JP4755839B2 - レーザー加工装置 - Google Patents

レーザー加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4755839B2
JP4755839B2 JP2005083930A JP2005083930A JP4755839B2 JP 4755839 B2 JP4755839 B2 JP 4755839B2 JP 2005083930 A JP2005083930 A JP 2005083930A JP 2005083930 A JP2005083930 A JP 2005083930A JP 4755839 B2 JP4755839 B2 JP 4755839B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
chuck table
processing
laser
feed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005083930A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006263763A (ja
Inventor
克治 根岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2005083930A priority Critical patent/JP4755839B2/ja
Publication of JP2006263763A publication Critical patent/JP2006263763A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4755839B2 publication Critical patent/JP4755839B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Numerical Control (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物の所定位置に正確にレーザー加工を施すレーザー加工装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。
装置の小型化、高機能化を図るため、複数の半導体チップを積層し、積層された半導体チップの電極を接続するモジュール構造が実用化されている。このモジュール構造は、半導体ウエーハにおける電極が形成された箇所に貫通孔(ビヤホール)を形成し、この貫通孔に電極と接続するアルミニウム等の導電性材料を埋め込む構成である。(例えば、特許文献1参照。)
特開2003−163323号公報
上述した半導体ウエーハに設けられる貫通孔(ビヤホール)は、ドリルによって形成されている。しかるに、半導体ウエーハに設けられる貫通孔(ビヤホール)は直径が100〜300μmと小さく、ドリルによる穿孔では生産性の面で必ずしも満足し得るものではない。
そこで、本出願人は、半導体ウエーハ等の被加工物に効率よく細孔を形成することができるレーザー加工装置を特願2005−64867として提案した。このレーザー加工装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、チャックテーブルとレーザー光線照射手段を加工送り方向(X)に相対的に移動せしめる加工送り手段と、チャックテーブルとレーザー光線照射手段を加工送り方向(X)と直交する割り出し送り方向(Y)に相対移動せしめる割り出し送り手段と、加工送り量検出手段と、割り出し送り量検出手段および制御手段を具備している。そして、制御手段は、被加工物に形成する細孔のX,Y座標値を記憶する記憶手段を備え、加工送り量検出手段および割り出し送り量検出手段からの信号に基づいて記憶手段に記憶された細孔のX,Y座標値がレーザー光線照射手段の照射位置に達したとき、レーザー光線照射手段に照射信号を出力する。
而して、上記加工送り手段はチャックテーブルを必ずしも直線に沿って正確に移動せしめるとは限らず、チャックテーブルには加工送り方向(X)と直交する割り出し送り方向(Y)に最大±5μm程度のヨーイングを発生させる。この結果、被加工物の所定位置に正確に細孔を形成することが困難となる。このような問題は、被加工物に形成された所定の加工ラインに沿ってレーザー光線を照射して加工を施す場合にも発生する。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、加工送り手段によって移動せしめられるチャックテーブルのヨーイングを考慮して被加工物の所定位置にレーザー加工を施すことができるレーザー加工装置を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面が、格子状に形成された分割予定ラインによって複数の領域に区画され、該複数の領域にそれぞれデバイスが形成された半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該半導体ウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を加工送り方向(X)に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を該加工送り方向(X)と直交する割り出し送り方向(Y)に相対移動せしめる割り出し送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段との相対的な加工送り量を検出する加工送り量検出手段と、
該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段との相対的な割り出し送り量を検出する割り出し送り量検出手段と、
該レーザー光線照射手段が照射するレーザー光線の光路を該割り出し送り方向(Y)に調整する光路調整手段と、
該加工送り量検出手段および該割り出し送り量検出手段からの検出信号に基づいて該光路調整手段を制御する制御手段と、を具備し、
該制御手段は、予め該チャックテーブルに直線状の基準線が表面に設けられたダミーウエーハを保持させて該基準線に沿ったレーザー加工溝を形成して得られた該レーザー加工溝の基準線に対する割り出し送り方向(Y)の変異を座標値に対応して検出し、該変異をヨーイングデータとして格納する記憶手段を備え、該加工送り量検出手段からの検出信号と該記憶手段に格納されたヨーイングデータに基づいて該光路調整手段を制御する、ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
