請求項５に記載の発明は、請求項
４に記載のインダクタ素子に関し、渦巻き型配線が直角
に曲がる隅部直下に対応する半導体基板に形成する各ト
レンチの形状を、渦巻き型配線直下に設けられたドミノ
型トレンチに対して異なる長さまたは異なる角度で形成
したことを特徴とするものである。

【００１９】本発明の請求項６に記載の発明は、半導体
基板上に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に
形成された引き出し配線と、その引き出し配線の上面に
形成された第２の絶縁層と、その第２の絶縁層上に引き
出し配線の一部と導電性のプラグで電気的に接続して形
成された渦巻き型配線と、渦巻き型配線の隣り合う配線
間および渦巻き型配線の外周に対応する半導体基板の位
置に複数本形成された渦巻き状のトレンチと、渦巻き型
配線直下に対応する半導体基板の位置に形成された複数
本の渦巻き状のトレンチおよび渦巻き型配線の渦巻き方
向に対してほぼ直交して複数個並列して形成された複数
のドミノ型トレンチと、トレンチの内部に充填された絶
縁性物質とを備えるものである。

【００２０】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
１から６のいずれかに記載のインダクタ素子に関し、渦
巻き状のトレンチが平面構造において渦巻き型配線を渦
巻き状に包囲する形状で形成されているものである。

【００２１】本発明の請求項８に記載の発明は、請求項
１から７のいずれかに記載のインダクタ素子に関し、ト
レンチの下層に絶縁層を設けたものである。

【００２２】本発明の請求項９に記載の発明は、請求項
１から７のいずれかに記載のインダクタ素子に関し、ト
レンチの下部領域に空乏層を設けたものである。

【００２３】本発明の請求項１０に記載の発明は、請求
項１から９のいずれかに記載のインダクタ素子に関し、
トレンチがその平面的構造において交差またはＴ字型交
点を形成させない構成とするものであり、トレンチの交
差部におけるシリコン基板の平坦性を向上させることに
より配線間の分離をより確実なものとすることができ
る。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。

【００２５】（実施の形態１）図１は本発明の第１の実
施の形態におけるインダクタ素子の構成を説明する平面
図（ａ）および図１（ａ）のＡ−Ａ線における断面図
（ｂ）であり、図に示すように不純物がドープされたシ
リコン基板１１の表面に所定の深さおよび所定の幅を有
する渦巻き状トレンチ１２を形成し、その内部に酸化膜
ＳｉＯ₂を形成した後、絶縁性物質を充填する。

【００２６】つぎにこの渦巻き状トレンチ１２が形成さ
れたシリコン基板１１の表面に第１の絶縁層１３を被覆
し、その第１の絶縁層１３の表面にＡｌ等の金属膜より
なる引き出し配線１４を形成する。

【００２７】さらにこの引き出し配線１４をその端子部
１４ａを残して第２の絶縁層１５により被覆し、端子部
１４ａ上にタングステン等よりなるプラグ１７を埋め込
んだのち、この第２の絶縁層１５の上面にインダクタを
構成するＡｌ等の金属膜よりなる渦巻き型配線１６を形
成し、さらにその上面に保護層１８を形成する。

【００２８】この渦巻き型配線１６はその内周端にプラ
グ１７を介して引き出し配線１４の端子部１４ａと接続
する内部端子１６ａと、外周端部に外部端子１６ｂとを
備えている。

【００２９】外部端子１６ｂと引き出し配線１４は外部
の入出力端子（図示せず）に接続される。

【００３０】図１（ａ）より明らかなように本実施の形
態における渦巻き状トレンチ１２はインダクタを構成す
る渦巻き型配線１６の配線間および渦巻き型配線１６の
外周に対応するシリコン基板１１の内部に渦巻き型配線
１６を完全に包囲するように形成されている。

【００３１】このように本実施の形態によれば、渦巻き
型配線１６の配線間に渦巻き状トレンチ１２を形成し、
その内部に絶縁性物質を充填しているために渦巻き型配
線１６を流れる信号がシリコン基板１１を介して隣接す
る渦巻き型配線１６へ洩出することを防止でき、それに
よりインダクタに流れる信号成分のシリコン基板での損
失を低減することができる。

【００３２】（実施の形態２）次に本発明の第２の実施
の形態について第１の実施の形態と同一部分には同一番
号を付して説明する。

【００３３】図２（ａ）、（ｂ）は第２の実施の形態に
おけるインダクタ素子の構成を示す平面図（ａ）と断面
図（ｂ）であり、本実施の形態が第１の実施の形態と異
なる点は、渦巻き型配線１６の配線間および渦巻き型配
線１６の外周に対応するシリコン基板１１の内部に複数
の渦巻き状トレンチ２２を形成した点である。

