JP5339086B2 - 導波管−マイクロストリップ線路変換器および導波管−マイクロストリップ線路変換器の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、導波管−マイクロストリップ線路変換器およびその製造方法に関し、より特定的には、マイクロ波やミリ波の周波数領域において使用される、高周波回路を形成する伝送線路、つまりマイクロストリップ線路やコプレーナ線路等の高周波信号を導波管の伝送モード（導波管の伝送モードから伝送線路の伝送モードに変換も含む）に変換を行ない、高周波回路等の実装を容易に行える導波管−マイクロストリップ線路変換器およびその製造方法に関するものである。

従来の導波管−マイクロストリップ線路変換器として、誘電体積層基板内にビア等で形成された誘電体導波管とマイクロストリップ線路の伝送モードの変換を行なう導波管−マイクロストリップ線路変換器に関するものがある。導波管−マイクロストリップ線路変換器として、たとえば特開２００８−１９３１６２号公報（特許文献１）に記載されている構造が知られている。

このような導波管−マイクロストリップ線路変換器は、マイクロストリップ線路構造の高周波線路と比較して、導波管の伝送損失が小さいことが知られている。この理由は、通常の高周波線路（たとえばマイクロストリップ線路やコプレーナ線路）は一般的に５０Ωで設計されているのに対して、導波管は５００Ω程度で設計されているためである。つまり、導波管は誘電正接が小さい（ほぼ０の値）空気を誘電体として用いており、導波管の壁に流れる電流が小さく、かつストリップ導体と比較すると広い面積に流れるため電気的な抵抗が小さくなる。また、中空の導波管だけでなく誘電体導波管の場合も同様に電気的な抵抗が小さくなる。

導波管−マイクロストリップ線路変換器はマイクロストリップ線路の短絡部分を導波管の短絡部分から実効波長λ_gの１／４離れた位置に配置し、導波管−マイクロストリップ線路間で伝送モードの変換を行なっている。マイクロストリップ線路の短絡部分を導波管終端部分の短絡部分から実効波長λ_gの１／４離れた位置（バックショート長）に配置する理由は、信号の強度が最大となる位置にマイクロストリップ線路の短絡部分（つまり、アンテナ）を配置することによって信号の伝送モードの変換の効率を最大限に高めていることである。

しかし、上記に記載した導波管−マイクロストリップ線路変換器では次に挙げる問題がある。マイクロストリップ線路と導波管とでは、インピーダンスの不一致があり伝送損失が大きくなる。実効波長λ_gは当然、周波数特有であるから、ターゲット周波数から離れた帯域になると変換器として使用ができなくなってしまう。

また、高周波製品を製造する上においても大きな課題となっている。マイクロ波、ミリ波などの周波数の波長は非常に短いため、製品に許される製造誤差の許容幅が他の製品郡と比較して圧倒的に小さい。たとえば、導波管−マイクロストリップ線路変換器に許されている製造誤差は、周波数帯域にもよるがたとえば数十μｍオーダーである。

さらに、製品誤差の許容幅が小さいため、製造コストが非常に高くなり、歩留まりも非常に悪くなる。また、導波管短絡部分を形成するために基板上に短絡ブロックを作製しバックショートを形成しているため、大型化や製造工程の増加といった問題も同時にあった。このため、導波管−マイクロストリップ線路変換器の設計・製造は、非常に困難であるといった問題があった。

特開２００８−１９３１６２号公報

上記背景技術に記載されているような問題を解決するための一つの方法として、上記特許文献１に記載されているように、導波管を多層の誘電体基板内にビア（貫通導体壁）で導体壁を形成した誘電体導波管に接続し、多層の誘電体基板内に導波管短絡部分（バックショート部）およびマイクロストリップ線路の短絡部分を作り込んだ構造が挙げられる。この構造によれば、バックショート用の短絡ブロックは不必要であり、この点において製造工程の簡略化および小型化を図っている。

しかし、上記特許文献１では、導波管の終端部分とマイクロストリップ線路の短絡部分との距離は実効波長λ_gの１／４であった。また誘電体導波管の形状も通常の長方形であり、導波管とマイクロストリップ線路間でのインピーダンスの不一致は改善されていない。また製造誤差についても改善されていない。

