JP4741610B2 - 温度依存性を低減した光学装置 - Google Patents

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Description

本発明は、一般的には光学回折格子装置に関し、特に、光学回折格子装置の温度無依存化技術に関する。
コンピュータシステム及び通信システムでは、通信回線の帯域幅に関してますます要求が高くなってきている。一般的に、光ファイバーは従来の同軸ケーブルに比べてより広い帯域を提供することが知られている。更に、光ファイバー導波路の1つの光チャネルは、光ファイバーの利用可能な帯域幅のうちごく僅かな帯域幅しか使用しない。波長分割多重(WDM)光通信システムでは、複数の光波長のキャリアが個々に独立した通信チャネルを1本の光ファイバーに沿って伝送する。1本のファイバーに様々な波長で複数のチャネルを伝送することによって、光ファイバーの帯域幅が効率的に利用される。
光ファイバーの多重化及び逆多重化は、アレイ導波路回折格子(Arrayed Waveguide Grading:AWG)装置を用いて実現する。AWGは、入力カプラと出力カプラの間に配置されて互いに隣接し、全体で分光器の回折格子と同様の働きをする導波路の配列からなる平面構造をしている。各導波路の長さは、最も近い導波路と比べて所定の一定の長さだけ異なる。出力カプラの出力によって、多重化装置(マルチプレクサ)/逆多重化装置(デマルチプレクサ)の出力が形成される。動作中に、個々に異なる複数の波長が装置の個々に異なる入力端子に入力する時、これらの波長は結合されて出力端子に伝送される。同じ装置で、当該装置の1つの入力端子の複数の入力波長を互いに分離して、複数の出力端子の所定の異なる端子に向ける逆多重化機能を行っても良い。AWGは経路選択を行うことも可能である。この経路選択機能では、複数の信号が複数の入力端子に到達し、所定のマッピングに従って複数の異なる出力端子への経路が指定される。こうしたAWGの構造及び動作は既に公知であり、例えば、「PHASARを基にしたWDM装置:原理、設計、及び、応用」、MK Smit、IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics Vol.2、No.2、1996年6月、米国特許第5,002,350号、及び、WO97/23969を参照のこと。これらは、参照文献として本明細書に援用される。
波長分割マルチプレクサ及びデマルチプレクサでは、隣接する導波路間の実効光路差を正確に制御することが必要である。実効光路差は、導波路における基本モードの実効屈折率と、隣接する導波路間の物理的経路長差の積で規定される。現在利用可能な波長分割マルチプレクサ及びデマルチプレクサでは、導波路における基本モードの実効屈折率、及び、隣接する導波路間の物理的経路長差は、通常はどちらも温度に依存する。従来の統合された光学マルチプレクサ・デマルチプレクサでは、アレイ導波路を形成する媒体は、温度に対する依存性が顕著であり、中心伝送波長が変化し、伝送帯域幅を超える可能性があった。結果として、装置のある動作温度範囲(例えば、約0〜70℃)内での温度変化によって、一般的な精度要件と比較して許容不可能な波長変化が生じる。このため、位相配列型の利用可能なマルチプレクサ/デマルチプレクサ光学装置は、一般的に、温度管理された環境で動作させる。概して、発熱体を備える制御回路は、規定の最高動作温度よりも高い安定した温度で装置を維持できるように構成されている。しかし、温度に依存しないようにするために発熱体を用いると、装置全体のコスト、サイズ、装置の複雑性が増加し、装置の耐用年数が短くなり電力消費が増大するため望ましくない。またそうした発熱体は、通常、機敏で高性能な制御電子機器を用いるが、その場合においても、装置が物理的に水平方向を向いているか、垂直方向を向いているかによって動作が異なる。ペルチェ冷却を使うことも可能であるが、多くの同様の欠点がある。
複数のシリカ導波路、及び、シリカクラッドを備える位相配列光学回折格子を有する従来の波長分割マルチプレクサの場合、温度の関数であるチャネル波長の変化は主に、温度の関数である導波路の実効屈折率の正変動に依存する。シリカ系材料における、温度の関数である屈折率の正変化を補償するために、温度の関数である屈折率の負変化を有するポリマーのオーバークラッド材料が用いられてきた。しかし、この構成の問題は、温度が変化するにつれてコアとクラッドの屈折率の差が変化し、最悪の場合には、光が導波路に導かれないこともある。結果として、ポリマーのオーバークラッドを備えた位相配列型の回折格子を有する光学マルチプレクサ/デマルチプレクサは、幅広い範囲の周囲温度での使用には適さない。
位相配列の隣接する導波路間で実効光路差を比較的一定に維持するための他の設計案としては、位相配列内、或いは、位相配列を入力又は出力ファイバーに結合するスラブ領域内の、三角形又は三日月形の溝にポリマーを局在化することが挙げられる。ポリマーは、シリカ導波路のコア区間における、温度の関数である屈折率の正変化を補償するために、温度の関数である実効屈折率が負に変化するものが選択される。それによって、動作温度が所定の範囲内で変化することによるチャネル波長の変化を防ぐことができる。ポリマーの溝を連続的に光エネルギーが照射される1つ以上の溝に分割することによって、各溝を横切る自由空間での伝播長を短縮することができる。
