JP4759923B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明に係る半導体装置では、前記活性層はGaN半導体からなり、前記半導体領域は燐が添加されたAlGaN半導体からなることが好ましい。
図1(A)は半導体装置の構造を示す図面である。図1(B)は半導体装置のバンドダイアグラムを示す図面である。図1(C)は半導体装置を示す平面図である。
図3(A)は、第2の実施の形態に係る半導体装置の構造を示す図面である。図3(B)は半導体装置のバンドダイアグラムを示す図面である。半導体装置31は、ゲート電極3と、活性層35と、半導体領域37とを備える。活性層35は、第1の禁制帯幅を有する第1のIII族窒化物半導体から成る。半導体領域37は、ゲート電極3と活性層35との間に設けられており、第1の禁制帯幅より大きな第2の禁制帯幅を有するIII−V化合物半導体からなる。このIII−V化合物半導体は、燐元素および窒素元素を含んでおり、ゲート電極5は半導体領域37上に設けられている。燐濃度は、例えば1×1018cm−3以上1×1020cm−3以下である。
図5(A)、図5(B)および図5(C)は、第3の実施の形態に係る半導体装置を製造する方法を示す図面である。
エネルギ:50keV
ドーズ量:5×1012cm−2
である。このイオン注入により、燐を含む半導体領域73がIII族窒化物半導体膜67内に形成される。イオン注入の工程の後に、オーミック電極を形成する部分の絶縁膜を除去する。
図6(A)、図6(B)および図6(C)は、第4の実施の形態に係る半導体装置を製造する方法を示す図面である。
Claims (5)
- ゲート電極と、
第1の禁制帯幅を有する第1のIII族窒化物半導体から成る活性層と、
前記活性層と前記ゲート電極との間に設けられており、前記第1の禁制帯幅より大きな第2の禁制帯幅を有する第2のIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
を備え、
前記窒化物半導体層は、燐元素を含む半導体領域を有しており、
前記半導体領域は、前記ソース電極及びドレイン電極の下に設けられること無く、前記ゲート電極は前記半導体領域上に設けられている、ことを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極と、
第1の禁制帯幅を有する第1のIII族窒化物半導体から成る活性層と、
GaN半導体層と、
前記活性層と前記ゲート電極との間に設けられており、前記第1の禁制帯幅より大きな第2の禁制帯幅を有する第1のIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
を備え、
前記GaN半導体層は、燐元素を含む半導体領域を有しており、
前記半導体領域は、前記ソース電極及びドレイン電極の下に設けられること無く、前記ゲート電極は前記半導体領域上に設けられており、
前記窒化物半導体層はAlGaN層を含み、
前記GaN半導体層は、前記ゲート電極と前記AlGaN半導体層との間に設けられている、ことを特徴とする半導体装置。 - 前記活性層はGaN半導体からなり、
前記半導体領域は、燐が添加されたAlGaN半導体からなる、ことを特徴とする請求項1に記載された半導体装置。 - 前記活性層はInGaN半導体からなる、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された半導体装置。
- 前記半導体領域の前記燐元素はイオン注入により導入される、ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載された半導体装置。
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