そのため、導波管とマイクロストリップ線路との間のインピーダンスの不一致を改善する手法およびバックショート長を実効波長λ_gに依存しない構造であって、かつ既存の導波管−マイクロストリップ線路変換器よりも低損失かつ広帯域かつ製造誤差に強い構造を有する導波管−マイクロストリップ線路変換器が望まれている。

したがって、本発明は、インピーダンスの不一致を改善し、バックショート長が実効波長λ_gへの依存を低減し、かつ製造が容易な導波管−マイクロストリップ線路変換器および導波管−マイクロストリップ線路変換器の製造方法を提供することである。

本発明の導波管−マイクロストリップ線路変換器は、導波管とマイクロストリップ線路との伝送モードの変換を相互に行なう導波管−マイクロストリップ線路変換器において、マイクロストリップ線路を形成する信号導体から見て導波管側とは反対側に位置するバックショート部を形成するグランド導体部を備えている。上記導波管−マイクロストリップ線路変換器は、グランド導体部に凸状の開口部が形成されていることを特徴とする。

本発明の導波管−マイクロストリップ線路変換器の製造方法は、導波管とマイクロストリップ線路との伝送モードの変換を相互に行なう導波管−マイクロストリップ線路変換器の製造方法において、モード変換を行なうために、マイクロストリップ線路を形成する信号導体から見て導波管側とは反対側に位置するバックショート部を形成するグランド導体部に凸状の開口部の形状を制御することを特徴とする。

本発明の導波管−マイクロストリップ線路変換器およびその製造方法によれば、低損失の導波管−マイクロストリップ線路変換器において、バックショート部を形成するグランド導体部に凸状の開口部が形成されている。これにより、マイクロストリップ線路側から見てマイクロストリップ線路の下に位置するバックショート部を形成するグランド導体部がないので、誘電体導波管およびマイクロストリップ線路間のインピーダンス整合ができる。さらに、誘電体導波管の短絡部分から見えるマイクロストリップ線路の信号導体部分が広まるため、バックショートとアンテナ部分との直線距離が、実効波長λ_gの１／４の距離以外の周波数帯域でもある程度のレベルで伝送モード変換が可能となる。さらには、本発明の導波管−マイクロストリップ線路変換器はインピーダンス整合が可能になるので、広い周波数帯域で高効率に伝送モードの変換が可能になるため、製造誤差の許容値を改善することができる。このため、導波管−マイクロストリップ線路変換器を容易に製造することができる。

本発明の実施の形態１の導波管−マイクロストリップ線路変換器を概略的に示す斜視図である。 本発明の実施の形態１の導波管−マイクロストリップ線路変換器を概略的に示す分解図である。 図１における線分ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。 本発明の実施の形態１の導波管−マイクロストリップ線路変換器を構成する信号導体を有するグランド導体を概略的に示す平面図である。 本発明の実施の形態１の導波管−マイクロストリップ線路変換器を構成する凸状の開口部を有するグランド導体を概略的に示す平面図である。 本発明の実施の形態１の導波管−マイクロストリップ線路変換器の通過・反射特性を示す図である。 本発明の実施の形態１の変形例の導波管−マイクロストリップ線路変換器を概略的に示す斜視図である。 本発明の実施の形態１の変形例の導波管−マイクロストリップ線路変換器を概略的に示す分解図である。 本発明の実施の形態２の導波管−マイクロストリップ線路変換器を構成する凸状の開口部を有するグランド導体を概略的に示す平面図である。 本発明の実施の形態２の導波管−マイクロストリップ線路変換器の通過・反射特性を示す図である。 本発明の実施の形態３の導波管−マイクロストリップ線路変換器を構成する凸状の開口部を有するグランド導体を概略的に示す平面図である。 本発明の実施の形態３の導波管−マイクロストリップ線路変換器の通過・反射特性を示す図である。 本発明の実施の形態４の導波管−マイクロストリップ線路変換器を構成する凸状の開口部を有するグランド導体を概略的に示す平面図である。 本発明の実施の形態４の導波管−マイクロストリップ線路変換器の通過・反射特性を示す図である。 比較例の導波管−マイクロストリップ線路変換器を構成する凸状の開口部を有するグランド導体を概略的に示す平面図である。 比較例の導波管−マイクロストリップ線路変換器の通過・反射特性を示す図である。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には、同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。