ポリマーが充填された溝を用いることによって、温度無依存性を大幅に改善することができる。この方法で温度無依存化された典型的なAWGは、−5〜+70℃の一般的な動作温度範囲において、中心チャネル波長のドリフトが0.03〜0.05nmと小さい。しかし、これではまだ不十分である。斯かるドリフトのために、装置の動作温度が前述の温度範囲に限られ、また、この変化が許容される約100GHz以上のチャネル間隔を有するシステムにしか装置を適用することができない。例えば、温度が氷点下となる気候で装置の格納場所が屋外にある場合、或いは、広い通過帯域と約100GHz未満のチャネル間隔を必要とするシステムにおいては、上記の典型的なAWGを使うことは容易ではない。
これまでに研究された温度無依存化技術の他の主な分野は、機械的なものであり、例えば、温度制御された作動装置で装置の各部品の相関的な位置を積極的に決定するといった技術がある。この中には、周囲温度に従って入力スラブ領域に対する入力導波路の横方向の位置を調節するバイメタル作動装置が含まれる。当該技術は、大抵は製造上の公差が非常に厳しいため、一般的に複雑であり、製造コストも高い。
従って、既に可能である、或いは実用化されている装置よりも広い温度範囲に対してより高い耐熱性を示し、温度が制御された環境を必要とせず、また、複雑で製造上の公差が厳しい機械的方法を必要としない、アレイ導波路回折格子装置の提供が急務となっている。
既存のポリマーを充填した溝を用いる温度無依存化方法においては、シリカ系導波路材料とポリマー補償材料の屈折率は何れも、温度に対して線形に変化すると考えられ、高次効果は一般的に無視されている。温度に対する材料の屈折率の変化を特徴とする大抵の参照文献は、ポリマーのガラス転移温度以外の温度で測定した際の両者の直線関係にしか言及していない。本出願人は、屈折率と温度の関係は通常厳密には線形でないこと、及び、これらが線形から逸脱して変化することが、装置の温度無依存性が不完全なことについてかなりの部分で関与していると認識している。従って、本発明の一態様では、材料を選択する際には、材料の2次効果を少なくとも考慮に入れる。その結果、ポリマー補償材料が導波路材料における実効光路長の変化をより正確に補償する、或いは、例えば−30〜+70℃のより広い温度範囲で装置が動作可能となる、或いは、その両方が可能となる。
本発明の他の態様では、光学経路に挿入された複数の溝、又は、補償領域を充填するために2つの異なる補償材料を用いる。2つの補償材料の光学経路長対温度の曲線は、ベース導波路材料と同様に、少なくとも2次まで特徴付けられる。2つの補償材料を夫々異なる数の溝に適切な割合で配置し、光学経路長全体の温度依存を1次、2次の両方まで正確に最小化するために必要な実効相互作用長の比率を決定する。当該技術は、如何なる数の異なる補償材料に対しても一般化が可能であり、光学経路長の温度依存性を何次の特徴に対しても無効にすることができる。
本発明の一態様では、光学装置は複数の通過帯域と中心波長を有し、温度に対する中心波長の1次〜Q次(Q≧2)の温度についての導関数は、0〜+70℃、−5〜+70℃、−30〜+70℃、−50〜+90℃の何れかの温度範囲において、ほぼ0に等しい。前記光学装置は、実効屈折率の温度依存性が互いに異なる複数の材料を介して、入力端子から出力端子まで光エネルギーを伝播させる複数の光学経路を備える。更に、上記に代替または追加して、前記光学装置は、入力端子と出力端子の特定の1つと光通信を行う導波路と、温度によってアレイ導波路回折格子に対する導波路の物理的な位置を調節する温度補償部材を備えることができる。
本発明の他の態様では、光学装置は材料系を介して複数の光学経路を備え、前記光学経路の夫々は、隣接する光学経路と実効光路差だけ異なる実効光路長を有する。各光路差の1次〜Q次(Q≧2)の温度についての導関数は、0〜+70℃、−5〜+70℃、−30〜+70℃、−50〜+90℃の何れかの温度範囲において、ほぼ0に等しい。前記光学装置は、実効屈折率の温度依存性が相互に異なる複数の材料を介して入力端子から出力端子まで光エネルギーを伝播させる複数の光学経路を備える。それに加えて、各x番目の材料は、各光学経路に沿って総物理的伝播距離を有しており、この総物理的伝播距離は、隣接する光学経路上のx番目の材料を通過する総物理的伝播距離とは、物理的経路長差ΔL分だけ異なる。各物理的経路長差ΔLは、上記温度範囲において温度に対してほぼ一定である。
本発明の他の態様では、光学装置は材料系を介して複数の光学経路を備え、前記光学経路の夫々は、実効屈折率の温度依存性が互いに異なる少なくとも3つの材料を横断しており、隣接する光学経路と個々の実効光路差だけ異なる個々の実効光路長を有する。各光路差の1次〜Q次(Q≧1)の温度についての導関数は、0〜+70℃、−5〜+70℃、−30〜+70℃、−50〜+90℃の何れかの温度範囲において、ほぼ0に等しい。一実施形態において、各x番目の材料は、各光学経路に沿って総物理的伝播距離を有しており、この総物理的伝播距離は、隣接する光学経路上のx番目の材料を通過する総物理的伝播距離とは、物理的経路長差ΔL分だけ異なる。各物理的経路長差ΔLは、上記温度範囲において温度に対してほぼ一定である。
本発明の他の態様では、アレイ導波路回折格子装置は入力から出力まで複数の光学経路を備え、ベース材料と少なくとも1つの補償領域を備える。前記補償領域には、複数の光学経路と交差し、実効屈折率の温度依存性が互いに異なり且つベース材料とも異なる、第1補償材料と第2補償材料が少なくとも含まれる。一実施形態において、補償領域のうち第1の補償領域には、第1補償材料と第2補償材料の両方が含まれる。第1補償材料及び第2補償材料は夫々、第1補償領域の異なる層に配置される。或いは、第1補償領域は更に第3補償材料を含み、第1補償材料は第1補償領域の下層に配置され、第2補償材料は第1補償領域の中間層に配置され、第3補償材料は第1補償領域の上層に配置され、第2補償材料は第1及び第3補償材料よりも高い屈折率を有する。アレイ導波路回折格子装置が、下部クラッド層と、下部クラッド領域の上に重なるコア層と、コア層の上に重なる上部クラッド層をベース材料内に備える場合、第2補償材料はベース材料内のコア層とほぼ同一平面上にある。