【００３４】このように本実施の形態によれば、上記第
１の実施の形態において得られる効果に加えてさらに配
線間の分離効果を大きくすることができる。

【００３５】（実施の形態３）次に本発明の第３の実施
の形態について第１の実施の形態と同一部分には同一番
号を付して説明する。

【００３６】図３（ａ）、（ｂ）は第３の実施の形態に
おけるインダクタ素子の構成を示す平面図（ａ）と断面
図（ｂ）であり、本実施の形態が第１、第２の実施の形
態と異なる点は渦巻き型配線１６の配線間および渦巻き
型配線１６の外周に対応するシリコン基板１１の内部に
複数の渦巻き状トレンチ３２と、渦巻き型配線１６の直
下に対応するシリコン基板１１の内部に渦巻き状トレン
チ３３とを形成した点である。

【００３７】このように本実施の形態によれば、渦巻き
型配線間の分離をより効果的に行うことができる。

【００３８】（実施の形態４）次に本発明の第４の実施
の形態について第１の実施の形態と同一部分には同一番
号を付して説明する。

【００３９】図４（ａ）、（ｂ）は第４の実施の形態に
おけるインダクタ素子の構成を示す平面図（ａ）と断面
図（ｂ）であり、本実施の形態が上記本発明の各実施の
形態と異る点は、渦巻き型配線１６の配線間および渦巻
き型配線１６の外周に対応するシリコン基板１１の内部
に複数の渦巻き状トレンチ４２と、渦巻き型配線１６の
直下に対応するシリコン基板１１の内部に渦巻き状トレ
ンチ４２に対して垂直状に並列して形成された複数のド
ミノ型トレンチ４３を有する点である。

【００４０】このように本実施の形態によれば、渦巻き
型配線１６の配線間に渦巻き状トレンチ４２を形成し、
その内部に絶縁性物質を充填しているために渦巻き型配
線１６を流れる信号がシリコン基板を介して隣接する渦
巻き型配線１６へ洩出することを低減でき、それにより
インダクタに流れる信号成分の損失を低減できる。さら
に渦巻き型配線１６の直下に絶縁性物質が充填された複
数のドミノ型トレンチ４３を形成することにより、イン
ダクタより発生する磁束に起因するシリコン基板に流れ
る渦電流を低減することができ、それによりインダクタ
に流れる信号成分の損失を低減することが可能となる。

【００４１】（実施の形態５）次に本発明の第５の実施
の形態について説明する。本実施の形態は第４の実施の
形態において渦巻き型配線１６の角部にもトレンチを形
成したものである。

【００４２】図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はその構成を
示すものであり、渦巻き型配線１６の角部を拡大して示
している。

【００４３】図５（ａ）に示すように本実施の形態で
は、渦巻き型配線１６が直角に曲がる隅部にドミノ型ト
レンチ４３に対して４５度の角度で複数の長さの異なる
隅トレンチ５３ａを形成している。

【００４４】また、図５（ｂ）はこの隅部の隅トレンチ
５３ｂを隅部の対角線上に形成した１本のトレンチとド
ミノ型とレンチ４３と平行に異なる長さで形成した複数
の短いトレンチとから構成したものである。

【００４５】また、図５（ｃ）は図５（ａ）と図５
（ｂ）に示した隅部のトレンチ構造を複合した形状の隅
トレンチ５３ｃを設けたものである。

【００４６】このように本実施の形態によれば、渦巻き
型配線１６が直角に曲がる隅部の直下に位置するシリコ
ン基板中にも隅トレンチ５３を形成しているために隅部
における信号の洩れ成分によって発生する渦電流を効果
的に阻止することができる。

【００４７】（実施の形態６）次に本発明の第６の実施
の形態について第１の実施の形態と同一部分には同一番
号を付して説明する。

【００４８】図６（ａ）、（ｂ）は第６の実施の形態に
おけるインダクタ素子の構成を示す平面図（ａ）と断面
図（ｂ）であり、本実施の形態が上記本発明の各実施の
形態と異る点は、渦巻き型配線１６の配線間および渦巻
き型配線１６の外周に対応するシリコン基板１１の内部
に複数の第１の渦巻き状トレンチ６２と、渦巻き型配線
１６の直下に対応するシリコン基板１１の内部に複数の
第２の渦巻き状トレンチ６３と、渦巻き状トレンチ６２
に対して垂直状に並列して形成された複数のドミノ型ト
レンチ６４を形成した点である。