（実施の形態１）
図１は本発明の導波管−マイクロストリップ線路変換器の実施の形態の一例を示す斜視図であり、図２は図１の分解図であり、図３は図１の線分ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。図４は本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器を構成するグランド導体（導体パターン）１ｃおよび信号導体２の平面図であり、図５は、本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器を構成するグランド導体１ｂの平面図である。図１〜図５を参照して、本実施の形態における導波管−マイクロストリップ線路変換器を説明する。本実施の形態における導波管−マイクロストリップ線路変換器は、導波管とマイクロストリップ線路との伝送モードの変換を相互に行なう。

図１〜図５に示すように、導波管−マイクロストリップ線路変換器は、グランド導体１ａと、開口部３ｂを有するグランド導体１ｂと、開口部３ｃを有するグランド導体１ｃと、信号導体２と、誘電体層４ａ、４ｂと、ビア５ａ、５ｂと、空隙７を有する導波管６とを備えている。

グランド導体１ａは、誘電体導波管の短絡部分を形成する接地導体である。グランド導体１ａの下面には、誘電体層４ａが配置されている。誘電体層４ａの下面には、グランド導体１ｂが配置されている。グランド導体１ａとグランド導体１ｂとは、ビア５ａを介して接続されている。

グランド導体１ｂの下面には誘電体層４ｂが配置されている。誘電体層４ｂの下面にはグランド導体１ｃが配置されている。グランド導体１ｂとグランド導体１ｃとは、ビア５ｂを介して接続されている。信号導体２は、グランド導体１ｃと接しないように、かつグランド導体１ｃの開口部３ｃに配置されている。

グランド導体１ｂ、１ｃの開口部３ｂ、３ｃは、グランド導体１ｂ、１ｃに誘電体導波管を形成するためにそれぞれ設けられている。ビア５ａ、５ｂは、誘電体層４ａ、４ｂの誘電体導波管の導体壁を形成するための貫通導体である。ビア５ａ、５ｂは、グランド導体１ｂ、１ｃの開口部３ｂ、３ｃの周囲を取り囲むように配置されている。

導波管６は、グランド導体１ｃの下面に配置され、誘電体基板（誘電体層４ａ、４ｂ）に形成された誘電体導波管に接続するための導波管またはそれに準ずるものである。導波管６に形成された空隙７は、信号導体２と導波管６とが接触しないように設けられている。グランド導体１ｂの開口部３ｂとグランド導体１ｃの開口部３ｃと、導波管６の開口部とは連通している。

本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器においては、誘電体層４ｂと、誘電体層４ｂの上面に配置されたグランド導体１ｂと、誘電体層４ｂの下面に配された信号導体２とによって、高周波線路としてのマイクロストリップ線路を形成している。このマイクロストリップ線路の誘電体導波管側の先端部分は、放射導体の役割を果たしており、グランド導体１ｃに形成された開口部３ｃ内を通る電気信号と接続されている。

また、誘電体導波管は、開口部３ｂを囲むように誘電体層４ａに配置されたビア５ａと、開口部３ｃを囲むように誘電体層４ｂに配置されたビア５ｂとによる導体壁と、誘電体層４ａ、４ｂと、開口部３ｂ、３ｃとで形成されている。つまり、本実施の形態の誘電体導波管は、ＶＩＡ配置形状で形成されている。また、図４に示すように信号導体２に沿うようにビア５ｂを配置することによって電磁波の漏れを防いでいる。

また、バックショート部は、グランド導体１ａと、グランド導体１ｂの開口部３ｂと、誘電体層４ａ、４ｂとで形成される。

また、図２および図５に示すように、グランド導体１ｂの開口部３ｂの形状は、従来の□（四角）形状ではなく、凸状である。ここで、凸状とは、部分的に出っ張っていることを意味する。出っ張り部８ｂ（図５参照）の形状は矩形であっても、丸みを帯びた形状であってもよい。また、出っ張り部８ｂは単数であっても、複数であってもよい。本実施の形態のグランド導体１ｂの開口部３ｂは、出っ張り部８ｂ以外の四角形よりも小さい四角形の出っ張り部８ｂを有する凸状である。

図５に示すようにグランド導体１ｂの開口部３ｂの形状を凸型にすることにより、導波管−マイクロストリップ線路変換器のバックショートの長さを調節することが可能となる。その調節方法は、図５のグランド導体１ｂの開口部３ｂの出っ張り部８ｂのサイズを変更することによって容易に行なうことができる。このため、本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器は、モード変換を行なうために、バックショート部を形成するグランド導体部のグランドパターンを制御することにより製造される。