他の実施形態では、補償領域の1つは、第1補償材料を含むが、第2補償材料は含まない。この実施形態では、少なくとも1つの補償領域が、第1及び第2補償材料を含む複数の補償材料を一括して備えることが可能である。この複数の補償材料における全ての補償材料は、光学経路と交差し、実効屈折率の温度依存性が互いに異なり且つベース材料とも異なる。補償領域は夫々、複数の補償材料のうち必ず1つを含んでいる。
上記実施形態の何れかでは、第1補償材料は複数の副材料からなる複合物を含み、この複合物の実効屈折率の温度依存性は、第1補償材料の実効屈折率である。副材料は、層状に重なって複合物を形成する。或いは、複数の副材料のうち第1副材料がベース材料であり、第2副材料がベース材料とも、複合物とも異なる実効屈折率温度依存性を有する。
一実施形態では、複数の補償材料のうち1つが、ベース材料の複屈折性を更に補償することが可能である。
本発明の他の態様では、アレイ導波路回折格子装置は、入力から出力まで複数の光学経路を備え、ベース材料と複数の補償領域を備える。少なくとも1つの補償領域からなる第1サブセットは第1補償材料を含み、少なくとも1つの溝からなる第2サブセットは第2補償材料を含む。第1及び第2補償材料の実効屈折率温度依存性は、互いに異なり、かつ、ベース材料とも異なる。一実施形態では、ベース材料はシリカを含み、第1及び第2補償材料はポリマーからなる。
本発明の他の態様では、光学装置は材料系を介して複数の光学経路を備え、光学経路の夫々はX個の材料を横断しており、以下の式はほぼ0に等しい。

ここで、各nq,xはx番目の材料の実効屈折率の温度に対するq階(次)導関数であり、各ΔL は、材料xの総物理的経路長の互いに隣接する光学経路間における増分である。ここで、Q≧2又はX≧3、或いは、Q≧2且つX≧3である。一実施形態では、X≧Q+1である。X個の材料が、ベース材料とX−1個の補償材料からなる場合、当該装置はベース材料に形成された少なくともX−1個の補償領域を含む。補償領域は夫々、複数の補償材料のうち必ず1つを含み、補償材料の物理的経路長の増分Δ にほぼ比例してX−1個の補償材料に割り当てられる。
本発明の他の態様では、光学装置はベース材料を介する複数の光学経路を備え、ベース材料は複数の光学経路を横断する異なる材料を含む第1溝を有する。第1溝の上流端と下流端のうち少なくとも一方は、垂直方向に対して5〜20度の傾斜角度で傾いている。更に、ベース材料は複数の光学経路を横断する第2溝を備え、第1溝及び第2溝両方の上流端及び下流端がともに、垂直方向に対して5〜20度の傾斜角度で傾いている。
本発明の他の態様では、光学装置は複数の補償領域を備えるベース領域を介して複数の光学経路を備え、補償領域はベース材料の実効屈折率の熱依存性を補償するための補償材料を含む。補償領域は、最も上流にある補償領域から最も下流にある補償領域に至るまで線形に変化するピッチで、光学経路に沿って連続して配置されている。一実施形態では、光学経路の特定の1つを、特定の波長を有する光エネルギーが補償領域を介して伝播する。最も上流にある補償領域から最も下流にある補償領域までのピッチの変化は、特定の波長のM倍にほぼ等しい。ここで、Mは整数であり、1であることが望ましい。
本発明の他の態様では、光学装置は、アレイ導波路回折格子を介して入力端子と出力端子の間で光通信を行うアレイ導波路回折格子装置と、入力端子及び出力端子のうち特定の一方と光通信を行う導波路と、アレイ導波路回折格子に対して横方向に導波路の物理的な位置を調節する温度補償部材を備える。温度補償部材による調節は、以下の関数にほぼ従って行われる。
ここで、kは夫々所定の値であり、温度範囲は−5〜+70℃である。一実施形態では、Q=2であり、アレイ導波路回折格子装置が、前記温度範囲にわたって以下の式によって近似される屈折率を有する場合、
とkの関係は、ほぼ以下のようになる。
本発明の他の態様では、光学装置は、アレイ導波路回折格子を介して入力端子と出力端子の間で光通信を行うアレイ導波路回折格子装置を備え、中心波長を有する対象通過帯域を含む複数の通過帯域を備える。対象通過帯域の中心波長の変化量は、−50〜+90℃の温度範囲において70pm未満である。一実施形態では、対象通過帯域の中心波長の変化量は、−50〜+90℃の温度範囲において40pm以下であり、或いは、0〜+70℃の温度範囲において20pm以下である。一実施形態では、対象通過帯域の中心波長は、0〜+70℃の温度範囲において僅か10pmしか変化しない。
本発明の特定の実施形態について、図面を参照して説明する。
以下の説明は、当業者が本発明を製造、及び、使用できるように提供され、特定の用途、及び、その要件の関連において提供される。開示される実施形態への様々な変更は、当業者にとって容易に理解され、ここに定義される一般的な原則は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、他の実施形態、及び、用途に適用される。従って、本発明はここに示す実施形態に限られるものではないが、ここに開示される原則及び特徴に一致する最も広い範囲が認められる。
