JP2008085750A - 高周波伝送変換回路 - Google Patents
高周波伝送変換回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008085750A JP2008085750A JP2006264256A JP2006264256A JP2008085750A JP 2008085750 A JP2008085750 A JP 2008085750A JP 2006264256 A JP2006264256 A JP 2006264256A JP 2006264256 A JP2006264256 A JP 2006264256A JP 2008085750 A JP2008085750 A JP 2008085750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ground
- line
- conversion circuit
- transmission conversion
- dielectric substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
【課題】 製造が容易で、伝送特性に影響を与えることがない高周波伝送変換回路を提供する。
【解決手段】 誘電体基板10と、誘電体基板10の底面に形成されたマイクロストリップ線路のグランド部13と、誘電体基板の平面に形成されたマイクロストリップ線路の信号線部11と、信号線部11の一部分の両側に形成されたコプレーナ線路のグランド電極12a,12bとを有し、コプレーナ線路のグランド電極12a,12bとマイクロストリップ線路のグランド部13とを電磁結合又は/及び容量結合により接続して高周波信号の接地を行う高周波伝送変換回路である。
【選択図】 図1
【解決手段】 誘電体基板10と、誘電体基板10の底面に形成されたマイクロストリップ線路のグランド部13と、誘電体基板の平面に形成されたマイクロストリップ線路の信号線部11と、信号線部11の一部分の両側に形成されたコプレーナ線路のグランド電極12a,12bとを有し、コプレーナ線路のグランド電極12a,12bとマイクロストリップ線路のグランド部13とを電磁結合又は/及び容量結合により接続して高周波信号の接地を行う高周波伝送変換回路である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、高周波をコプレーナ線路からマイクロストリップ線路へ伝送変換する高周波伝送変換回路に係り、特に、製造が容易で伝送特性に影響を与えない高周波伝送変換回路に関する。
マイクロ波以上の高周波用伝送線路として、マイクロストリップ線路とコプレーナ線路が主に用いられている。
マイクロストリップ線路は、広いグランド導体上に重なるように信号パターンを配置した構造である。マイクロストリップ線路を構成するためには、少なくとも両面基板以上の多層構造とする必要がある。コプレーナ線路に比べて放射ノイズが軽減されるため、プリント配線板で最も使用されている。
マイクロストリップ線路は、広いグランド導体上に重なるように信号パターンを配置した構造である。マイクロストリップ線路を構成するためには、少なくとも両面基板以上の多層構造とする必要がある。コプレーナ線路に比べて放射ノイズが軽減されるため、プリント配線板で最も使用されている。
コプレーナ線路は、信号パターン及びグランド導体が同一平面上にある伝送線路の構造である。信号を伝送する信号パターンとその両側に一定の隙間を空け、グランド電極を配置した形状である。信号パターンとグランドが同一平面上にあるため、信号線から出る放射ノイズが多い。
マイクロ波、ミリ波帯で主に使用されるマイクロストリップ線路とコプレーナ線路の2種類の線路を接続する場合、グランドが同じ平面に存在しないため、従来技術では、コプレーナ線路からマイクロストリップ線路の変換部でビアホールを用いて互いのグランドを接続していた。
尚、関連する先行技術として、特開2001−345608号公報(特許文献1)、特開平10−335910号公報(特許文献2)がある。
特許文献1には、第2コプレーナ線路の中心導体が片端で第1コプレーナ線路の中心導体に一致し、そのマイクロストリップ線路に向かってテーパー状に拡幅されて、他方端でマイクロストリップ線路のストリップ導体幅に一致し、また、中心導体の両側に形成された第2接地導体が第1コプレーナ線路の第1接地導体に接続されるとともに、その中心導体との離間距離がマイクロストリップ線路に向かって増大し、その第2接地導体幅がテーパー状に減少されている線路変換器が示されている。