また、上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面が、格子状に形成された分割予定ラインによって複数の領域に区画され、該複数の領域にそれぞれデバイスが形成された半導体ウエーハをチャックテーブルに保持し、該チャックテーブルに保持された該半導体ウエーハにレーザー光線を照射して加工するレーザー加工方法において、
チャックテーブルに直線状の基準線を設けたダミーウエーハを保持させ、該ダミーウエーハの基準線に沿って、レーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成し、該レーザー加工溝の基準線に対して直交する変異を該基準線に対する割り出し送り方向の変異として検出し、
該変異を該チャックテーブルの加工送り方向に対応する割り出し送り方向のずれとして、該変異に対応させてレーザー光線の光路を割り出し方向に調整するようにしたレーザー加工方法が提供される。
上記光路調整手段はガルバノミラーによって構成されており、上記記憶手段は上記ヨーイングデータに対応したガルバノミラーの設置角度を設定した角度補正データを格納し、上記制御手段は上記加工送り量検出手段からの検出信号と角度補正データに基づいてガルバノミラーの設置角度を補正する。
本発明によれば、制御手段は記憶手段に格納されたチャックテーブルのヨーイングデータに基づいてチャックテーブルの加工送り位置(X座標置)に対応して光路調整手段に補正信号を出力するので、チャックテーブルに保持された被加工物の所定位置に正確にレーザー加工を施すことができる。
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図1には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図1に示すレーザー加工装置は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に上記矢印Xで示す方向と直角な矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構4と、該レーザー光線ユニット支持機構4に矢印Zで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット5とを具備している。
上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上に矢印Xで示す加工送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上に矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上に矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持された支持テーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は多孔性材料から形成された吸着チャック361を具備しており、吸着チャック361上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル36は、円筒部材34内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル36には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ362が配設されている。
上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動させるための加工送り手段37を具備している。加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル36の加工送り量を検出するための加工送り量検出手段374を備えている。加工送り量検出手段374は、案内レール31に沿って配設されたリニアスケール374aと、第1の滑動ブロック32に配設され第1の滑動ブロック32とともにリニアスケール374aに沿って移動する読み取りヘッド374bとからなっている。この送り量検出手段374の読み取りヘッド374bは、図示に実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量を検出する。なお、上記加工送り手段37の駆動源としてパルスモータ372を用いた場合には、パルスモータ372に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量を検出することができる。また、上記加工送り手段37の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量を検出することができる。
上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動させるための第1の割り出し送り手段38を具備している。第1の割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
上記レーザー光線照射ユニット支持機構4は、静止基台2上に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一側面に矢印Zで示す方向に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構4は、可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動させるための第2の割り出し送り手段43を具備している。第2の割り出し送り手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド431と、該雄ねじロッド431を回転駆動するためのパルスモータ432等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド431は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432によって雄ネジロッド431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記レーザー光線照射ユニット支持機構4の可動支持基台42の割り出し送り量を検出するための割り出し送り量検出手段433を備えている。割り出し送り量検出手段433は、案内レール41に沿って配設されたリニアスケール433aと、可動支持基台42に配設されリニアスケール433aに沿って移動する読み取りヘッド433bとからなっている。この送り量検出手段433の読み取りヘッド433bは、図示に実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、レーザー光線照射ユニット5の割り出し送り量を検出する。なお、上記第2の割り出し送り手段43の駆動源としてパルスモータ432を用いた場合には、パルスモータ432に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、レーザー光線照射ユニット5の割り出し送り量を検出することができる。また、上記第2の割り出し送り手段43の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、レーザー光線照射ユニット5の割り出し送り量を検出することができる。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたレーザー光線照射手段52を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、矢印Zで示す方向に移動可能に支持される。