以上のように、本実施の形態における導波管−マイクロストリップ線路変換器は、導波管とマイクロストリップ線路との伝送モードの変換を相互に行なう導波管−マイクロストリップ線路変換器において、バックショート部を形成するグランド導体部（グランド導体１ｂ）に凸状の開口部３ｂが形成されていることを特徴としている。言い換えると、誘電体導波管のバックショート部を形成するグランド導体１ａと信号導体２の短絡部分（アンテナ部分）との間にあるグランド導体１ｂの開口部３ｂを凸型の形状にしたことを特徴とする。

このため、誘電体層４ｂとグランド導体１ｂと信号導体２とによって形成されているマイクロストリップ線路と、グランド導体１ａとを独立して扱うことができる。つまり、バックショート部とマイクロストリップ線路とを別々に取り扱うことができる。

また、本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器は、図５のグランド導体１ｂの凸型の開口部３ｂの出っ張り部８ｂのサイズを調整することにより、インピーダンスの整合を図ることが可能となる。その理由を以下に記載する。

バックショート部を形成するグランド導体１ｂの開口部３ｂが凸状であるので、図２のバックショート部を形成するグランド導体１ｂより上に位置する誘電体導波管（バックショート部）が凸状となる。このため、誘電体導波管の断面積が増加するので、特性インピーダンスを下げることができる。

さらに、本実施の形態では、マイクロストリップ線路側からみてストリップ線路の下に位置するバックショート部を形成するグランド導体がないため、誘電体導波管、凸状の誘電体導波管、グランド無しのマイクロストリップ線路、およびマイクロストリップ線路というインピーダンス整合回路を形成することができる。一方、上記特許文献１などの従来のグランド導体に形成された開口部が四角形の場合には、誘電体導波管およびマイクロストリップ線路というインピーダンス整合回路を形成する。このため、本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器は、従来の導波管−マイクロストリップ線路変換器と比較して、凸状の誘電体導波管とグランド無しのマイクロストリップ線路との２段のインピーダンス整合回路が追加される。このため、誘電体導波管とマイクロストリップ線路との間のインピーダンス整合ができる。

このように、本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器は、信号導体２の導波管側先端部分の形状を工夫してインピーダンスの整合を図るだけでなく、図５のグランド導体１ｂの凸型の開口部３ｂの出っ張り部８ｂのサイズを調整することにより、インピーダンスの整合を図ることが可能となる。このため、従来のインピーダンス整合技術に加え、新たに開口部３ｂの形状によってインピーダンス整合が可能となるため、伝送モードの変換をより高効率に行うことが可能となる。

さらに、従来の導波管−マイクロストリップ線路変換器であれば、誘電体導波管のバックショート部を形成しているグランド導体１ａと信号導体２との最短距離(バックショート長)は、基本的に一番効率がよいとされている実効波長λ_gの１/４のみとなっていたが、本実施の形態ではグランド導体１ｂの開口部３ｂが凸型の形状であるため、実効波長λ_gの１/４よりも長い距離でも効率良く伝送モードの変換が可能となる。そのため、従来の導波管−マイクロストリップ線路変換器よりも広い周波数帯域幅で伝送モードの変換を行うことが可能となる。高効率かつ広い周波数帯域で伝送モードの変換を行なえるということは、バックショートの厚みが少々変化しようとも狙いの周波数帯域で伝送モードの変換を効率良く行うことが可能となり、設計が容易となる。

このような導波管−マイクロストリップ線路変換器を実現するためには、導波管−マイクロストリップ線路変換器は、導波管６と、導波管６上に配置され、かつ信号導体２を有する第１の導体層（グランド導体１ｃ）と、第１の導体層（グランド導体１ｃ）上に配置された第１の誘電体層（誘電体層４ｂ）と、第１の誘電体層（誘電体層４ｂ）上に配置された第２の導体層（グランド導体１ｂ）と、第２の導体層（グランド導体１ｂ）上に配置された第２の誘電体層（誘電体層４ａ）と、第２の誘電体層（誘電体層４ａ）上に配置された第３の導体層（グランド導体１ａ）とを備え、第２の導体層（グランド導体１ｂ）は、凸状の開口部３ｂを有することが好ましい。

