JP4080981B2 - 変換回路 - Google Patents

Description

この発明は、マイクロ波やミリ波等の高周波伝送に用いられる導波管と誘電体基板上に形成されたマイクロ波伝送線路とを接続する変換回路に関するものである。

導波管と誘電体基板上に形成されたマイクロ波伝送線路との変換回路として、例えば特開平６−１４０８１６号公報に示された変換回路がある。この変換回路では導波管とマイクロストリップ線路との構成例が示されている。上記従来の装置では、オープンスタブを形成した誘電体基板を導波管の一部を除去した側面より導波管内に挿入し、上記誘電体基板の下部に導波管による空洞部位を設ける構成とすることにより変換回路を構成している。

この従来の構成において、導波管よりマイクロ波を入力した場合について説明を行なう。導波管より入力されたマイクロ波は誘電体基板の下部に構成される空洞部位の端面部にて反射する。反射するマイクロ波の位相は入力される位相に対し１８０度の位相差を持つ。このため、空洞端面部より導波管管軸方向に約４分の１波長離れた地点では、同位相となり入反射波の干渉により強めあうこととなる。このため、前述の位置にオープンスタブを形成した誘電体基板を挿入し、このオープンスタブを誘電体基板上に形成されるマイクロ波伝送線路に導波管の一部を切除した部分を介して接続することで、導波管から誘電体基板のマイクロ波伝送線路に入力波の伝送路を変換することが可能となる。尚、実際には誘電体基板を挿入することにより同位相となる位置は上述の長さと異なるが、入射波と反射波とが同相となる位置を適宜設定することにより、変換回路として動作する。

特開平６−１４０８１６号公報

従来の変換回路は、誘電体基板の下部に導波管による空洞部位を設ける構成となっており、構成全体の厚みが増加するという問題点があった。また、多層の誘電体基板を用いた場合には、導波管の内部に挿入される部分には如何なる配線をもすることができないという問題点もあった。さらに、誘電体基板にスルーホールを形成し、上記誘電体基板を導波管で上下から挟み込んで変換回路を構成する場合においては、上下の導波管の内壁位置ズレが発生し変換回路の特性を劣化させるという問題点もあった。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、誘電体基板の下部に空間のない薄型の変換回路を得ることを目的とする。また、多層の誘電体基板を用いた場合には変換回路の下層に高周波線路、電源や制御信号の配線が可能となる変換回路を得ることも目的としている。

この発明に係る変換回路は、
上記誘電体基板は同じ大きさの方形の第一の誘電体基板と第二の誘電体基板が重ね合わせて形成された誘電体多層基板とされ、
第一の誘電体基板の重ね合わせ面を第２の面とし、この第２の面に形成された所定の間隔を有し規則的に配列された複数の多角形の導体パターンと、
第一の誘電体基板の第２の面の反対側の面を第１の面とし、第１の面全面に形成された地導体と、
第二の誘電体基板の重ね合わせ面と反対側の面を第３の面とし、第３の面で、かつ第３の面の一辺までその一端が延在して形成されたオープンスタブと
上記第１の面に形成された地導体と上記第２の面に形成された各々の導体パターンを電気的に接続するスルーホールと、
上記誘電体多層基板の第３の面と直角で第３の面の外方向に延伸し、かつ上記誘電体多層基板の第３の面に形成されるオープンスタブの端部が存在する側の側壁を、端部から一部分を切り欠いた導波管と、
上記誘電体多層基板は上記導波管の切り欠き部から導波管外に延在する導波管外延在部分が各誘電体基板に一体形成に設けられ、この導波管外延在部分でかつ第３の面に形成され、導波管外延在部分の導波管側終端位置で上記オープンスタブと接続されるマイクロ波伝送線路の導体とを備える。

この発明によれば、誘電体多層基板の下部に導波管空洞部位が存在しなくても、導波管を伝播するマイクロ波を誘電体基板上に形成されたマイクロ波伝送線路へ変換し、伝送することができる。