特許文献1では、グランド接続にビアホールを用いていないが、コプレーナ線路の導体と第1接地導体とを電磁結合及び容量結合によって接続するものではない。
特許文献1では、グランド接続にビアホールを用いていないが、コプレーナ線路の導体と第1接地導体とを電磁結合及び容量結合によって接続するものではない。
特許文献2には、マイクロストリップ線路のストリップ導体の線幅をグランド付コプレーナ線路の中心導体よりも大きくし、また、中心導体とストリップ導体とを線幅が徐々に変化するようなテーパー状の導体を介して接続し、同時にテーパー状の導体の両側グランド層との間隔も同様に変化させるにあたり、テーパー状の導体の両側のグランド層の形状を制御する変換線路が示されている。
尚、特許文献2では、グランド接続にビアホールを用いている。
尚、特許文献2では、グランド接続にビアホールを用いている。
しかしながら、上記従来の変換線路及び特許文献2では、マイクロ波、ミリ波帯におけるビアホールによって発生した寄生インダクタなどが、伝送特性に影響を与えるという問題点があった。
また、製造面において、特に水晶基板ではビアホールを作ることが困難であるという問題点があった。
また、製造面において、特に水晶基板ではビアホールを作ることが困難であるという問題点があった。
尚、特許文献1では、コプレーナ線路のグランドとマイクロストリップ線路のグランドを互いに接続するものとはなっていない。
また、特許文献1では、コプレーナ線路の導体と第1接地導体との間には、テフロン(登録商標)基板が形成されている。
また、特許文献1では、コプレーナ線路の導体と第1接地導体との間には、テフロン(登録商標)基板が形成されている。
本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、製造が容易で、伝送特性に影響を与えることがない高周波伝送変換回路を提供することを目的とする。
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、高周波伝送変換回路であって、誘電体基板と、誘電体基板の一方の面に形成されたマイクロストリップ線路のグランド部と、誘電体基板の他方の面に形成されたマイクロストリップ線路の信号線部と、誘電体基板の他方の面に信号線部の一部分の両側に形成されたコプレーナ線路のグランド電極とを有し、コプレーナ線路のグランド電極とマイクロストリップ線路のグランド部とを電磁結合又は/及び容量結合により接続して高周波信号の接地を行うことを特徴とする。
本発明は、上記高周波伝送変換回路において、信号線の長手方向に直交するコプレーナ線路のグランド電極の幅を、設定周波数若しくは設定周波数帯の中心周波数の電気長がおおむね1/4波長としたことを特徴とする。
本発明は、上記高周波伝送変換回路において、信号線の長手方向に直交するコプレーナ線路のグランド電極の幅を、設定周波数若しくは設定周波数帯の中心周波数の電気長が1/8波長以上、1/4波以下としたことを特徴とする。
本発明は、上記高周波伝送変換回路において、誘電体基板として水晶基板を用いたことを特徴とする。
本発明は、上記高周波伝送変換回路において、水晶基板の厚みを100μm以下にしたことを特徴とする。
本発明は、上記高周波伝送変換回路において、マイクロストリップ線路のグランド部が、誘電体基板の一方の面において全面に形成されたことを特徴とする。
本発明は、上記高周波伝送変換回路において、マイクロストリップ線路のグランド部が、誘電体基板の一方の面においてコプレーナ線路のグランド電極に対向する部分に形成されないようにしたことを特徴とする。
本発明によれば、誘電体基板と、誘電体基板の一方の面に形成されたマイクロストリップ線路のグランド部と、誘電体基板の他方の面に形成されたマイクロストリップ線路の信号線部と、誘電体基板の他方の面に信号線部の一部分の両側に形成されたコプレーナ線路のグランド電極とを有し、コプレーナ線路のグランド電極とマイクロストリップ線路のグランド部とを電磁結合又は/及び容量結合により接続して高周波信号の接地を行う高周波伝送変換回路としているので、製造が容易で、伝送特性に影響を与えず、伝送効率を向上できる効果がある。
本発明によれば、信号線の長手方向に直交するコプレーナ線路のグランド電極の幅を、設定周波数若しくは設定周波数帯の中心周波数の電気長がおおむね1/4波長とした上記高周波伝送変換回路としているので、伝送信号付近の比較的広帯域で変換損失を減少できる効果がある。