図示のレーザー光線照射手段52は、上記ユニットホルダ51に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング521を具備している。また、レーザー光線照射手段52は、図2に示すようにケーシング521内に配設されたパルスレーザー光線発振手段522および伝送光学系523と、ケーシング521の先端に配設されパルスレーザー光線発振手段522によって発振されたパルスレーザー光線を上記チャックテーブル36に保持された被加工物に照射する加工ヘッド53を具備している。上記パルスレーザー光線発振手段522は、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器522aと、これに付設された繰り返し周波数設定手段522bとから構成されている。伝送光学系523は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。
上記加工ヘッド53は、レーザー光線の光路を上記割り出し送り方向(Y)に調整する光路調整手段531と、該光路調整手段531の下部に装着された集光器532とからなっている。光路調整手段531は、ミラー531aおよびミラー531aの設置角度を調整する角度調整アクチュエータ531bとからなるガルバノミラーによって構成されている。集光器532は、対物レンズ532aを含む組レンズ(図示せず)によって構成されている。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段52は以上のように構成されており、パルスレーザー光線発振手段522から発振された光線は伝送光学系523を介して光路調整手段531のミラー531aに至り、該ミラー531aによって集光器532に向けて偏光される。このとき、ミラー531aの設置角度を図2において2点鎖線で示すように変更することにより、集光器532を通して照射されるレーザー光線は2点鎖線で示すように図2において左右方向、即ち上記割り出し送り方向(Y)に変更される。
図1に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段52を構成するケーシング521の前端部には、上記レーザー光線照射手段52によってレーザー加工すべき加工領域等を検出する撮像手段6が配設されている。この撮像手段6は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子(CCD)等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51を一対の案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向に移動させるための移動手段54を具備している。移動手段54は、一対の案内レール423、423の間に配設された雄ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ542等の駆動源を含んでおり、パルスモータ542によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ51およびレーザビーム照射手段52を案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ542を正転駆動することによりレーザビーム照射手段52を上方に移動し、パルスモータ542を逆転駆動することによりレーザビーム照射手段52を下方に移動するようになっている。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、制御手段10を具備している。制御手段10はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)101と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)102と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)103と、カウンター104と、入力インターフェース105および出力インターフェース106とを備えている。制御手段10の入力インターフェース105には、上記送り量検出手段374および撮像手段6等からの検出信号が入力される。そして、制御手段10の出力インターフェース106からは、上記パルスモータ372、パルスモータ382、パルスモータ432、パルスモータ542、レーザー光線照射手段52および光路調整手段531の角度調整アクチュエータ531b等に制御信号を出力する。なお、上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103は、後述するヨーイングデータを格納する第1の記憶領域103a、後述する角度補正データを格納する第2の記憶領域103b、後述する被加工物の設計値のデータを記憶する第3の記憶領域103c、後述する検出値のデータを記憶する第4の記憶領域103dおよび他の記憶領域を備えている。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
上記加工送り手段37は、チャックテーブル36を加工送り方向(X)に移動するが、チャックテーブル36を必ずしも直線に沿って正確に移動せしめるとは限らず、チャックテーブル36には加工送り方向(X)と直交する割り出し送り方向(Y)に最大±5μm程度のヨーイングを発生させる。このヨーイングは、加工送り手段37によってそれぞれ特有の習性がある。従って、レーザー加工装置は、それぞれ上記ヨーイングのデータを作成し、このヨーイングデータを記憶しておき、レーザー加工時にはヨーイングデータに基づいてレーザー光線の照射位置を補正することが望ましい。以下、ヨーイングデータの作成について説明する。