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１を示す変換回路の構成図である。
図１において、１は第一の誘電体基板と第二の誘電体基板とが重ねて形成された誘電体多層基板で３つの導体層を有する。２は上記誘電体多層基板１を形成する第一の誘電体基板の一方の面、即ち誘電体多層基板１の第１の面全面に設けられた第１層目の導体層である地導体、３は上記誘電体多層基板１を形成する第一の誘電体基板の第二の誘電体基板に面する面即ち誘電体多層基板１の第２の面、全面に規則的に配列された複数の多角形導体パターンでこの実施の形態では正六角形を成している。４は上記誘電体多層基板１を形成する第一の誘電体基板に設けられた第１層目の導体層である地導体２と第２層目の導体層である導体パターン３を各々電気的に接続するためその表面が金属メッキされた複数のスルーホールである。５は上記誘電体多層基板１を形成する第二の誘電体基板の第一の誘電体基板に面する反対側の面、即ち誘電体多層基板１の第３の面に形成された第３層目の導体層であるオープンスタブで、２段階に幅の異なる長方形を成している。６は上記誘電体多層基板１の第３の面と垂直で第３の面の外方向に延伸する導波管であり、その側面は端部から一部を切り欠いた部位７を有する。

上記誘電体多層基板１は、導波管６の管軸方向と直角な導波管内面の形状を成し、切り欠き部位７から導波管６外に延在する長方形の延在部分が一体形成されている。上記誘電体多層基板１に形成された第３層目の導体層であるオープンスタブは上記導波管の一部を切り欠いた部位７を介して、上記誘電体多層基板１の延在部分上に形成されたマイクロ波伝送線路８の導体８ａと接続される。この導体８ａは２段階に幅の異なる長方形を成している。また、上記の地導体２は上記誘電体多層基板１の延在部分全面に延伸して形成されている。
上記マイクロ波伝送線路８は誘電体多層基板１の最上面に構成された導体８ａと誘電体多層基板１の下面に形成された地導体２により構成され、マイクロストリップ線路とも言われる。

このように構成された変換回路において、導波管６よりマイクロ波を入力する場合について説明を行なう。導波管６より入力されたマイクロ波は誘電体多層基板１に構成された地導体２及び規則的に配列された複数の導体パターン３により反射される。上記導体パターン３を誘電体多層基板１に形成し、その導体パターンと、地導体２とをスルーホール４にて接続し、これらの導体を規則的に誘電体基板平面上に配列することにより、特定の周波数において入射波と反射波の位相が同相となる磁気壁面として作用する。所望の周波数で、誘電体多層基板１に形成されるオープンスタブ５の上面において入射波及び反射波の位相が同相となるように導体パターン３の大きさ、隣接する導体パターン３との間隔及びスルーホール４の直径を適宜設定する。このようにして設定されたパラメータで構成される変換回路では、導波管６より入力するマイクロ波は導波管６の一部を切り欠いた部位７を介して誘電体多層基板１上に形成されたマイクロ波伝送線路８へ伝送路が変換され、伝送される。

次に具体的な事例をあげて説明を行なう。設計中心周波数f0における波長をλ0とし、誘電体多層基板１に形成される導体パターン３の正六角形の一辺を0．068λ0、スルーホール４の直径を0．017λ0、上記正六角形間隔を0．007λ0とする。上記正六角形の導体パターン３と地導体２の間隔、即ち第一の誘電体基板の厚みは0．033λ0とし、誘電体基板には比誘電率３．３９の基板を用いているものとする。

図２は上記実施の形態１における磁気壁面の動作確認用の構成であり、マイクロ波伝送線路への接続を有しない構成としている。また、図３はこの場合の誘電体多層基板１の最上面における反射位相特性９を示したグラフである。設計中心周波数f0において反射位相が０度近傍となり、規則的に配列された導体パターン３をスルーホール４を介して地導体２に接続することにより磁気壁面として動作していることがわかる。尚、規則的に配列された複数の導体パターン３は導波管６の内壁寸法で切り取られた形状となっており、誘電体多層基板１の端部まで配列されている。