本発明によれば、信号線の長手方向に直交するコプレーナ線路のグランド電極の幅を、設定周波数若しくは設定周波数帯の中心周波数の電気長が1/8波長以上、1/4波以下とした上記高周波伝送変換回路としているので、回路面積を減少できる効果がある。
本発明によれば、誘電体基板として水晶基板を用いた上記高周波伝送変換回路としているので、通過損失を低損失にすることができ、周波数的に安定な水晶基板を用いることで、ミリ波以上でも安定した伝送特性を得ることができる効果がある。
本発明によれば、水晶基板の厚みを100μm以下にした上記高周波伝送変換回路としているので、通過損失を更に低損失にすることができる効果がある。
本発明によれば、マイクロストリップ線路のグランド部が、誘電体基板の一方の面において全面に形成された上記高周波伝送変換回路としているので、コプレーナ線路のグランド電極とマイクロストリップ線路のグランド部とを電磁結合又は/及び容量結合の強度を高めることができる効果がある。
本発明によれば、マイクロストリップ線路のグランド部が、誘電体基板の一方の面においてコプレーナ線路のグランド電極に対向する部分に形成されないようにした上記高周波伝送変換回路としているので、コプレーナ線路のグランド電極とマイクロストリップ線路のグランド部とを電磁結合又は/及び容量結合の強度を調整できる効果がある。
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
本発明の実施の形態に係る高周波伝送変換回路は、誘電体基板と、誘電体基板の底面に形成されたマイクロストリップ線路のグランド部と、誘電体基板の上面に形成されたマイクロストリップ線路の信号線部と、信号線部の一部分の両側に形成されたコプレーナ線路のグランド電極とを有し、コプレーナ線路のグランド電極とマイクロストリップ線路のグランド部とを電磁結合又は/及び容量結合により接続して高周波信号の接地を行うものであり、製造が容易で、伝送特性に影響を与えず、伝送効率を向上できるものである。
本発明の実施の形態に係る高周波伝送変換回路は、誘電体基板と、誘電体基板の底面に形成されたマイクロストリップ線路のグランド部と、誘電体基板の上面に形成されたマイクロストリップ線路の信号線部と、信号線部の一部分の両側に形成されたコプレーナ線路のグランド電極とを有し、コプレーナ線路のグランド電極とマイクロストリップ線路のグランド部とを電磁結合又は/及び容量結合により接続して高周波信号の接地を行うものであり、製造が容易で、伝送特性に影響を与えず、伝送効率を向上できるものである。
本発明の実施の形態に係る第1の高周波伝送変換回路について図1、図2を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る第1の高周波伝送変換回路の概略図であり、図2は、本発明の実施の形態に係る第1の高周波伝送変換回路の平面説明図である。
本発明の実施の形態に係る第1の高周波伝送変換回路(第1の回路)は、図1、図2に示すように、水晶基板を用いた誘電体基板10と、誘電体基板10の上面に形成されたマイクロストリップ線路の信号線部11と、信号線部11の一部分の両側に形成されたコプレーナ線路のグランド電極12a,12bと、誘電体基板10の底面に形成されたマイクロストリップ線路のグランド部13とを基本的に有している。
本発明の実施の形態に係る第1の高周波伝送変換回路(第1の回路)は、図1、図2に示すように、水晶基板を用いた誘電体基板10と、誘電体基板10の上面に形成されたマイクロストリップ線路の信号線部11と、信号線部11の一部分の両側に形成されたコプレーナ線路のグランド電極12a,12bと、誘電体基板10の底面に形成されたマイクロストリップ線路のグランド部13とを基本的に有している。
第1の回路では、ビアホールを用いず、コプレーナ線路のグランド電極12a,12bとマイクロストリップ線路のグランド部13を電磁結合又は/及び容量結合により接続したものである。
誘電体基板10は、高周波での伝送特性を改善するため、高周波帯で低損失かつ誘電率、誘電損失の周波数依存性の少ない基板となる水晶基板を用い、その場合、水晶基板の厚さを100μm以下にすることにより損失の改善効果が得られる。
第1の回路では、コプレーナ線路のグランド電極12a,12bとマイクロストリップ線路のグランド部13が重なる部分の幅L(信号線11の長手方向に直交する幅)が重要であり、結合度を上げて変換損失を効果的に減らす場合には、幅Lを設定周波数若しくは設定周波数帯の中心周波数のおおむね1/4波長の幅とする必要がある。