ヨーイングデータを作成するには、例えば図3に示すようなダミーウエーハWを用意する。このダミーウエーハWの表面には直線である基準線Lが形成されている。このように形成されたダミーウエーハWを図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル36上に載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによりダミーウエーハWは、チャックテーブル36上に吸引保持される。このようにして、ダミーウエーハWを吸引保持したチャックテーブル36は、加工送り手段37によって撮像手段6の直下に位置付けられる。チャックテーブル36が撮像手段6の直下に位置付けられると、チャックテーブル36上のダミーウエーハWは、図4に示す座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル36に保持されたダミーウエーハWに形成されている基準線LがX方向と平行に配設されているか否かのアライメント作業を実施する。即ち、撮像手段6によってチャックテーブル36に保持されたダミーウエーハWに形成されている基準線Lを撮像してX方向と平行であるか否かを検出し、もし基準線LがX方向と平行でなければチャックテーブル36を回動して基準線LがX方向と平行となるようにアライメント作業を行う。
次に、チャックテーブル36を移動して、図5の(a)に示すようにダミーウエーハWに形成されている基準線Lにおける左端をレーザー光線照射手段52の加工ヘッド53の直下に位置付ける。そして、加工ヘッド53から例えば355nmの波長のレーザー光線を照射しつつチャックテーブル36即ちダミーウエーハWを図5の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図5の(b)で示すように基準線Lの他端(図5の(b)において右端)が加工ヘッド53の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル36即ちダミーウエーハWの移動を停止する。この結果、ダミーウエーハWの表面には、図6に誇張して示すように基準線Lに沿ってレーザー加工溝Gが形成される。しかるに、レーザー加工溝Gは、上述したチャックテーブル36のヨーイングに伴い基準線Lに対して加工送り方向(X)と直交する割り出し送り方向(Y)に変位して形成される個所が現れる。次に、制御手段10は、レーザー加工溝Gの基準線Lに対する変位をX座標値に対応して検出し、ヨーイングデータとして上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の第1に記憶領域103aに格納する。また、制御手段10は、上記ヨーイングデータに基づいて上記光路調整手段531のミラー531aの設置角度を補正するための角度補正データを作成し、この角度補正データを上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の第2に記憶領域103bに格納する。
以上のようにして、上記ヨーイングデータおよび上記角度補正データを上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103に格納することにより、レーザー加工装置は加工準備が完了する。以下、上述したレーザー加工装置を用いて被加工物の複数の所定位置に細孔を形成するレーザー加工方法について説明する。
図7にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハ20の平面図が示されている。図7に示す半導体ウエーハ20は、シリコンウエーハからなっており、その表面20aに格子状に配列された複数の分割予定ライン201によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス202がそれぞれ形成されている。この各デバイス202は、全て同一の構成をしている。デバイス202の表面にはそれぞれ図8に示すように複数の電極203(203a〜203j)が形成されている。なお、図示の実施形態においては、203aと203f、203bと203g、203cと203h、203dと203i、203eと203jは、X方向位置が同一である。この複数の電極203(203a〜203j)部にそれぞれ貫通孔(ビヤホール)が形成される。各デバイス202における電極203(203a〜203j)のX方向(図8において左右方向)の間隔A、および各デバイス202に形成された電極203における分割予定201を挟んでX方向(図8において左右方向)に隣接する電極即ち電極203eと電極203aとの間隔Bは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。また、各デバイス202における電極203(203a〜203j)のY方向(図8において上下方向)の間隔C、および各デバイス202に形成された電極203における分割予定ライン201を挟んでY方向(図8において上下方向)に隣接する電極即ち電極203fと電極203aおよび電極203jと電極203eとの間隔Dは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。このように構成された半導体ウエーハ20について、図7に示す各行E1・・・・Enおよび各列F1・・・・Fnに配設されたデバイス202の個数と上記各間隔A,B,C,Dは、その設計値のデータが上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の第3に記憶領域103cに格納されている。
上述したレーザー加工装置を用い、上記半導体ウエーハ20に形成された各デバイス202の電極203(203a〜203j)部に貫通孔(ビヤホール)を形成するレーザー加工の実施形態について説明する。
上記のように構成された半導体ウエーハ10は、図9に示すように環状のフレーム21に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ22に表面20aを上側にして貼着する。
このようにして環状のフレーム21に保護テープ22を介して支持された半導体ウエーハ20は、図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル36上に保護テープ22を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ20は、保護テープ22を介してチャックテーブル36上に吸引保持される。また、環状のフレーム21は、クランプ362によって固定される。