上記規則的に配列された導体パターン３を有する構成を変換回路に適用した事例の反射特性１０を図４に示す。おおよそ設計中心周波数f0において反射係数が低くなっており、導波管６から入力されたマイクロ波が誘電体多層基板１上のマイクロ波伝送線路８に変換、伝送されていることがわかる。

以上のような構成とすることにより、誘電体多層基板１の下部に導波管空洞部位が存在しなくても、導波管を伝播するマイクロ波を誘電体基板上に形成されたマイクロ波伝送線路へ変換し、伝送することができる。

また、実施の形態１においてはオープンスタブ５、及び誘電体多層基板１上に形成されるマイクロ波伝送線路８の導体８ａ夫々に複数の幅の導体を用いているが、いずれか一方又は双方が均一な導体幅であっても構わないことは云うまでもない。
これらに複数幅の導体を用いることにより複数の周波数及び周波数帯域幅を調整することが可能となる。

また、誘電体多層基板１にｎ層（ｎは４以上）の導体層を有する多層基板を適用し、任意の３つの導体層を上述の如き構成とすることにより変換回路を構成することが可能であることは云うまでもない。
即ち、上記誘電体多層基板１の各誘電体基板の間にマイクロ波回路や電源信号用及び制御信号用等の回路基板が挿入されていても、また地導体２の下部にマイクロ波用や電源信号用及び制御信号用等の回路基板が追加して設けられていても同様な効果を奏する。

実施の形態２．
上記の実施の形態では、誘電体多層基板１の任意の３つの導体層を用いて変換回路を構成した場合であったが、誘電体多層基板１の任意の４つの導体層を用いて変換回路を構成することにより誘電体基板の層構成の自由度を増すことができる。図５に実施の形態２の構成図を示す。
この実施の形態２は、誘電体多層基板１を形成する第一の誘電体基板と第二の誘電体基板との間に第三の誘電体基板を設け、この第三の誘電体基板の上面を第４の面とし、この第４の面でかつ誘電体多層基板１の導波管外延在部分に第２の地導体１２を設け、第１の面に形成される地導体２と第４の面に形成される第２の地導体１２とを複数の第２のスルーホール１１により接続した構成としたものである。なお、この実施の形態では、第１の面に形成される地導体２は延在部分全面まで、延伸してはおらず延在部分の終端から所定の部分は地導体２が存在しない構成にされている。その他は上記図１に示す構成と同様である。
この様な層構成とすることにより、マイクロ波伝送線路８の誘電体基板の厚みを自由に設定することが可能となり、製造に最適な導体幅を有するマイクロ波伝送線路８を形成することができる。

また、実施の形態２においてもオープンスタブ５、及び誘電体多層基板１上に形成されるマイクロ波伝送線路８の導体８ａに複数の幅の導体を用いているが、いずれか一方又は双方が均一な導体幅であっても構わないことは云うまでもない。これらに複数幅の導体を用いることにより複数の周波数及び周波数帯域幅を調整することが可能となる。
また、誘電体多層基板１にｎ層（ｎは５以上）の導体層を有する多層基板を適用し、任意の４つの導体層導体層を上述の如き構成のすることにより変換回路を構成することが可能であることは云うまでもない。

