JP4764358B2 - マイクロストリップ線路−導波管変換器 - Google Patents

Description

本発明はマイクロストリップ線路と導波管の伝送モードの変換を行うマイクロストリップ線路−導波管変換器に関する。

マイクロストリップ線路−導波管変換器として、例えば特許文献１に記載される構造が一般に知られている。
特開平１０−１２６１１４号公報

図２４は、従来の一般的なマイクロストリップ線路−導波管変換器の構造を示す斜視図である。以下、図２４を参照し、従来のマイクロストリップ線路−導波管変換器の構造について説明する。

従来技術に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器１００は、誘電体基板１０１と、導波管１０２と、短絡導波管ブロック（バックショート）１０３とから構成される。誘電体基板１０１は、その一方の面にマイクロストリップ線路１０４が形成されると共に、導波管１０２と短絡導波管ブロック１０３の間に挟みこまれるようにして固定される。

尚、短絡導波管ブロック１０３の短絡面とマイクロストリップ線路１０４の離間距離は、マイクロストリップ線路１０４の伝送モード（ＴＥＭモード）と導波管１０２の伝送モード（ＴＥモード）を高効率で変換するため、約λ／４に設定される（λは導波管１０２内を伝送する信号の波長）。

短絡導波管ブロック１０３の寸法は、導波管１０２の断面寸法と上記した波長λによって定まる。即ち、短絡導波管ブロック１０３は、その断面寸法が導波管１０２の断面寸法と同一となり、長さが約λ／４となる。この短絡導波管ブロック１０３は、高周波回路を構成する他の部材と比べて比較的大きな体積を占めるため、高周波回路の小型化を困難にする一つの要因となっていた。

また、図２４に示した従来の構造は、誘電体基板１０１と短絡導波管ブロック１０３を個別に製作した後、それらを接合する作業が必要となるため、組立工数の増加に繋がっていた。さらに、この接合作業は、特にミリ波帯等の高周波帯では高い精度が要求されるため、量産時の特性ばらつきに繋がるおそれがあり、量産性の点で改善の余地を残していた。

従って、本発明の目的は上記した課題を解決し、小型かつ量産性に優れたマイクロストリップ線路−導波管変換器を提供することにある。

また、マイクロストリップ線路−導波管変換器にあっては、広い周波数帯域に亘って伝送損失が少なく、平坦な周波数特性を有することが望ましい。

従って本発明のさらなる目的は、小型かつ量産性に優れ、広い周波数帯域に亘って伝送損失が少なく、平坦な周波数特性を有するマイクロストリップ線路−導波管変換器を提供することにある。

上記した課題を解決するため、本発明に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器にあっては、導波管に接続される第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板に前記導波管から離間する方向に積層される少なくとも１枚の第２の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板の層間面に形成されるマイクロストリップ線路とを備え、前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板とから誘電体充填導波管を形成することを特徴とする。

さらに、本発明に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器にあっては、前記誘電体充填導波管の断面寸法は前記導波管の開口部の形状と同一に設定されると共に、前記導波管は、その短径が前記誘電体充填導波管内を伝送する信号の波長の１／２以下に設定されることを特徴とする。

さらに、本発明に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器にあっては、前記誘電体充填導波管の断面寸法を規定するスルーホールを前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板に形成すると共に、前記スルーホールは、前記導波管から離間するに従って前記誘電体充填導波管の断面寸法が小さくなるように前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板に形成されることを特徴とする。

本発明に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器にあっては、導波管に接続される第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板に積層される少なくとも１枚の第２の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板の間の層に形成されるマイクロストリップ線路とを備え、前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板とから誘電体充填導波管を形成する、即ち、誘電体充填導波管からなるバックショートを形成するように構成したので、マイクロストリップ線路が形成される誘電体基板とバックショートを一つの積層誘電体基板に作成することができ、従来必要とされた誘電体基板と短絡導波管ブロック（バックショート）の接合作業が不要となる。そのため、従来に比して組立工数を減少させることができると共に、組立精度に起因する特性ばらつきが生じるおそれがなく、量産性に優れる。
また、誘電体充填導波管からなるバックショートは、誘電体の波長短縮効果により、従来の金属製の短絡導波管ブロックからなるバックショートよりも長さを短縮することができるため、マイクロストリップ線路−導波管変換器を小型化できる。