図1は、波長分割デマルチプレクサとして機能する典型的なAWGのスペクトル感度を示している。この図は、複数の異なる出力チャネルで観察される透過率を表しており、全てが1つの図に重ねられている。或いは、この図は、波長分割マルチプレクサとして機能する典型的なAWGのスペクトル感度を示しており、複数の異なる入力チャネルから共通の出力までの透過率が1つの図に重ねられている。各透過率の曲線は、約−5dBでピークとなるメインローブを有し、チャネルからチャネルへ徐々に増えて変化する中心周波数fを有する。隣接するチャネル間の中心周波数の間隔はほぼ等しくなっている。中心周波数の間隔は、AWGの各実施形態において同じである必要はない。中心波長λと中心周波数の関係は、λ=c/fであり、ここでcは光の速度を表している。中心波長λは、透過率が平均的な偏光状態におけるピーク透過率の半分となる2つの波長の平均として定義される。
図2は、−5℃、+35℃、75℃の周囲温度での従来のAWGの1つのチャネルにおける透過率を表している。中心波長は温度が上昇するにつれて増加することが分かる。温度に対する中心波長の変化は、各チャネルでおよそ同じであり、大抵のAWGの設計では、全てのチャネルを代表して1チャネルについて中心波長の変化の分析を行う。本説明のために、中央チャネルを入力と出力の両方で使用する。入力される光エネルギーは変化しないため、中心波長の温度に対する変化が多重化/逆多重化用途では問題となる。仕様により、所定のチャネルに入力される光エネルギーは、対応するAWG通過帯域のメインローブ内に集中する出力の大部分を占める。そのため、通過帯域の波長が変化すると、チャネル損失は相当な量になり得る。損失は、例えば0〜70℃といった所定の温度範囲内では許容可能であるが、前記範囲外では許容不可能であると考えられる。或いは、損失は(AWGを広い通過帯域で設計することを可能とする)所定のチャネル波長間隔以上では許容できるが、(AWGを狭い通過帯域で設計する必要のある)狭いチャネル間隔では許容できないと考えられる。フィルタリングに用いた場合、通過帯域の中心波長での変化によって、信号が仕様範囲外となり、下流の部品にとって不適切な信号となる虞がある。
図3の曲線310は、温度の関数である中心波長の変化を表している。この図は、温度に対する1次変化量が約9×10−6の典型的なシリカAWGを示している。温度の極限値は図3には表示していないが、中心波長は−5〜+70℃の範囲の周囲温度で0.8nm程度変化する。
AWGについて、中心波長λcは以下の式2によって与えられる。
[式2]
ここで、neffは導波路における実効屈折率であり、ΔLはアレイ内の隣接する導波路間の長さの増分であり、mは回折格子の次数である。neffとΔLの両方が温度と共に変化するため、中心波長の温度依存性が生じる。但し、概してneffの温度依存性の方がずっと顕著である。実際、後述するように、ΔLの温度依存性は、正確性を大きく損なうことなくneffの温度依存性と同列に扱うことができる。
AWGの温度無依存性を高めるために、従来の技術では、AWG内の光学経路の一部に異なる材料が用いられている。具体的には、ガラスを横切る溝をエッチングして、その溝にポリマーを充填する。この溝によってポリマー材料の「領域」が定義され、ここでは、導波路平面の上部から見ると2次元である領域を指す。ポリマーは、後述する他の調節を行えば、温度に対する実効屈折率がガラスと同じ方向に変化するものも使用できるが、通常は、ガラスとは反対方向に変化するものが選択される。以下の分析は、温度依存性が線形で(即ち1次で)モデル化される場合にのみ、ポリマーの選択、設計に用いることができる。具体的には、従来のように、ガラスの導波路を横切る溝をエッチングして、その溝にポリマーを充填することによって温度無依存化されたAWGにおける中心波長は、以下の式3によって求められる。
[式3]
ここでは、n及びnは夫々ガラスとポリマーの実効屈折率であり、ΔLは、光エネルギーが縦方向に照射されるガラスの区間の物理的な長さの合計における隣接する導波路間の増分であり、ΔLは、光エネルギーが縦方向に照射されるポリマーの区間の物理的な長さの合計における隣接する導波路間の増分である。パラメータn及びnは温度に対して線形で変化するものとしてモデル化される。すなわち、以下の式4、5で表される。
[式4]
[式5]
従って、各材料は0次項n0xと1次項n1xの2つの屈折率項で特徴付けられる。
温度無依存性のためには、λは定数である。即ち、以下の式6となる。
[式6]
そこで以下の式7を仮定する。
[式7]
ΔLからの寄与が無視できるか、或いは、実効屈折率の寄与と一括して扱えることを理由として、温度無依存性は以下の式8となる。
[式8]
とnを代入すると以下の式9、即ち、式10となる。
[式9]
[式10]
従って、温度に対する線形的な変化がn1pであるポリマーが選択された場合、従来の技術においては、アレイ内のガラスの物理的な長さの合計の隣接する導波路間における増分に対する、アレイ内のポリマーの物理的な長さの合計の隣接する導波路間における増分の比率はΔL/ΔLとなる。この比率を用いて、光学経路において必要なポリマーの全長を決定することができる。このポリマーの全長は、複数のポリマーが充填された溝に他の原則に従って分割される。この線形の温度無依存化技術に従って製造されたAWGは、図3の曲線320に似た中心波長温度依存性を示す。この装置は、曲線310によって示される装置よりも良好な温度無依存性を有することが分かる。しかし、−5〜+70℃の温度範囲に対して約40pmの変化がやはり見られる。