本実施の形態における導波管−マイクロストリップ線路変換器において好ましくは、第１の誘電体層（誘電体層４ｂ）は、接続導体部（ビア５ｂ）を含み、第１の誘電体層（誘電体層４ｂ）と第２の誘電体層（誘電体層４ａ）とは、誘電体導波管を形成する。誘電体層４ｂ内にビア配置形状で誘電体導波管を形成することにより、中空の導波管と比較して小型化が可能になるとともに、誘電体導波管を切削加工で製作する工程を簡略化することが可能となる。

また本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器において好ましくは、バックショート部の長さが実効波長の１／４以下である。グランド導体１ｂの開口部３ｂを形成することによって、導波管６およびマイクロストリップ線路接続部分のインピーダンスのマッチングの効果を有するとともに、バックショート部のサイズを小型化できる効果を有する。

本実施の形態における導波管−マイクロストリップ線路変換器の製造方法は、導波管とマイクロストリップ線路との伝送モードの変換を相互に行なう導波管−マイクロストリップ線路変換器において、モード変換を行なうために、バックショート部を形成するグランド導体部（グランド導体１ｂ）に凸状の開口部３ｂの形状を制御することを特徴とする。マイクロ線路のグランドパターンである開口部３ｂの出っ張り部８ｂの形状を変更することによって、モード変換を効率的に行なうことができる導波管−マイクロストリップ線路変換器を製造することができる。

ここで、上記に記載した内容を以下の実施例を挙げてより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

本実施の形態のグランド導体１ｂの開口部３ｂが凸状である（出っ張り部８ｂがある）導波管−マイクロストリップ線路変換器について、通過特性および反射特性をＦＥＭシミレータを用いて電磁界解析した。その結果を、図６に示す。

図１５に従来例である導波管−マイクロストリップ線路変換器のグランド導体を示す。図１５のグランド導体１０１ｂは、本実施の形態のグランド導体１ｂに対応する。図１５に示すように、従来例の導波管−マイクロストリップ線路変換器は、出っ張り部８ｂがない四角形の開口部１０３ｂを有するグランド導体１０１ｂを備えている点において、本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器と異なる。従来例の導波管−マイクロストリップ線路変換器についても、同様に通過特性および反射特性を電磁界解析した。その結果を図１６に示す。

図６および図１６において、横軸は周波数（単位：Ｈｚ）を示し、縦軸は減衰量（単位：ｄＢ）を示す。横軸の周波数のｆ₀は、バックショートとストリップ線路との距離の４倍、つまり実効波長λ_gの周波数である。一般的には、導波管−マイクロストリップ線路変換器を設計する場合、バックショートとストリップ線路との距離を実効波長λ_gの１／４にすると最も効率よく変換できることが知られている。

図６および図１６に示すように、凸状の開口部３ｂを有するグランド導体１ｂを備えた本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器は、グランド導体１ｂの開口部３ｂの凸型の出っ張り部８ｂが無い図１５の開口部（グランド導体パターン）１０３ｂを備えた従来例の導波管−マイクロストリップ線路変換器に比べて、反射特性および通過特性が大幅に改善されていることがわかる。つまり、反射特性が−１５ｄＢ以下の帯域が図１５のグランド導体１０１ｂの場合と比較して、本実施の形態の導体パターンであるグランド導体１ｂは約１．７倍に拡大しており、広い帯域で伝送モードの変換を行なえることがわかる。

（変形例）
図７は本実施の形態の変形例の導波管−マイクロストリップ線路変換器を示す斜視図であり、図８は図７の分解図である。図７および図８を参照して、変形例の導波管−マイクロストリップ線路変換器について説明する。上記実施の形態１の導波管−マイクロストリップ線路変換器では、誘電体基板（誘電体層）が２層の導波管−マイクロストリップ線路変換器であったが、図７および図８に示すように、変形例の導波管−マイクロストリップ線路変換器は、誘電体層とグランド導体層をさらに一層ずつ備えている。これによって、導波管６の空隙７を設ける必要が無くなる。つまり、変形例の導波管−マイクロストリップ線路変換器は、実施の形態１の導波管−マイクロストリップ線路変換器に対して、グランド導体１ｄおよび誘電体層４ｃをさらに備え、導波管６の空隙７が省略されている。