上述したように半導体ウエーハ20を吸引保持したチャックテーブル36は、加工送り手段37によって撮像手段6の直下に位置付けられる。チャックテーブル36が撮像手段6の直下に位置付けられると、チャックテーブル36上の半導体ウエーハ20は、図5に示す座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ20に形成されている格子状の分割予定ライン201がX方向とY方向に平行に配設されているか否かのアライメント作業を実施する。即ち、撮像手段6によってチャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ20を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う。
次に、チャックテーブル36を移動して、半導体ウエーハ20に形成されたデバイス202における最上位の行E1の図10において最左端のデバイス202を撮像手段6の直下に位置付ける。そして、更にデバイス202に形成された電極203(203a〜203j)における図10において左上の電極203aを撮像手段6の直下に位置付ける。この状態で撮像手段6が電極203aを検出したならばその座標値(a1)を第1の加工送り開始位置座標値として制御手段10に送る。そして、制御手段10は、この座標値(a1)を第1の加工送り開始位置座標値としてランダムアクセスメモリ(RAM)103の第4に記憶領域103dに格納する(加工送り開始位置検出工程)。このとき、撮像手段6とレーザー光線照射手段52の加工ヘッド53はX座標方向に所定の間隔を置いて配設されているので、X座標値は上記撮像手段6と加工ヘッド53との間隔を加えた値が格納される。
このようにして図10において最上位の行E1のデバイス202における第1の加工送り開始位置座標値(a1)を検出したならば、チャックテーブル36を分割予定ライン201の間隔だけ矢印Yで示す方向に割り出し送りするとともに矢印Xで示す加工送り方向に移動して、図10において最上位から2番目の行E2における最左端のデバイス202を撮像手段6の直下に位置付ける。そして、更にデバイス202に形成された電極203(203a〜203j)における図10において左上の電極203aを撮像手段6の直下に位置付ける。この状態で撮像手段6が電極203aを検出したならばその座標値(a2)を第2の加工送り開始位置座標値として制御手段10に送る。そして、制御手段10は、この座標値(a2)を第2の加工送り開始位置座標値としてランダムアクセスメモリ(RAM)103の第4に記憶領域103dに格納する。このとき、撮像手段6とレーザー光線照射手段52加工ヘッド53は上述したように座標方向に所定の間隔を置いて配設されているので、X座標値は上記撮像手段6と加工ヘッド53との間隔を加えた値が格納される。以後、上述した割り出し送りと加工送り開始位置検出工程を図10において最下位の行Enまで繰り返し実行し、各行に形成されたデバイス202の加工送り開始位置座標値(a3〜an)を検出して、これをランダムアクセスメモリ(RAM)103の第4に記憶領域103dに格納する。
次に、半導体ウエーハ20の各デバイス202に形成された各電極203(203a〜203j)部に貫通孔(ビヤホール)を穿孔する穿孔工程を実施する。穿孔工程は、先ず加工送り手段37を作動しチャックテーブル36を移動して、上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の第3に記憶領域103cに格納されている第1の加工送り開始位置座標値(a1)をレーザー光線照射手段52の加工ヘッド53の直下に位置付ける。このように第1の加工送り開始位置座標値(a1)が加工ヘッド53の直下に位置付けられた状態が図11の(a)に示す状態である。図11の(a)に示す状態で制御手段10は、レーザー光線照射手段52を作動し加工ヘッド53から1パルスのレーザー光線を照射するように制御するとともに、チャックテーブル36を図11の(a)において矢印X1で示す方向に所定の移動速度で加工送りするように上記加工送り手段37を制御する。従って、第1の加工送り開始位置座標値(a1)の電極203a部に1パルスのレーザー光線が照射される。このとき、加工ヘッド53から照射されるレーザー光線の集光点Pは、半導体ウエーハ20の表面20a付近に合わせる。一方、制御手段10は、加工送り量検出手段374の読み取りヘッド374bからの検出信号を入力しており、この検出信号をカウンター104によってカウントしている。そして、カウンター104によるカウント値が電極203の図8においてX方向の間隔Aに相当する値に達したら、制御手段10はレーザー光線照射手段52を作動し加工ヘッド53から1パルスのレーザー光線を照射するように制御する。その後も制御手段10は、カウンター104によるカウント値が電極203の図8においてX方向の間隔AおよびBに達する都度、制御手段10はレーザー光線照射手段52を作動し加工ヘッド53から1パルスのレーザー光線を照射するように制御する。そして、図11の(b)で示すように半導体ウエーハ20のE1行の最右端のデバイス202に形成された電極203における図8において最右端の電極203eが加工ヘッド53に達したら、制御手段10はレーザー光線照射手段52を作動し加工ヘッド53から1パルスのレーザー光線を照射するように制御した後、上記加工送り手段37の作動を停止してチャックテーブル36の移動を停止する。上述したる穿孔工程においては、上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の第1に記憶領域103aに格納された上記ヨーイングデータに基づいて設定されランダムアクセスメモリ(RAM)103の第2に記憶領域103bに格納された上記角度補正データに従い、制御手段10はチャックテーブル36の加工送り位置(X座標置)に対応して上記光路調整手段531の角度調整アクチュエータ531bに補正信号を出力する。この結果、上記ヨーイングデータに対応して光路調整手段531のミラー531aの設置角度が調整されるので、半導体ウエーハ20には、図11の(b)で示すように各電極203部に正確にレーザー加工孔204が形成される。なお、図示の実施形態においては、光路調整手段531はカルバノミラーによって構成され重量が軽いため、追随性がよいとともに振動が発生することもなく、加工精度に影響を与えることがない。
なお、上記穿孔工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4
波長 :355nm
出力 :3W
集光スポット径 :50μm
加工送り速度 :100mm/秒
このような加工条件によって穿孔工程を実施すると、半導体ウエーハ20には深さが5μm程度のレーザー加工孔204を形成することができる。