留意すべき点は、n及びnの温度依存性の線形テイラー展開は、式4においてT=0℃で求められるが、他の評価温度Tが代わりに選択できるということである。厳密に言えば、こうした線形テイラー展開は特定の温度か、その付近においてのみ有効である。理想的には、最適な温度が持続する選択された温度に非常に近い温度で取得されたデータだけを直線に合わせることによって、n0x及びn1xの値を決定することである。一般に、これは望ましい動作温度範囲の中央か、予想される最も一般的な動作温度の何れかであると思われる。しかし、1つの温度の極近くで取得されたデータのみを信頼することによって、望ましい動作温度の範囲の最大値付近での、線形からの大きな逸脱を見逃す虞がある。従って実際には、n0x及びn1xの値を決定するには、所望される動作温度範囲全体で取得されたデータが使用される。このような方策では、動作温度範囲の両端付近における、装置の温度に対する安定性を高めることができるが、動作温度範囲中央での安定性を犠牲にすることになる。動作温度範囲中央での安定性対両端付近での安定性のトレードオフに関し、他の方法でバランスをとることも考えられる。
しかし、ポリマーもガラスも、実効屈折率が温度に対して厳密に線形にならないため、これらの方策が必要となってくる。これらの値が2次的にモデル化される場合(即ち、2次の項を考慮に入れた場合)、
[式11]
但し、
[式12]
従って、以下のようになる。
[式13]
[式14]
これらを温度無依存性に関する式8に代入すると、
[式15]
或いは、Tの項を整理して纏めると以下の式16になる。
[式16]
従って、ガラスとポリマーの実効屈折率の2次依存性を考慮すれば、正確な温度無依存性を求めるには、以下の式17だけでなく、式18も必要であることが分かる。
[式17]
[式18]
〈2次多項式、単一ポリマー〉
図4は、2次温度依存性を考慮して温度無依存化されたAWG波長分割マルチプレクサ/デマルチプレクサを示している。当該装置は、チャネル導波路418の配列(一部のみを図示)からなるアレイ導波路回折格子415(プリズム領域とも呼ばれる)を上に備える基板、或いは、「ダイ」(図示せず)を備え、チャネル導波路は2つの平面(スラブ)導波路結合領域413、414の間に光学的に接続されている。少なくとも、入力導波路412が、多重化入力信号を入力するために第1スラブ導波路413の入力面419に光学的に接続している。複数の出力導波路410(一部のみを図示)が、各波長チャネル出力をダイの面へ出力するために、第2スラブ導波路414の出力面420に光学的に接続している。一実施形態では、入力導波路412及び出力導波路410は、回折格子415と2つの結合領域413及び414と同じダイ上に統合されていることが望ましい。しかし、他の実施形態では、入力導波路412及び出力導波路410は、例えば、光ファイバーであり、或いは、レンズシステムである。スラブ導波路領域413及び414の形状は何れも公知であり、例えば、本明細書で参照することにより援用される米国特許第6,768,842号に記載されている。図4の装置は、光エネルギーの流れる方向を単に反転させることによって、デマルチプレクサではなく、マルチプレクサとしても動作する。また、幾つかの実施形態においては、第1スラブ導波路413の入力面419と光通信を行う導波路412は、入力面419に夫々異なる位置で入力される複数の導波路で置き換えられる。一般に、これらの導波路のうち、入力面419で性能が最大になる位置にある1つを特定するには、「副尺(バーニア)」較正の手順が用いられる。この特定された導波路だけが、一般的な動作において用いられる。当該実施形態において、図4の導波路412は、複数の導波路から選択された1つと考えられる。他の実施形態では、当該装置は複数の入力と複数の出力が同時に使用できるルーターとして動作する。
一般に公知な方法では、アレイ415の隣接するチャネル導波路418間には、一定の所定の実効光路差があり(一般に、導波路の物理的な長さは1つの導波路から次の導波路まで同じ量だけ増加する)、これにより、第2スラブ連結器414の出力面420上の様々な波長の出力チャネルの位置が決定される。他のAWGについても同様に、アレイの導波路の物理的な長さは、1つの導波路から次の導波路まで同じ量ΔLだけ増加する。
光エネルギーは、入力導波路412から複数の光学経路に沿ってアレイ導波路418に伝播する。光学経路の夫々は、入力導波路からスラブ領域413を横切り、各アレイ導波路418まで通じている。一般的な場合、これらの光学経路は、直線の光線に正確に沿って配置されていないポリマー‐ガラス界面における回折効果、反射効果、屈折効果といった要因によって影響を受ける。従って、ここで用いられているように、「光学経路」という語は、実効光路長にかなりの程度まで影響を及ぼす全ての特徴を含む。しかし、多くの構成では、この光線近似経路は、ここでの目的を果たすには十分正確である。
複数の横方向の溝(グルーブ、トレンチ、或るは、より一般的に補償領域とも呼ばれる)430がこれらの経路を横切って彫られている。これらの溝は、温度依存性が2次であることが公知である(即ちn0p、n1p、n2pは公知である)実効屈折率を有するポリマーが充填されている。スラブ領域413を介して光学経路に沿って伝播するエネルギーが通過するポリマーの物理的な長さの合計の増分であるΔLが、上記式17と式18を共に満たすように、溝430の形状及びサイズが決められている。