さらに、本発明に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器にあっては、前記誘電体充填導波管の断面寸法は前記導波管の開口部の形状と同一に設定されると共に、前記導波管は、その短径が前記誘電体充填導波管内を伝送する信号の波長の１／２以下に設定されるように構成したので、誘電体充填導波管（バックショート）内における高次共振モードの発生を抑制することができ、広い周波数帯域に亘って伝送損失が少なく、平坦な周波数特性とすることができる。

さらに、本発明に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器にあっては、前記誘電体充填導波管の断面寸法を規定するスルーホールを前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板に形成すると共に、前記スルーホールは、前記導波管から離間するに従って前記誘電体充填導波管の断面寸法が小さくなるように前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板に形成されるように構成したので、誘電体充填導波管（バックショート）内における高次共振モードの発生をより一層抑制することができ、広い周波数帯域に亘って伝送損失が少なく、平坦な周波数特性とすることができる。

以下、本発明に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器を実施するための最良の形態について、図面を参照して説明する。

図１は本発明の第１実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器の斜視図である。また、図２は図１のII−II線断面図であり、図３は図１のIII−III線断面図である。尚、図１では、後述するスルーホールの図示を省略している。

図１から図３において符号１は、本発明の第１実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器（以下、単に「変換器」と呼ぶ）を示す。変換器１は、高周波信号を伝送するマイクロストリップ線路と導波管の伝送モードの変換を相互に行うものであり、変換器基板２と、導波管３とから構成される。変換器基板２は、導波管３に接続される誘電体基板（第１の誘電体基板）２１と、誘電体基板２１に積層される２枚の誘電体基板（第２の誘電体基板）２２，２３とからなる。即ち、変換器基板２は、誘電体基板２１と、その上面に積層された誘電体基板２２，２３とからなる全４層（外層２層、内層２層）の積層誘電体基板（多層基板）である。また、導波管３は、具体的には金属製の方形導波管であり、その開口部３ａの縦横比（ｄ１：ｄ２）は１：２である。導波管３と変換器基板２（誘電体基板２１）は、半田によって接続される。

尚、導波管は、より詳しくは金属製の基台を介して変換器基板に接続されるが、本実施例では、その基台を含めて導波管として示している。即ち、基台と導波管を別個に製作する際には、導波管の開口部と同形状の開口部が基台にも設けられる。この場合、変換器基板と基台を半田により接続し、基台と導波管をネジなどにより接続する。

また、上記では、誘電体基板２１に２枚の誘電体基板２２，２３を積層するようにしたが、誘電体基板２１に積層される基板は１枚あるいは３枚以上であってもよい。また、誘電体基板２１に誘電体基板２２，２３を積層すると記載したが、それは製作工程における積層順序や積層方法を規定するものではない。

変換器基板２において、外層２ａ（導波管３との接続面）と、内層２ｂ（誘電体基板２１と誘電体基板２２の間の層）と、内層２ｃ（誘電体基板２２と誘電体基板２３の間の層）と、外層２ｄには、それぞれ接地導体パターン（後述）が形成される。また、内層２ｂには、マイクロストリップ線路４が形成される。

図４から図７は、それぞれ外層２ａ、内層２ｂ、内層２ｃ、外層２ｄの平面パターン図である。図４から図７において、接地導体パターンまたはマイクロストリップ線路が形成されている部位を斜線で示す。尚、図４は外層２ａを下方（導波管３側）から見た図であり、図５から図７は各層２ｂ，２ｃ，２ｄを上方から見た図である。