【００４９】なお、本実施の形態においても上記第５の
実施の形態におけるインダクタ素子と同様に渦巻き型配
線１６の隅部に角トレンチを設けることができる。

【００５０】このように本実施の形態によれば、上記第
３、第４の実施の形態において得られる効果を更に高め
ることが可能となる。

【００５１】（実施の形態７）次に本発明の第７の実施
の形態について第１の実施の形態と同一部分には同一番
号を付して説明する。

【００５２】図７（ａ）、（ｂ）は第７の実施の形態に
おけるインダクタ素子の構成を示す平面図（ａ）と断面
図（ｂ）であり、本実施の形態が本発明の第１の実施の
形態と異る点は、本実施の形態においてｐ型ウェル層７
１内に形成した渦巻き状トレンチ７２の下方のシリコン
基板１１に絶縁層としてＳｉＯ₂よりなる埋め込み酸化
層７３を形成した点である。

【００５３】なお、絶縁層としてＳｉＯ₂等の酸化物以
外にＳｉＮ等の窒化物を用いることも可能である。

【００５４】このように本実施の形態によれば、渦巻き
型配線１６の配線間に位置するシリコン基板中に渦巻き
状トレンチ７２を形成し、その内部に絶縁性物質を充填
するとともに渦巻き状トレンチ７２の下部に形成された
埋め込み酸化層７３により、渦巻き型配線１６を流れる
信号がｐ型ウェル層７１を介して隣接する渦巻き型配線
へ洩出することを阻止することができ、それによりイン
ダクタに流れる信号成分のシリコン基板での損失を低減
できる。

【００５５】（実施の形態８）次に本発明の第８の実施
の形態について第１の実施の形態と同一部分には同一番
号を付して説明する。

【００５６】図８（ａ）、（ｂ）は第８の実施の形態に
おけるインダクタ素子の構成を示す平面図（ａ）と断面
図（ｂ）であり、本実施の形態が本発明の第１の実施の
形態と異る点は、本実施の形態においてｎ型ウェル層８
１内に形成した渦巻き状トレンチ８２の下方のシリコン
基板１１にｎ型空乏層８３を形成した点である。

【００５７】このように本実施の形態によれば、渦巻き
型配線１６の配線間に位置するシリコン基板中に渦巻き
状トレンチ８２を形成し、その内部に絶縁性物質を充填
するとともに渦巻き状トレンチ８２の下部に形成された
ｎ型空乏層８３により、渦巻き型配線１６を流れる信号
がｎ型ウェル層８１介して隣接する渦巻き型配線へ洩出
することを阻止することができ、それによりインダクタ
に流れる信号成分のシリコン基板での損失を低減でき
る。

【００５８】

【発明の効果】上記実施の形態より明らかなように本発
明は、渦巻き型配線の隣り合う配線間および渦巻き型配
線の外周に対応するシリコン基板の位置に高い絶縁性を
有する渦巻き状のトレンチを配設するものであり、した
がって渦巻き型配線間の寄生容量を低減することがで
き、渦巻き型配線内を伝送する信号がシリコン基板中へ
漏洩することがないのでシリコン基板の抵抗成分による
信号の伝送ロスを低減することが可能となり、電気的特
性に優れたインダクタ素子を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態
におけるインダクタ素子の構成を示す透視平面図および
断面図

【図２】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態
におけるインダクタ素子の構成を示す透視平面図および
断面図

【図３】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態
におけるインダクタ素子の構成を示す透視平面図および
断面図

【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第４の実施の形態
におけるインダクタ素子の構成を示す透視平面図および
断面図

【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第５の実
施の形態における渦巻き型配線とドミノ型トレンチの配
置状態を示す断面図

【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第６の実施の形態
におけるインダクタ素子の構成を示す透視平面図および
断面図

【図７】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第７の実施の形態
におけるインダクタ素子の構成を示す透視平面図および
断面図

【図８】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第８の実施の形態
におけるインダクタ素子の構成を示す透視平面図および
断面図

【図９】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、従来のインダクタ
素子の構成を示す透視平面図および断面図および格子状
に形成されたトレンチの平面図

【図１０】従来のインダクタ素子における課題を説明す
る概略断面図

【符号の説明】

１１ 半導体基板（シリコン基板） １２ 渦巻き状トレンチ １３ 第１の絶縁層 １４ 引き出し配線 １４ａ 端子部 １５ 第２の絶縁層 １６ 渦巻き型配線 １７ プラグ