図5は、図4の5−5’の視線に沿った、スラブ導波路領域413の要部断面図である。このスラブ導波路は、下部クラッド層として機能する基板510、下部クラッド層510に重なり、高い屈折率を有するコア層512、コア層512よりも低い屈折率を有する上部クラッド層514を備える。図に示すように、溝430は上部クラッド層514とコア層512の両方を貫き、下部クラッド層510に切り込んでいる。一実施形態では、溝430の前縁と後縁(光エネルギーが流れる方向を基準とする上流端と下流端)は、後方反射を最小限にするために小角度θだけ傾斜が付けられている。θは5〜20度であることが望ましく、正負何れでも構わない。他の実施形態では、前縁と後縁はほぼ垂直である(すなわち、θ=0)。
図に示すように、全ての溝は、一定のピッチxで配置されている。ピッチxは効果的に損失を再結合できるよう選択され、約55μmである。しかし、ピッチを一定にすると反射回折格子作用が生じるため、一実施形態では、連続する溝の間隔をxから少しずつ変化させている。再結合効率が間隔の規則性にそれほど影響されないのに対して、反射回折格子作用はピッチの規則性に対して影響を受ける。従って、一定ピッチから僅かにずらすことによって、再結合効率を大きく低下させることなく反射回折格子作用を防ぐことができる。一実施形態においては、一定の間隔からのずれ方はランダムである。より好適な実施形態では、図5Aに示すように、一定間隔からのずれが線形で、最も上流の2つの溝のピッチが最も小さく、最も下流の2つの溝のピッチが最も大きくなっている。ピッチは、溝の回折格子を介したAWGの中央チャネルにおける光の実際の波長の約M倍の合計分変化する。ここで、Mは整数であり、1であることが好ましい。溝の回折格子を介する実際の波長は、真空における中央チャネルの波長を、溝の回折格子を構成する複数の材料を通過する光に見られる平均屈折率で除した波長である。
図4の構造は、公知の技術を用いて製造される。公知の方法では、伝送導波路とスラブ導波路が(例えば、標準的なフォトリソグラフィ技術を用いて)シリコン基板(酸化膜、且つ/又は、クラッド層が、導波路コアの堆積の前に基板上に設けられる)上に「コア」として形成され、クラッド材料で覆われる。これは、例えば、火炎加水分解堆積法(Flame Hydrolysis Deposition:FDH)、又は、化学気相成長法(Chemical Vapor Deposition:CVD)等の製造プロセスによって行われる。次に、溝430は、フォトリソグラフィによってエッチングされ、ポリマー補償材料が容量分析で制御された注射器を用いて塗布され、ポリマーの選択に従って、熱で、或いは、化学線を用いて硬化される。或いは、スパッタリングやその他の方法によって溝430に材料を堆積させてもよい。
他の実施形態では、ポリマーが充填された溝の全てを第1スラブ導波路領域に配置する必要はない。他の実施形態では、これらの溝は導波路アレイ領域415、又は、第2スラブ領域414、又は、スラブ413か414の何れかと導波路アレイ415との間の境界に跨る領域に配置されている。更に他の実施形態では、これらの溝は、所望の組合せでこれら全ての領域に分配されている。
図4、図5、図5Aに関する上記の記述では、溝に充填されている材料はポリマーであり、光学経路の溝が無い区間はシリカであると想定している。他の実施形態では、様々な組合せの材料が用いられる。例えば、大抵のポリマーの屈折率とシリカの屈折率は温度に対して、反対の方向に変化するため、図4では、下端部よりも上端部の方が広い溝を示している。即ち、シリカの区間が短い光学経路よりも、シリカの区間が長い光学経路の方が、ポリマーが充填された区間が占める割合が多い。このことは、式17を満たしている。式17によれば、n1gとn1pの符号が反対である場合、隣接する光学経路のポリマー充填区間の物理的な長さの増分と、隣接する光学経路のシリカの区間の物理的な長さの増分の符号が同じである場合にのみ、即ち、アレイ415を横切って、より長い導波路418の方向へ進むにつれて、溝が長くなる場合においてのみ、式17を満足することができる。図4Aに示す他の実施形態では、溝は、温度に対する屈折率の変化がベース材料の温度に対する屈折率の変化と同じ符号である材料で充填されている。この場合、式17では、1つの光学経路から次の光学経路までの補償材料における物理的な長さの増分と、1つの光学経路から次の光学経路までのベース材料における物理的な長さの増分の符号が反対である必要があるので、溝430Aは上部よりも下部で広くなっている。他にも多くの変形が明らかとなり、その内の幾つかを以下で更に述べる。
2次温度無依存化技術では、ガラス材料とポリマー材料の両方の実効屈折率の温度依存性に対する1次項と2次項両方についての知識が必要となる。これらは一般的に公知文献では利用可能であるとは考えられていない。しかし、多くの異なる温度で材料の実効屈折率を測定し、公知の曲線適合法を用いてデータを2次方程式に適合させることによって実験的に決定することができる。2次方程式に適合させるには、少なくとも3つのデータポイントが必要であるが、結果として得られる装置を最大限に安定させるために、3以上のデータポイントを用いることが好ましい。
〈高次多項式、単一ポリマー〉
上記の技術は、実効屈折率の高次温度依存性を考慮して、Q次まで拡張することができる。上記の式は、以下の式を定義することによって一般化することができる。
[式19]
但し、
[式20]
従って、以下のことが言える。
[式21]
上記の式21を温度無依存性に関する式8に代入すると、
[式22]
Tの同じ次数項を整理して纏めると、以下の式23になる。
[式23]
上記の式23は以下の場合に成立する。
[式24]
従って、他の実施形態では、AWGは図4と同様に構成されているが、ポリマー、ガラス、ΔLは、式24の要件である全てのQを満たすように選択される。