図２から図７に示すように、誘電体基板２１において導波管３の開口部３ａとマイクロストリップ線路４の周囲には、複数のスルーホール５ａが形成される。また、誘電体基板２２，２３にも、スルーホール５ａと連通する位置にスルーホール５ｂ，５ｃが形成される。各誘電体基板２１，２２，２３において、これらスルーホール５ａ，５ｂ，５ｃによって囲まれた領域中、導波管３の開口部３ａの上方に位置する部位が誘電体充填導波管６ａ，６ｂ，６ｃとして機能する。即ち、誘電体充填導波管６ａ，６ｂ，６ｃの断面寸法（縦横比）は、導波管３の開口部３ａの形状（縦横比）と同一に設定される。

尚、外層２ａには、導波管３の開口部３ａに対向する部位を除き、接地導体パターン７ａが形成される。また、内層２ｂ，２ｃには、スルーホール５ｂ，５ｃで囲まれる領域を除き、接地導体パターン７ｂ，７ｃが形成される。図示の如く、マイクロストリップ線路４の端部は、誘電体充填導波管の内部に配置される。また、外層２ｄには、全面に亘って接地導体パターン７ｄが形成される。この接地導体パターン７ｄが誘電体充填導波管６ａ，６ｂ，６ｃの短絡面となり、誘電体充填導波管６ａ，６ｂ，６ｃからなるバックショートが形成される。

このバックショートの長さは、変換器基板２の厚さ、即ち、各誘電体基板２１，２２，２３の厚さの総計となる。従って、マイクロストリップ線路４の伝送モードと導波管３の伝送モードを高効率で変換するため、バックショートの長さが誘電体内波長λの約１／４となるように、変換器基板２を構成する各基板の厚さと枚数を設定する。

上記した変換器１の伝送特性と反射特性を図８に示す。図８は、有限要素法による電磁界解析プログラムを用いて得たシミュレーション結果であり、使用周波数を６０ＧＨｚとして設計したときの特性図である。

このように、本発明の第１実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器１にあっては、導波管３に接続される誘電体基板２１と、誘電体基板２１に積層される誘電体基板２２，２３と、誘電体基板２１と誘電体基板２２の間の層に形成されるマイクロストリップ線路４とを備え、誘電体基板２１と誘電体基板２２，２３とから誘電体充填導波管６ａ，６ｂ，６ｃを形成する、即ち、誘電体充填導波管６ａ，６ｂ，６ｃからなるバックショートを形成するように構成したので、マイクロストリップ線路４が形成される誘電体基板とバックショートを一つの積層誘電体基板（変換器基板２）に作成することができ、従来必要とされた誘電体基板と短絡導波管ブロック（バックショート）の接合作業が不要となる。そのため、従来に比して組立工数を減少させることができると共に、組立精度に起因する特性ばらつきが生じるおそれがなく、量産性に優れる。
また、誘電体充填導波管６ａ，６ｂ，６ｃからなるバックショートは、誘電体の波長短縮効果により、従来の金属製の短絡導波管ブロックからなるバックショートよりも長さを短縮することができるため、マイクロストリップ線路−導波管変換器１を小型化することができる。

次いで、本発明の第２実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器について、第１実施例との相違点に焦点をおいて説明する。尚、以下の説明において、第１実施例と同様な構成については同一符号を付して説明を省略する。

第１実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器１にあっては、小型化と量産性の向上という目的は達成している一方で、図８に示すように、伝送損失が増加する周波数帯が複数存在している。これは、誘電体充填導波管からなるバックショート内部に、高次共振モードが発生するためである。前述したように、誘電体充填導波管には誘電体による波長短縮効果が働くので、誘電体充填導波管内の管内波長は金属導波管内の管内波長よりも短くなる。そのため、誘電体充填導波管内には金属導波管内の伝送モードよりも高次の伝送モードが存在する。この高次モードの存在は、誘電体充填導波管によるバックショート部内に不要な高次共振モードを発生させる原因となり、この高次共振モードはその発生周波数において、マイクロストリップ線路−導波管変換器の伝送損失を増加させる。