この場合、信号周波数から比較的広域帯で低損失となるので、広帯域で伝送変換可能となる。
この場合、信号周波数から比較的広域帯で低損失となるので、広帯域で伝送変換可能となる。
広帯域化及び低面積化するためには、コプレーナ線路のグランド電極12a,12bの幅Lを1/4波長以下にすることも可能であるが、幅Lがおおよそ1/8波長より短くなると、通過損失が大きくなる。
尚、コプレーナ線路のグランド電極12a,12bのマイクロストリップ線路の信号線部11に沿った長さは、幅Lが1/4波長とした場合、1/40〜1/6波長とすれば比較的広帯域での伝送変換を可能とする。
第1の回路では、図2に示すように、マイクロストリップ線路のグランド部13が誘電体基板10の裏面全面に形成されているのではなく、コプレーナ線路のグランド電極12a,12bが形成されている部分に相当する裏面にはグランド部が形成されていない不形成部14が設けられている。
そして、図2に示すように、コプレーナ線路のグランド電極12a,12bとマイクロストリップ線路のグランド部13を電磁結合又は/及び容量結合により接続するために機能する変換部15が、グランド電極12a,12b及びグランド部13の形状によって形成される。
尚、本発明の実施の形態に係る高周波伝送変換回路は、グランド−シグナル−グランド(GSG)で構成されるため、GSGパッドと呼ばれ、よって、第1の回路を第1のGSGパッド、第2の回路を第2のGSGパッドと称することがある。
次に、本発明の実施の形態に係る第2の高周波伝送変換回路について図3、図4を参照しながら説明する。図3は、本発明の実施の形態に係る第2の高周波伝送変換回路の概略図であり、図4は、本発明の実施の形態に係る第2の高周波伝送変換回路の平面説明図である。
本発明の実施の形態に係る第2の高周波伝送変換回路(第2の回路)は、図3、図4に示すように、水晶基板を用いた誘電体基板10と、誘電体基板10の上面に形成されたマイクロストリップ線路の信号線部11と、信号線部11の一部分の両側に形成されたコプレーナ線路のグランド電極12a,12bと、誘電体基板10の底面に形成されたマイクロストリップ線路のグランド部13′とを基本的に有している。
本発明の実施の形態に係る第2の高周波伝送変換回路(第2の回路)は、図3、図4に示すように、水晶基板を用いた誘電体基板10と、誘電体基板10の上面に形成されたマイクロストリップ線路の信号線部11と、信号線部11の一部分の両側に形成されたコプレーナ線路のグランド電極12a,12bと、誘電体基板10の底面に形成されたマイクロストリップ線路のグランド部13′とを基本的に有している。
第2の回路では、第1の回路と同様に、ビアホールを用いず、コプレーナ線路のグランド電極12a,12bとマイクロストリップ線路のグランド部13′を電磁結合及び容量結合により接続したものである。
第1の回路と相違する点は、誘電体基板10の裏面全面にマイクロストリップ線路のグランド部13′を形成し、不形成部14が存在しないものとなっている。
これによって、図4に示すように、コプレーナ線路のグランド電極12a,12bとマイクロストリップ線路のグランド部13′を電磁結合又は/及び容量結合により接続するために機能する変換部15′が形成される。
グランド部13′がグランド電極12a,12bに相当する裏面部分まで形成されたため、第2の回路における変換部15′の方が第1の回路における変換部15より広い領域となっている。
従って、第1の回路に比べて、第2の回路は、変換部15′が広くなっているため、グランド電極12a,12bとグランド部13′との間の電磁結合又は/及び容量結合は大きいものとなっている。
結合度を調整するために、グランド部の形状を重なり部分の程度を考慮して調整することが有効となる。
結合度を調整するために、グランド部の形状を重なり部分の程度を考慮して調整することが有効となる。
第1の回路及び第2の回路によれば、コプレーナ線路のグランド電極12a,12bの幅Lを伝送する信号のおおむね1/4波長とし、コプレーナ線路のグランド電極12a,12bとマイクロストリップ線路のグランド部13,13′を電磁結合又は/及び容量結合によって接続する構成としているので、ビアホールを必要とせず、構成を簡略にでき、更に、誘電体基板10として低損失かつ高周波的に安定な水晶基板を用いるようにしているので、高周波(特にミリ波)において伝送効率を向上できる効果がある。