実施の形態３．
上記実施の形態２では、誘電体多層基板１の延在部分上第３の面に形成された導体８ａと誘電体多層基板１の第１の面に形成された地導体２及び誘電体多層基板１の第４の面に形成された第２の地導体１２により構成されるマイクロ波伝送線路８を用いているが、この実施の形態では、上記構成に加え誘電体多層基板１上に形成された導体８ａとオープンスタブ５の上、即ち、誘電体多層基板１の第３の面の上にさらに誘電体基板を重ね、この誘電体基板上で上記導体８ａを基準面にして第２の地導体１２と対称となる位置に新たなる第３の地導体１３を設け、この地導体１３は第２の地導体１２及び地導体２とスルーホール１１により接続される構成としたマイクロ波伝送線路８による変換回路とすることができる。

図６に実施の形態３の構成図を示す。実施の形態３は誘電体多層基板１に形成するマイクロ波伝送線路８の導体８ａを基準面として、対称面に設けられた異なる２つの地導体１２及び１３によりトリプレート線路と言われるマイクロ波伝送線路を構成する。前述の変換回路と同様にオープンスタブ５を形成する導体層において、反射位相が０度となるように導体パターン３の大きさ、隣接する導体パターン３との間隔及びスルーホール４の直径を適宜設定する。このようにして設定されたパラメータで構成することにより、マイクロ波伝送線路８の上部空間への放射や空間を介した他のマイクロ波デバイスとの結合を抑圧することが可能となる。また、誘電体多層基板１下部だけでなく上部方向へも薄型の構成とすることができる。

上記説明では全ての地導体２、１２、１３をスルーホール１１で接続する構成としたが、マイクロ波伝送線路を構成する地導体１２及び１３と誘電体多層基板１の第１層の導体を構成する地導体２とを接続するスルーホールが異なる構成であっても構わない。また、上記スルーホールを導電性金属結合機器、例えばネジ等で代用しても同様の効果が得られることは言うまでもない。また、オープンスタブ５上に誘電体基板を積層する構成としたが、オープンスタブ５上に誘電体基板が存在しない構成であっても構わない。

実施の形態４．
上記実施の形態１では、誘電体多層基板１の延在部分上第３の面に形成された導体８ａと誘電体多層基板１の第１の面に形成された地導体２により形成されるマイクロ波伝送線路８を用いているが、本実施の形態は誘電体多層基板１の第３の面上に形成されたマイクロ波伝送線路８の導体８ａと同一面に成形され、マイクロ波伝送線路８の導体８ａと所定の間隔を有しマイクロ波伝送線路８の導体８ａを対称線とし、異なる２つの地導体１４ａ及び１４ｂによって構成されるコプレナ線路と言われるマイクロ波伝送線路８とする構成とした変換回路である。

図７に実施の形態４の構成図を示す。このような構成とすることにより、マイクロ波伝送線路８の導体８ａ上にマイクロ波部品、例えば抵抗や集積回路等を実装する際に必要となる地導体接続面をマイクロ波伝送線路の導体８ａと同一面に有することができるため、容易に接続することが可能となる。また、実施の形態２及び実施の形態３で必要であった最下面に構成される地導体と接続するスルーホールが不要となる効果もある。さらには、スルーホールを不要とすることにより、誘電体多層基板１内の配線自由度が増すという効果もある。

実施の形態５．
上記各実施の形態では、地導体２、導体パターン３、オープンスタブ５等を備えた誘電体多層基板１は導波管６の管内に配置される構成としていたが、この実施の形態は誘電体多層基板１の上面で導波管６と接続する構成とした変換回路である。図８に実施の形態５の構成図を示す。誘電体多層基板１の導波管６との接続面（導波管６の肉厚に相当する部分）に導体１５を形成し、上記導体１５と上記誘電体多層基板１の第１の面に形成される地導体２とを電気的に接続する複数個のスルーホール１６を設ける。このような構成とすることにより複数のスルーホール１６が導波管６の内壁の機能を果たし、複数のスルーホール１６により機能的に導波管が形成される形となり誘電体多層基板１の外側に導波管が存在する構成と看倣すことができる。また、誘電体多層基板１の上面で接続する構成とすることにより、誘電体多層基板１と導波管６の内壁との間に微小な隙間が発生することを防ぐ効果も得られる。