そこで本発明の第２実施例にあっては、誘電体充填導波管からなるバックショート内部で高次共振モードの発生が抑制されるように、以下の手法により誘電体充填導波管の断面寸法を決定するようにした。

図９は、本発明の第２実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器の斜視図である。また、図１０は図９のＸ−Ｘ線断面図であり、図１１は図９のXI−XI線断面図である。図９では、図１と同様にスルーホールの図示を省略している。

図９から図１１に示すように、本実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器１Ｂにあっては、変換器基板２に接続される導波管３Ｂの短径ｄ１を第１実施例に比して小さく設定した。以下、その理由について説明する。

導波管の基本伝送モードであるTE₁₀モードの遮断波長は導波管の短径をｄ１、長径をｄ２としたとき、２＊ｄ２となる。すなわち、遮断波長は長径ｄ２のみに依存するので、短径ｄ１を変更してもTE₁₀モードは導波管内を伝送する。一方、導波管短径方向に対する高次モードの遮断波長は短径ｄ１にも依存し、ｄ１が短くなるほど高次モードの遮断波長は短くなる。

即ち、短径ｄ１を短くすることで高次モードの発生する周波数は使用周波数帯域外へと上昇し、使用周波数帯内での高次モードの伝送は阻止される。従って、導波管およびそれに接続される誘電体充填導波管の短径ｄ１を短くするほど、誘電体充填導波管内に生じる不要な高次モードの伝送は阻止される。

具体的には、この短径ｄ１の長さを誘電体内波長の１／２以下にすると、短径方向に対する高次モードの伝送が阻止される。そこで、第２実施例にあっては、短径ｄ１を以下の式１の関係を満たすように設定するようにした。
ｄ１＜｛ｃ／（２＊ｆ＊（ε_r）^１／２）｝ ・・・式１
ここで、ｃは光速、ｆは使用周波数、ε_rは誘電体材料の比誘電率である。誘電体内波長は、式１中のｃ／（ｆ＊（ε_r）^１／２）により求められる。式１より、使用する誘電体材料の比誘電率ε_rが大きくなるに従い、短径ｄ１の長さはより短くする必要があることが解る。

上記式１から、例えば使用周波数を６５ＧＨｚ、誘電体基板の比誘電率ε_rを８に設定したとき、ｄ１は０．７ｍｍ程度に設定すればよいことが導き出せる。
図９から図１１では、誘電体内波長をｄ１より短くした結果、導波管３Ｂの開口部３ａＢの縦横比（ｄ１：ｄ２）が約１：６とされた場合を例示している。

図１２から図１５は、それぞれ変換器基板２の外層２ａ、内層２ｂ、内層２ｃ、外層２ｄの平面パターン図である。変換器基板２に設けられる誘電体充填導波管６ａＢ，６ｂＢ，６ｃＢの断面寸法（縦横比）も、導波管３Ｂの開口部３ａＢと同じく１：６に設定される。

導波管３Ｂは、具体的には図９に示す如く、短径の異なる複数（本実施例では３個）の導波管３１Ｂ，３２Ｂ，３３Ｂを接続して構成される。このうち、変換器基板２に接続されるのは導波管３１Ｂであり、その縦横比は１：６に設定される。尚、導波管３３Ｂは縦横比１：２の一般的な形状とされる。導波管３１Ｂは、導波管３２Ｂを介して導波管３３Ｂに接続される。導波管３２Ｂはインピーダンス整合用であり、その短径は導波管３１Ｂと導波管３３Ｂの間の値に設定される。

図１６は、変換器１Ｂの伝送特性と反射特性を示す、図８と同様な特性図である。第２実施例では、導波管３Ｂ及び誘電体充填導波管６ａＢ，６ｂＢ，６ｃＢの短径を誘電体内波長の１／２以下に設定したことにより、高次モードの伝送が抑制された。その結果、図８で見られた伝送損失の増加はなくなり、広帯域に渡り平坦な周波数特性が実現できている。