尚、通常、ビアホールを用いずにコプレーナ線路とマイクロストリップ線路を接続することは可能であるが、広帯域であるが損失が大きくなる。
これに対して、本発明の実施の形態に係る伝送線路変換は、コプレーナ電極の長さをある周波数で1/4波長としているので、図5に示すように、この部分は1/4波長の先端開放型のマイクロストリップ線路のスタブと同様に考えられ、その周波数で、マイクロストリップ線路への変換部は短絡となり、この周波数において裏面のグランドへの電磁結合による変換効率が向上して、変換損失が低減する。
図5は、伝送変換回路の電界分布を示す図である。
これに対して、本発明の実施の形態に係る伝送線路変換は、コプレーナ電極の長さをある周波数で1/4波長としているので、図5に示すように、この部分は1/4波長の先端開放型のマイクロストリップ線路のスタブと同様に考えられ、その周波数で、マイクロストリップ線路への変換部は短絡となり、この周波数において裏面のグランドへの電磁結合による変換効率が向上して、変換損失が低減する。
図5は、伝送変換回路の電界分布を示す図である。
先端開放の1/4波長のマイクロストリップ線路スタブ(コプレーナ線路の電極部)を使っているので、図6に示すように、周波数依存性を有することになるが、マイクロストリップ線路自体のQ値が低いので、比較的広帯域で結合度を上げて、変換損失を低減することができる。
図6は、高周波伝送変換回路の伝送特性を示す図である。図6では、電極部の幅をλ/4とした高周波伝送変換回路の場合と電極の幅をλ/4よりかなり狭くした高周波伝送変換回路の場合を示している。
図6は、高周波伝送変換回路の伝送特性を示す図である。図6では、電極部の幅をλ/4とした高周波伝送変換回路の場合と電極の幅をλ/4よりかなり狭くした高周波伝送変換回路の場合を示している。
本発明は、製造が容易で、伝送特性に影響を与えることがない高周波伝送変換回路に好適である。
10…誘電体基板、 11…マイクロストリップ線路の信号線部、 12a,12b…コプレーナ線路のグランド電極、 13,13′…マイクロストリップ線路のグランド部、 14…不形成部、 15,15′…変換部
Claims (7)
- 高周波を伝送変換する高周波伝送変換回路であって、
誘電体基板と、
前記誘電体基板の一方の面に形成されたマイクロストリップ線路のグランド部と、
前記誘電体基板の他方の面に形成されたマイクロストリップ線路の信号線部と、
前記誘電体基板の他方の面に前記信号線部の一部分の両側に形成されたコプレーナ線路のグランド電極とを有し、
前記コプレーナ線路のグランド電極と前記マイクロストリップ線路のグランド部とを電磁結合又は/及び容量結合により接続して高周波信号の接地を行うことを特徴とする高周波伝送変換回路。 - 信号線の長手方向に直交するコプレーナ線路のグランド電極の幅を、設定周波数若しくは設定周波数帯の中心周波数の電気長がおおむね1/4波長としたことを特徴とする請求項1記載の高周波伝送変換回路。
- 信号線の長手方向に直交するコプレーナ線路のグランド電極の幅を、設定周波数若しくは設定周波数帯の中心周波数の電気長が1/8波長以上、1/4波以下としたことを特徴とする請求項1記載の高周波伝送変換回路。
- 誘電体基板として水晶基板を用いたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の高周波伝送変換回路。
- 水晶基板の厚みを100μm以下にしたことを特徴とする請求項4記載の高周波伝送変換回路。
- マイクロストリップ線路のグランド部が、誘電体基板の一方の面において全面に形成されたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の高周波伝送変換回路。
- マイクロストリップ線路のグランド部が、誘電体基板の一方の面においてコプレーナ線路のグランド電極に対向する部分に形成されないようにしたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の高周波伝送変換回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006264256A JP2008085750A (ja) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | 高周波伝送変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006264256A JP2008085750A (ja) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | 高周波伝送変換回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008085750A true JP2008085750A (ja) | 2008-04-10 |