〈機械的温度依存性を含む場合〉
上記の技術は、実効屈折率の温度依存性だけでなく、ΔLの温度依存性を考慮して更に拡張することができる。この場合、温度無依存性は以下の式25で表される。
[式25]
ここで、αはチップの機械的な熱膨張係数である。しかし、典型的な実施形態では、ΔLはΔLよりもずっと小さいので、正確性を大きく損なうことなく、機械的膨張項はn1gに纏めることができる。更に、n1gを公知文献から得るのではなく実験を通して決定される場合、n1gに対して決まった値は本質的に機械的膨張項からの寄与を含む。実験による値の決定は、最終的な製品と同様に既にパッケージ化されたチップから得られるデータを用いて行われることが望ましい。そのため、最終的な製品のパッケージングが、チップが示す機械的膨張に影響を及ぼす場合、これらの影響はテスト時のチップにも現れる。或いは、実験による値の決定は、パッケージ化されていないチップから得られるデータを用いて行ってもよい。チップは柔軟層によって最終的な製品のパッケージから分離される。
適切な割合で機械的膨張項を以下のような1次の項及び2次の項に纏めることによって更に精度を上げることができる。
1g=n’1g+n0gα
2g=n’2g+n1gα
1p=n’1p+n0pα
2p=n’2p+n1pα
これは、高次多項式モデル、及び、複数のポリマーに容易に一般化でき、これについては本出願の他の箇所で述べている。
〈2次多項式、2つのポリマー〉
2次温度無依存化の実施形態に戻ると、式17及び式18の両方を満たし、低挿入損失、湿度耐性、光安定性、長期信頼性といった商業的な製造可能性に関する全ての他の要件をも満たすポリマーを特定することは困難である。公知文献では、ガラス転移温度の上下の準線形領域における、あるポリマーの屈折率の温度依存性が報告されており、また、所望の1次温度依存性項でポリマーを設計する構造は公知であるが、これらのポリマーについて、2次、或いは、非線形依存性項を報告している公知文献は殆どない。
本発明の一態様では、2つの異なるポリマーを併せて用いて、組み合わせた実効屈折率の温度無依存化を行う。2つのポリマーを下付き文字の“A”と“B”で表すと、上記の式3と式8は次のように書き換えられる。
[式26]
[式27]
前記と同様に代入すると、
Tの項を整理し、纏めると以下の通りになる。
つまり、温度依存性について、2つのポリマーを用いて、3つの材料(ガラス、ポリマーA、ポリマーB)の実効屈折率の2次依存性を考慮すると、ポリマーとΔLは以下のように選択される。
[式28]
且つ、
[式29]
ガラスと2つのポリマーに対するnとnの値は、上述のように実験を通して決定される。そのため、後は適切な物理的な長さの増分を決定するだけである。式28及び式29は、2つの方程式のみで3つの未知の長さΔL、ΔL、ΔLを相互に関連付けている。これらの関連する長さは以下のようにして求められる。
[式30]
且つ、
[式31]
所望する中心波長を求めるために3つのΔLを制約する式26(T=0)と併せて、3つの方程式で3つのΔLを相互に関連付ける。3つの方程式は以下のように行列で表される。
[式32]
従って、3つのΔLは以下のように一意的に計算できる。
[式33]
2つのポリマーを組み込んだAWGの実施形態は、図4及び図5と構造は同じであるが、溝430のうち幾つかはポリマーAが充填されており、残りはポリマーBが充填されている。一実施形態において、ポリマーA、Bには、ポリシロキサン(シロカンエラストマー)が用いられる。ポリシロキサンAはガラスの屈折率に合わせて設計されており、ポリシロキサンBはポリマーAに対するガラス転移温度よりも高いガラス転移温度を有するように設計されている。一実施形態では、ポリマーAの溝は集合しているが、他の実施形態では、ポリマーBの溝の間に散在する。一方または他方のポリマーに異なる溝が割り当てられており、短い導波路418を有する経路から長い導波路418を有する経路に向かって光学経路を横切って進むにつれて、光エネルギーが照射されるポリマーAの物理的経路長の合計が、各経路から次の隣接する経路までΔL分だけ徐々に増加し、光エネルギーが照射されるポリマーBの物理的経路長の合計が、各経路から次の隣接する経路までΔL分だけ徐々に増加し、光エネルギーが照射される溝のない区間の物理的経路長の合計が、各経路から次の隣接する経路までΔL分だけ徐々に増加する。但し、ΔL、ΔL、ΔLは、上記の式33によって与えられる。
一例として、中心波長温度依存性が図3の曲線310のようになるAWGを2次的に温度無依存化する場合を想定する。このAWGは主としてシリカからなるとすると、シリカ材料の屈折率は、所望する動作温度範囲である−30〜+70℃の全範囲とそれを超えた範囲の複数の温度で測定される。データは、Tの2次関数に合わせられ、0次、1次、2次係数が以下のようになることが分かる。
図6は、上記の係数で定義される2次多項式関数による実験データをグラフで表したものである。これを見ると、2次多項式への適合は非常に良好であり、同じデータに直線を当てはめるよりもずっと良好であることが分かる。また、屈折率が温度に対して正に変化し(n1g>0)、上から見ると曲線が僅かに凹んでいる(n2g>0)。
このAWGを温度無依存化するために、ポリマーAとポリマーBの2つのポリマーが選択される。ポリマーAの屈折率は、所望する動作温度範囲である−30〜+70℃の全範囲とそれを超えた範囲の複数の温度において測定される。データは、Tの別の2次関数に合わせられ、0次、1次、2次係数は以下のようになる。