また、上記複数のスルーホール１６を導波管６の内壁からの距離を適宜選択することにより、上記スルーホール１６により構成される導波管のインピーダンスを可変とすることができ、変換回路の周波数特性を所望の値とするように設定することも可能となる。また、誘電体多層基板１と導波管６との接続部分の接続時における、配置位置ズレに対応した値とすることも可能である。また、上記複数個のスルーホール１６に代わり、導電性金属結合機器、例えば金属ネジ等でも同様な効果が得られると共に、スルーホール１６の直径及び配置間隔は全てが同一でなく、少なくとも１つ以上が異なる直径及び配置間隔であっても同様な効果が得られる。

また、実施の形態５ではマイクロ波伝送線路８にマイクロストリップ線路を用いた構成となっているが、マイクロ波伝送線路８は実施の形態３に示すトリプレート線路及び実施の形態４に示すコプレナ線路であっても良いことは云うまでもない。この何れの場合も誘電体多層基板１と導波管６との接続面には導体１５を形成し、導体１５と地導体２とを接続する複数個のスルーホール１６を配置する。

実施の形態６．
以上の実施の形態１〜５では、誘電体多層基板１の第２の面に形成される規則的に配列された複数の導体パターン３の形状として正六角形としているが、上記導体パターン３の形状を三角形１７とすることで、簡易な形状とすることができる。図９に実施の形態６の規則的に配列された複数の導体パターン１７の配列図を示す。このような形状を用いることにより簡単な形状で配列することができる。また、上記三角形が正三角形でも同様な効果が得られることは云うまでもない。

実施の形態７．
以上の実施の形態１〜５では、誘電体多層基板１の第２の面に形成される規則的に配列された複数の導体パターン３の形状として正六角形としているが、上記導体パターン３の形状を四角形１８とすることで、簡易な形状とすることができる。図１０に実施の形態７の規則的に配列された複数の導体パターン１９の配列図を示す。このような形状を用いることにより導波管６に方形導波管を適用した場合に、簡単な形状で、かつ導体パターンの形状を切断させることなく導波管内に配列することができる。また、上記四角形が正方形でも同様な効果が得られることは云うまでもない。

実施の形態８．
以上の実施の形態１〜５では、誘電体多層基板１の第２の面に形成される規則的に配列された複数の導体パターン３の形状として正六角形としているが、上記導体パターン３の形状を菱形の対角線長辺の端点を中心として１２０度回転させて配列した３つの菱形を上記対角線長辺の端点で接続した導体パターン１９とし、スルーホール４を導体パターン１９の接続点に設けることでも構成することができる。図１１に実施の形態８の規則的に配列された複数の導体パターン１９の配列図を示す。このような形状を用いることにより隣接する導体パターンとの並列配置部分が多くなり、菱形寸法及びスルーホール４の直径等を適宜変化させることによる特性調整の自由度が増すことができる。

実施の形態９．
以上の実施の形態１〜５では、誘電体多層基板１の第２の面に形成される規則的に配列された複数の導体パターン３の形状として正六角形としているが、上記導体パターン３の形状を正三角形２０と正六角形２１との導体パターンとすることでも構成することができる。図１２に実施の形態９の規則的に配列された複数の導体パターン２０及び２１の配列図を示す。上記正三角形２０及び正六角形２１の２つの形状を規則的に配列する構成とすることにより少なくとも２つ以上の周期性による配列となり、周波数特性の調整の自由度が増すことができる。

実施の形態１０．
以上の実施の形態１〜５では、誘電体多層基板１の第２の面に形成される規則的に配列された複数の導体パターン３の形状として正六角形としているが、上記導体パターン３の形状を四角形２２と八角形２３との導体パターンとすることでも構成することができる。図１３に実施の形態１０の規則的に配列された複数の導体パターン２２及び２３の配列図を示す。上記四角形２２及び八角形２３の２つの形状を規則的に配列する構成とすることにより少なくとも２つ以上の周期性による配列となると共に、正方形２２と八角形２３との構成とすることにより導体面積比を大きく変化させることができ、周波数特性の調整の自由度が増すことができる。