このように、本発明の第２実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器１Ｂにあっては、導波管３Ｂ及び誘電体充填導波管６ａＢ，６ｂＢ，６ｃＢの短径を誘電体内波長の１／２以下に設定するように構成したので、第１実施例で述べた効果に加え、誘電体充填導波管６ａＢ，６ｂＢ，６ｃＢからなるバックショート内における高次共振モードの発生を抑制することができ、広い周波数帯域に亘って伝送損失が少なく、平坦な周波数特性を得ることができる。

次いで、本発明の第３実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器について、第２実施例との相違点に焦点をおいて説明する。尚、以下の説明において、従前の実施例と同様な構成については同一符号を付して説明を省略する。

上述したように、第２実施例では伝送損失の改善が見られたが、図１６に示すように、特定の周波数Ｆ₀においては依然として部分的な伝送損失の増加がみられる。このF₀において伝送損失が増加しているのは、導波管の短径寸法を短くするだけではその発生を抑制できなかったバックショート内高次共振モードの影響であると考えられる。高次共振モードは、誘電体体積が大きいほど発生し易いことから、第３実施例にあっては、以下のようにして誘電体充填導波管の断面寸法を減少させるようにした。

図１７及び図１８は、第３実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器を示す、図１０及び図１１と同様な断面図である。

図で符号１Ｃは、本実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器である。変換器１Ｃの構造は、後述するスルーホールの形成位置を除き、第２実施例で説明した変換器１Ｂと同一である。

図１９から図２３は、それぞれ変換器基板２の外層２ａ、内層２ｂ、内層２ｃ、外層２ｄの平面パターン図である。

図１７から図２３に示すように、誘電体基板２１に形成されるスルーホール５ａＣは従前の実施例と同様に導波管３Ｂの開口部３ａＢの周囲に形成される。一方、誘電体基板２２には、スルーホール５ａＣの形成位置と同位置に加え、スルーホール５ａＣの形成位置よりもさらに基板内方にもスルーホール５ｂＣが形成される。前述したように、誘電体充填導波管はスルーホールによって囲まれた領域であり、誘電体充填導波管の断面寸法は、スルーホールの形成位置によって規定される。従って、誘電体基板２２に形成される誘電体充填導波管６ｂＣは、その断面寸法が誘電体基板２１に形成される誘電体充填導波管６ａＣの断面寸法よりも小さくなる。換言すれば、誘電体充填導波管６ｂＣの断面寸法は、導波管３Ｂの開口部３ａＢよりも小さく設定される。

また、誘電体基板２３には、スルーホール５ｂＣの形成位置と同位置に加え、スルーホール５ｂＣの形成位置よりもさらに基板内方までスルーホール５ｃＣが形成される。即ち、誘電体基板２３に形成される誘電体充填導波管６ｃＣは、その断面寸法が誘電体基板２２に形成される誘電体充填導波管６ｂＣのそれよりも小さくされる。このように、誘電体充填導波管６ａＣ，６ｂＣ，６ｃＣの断面寸法（短径及び長径）は、導波管３Ｂから離間するに従って徐々に小さくなるように設定される。それにより、誘電体充填導波管６ａＣ，６ｂＣ，６ｃＣからなるバックショート内部の体積が減少し、バックショート内部における高次共振モードの発生が抑制される。

図２３は、変換器１Ｃの伝送特性と反射特性を示す、図８と同様な特性図である。第３実施例にあっては、誘電体充填導波管６ａＣ，６ｂＣ，６ｃＣの断面寸法を導波管３Ｂから離間するに従って徐々に小さくすることで、バックショート内部の体積を減少させた。これによりバックショート内部における高次共振モードの発生が抑制され、部分的な伝送損失の増加も見られない。