次に、制御手段10は、レーザー光線照射手段52の加工ヘッド53を図11の(b)において紙面に垂直な方向に割り出し送りするように上記第2の割り出し送り手段43を制御する。一方、制御手段10は、割り出し送り量検出手段433の読み取りヘッド433bからの検出信号を入力しており、この検出信号をカウンター104によってカウントしている。そして、カウンター104によるカウント値が電極203の図8においてY方向の間隔Cに相当する値に達したら、第2の割り出し送り手段43の作動を停止し、レーザー光線照射手段52の加工ヘッド53の割り出し送りを停止する。この結果、加工ヘッド53は上記電極203eと対向する電極203j(図8参照)の直上に位置付けられる。この状態が図12の(a)に示す状態である。図12の(a)に示す状態で制御手段10は、レーザー光線照射手段522を作動し加工ヘッド53から1パルスのレーザー光線を照射するように制御するとともに、チャックテーブル36を図12の(a)において矢印X2で示す方向に所定の移動速度で加工送りするように上記加工送り手段37を制御する。そして、制御手段10は、上述したように加工送り量検出手段374の読み取りヘッド374bからの検出信号をカウンター104によりカウントし、そのカウント値が電極203の図8においてX方向の間隔AおよびBに達する都度、制御手段10はレーザー光線照射手段52を作動し加工ヘッド53から1パルスのレーザー光線を照射するように制御する。そして、図12の(b)で示すように半導体ウエーハ20のE1行の最右端のデバイス202に形成された電極203fが加工ヘッド53に達したら、制御手段10はレーザー光線照射手段522を作動し加工ヘッド53から1パルスのレーザー光線を照射するように制御した後、上記加工送り手段37の作動を停止してチャックテーブル36の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ20には、図12の(b)で示すように各電極203部にレーザー加工孔204が形成される。この穿孔工程においても、上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103に格納された上記ヨーイングデータに基づいて設定された角度補正データに従い、制御手段10はチャックテーブル36の加工送り位置(X座標置)に対応して上記光路調整手段531の角度調整アクチュエータ531bに補正信号を出力する。この結果、上記ヨーイングデータに対応して光路調整手段531のミラー531aの設置角度が調整されるので、半導体ウエーハ20には、図12の(b)で示すように各電極203部に正確にレーザー加工孔204が形成される。
以上のようにして、半導体ウエーハ20のE1行のデバイス202に形成された電極203部にレーザー加工孔204が形成されたならば、制御手段10は加工送り手段37および第2の割り出し送り手段43を作動し、半導体ウエーハ20のE2行のデバイス202に形成された電極203における上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103の第4に記憶領域103dに格納されている第2の加工送り開始位置座標値(a2)をレーザー光線照射手段52の加工ヘッド53の直下に位置付ける。そして、制御装置10は、レーザー光線照射手段522と加工送り手段37および第2の割り出し送り手段43を制御し、半導体ウエーハ20のE2行のデバイス202に形成された電極203部に上述した穿孔工程を実施する。以後、半導体ウエーハ20のE3〜En行のデバイス202に形成された電極203部に対しても上述した穿孔工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ20の各デバイス202に形成された全ての電極203部に正確にレーザー加工穴204が形成される。
なお、上記加工条件によって穿孔工程を実施すると、半導体ウエーハ20には深さが5μm程度のレーザー加工孔204を形成することができる。従って、半導体ウエーハ20の厚さが50μmの場合は、上述した穿孔工程を10回繰り返し実施することにより、レーザー加工孔204による貫通孔を形成することができる。このためには、被加工物である半導体ウエーハ20の厚さと、1パルスのレーザー光線によって被加工物に形成できるレーザー加工孔の深さに基づいて貫通孔を形成するに必要なパルス数を上記ランダムアクセスメモリ(RAM)103に予め格納しておく。そして、上記穿孔工程をカウントし、そのカウント値に貫通孔を形成するに必要なパルス数に達するまで穿孔工程を繰り返し実施する。このように、本発明によるレーザー加工装置を用いることにより、従来用いられているドリルに比して半導体ウエーハ等の被加工物の所定位置に正確に効率よく細孔を形成することができる。なお、本発明によるレーザー加工装置を用いることにより、被加工物に連続したレーザー加工溝を形成する場合には、所定に加工ラインに沿って正確にレーザー加工溝を形成することができる。
本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。 図1に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段の構成を簡略に示すブロック図。 図1に示すレーザー加工装置に装備されるチャックテーブルのヨーイングデータを作成するためのダミーウエーハの平面図。 図2に示すダミーウエーハが図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブルの所定位置に保持された状態における座標との関係を示す説明図。 図2に示すダミーウエーハにレーザー加工溝を形成するレーザー加工工程の説明図。 図2に示すダミーウエーハにレーザー加工溝刑された状態を示す平面図。 被加工物としての半導体ウエーハの平面図。 図7に示す半導体ウエーハの一部を拡大して示す平面図。 図7に示す半導体ウエーハを環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。 図7に示す半導体ウエーハが図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブルの所定位置に保持された状態における座標との関係を示す説明図。 図1に示すレーザー加工装置によって実施する穿孔工程の説明図。 図1に示すレーザー加工装置によって実施する穿孔工程の説明図。
符号の説明
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
31:案内レール
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