この発明によれば薄型の導波管、高密度、低損失のマイクロストリップ線路変換回路が実現でき、移動体における通信、レーダ用として適用されると特に有用である。

この発明の実施の形態１を示す変換回路の構成図である。 この発明の実施の形態１に適用する磁気壁面検証構成図である。 この発明の反射位相特性を表す図である。 この発明の反射係数特性を表す図である。 この発明の実施の形態２を示す変換回路の構成図である。 この発明の実施の形態３を示す変換回路の構成図である。 この発明の実施の形態４を示す変換回路の構成図である。 この発明の実施の形態５を示す変換回路の構成図である。 この発明の実施の形態６を示す導体パターンの形状を示す図である。 この発明の実施の形態７を示す導体パターンの形状を示す図である。 この発明の実施の形態８を示す導体パターンの形状を示す図である。 この発明の実施の形態９を示す導体パターンの形状を示す図である。 この発明の実施の形態１０を示す導体パターンの形状を示す図である。

符号の説明

１ 誘電体多層基板
２ 誘電体多層基板１の第１層に形成された地導体
３ 誘電体多層基板１の第２層に形成された導体パターン
４ スルーホール
５ 誘電体多層基板１の第３層に形成されたオープンスタブ
６ 導波管
７ 導波管の一部を欠いた部位
８ 誘電体多層基板１に形成されたマイクロ波伝送線路
９ 反射位相特性
１０ 反射特性
１１ スルーホール
１２ マイクロストリップ線路地導体
１３ トリプレート線路地導体
１４ａ コプレナ線路地導体
１４ｂ コプレナ線路地導体
１５ 導体
１６ スルーホール
１７ 規則的配列された三角形導体パターン
１８ 規則的配列された四角形導体パターン
１９ 規則的配列された三菱形導体パターン
２０ 規則的配列された正三角形導体パターン
２１ 規則的配列された六角形導体パターン
２２ 規則的配列された四角形導体パターン
２３ 規則的配列された八角形導体パターン

Claims (18)