尚、変換器基板２の内層２ｂ，２ｃには、最も内方に形成されたスルーホール５ｂＣ，５ｃＣの位置まで、接地導体パターン７ｂ，７ｃが形成される。残余の構成は第２実施例と同様であるので、説明を省略する。

このように、本発明の第３実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器１Ｃにあっては、誘電体充填導波管６ａＣ，６ｂＣ，６ｃＣの断面寸法を導波管３Ｂから離間するに従って徐々に小さくすることで、バックショート内部の体積を減少させるように構成したので、従前の実施例で述べた効果に加え、誘電体充填導波管６ａＣ，６ｂＣ，６ｃＣからなるバックショート内における高次共振モードの発生をより一層抑制することができ、広い周波数帯域に亘って伝送損失が少なく、平坦な周波数特性を得ることができる。

尚、上記において、第３実施例に係る構成を第２実施例に係る構成に適用するようにしたが、第１実施例に係る構成に適用してもよい。また、図８、図１６、図２３では、使用周波数を６０ＧＨｚとして設計された変換器１，１Ｂ，１Ｃの特性を示したが、本発明は６０ＧＨｚ帯に特化したものではなく、使用する周波数に応じて誘電体基板の寸法、比誘電率及び接地導体パターンの寸法を適宜設定することで、任意の周波数帯に対応した変換器を得ることができる。さらに、本発明は上記実施例そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できるものである。

本発明の第１実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器の斜視図である。 図１のII−II線断面図である。 図１のIII−III線断面図である。 図１に示す変換器基板の外層の平面パターン図である。 図１に示す変換器基板の内層の平面パターン図である。 図１に示す変換器基板の内層の平面パターン図である。 図１に示す変換器基板の外層の平面パターン図である。 図１に示すマイクロストリップ線路−導波管変換器の特性図である。 本発明の第２実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器の斜視図である。 図９のＸ−Ｘ線断面図である。 図９のXI−XI線断面図である。 図９に示す変換器基板の外層の平面パターン図である。 図９に示す変換器基板の内層の平面パターン図である。 図９に示す変換器基板の内層の平面パターン図である。 図９に示す変換器基板の外層の平面パターン図である。 図９に示すマイクロストリップ線路−導波管変換器の特性図である。 本発明の第３実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器を示す、図１０と同様な断面図である。 本発明の第３実施例に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器を示す、図１１と同様な断面図である。 図１７に示す変換器基板の外層の平面パターン図である。 図１７に示す変換器基板の内層の平面パターン図である。 図１７に示す変換器基板の内層の平面パターン図である。 図１７に示す変換器基板の外層の平面パターン図である。 図１７に示すマイクロストリップ線路−導波管変換器の特性図である。 従来技術に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器の斜視図である。

符号の説明

１，１Ｂ，１Ｃ：マイクロストリップ線路−導波管変換器、 ２：変換器基板、 ２１：誘電体基板（第１の誘電体基板）、 ２２，２３：誘電体基板（第２の誘電体基板）、 ２ｂ：内層（第１の誘電体基板と第２の誘電体基板の間の層）、 ３，３Ｂ：導波管、 ３ａ，３ａＢ：導波管の開口部、 ４：マイクロストリップ線路、 ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ａＣ，５ｂＣ，５ｃＣ：スルーホール、 ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ａＢ，６ｂＢ，６ｃＢ，６ａＣ，６ｂＣ，６ｃＣ：誘電体充填導波管、

Claims (1)

1. マイクロストリップ線路と導波管の伝送モードの変換を行うマイクロストリップ線路−導波管変換器であって、
   前記導波管に接続される第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板に積層される複数枚の第２の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板の間の層に形成されるマイクロストリップ線路と、
   を備え、
   前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板にスルーホールを形成して前記スルーホールによって囲まれる領域からなるバックショートを形成すると共に、
   前記スルーホールは、前記導波管から離間するに従って前記導波管の開口部の上方における前記バックショートの断面寸法が小さくなるように前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板に形成されることを特徴とするマイクロストリップ線路−導波管変換器。

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