374:加工送り量検出手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
41:案内レール
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
433:割り出し送り量検出手段
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線加工手段
521:ケーシング
522:パルスレーザー光線発振手段
523:伝送光学系
53:伝送光学系
531:光路調整手段
531a:ミラー
532b:角度調整アクチュエータ
6:撮像手段
10:制御手段
20:半導体ウエーハ
201:分割予定ライン
202:デバイス
203:電極
204:レーザー加工孔
21:環状のフレーム
22:保護テープ

Claims (3)

  1. 表面が、格子状に形成された分割予定ラインによって複数の領域に区画され、該複数の領域にそれぞれデバイスが形成された半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該半導体ウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を加工送り方向(X)に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を該加工送り方向(X)と直交する割り出し送り方向(Y)に相対移動せしめる割り出し送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
    該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段との相対的な加工送り量を検出する加工送り量検出手段と、
    該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段との相対的な割り出し送り量を検出する割り出し送り量検出手段と、
    該レーザー光線照射手段が照射するレーザー光線の光路を該割り出し送り方向(Y)に調整する光路調整手段と、
    該加工送り量検出手段および該割り出し送り量検出手段からの検出信号に基づいて該光路調整手段を制御する制御手段と、を具備し、
    該制御手段は、予め該チャックテーブルに直線状の基準線が表面に設けられたダミーウエーハを保持させて該基準線に沿ったレーザー加工溝を形成して得られた該レーザー加工溝の基準線に対する割り出し送り方向(Y)の変異を座標値に対応して検出し、該変異をヨーイングデータとして格納する記憶手段を備え、該加工送り量検出手段からの検出信号と該記憶手段に格納されたヨーイングデータに基づいて該光路調整手段を制御する、ことを特徴とするレーザー加工装置。
  2. 該光路調整手段はガルバノミラーによって構成されており、該記憶手段は該ヨーイングデータに対応した該ガルバノミラーの設置角度を設定した角度補正データを格納し、該制御手段は該加工送り量検出手段からの検出信号と該角度補正データに基づいて該ガルバノミラーの設置角度を補正する、請求項1記載のレーザー加工装置。
  3. 表面が、格子状に形成された分割予定ラインによって複数の領域に区画され、該複数の領域にそれぞれデバイスが形成された半導体ウエーハをチャックテーブルに保持し、該チャックテーブルに保持された該半導体ウエーハにレーザー光線を照射して加工するレーザー加工方法において、
    チャックテーブルに直線状の基準線を設けたダミーウエーハを保持させ、該ダミーウエーハの基準線に沿って、レーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成し、該レーザー加工溝の基準線に対して直交する変異を該基準線に対する割り出し送り方向の変異として検出し、
    該変異を該チャックテーブルの加工送り方向に対応する割り出し送り方向のずれとして、該変異に対応させてレーザー光線の光路を割り出し方向に調整するようにしたレーザー加工方法。
JP2005083930A 2005-03-23 2005-03-23 レーザー加工装置 Active JP4755839B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005083930A JP4755839B2 (ja) 2005-03-23 2005-03-23 レーザー加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005083930A JP4755839B2 (ja) 2005-03-23 2005-03-23 レーザー加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006263763A JP2006263763A (ja) 2006-10-05
JP4755839B2 true JP4755839B2 (ja) 2011-08-24

Family

ID=37200271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005083930A Active JP4755839B2 (ja) 2005-03-23 2005-03-23 レーザー加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4755839B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103170728A (zh) * 2011-12-20 2013-06-26 株式会社迪思科 激光加工装置
CN104203484A (zh) * 2012-03-23 2014-12-10 三菱电机株式会社 激光加工装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4694900B2 (ja) * 2005-06-28 2011-06-08 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2008126237A (ja) * 2006-11-16 2008-06-05 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ加工装置
JP5236351B2 (ja) * 2008-05-15 2013-07-17 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP5463653B2 (ja) * 2008-11-18 2014-04-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置の吐出パターンデータ補正方法および液滴吐出装置