なお、信号導体２が配置されている層より下の層は直接、導波管とマイクロストリップ線路との伝送モード変換に関わりがないため、何層になっても良い。

（実施の形態２）
図９は、本発明の実施の形態２の導波管−マイクロストリップ線路変換器を構成するグランド導体を示す平面図である。図９に示すように、本実施の形態における導波管−マイクロストリップ線路変換器は、基本的には実施の形態１の導波管−マイクロストリップ線路変換器と同様の構成を備えているが、グランド導体１ｂの開口部３ｂの形状が図９に示す形状である点において異なる。つまり、本実施の形態のグランド導体１ｂの開口部３ｂの出っ張り部８ｂは三角形である。

本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器についても、実施の形態１と同様に、通過特性および減衰量を測定した。その結果を図１０に示す。図１０に示すように、本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器についても、実施の形態１と同様に良好な結果を得た。

（実施の形態３）
図１１は、本発明の実施の形態３の導波管−マイクロストリップ線路変換器を構成するグランド導体を示す平面図である。図１１に示すように、本実施の形態における導波管−マイクロストリップ線路変換器は、基本的には実施の形態１の導波管−マイクロストリップ線路変換器と同様の構成を備えているが、グランド導体１ｂの開口部３ｂの形状が図１１に示す形状である点において異なる。つまり、本実施の形態のグランド導体１ｂの開口部３ｂの出っ張り部８ｂは半円形である。なお、グランド導体１ｂの開口部３ｂの出っ張り部８ｂは半円形に限定されず、円形の一部、楕円形の一部などであってもよい。

本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器についても、実施の形態１と同様に、通過特性および減衰量を測定した。その結果を図１２に示す。図１２に示すように、本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器についても、実施の形態１と同様に良好な結果を得た。

（実施の形態４）
図１３は、本発明の実施の形態４の導波管−マイクロストリップ線路変換器を構成するグランド導体を示す平面図である。図１３に示すように、本実施の形態における導波管−マイクロストリップ線路変換器は、基本的には実施の形態１の導波管−マイクロストリップ線路変換器と同様の構成を備えているが、グランド導体１ｂの開口部３ｂの形状が図１３に示す形状である点において異なる。つまり、本実施の形態のグランド導体１ｂの開口部３ｂの出っ張り部８ｂは台形である。

本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器についても、実施の形態１と同様に、通過特性および減衰量を測定した。その結果を図１４に示す。図１４に示すように、本実施の形態の導波管−マイクロストリップ線路変換器についても、実施の形態１と同様に良好な結果を得た。

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ グランド導体、２ 信号導体、３ｂ，３ｃ 開口部、４ａ，４ｂ，４ｃ 誘電体層、５ａ，５ｂ ビア、６ 導波管、７ 空隙、８ｂ 出っ張り部。

Claims (5)

1. 導波管とマイクロストリップ線路との伝送モードの変換を相互に行なう導波管−マイクロストリップ線路変換器において、
   前記マイクロストリップ線路を形成する信号導体から見て前記導波管側とは反対側に位置するバックショート部を形成するグランド導体部を備え、
   前記グランド導体部に凸状の開口部が形成されていることを特徴とする、導波管−マイクロストリップ線路変換器。
2. 前記導波管と、
   前記導波管上に配置され、かつ信号導体を有する第１の導体層と、
   前記第１の導体層上に配置された第１の誘電体層と、
   前記第１の誘電体層上に配置された第２の導体層と、
   前記第２の導体層上に配置された第２の誘電体層と、
   前記第２の誘電体層上に配置された第３の導体層とを備え、
   前記第２の導体層は、前記凸状の開口部を有する、請求項１に記載の導波管−マイクロストリップ線路変換器。
3. 前記第１の誘電体層は、接続導体部を含み、
   前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とは、誘電体導波管を形成する、請求項２に記載の導波管−マイクロストリップ線路変換器。
4. 前記第３の導体層と前記信号導体との最短距離である前記バックショート部の長さが実効波長の１／４以下である、請求項２または３に記載の導波管−マイクロストリップ線路変換器。
5. 導波管とマイクロストリップ線路との伝送モードの変換を相互に行なう導波管−マイクロストリップ線路変換器の製造方法において、
   モード変換を行なうために、前記マイクロストリップ線路を形成する信号導体から見て前記導波管側とは反対側に位置するバックショート部を形成するグランド導体部に凸状の開口部の形状を制御することを特徴とする、導波管−マイクロストリップ線路変換器の製造方法。

Images