1. 導波管と誘電体基板上に形成されたマイクロ波伝送線路とを接続する変換回路において、
   上記誘電体基板は同じ大きさの方形の第一の誘電体基板と第二の誘電体基板が重ね合わせて形成された誘電体多層基板とされ、
   第一の誘電体基板の重ね合わせ面を第２の面とし、この第２の面に形成された所定の間隔を有し規則的に配列された複数の多角形の導体パターンと、
   第一の誘電体基板の第２の面の反対側の面を第１の面とし、第１の面全面に形成された地導体と、
   第二の誘電体基板の重ね合わせ面と反対側の面を第３の面とし、第３の面で、かつ第３の面の一辺までその一端が延在して形成されたオープンスタブと
   上記第１の面に形成された地導体と上記第２の面に形成された各々の導体パターンを電気的に接続するスルーホールと、
   上記誘電体多層基板の第３の面と直角で第３の面の外方向に延伸し、かつ上記誘電体多層基板の第３の面に形成されるオープンスタブの端部が存在する側の側壁を、端部から一部分を切り欠いた導波管と、
   上記誘電体多層基板は上記導波管の切り欠き部から導波管外に延在する導波管外延在部分が各誘電体基板に一体形成に設けられ、この導波管外延在部分でかつ第３の面に形成され、導波管外延在部分の導波管側終端位置で上記オープンスタブと接続されるマイクロ波伝送線路の導体とを備えることを特徴とする変換回路。
2. 上記誘電体多層基板の第一の誘電体基板と第二の誘電体基板の間に第三の誘電体基板を設け、この第三の誘電体基板の第二の誘電体基板と重なる面を第４の面とし、この第４の面の導波管外延在部分に第２の地導体を設け、第１の面に設けられた地導体は、導波管外延在部分の全面でなく、導波管側終端位置から導波管外延在部分の所定位置までとし、第２の地導体と第１の面に形成された地導体とを電気的に接続する第２のスルーホールを設けたことを特徴とする請求項１記載の変換回路。
3. 誘電体多層基板の第３の面の上にさらに誘電体基板を設け、この誘電体基板上でかつ導波管外延在部に第３の地導体を有し、この第３の地導体と上記第２の地導体、又はこの第３の地導体と上記第１の面に形成された地導体を電気的に接続するスルーホールを設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の変換回路。
4. 誘電体多層基板に形成されるマイクロ波伝送線路の導体と同一面に、マイクロ波伝送線路の導体とともにマイクロ波伝送線路を形成する地導体を有することを特徴とする請求項１又は２記載の変換回路。
5. 導波管の内部の誘電体基板上に形成されるオープンスタブは、複数の導体パターン幅を有する形状にされたことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の変換回路。
6. マイクロ波伝送線路の導体は、複数の導体パターン幅を有する形状にされたことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の変換回路。
7. 誘電体多層基板の第３の面に導波管の端面を接続し、誘電体多層基板の第３の面でこの導波管と接触する部分に導体を設け、この導体と上記第１の面に形成された地導体とを電気的に接続する複数のスルーホールを設けたことを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の変換回路。
8. 誘電体多層基板の導波管との接触面に設けられた導体と上記第１の面に形成された地導体とを電気的に接続する複数のスルーホールは、その横断面が導波管の内壁面に外接する位置に設けられたことを特徴とする請求項７記載の変換回路。
9. 誘電体多層基板の導波管との接触面に設けられた導体と上記第１の面に形成された地導体とを電気的に接続する複数のスルーホールは、その横断面が導波管との接触面で、かつ導波管の内壁から所定距離有して設けられたことを特徴とする請求項７記載の変換回路。
10. 導波管は断面形状が長方形を成し、誘電体多層基板の導波管との接触面部分に設けられた複数のスルーホールは、相対する２辺の接触面部分に設けられた複数のスルーホールと、その２辺と直角を成す他の２辺の接触面部分に設けられた複数のスルーホールとは導波管の内壁からの距離が異なる位置に設けられたことを特徴とする請求項７記載の変換回路。
11. 誘電体多層基板の導波管との接触面に設けられた導体と上記第１の面に形成された地導体とを電気的に接続する複数のスルーホールは、等間隔に配置されることを特徴とする請求項７乃至１０の何れかに記載の変換回路。
12. 上記誘電体多層基板の第２の面に形成された複数の多角形の導体パターンは、その形状を正三角形とすることを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の変換回路。
13. 上記誘電体多層基板の第２の面に形成された複数の多角形の導体パターンは、その形状を四角形とすることを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の変換回路。
14. 上記誘電体多層基板の第２の面に形成された複数の多角形の導体パターンは、その形状を正六角形とすることを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の変換回路。
15. 上記誘電体多層基板の第２の面に形成された複数の多角形の導体パターンは、その形状を菱形の対角線長辺の端部を中心として１２０度回転させて配列した３つの菱形を回転の中心点で接続した導体パターンとすることを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の変換回路。
16. 上記誘電体多層基板の第２の面に形成された複数の多角形の導体パターンは、その形状が２つ以上の異なる形状とされたことを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の変換回路。
17. 上記誘電体多層基板の第２の面に形成された複数の多角形の導体パターンは、その形状が正三角形と正六角形を成すことを特徴とする請求項１６記載の変換回路。
18. 上記誘電体多層基板の第２の面に形成された複数の多角形の導体パターンは、その形状が四角形と八角形を成すことを特徴とする請求項１６記載の変換回路。

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