Family
ID=39356129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006264256A Pending JP2008085750A (ja) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | 高周波伝送変換回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008085750A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021145281A1 (ja) * | 2020-01-14 | 2021-07-22 | Ntn株式会社 | ロボットの対人保護装置 |
-
2006
- 2006-09-28 JP JP2006264256A patent/JP2008085750A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021145281A1 (ja) * | 2020-01-14 | 2021-07-22 | Ntn株式会社 | ロボットの対人保護装置 |
JP2021109288A (ja) * | 2020-01-14 | 2021-08-02 | Ntn株式会社 | ロボットの対人保護装置 |
JP7410726B2 (ja) | 2020-01-14 | 2024-01-10 | Ntn株式会社 | ロボットの対人保護装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5413467B2 (ja) | 広帯域アンテナ | |
JP5431433B2 (ja) | 高周波線路−導波管変換器 | |
JP5566169B2 (ja) | アンテナ装置 | |
JP2001308547A (ja) | 高周波多層回路基板 | |
JP4722614B2 (ja) | 方向性結合器及び180°ハイブリッドカプラ | |
WO2009125492A1 (ja) | 電力分配器 | |
JP2010192987A (ja) | 同軸コネクタ、同軸コネクタ・平面線路接続構造 | |
US9564868B2 (en) | Balun | |
JP6907918B2 (ja) | コネクタおよびコネクタ平面線路接続構造 | |
JP2009033526A (ja) | 方形導波管部と差動線路部との接続構造 | |
JP6211835B2 (ja) | 高周波伝送線路 | |
US20120182093A1 (en) | Microwave filter | |
JP5339086B2 (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器および導波管−マイクロストリップ線路変換器の製造方法 | |
JP4103927B2 (ja) | マイクロストリップ線路型方向性結合器 | |
US7688164B2 (en) | High frequency circuit board converting a transmission mode of high frequency signals | |
US20150222003A1 (en) | Microwave circuit | |
JP5519328B2 (ja) | 高周波用伝送線路基板 | |
JP4937145B2 (ja) | 導波管接続構造、導波管接続板および導波管変換器 | |
JP2008085750A (ja) | 高周波伝送変換回路 | |
JP2008219476A (ja) | 伝送線路変換部並びにこれを有する高周波回路及び高周波モジュール | |
JP4601573B2 (ja) | 導波管変換器 | |
JP2003174305A (ja) | 伝送線路および送受信装置 | |
JP4080981B2 (ja) | 変換回路 | |
JP2000174515A (ja) | コプレーナウェーブガイド−導波管変換装置 | |
JP7305059B2 (ja) | 導波管マイクロストリップ線路変換器 |