JP4786698B2 (ja) 2008-12-09 2011-10-05 株式会社東芝 加工装置
JP2011151117A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP5728065B2 (ja) * 2013-11-12 2015-06-03 株式会社片岡製作所 レーザ加工機
JP6196884B2 (ja) * 2013-11-13 2017-09-13 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP6224462B2 (ja) * 2014-01-09 2017-11-01 株式会社ディスコ レーザー加工装置における加工送り機構の作動特性検出方法およびレーザー加工装置
JP6444249B2 (ja) * 2015-04-15 2018-12-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6553940B2 (ja) * 2015-05-15 2019-07-31 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6422622B1 (ja) * 2017-05-25 2018-11-14 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
KR102230321B1 (ko) * 2017-05-25 2021-03-19 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
JP7262297B2 (ja) * 2019-05-09 2023-04-21 株式会社ディスコ 加工装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3126316B2 (ja) * 1996-11-20 2001-01-22 イビデン株式会社 多層プリント配線板の製造装置及び製造方法
JP3463798B2 (ja) * 1999-07-28 2003-11-05 日本電気株式会社 光学スキャナ装置
JP4143334B2 (ja) * 2002-05-24 2008-09-03 日立ビアメカニクス株式会社 プリント基板穴明け用レーザ加工機の制御方法
JP4048873B2 (ja) * 2002-08-08 2008-02-20 松下電器産業株式会社 位置決め加工方法
JP2004358550A (ja) * 2003-06-09 2004-12-24 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工方法およびレーザ加工装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103170728A (zh) * 2011-12-20 2013-06-26 株式会社迪思科 激光加工装置
CN104203484A (zh) * 2012-03-23 2014-12-10 三菱电机株式会社 激光加工装置
CN104203484B (zh) * 2012-03-23 2017-04-05 三菱电机株式会社 激光加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006263763A (ja) 2006-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4755839B2 (ja) レーザー加工装置
JP5036181B2 (ja) レーザー加工装置
JP5122773B2 (ja) レーザー加工機
JP4664710B2 (ja) レーザー加工装置
JP4917382B2 (ja) レーザー光線照射装置およびレーザー加工機
JP5036276B2 (ja) レーザー加工装置
JP5912293B2 (ja) レーザー加工装置
JP5395411B2 (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP5192213B2 (ja) レーザー加工装置
JP2008207210A (ja) レーザー光線照射装置およびレーザー加工機
JP5969767B2 (ja) レーザー加工装置
JP5101869B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2008068270A (ja) レーザー加工装置
JP2008212999A (ja) レーザー加工装置
JP2008041727A (ja) レーザー加工装置のアライメント方法
JP2010123723A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2008060164A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP4786997B2 (ja) レーザー加工装置
JP5468847B2 (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP4664713B2 (ja) レーザー加工装置
JP2007307597A (ja) レーザー加工装置
JP4791138B2 (ja) レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2007149743A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP5053727B2 (ja) レーザー加工装置
JP6017809B2 (ja) レーザー加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100423

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100506

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100702

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110506

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110530

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4755839

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250