フロントページの続き (72)発明者 坂倉 真 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 平岡 幸生 京都府長岡京市神足焼町１ 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 5E070 AA01 AB03 CB02 CB12 5F032 AA35 AA44 AA70 BA01 BA05 BB03 CA14 DA78 5F038 AZ04 BH10 CA09 EZ06 EZ20

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に形成された第１の絶縁層
   と、前記第１の絶縁層上に形成された引き出し配線と、
   前記引き出し配線の上面に形成された第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に前記引き出し配線の一部と導電性
   のプラグで電気的に接続して形成された渦巻き型配線
   と、前記渦巻き型配線の隣り合う配線間および渦巻き型
   配線の外周に対応する前記半導体基板の位置に形成され
   た渦巻き状のトレンチと、前記トレンチの内部に充填さ
   れた絶縁性物質とを有するインダクタ素子。
2. 【請求項２】 絶縁性物質が充填された渦巻き状のトレ
   ンチが、半導体基板上に形成されている渦巻き型配線の
   隣り合う配線間および渦巻き型配線の外周に対応する前
   記半導体基板の位置に複数本平行して形成されているこ
   とを特徴とする請求項１記載のインダクタ素子。
3. 【請求項３】 半導体基板上に形成された第１の絶縁層
   と、前記第１の絶縁層上に形成された引き出し配線と、
   前記引き出し配線の上面に形成された第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に前記引き出し配線の一部と導電性
   のプラグで電気的に接続して形成された渦巻き型配線
   と、前記渦巻き型配線の直下および前記渦巻き型配線の
   隣り合う配線間および渦巻き型配線の外周に対応する前
   記半導体基板の位置に複数本形成された渦巻き状のトレ
   ンチと、前記トレンチの内部に充填された絶縁性物質と
   を有するインダクタ素子。
4. 【請求項４】 半導体基板上に形成された第１の絶縁層
   と、前記第１の絶縁層上に形成された引き出し配線と、
   前記引き出し配線の上面に形成された第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に前記引き出し配線の一部と導電性
   のプラグで電気的に接続して形成された渦巻き型配線
   と、前記渦巻き型配線の隣り合う配線間および渦巻き型
   配線の外周に対応する前記半導体基板の位置に複数本形
   成された渦巻き状のトレンチと、前記渦巻き型配線直下
   に対応する前記半導体基板の位置に前記渦巻き型配線の
   渦巻き方向に対してほぼ直交して複数個並列して形成さ
   れたドミノ型トレンチと、前記トレンチの内部に充填さ
   れた絶縁性物質とを有するインダクタ素子。
5. 【請求項５】 請求項４に記載のインダクタ素子の構成
   において、渦巻き型配線が直角に曲がる隅部直下に対応
   する半導体基板に形成する各トレンチの形状を、前記渦
   巻き型配線直下に設けられたドミノ型トレンチに対して
   異なる長さまたは異なる角度で形成したことを特徴とす
   るインダクタ素子。
6. 【請求項６】 半導体基板上に形成された第１の絶縁層
   と、前記第１の絶縁層上に形成された引き出し配線と、
   前記引き出し配線の上面に形成された第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に前記引き出し配線の一部と導電性
   のプラグで電気的に接続して形成された渦巻き型配線
   と、前記渦巻き型配線の隣り合う配線間および渦巻き型
   配線の外周に対応する前記半導体基板の位置に複数本形
   成された渦巻き状のトレンチと、前記渦巻き型配線直下
   に対応する前記半導体基板の位置に形成された複数本の
   渦巻き状のトレンチおよび前記渦巻き型配線の渦巻き方
   向に対してほぼ直交して複数個並列して形成された複数
   のドミノ型トレンチと、前記トレンチの内部に充填され
   た絶縁性物質とを有するインダクタ素子。
7. 【請求項７】 渦巻き状のトレンチは、平面構造におい
   て渦巻き型配線を渦巻き状に包囲する形状で形成されて
   いることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載
   のインダクタ素子。
8. 【請求項８】 トレンチの下層に絶縁層を設けたことを
   特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のインダク
   タ素子。
9. 【請求項９】 トレンチの下部領域に空乏層を設けたこ
   とを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のイン
   ダクタ素子。
10. 【請求項１０】 トレンチは、その平面的構造において
    交差またはＴ字型交点を形成させない構成であることを
    特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のインダク
    タ素子。