図7は、上記の係数で定義される2次多項式関数による、ポリマーAの実験データをグラフで表したものである。これを見ると、ポリマーAの屈折率が温度に対して負に変化し(n1A<0)、上から見ると曲線が僅かに凹んでいる。
同様に、ポリマーBの屈折率を、所望する操作温度範囲である−30〜+70℃の全範囲とそれを超えた範囲の複数の温度において測定する。データは、Tの更に別の2次関数に合わせられ、0次、1次、2次係数は以下のようになる。
図8は、上記の係数で定義される2次多項式関数による、ポリマーBの実験データをグラフで表したものである。これを見ると、ポリマーBの屈折率もまた、温度に対して負に変化し(n1B<0)、上から見ると曲線が僅かに膨らんでいる。
2つのポリマーが光学経路に十分な割合で存在する場合、図7及び8のグラフは図6とは逆の方向に傾斜しているため、図7及び8の曲線から、2つのポリマーは図6のシリカの温度依存性の線形項と逆であることが予想される。また、図7及び8の曲線の凹凸から、2つのポリマーは適切な割合で存在する時、シリカの温度依存性に対して平坦化効果を有することが予想される。実際、このことは正しい。シリカと2つのポリマー材料に対して上記で決定された1次係数、2次係数と、上記の式33を用いれば、以下のようにΔLが計算される。
上記の3つの材料を用い、上記ΔLに従って製造したAWGは、図3の曲線330に示される中心波長温度依存性を示す。この装置では、温度の関数である中心波長が、−30〜+70℃の拡大された温度範囲を超えても、僅か約5pmしか変化せず、従来の線形に温度無依存化された装置に対して大幅な改善が見られる。従って、2つのポリマーを用いた、ここに記載した2次に特徴付けられるAWGは、従来の装置と比べてより大きな温度範囲、或いは、より高い密度でのチャネルのパッケージ化、或いは、その両方を実現できる。
ΔL対ΔLの比率は、式30によって与えられる。各所定の光学経路上の全ての溝が同じポリマー伝播距離を示すように、溝の形状及びサイズが決められている場合、式30における距離の割合ΔL/ΔLは、ポリマーAで充填された溝の数対ポリマーBで充填された溝の数の比まで減少する。上記の例では、ΔL対ΔLの所望の比率は、ポリマーAで充填された溝を23個、ポリマーBで充填された溝を25個用いるとほぼ実現できる。
〈任意の次数の多項式、任意の数の材料〉
上記の分析は、任意のQ次のモデル多項式、及び、X個の異なる材料を有する材料系に拡張することができる。これは各材料xに関して以下の式で表すことができる。
[式34]

但し、
[式35]

また、中心波長の方程式を次のように書き換えることができる。(但し、この式では、nとΔLの下付き文字は材料数を表す。)
[式36]

温度無依存性の方程式は、以下のような行列で書き換えられる。
[式37]

[式38]

[式39]

ΔL材料xの総物理的経路長の互いに隣接する光学経路間における増分である。上記において、X個の材料のうち1つは、装置の大部分が構築されている「ベース」材料であり、そこには補償領域が形成されている。残りのX−1個の材料は、ベース材料の温度無依存性を補償するため、ここではしばしば「補償材料」と呼ばれている。上記の実施形態においては、ベース材料はシリカであり、補償材料は全てポリマーである。他の実施形態ではこの通りである必要はないため、ここでは、ポリマー材料とガラス材料は区別していない。
式36と式37を組み合わせることによって、X個の未知数に関してQ+1の方程式のシステムが作成される。システムの材料数Xが、材料のモデル化に使用される多項式の高次項Qよりも大きい場合に一意的な解が得られる。従って、Q次の多項式を用いて材料をモデル化することが望ましい場合、ΔLの値は、材料系でQ+1個の異なる材料が用いられた場合にのみ、算出が可能である。
X=Q個の材料が材料系で使われる場合、det(N)=0(即ち、式38の行列Nの行の1つが他の行の1次結合である)の時のみ、式37は解を有する。例えば、屈折率の温度依存性の2次モデル(Q=2)について、材料を2つだけ用いると(X=2)(例えば、シリカとポリマーを各1つ)、式37は次の式40を必要とする。
[式40]
これらのパラメータの値に応じて、式40を満たすポリマーを設計することによって、中心波長と温度の関係が(2次に対して)ほぼ均一な単一ポリマーのAWGを形成することが可能となる。
X<Q個の材料を材料系で使用する場合、式37については、式38の行列Nにおいて、1つ目の下付き文字がq=X−1より大きい全ての行が1つ目のX−1行の線形結合である必要がある。これによって、各係数の関係に制約が追加される。
従って、両方の場合(X=Q且つX<Q)において、温度無依存性の方程式によって、異なる材料間における、物理的経路長の増分の相互関係が特定されるだけでなく、屈折率の温度依存性のテイラー展開の係数の相互関係が特定される。必ずしも解決を妨げるわけではないが、特定される相互関係が追加されると、その要件を満たす材料の識別を著しく複雑にする可能性がある。
しかし、たとえテイラー展開の係数の関係を満たす材料が見つからないとしても、所定の温度範囲を超える中心波長の誤差を最適化するようにΔLを選択することによって、結果として得られる装置の温度無依存性を著しく高めることが可能である。所定の温度範囲を超えた温度での、式36におけるλの変化を最小化するベクトルΔL=(ΔL、ΔL、・・・、ΔLX−1を発見する、数値の誤差を最小化する分析は、この目的のために使われる。実験データに重みをつけて、所定の温度範囲全体の一区間に大きな影響を与えるというように、このテーマについては多くの変形が可能である。
Q+1を超える数の材料が利用可能な場合(即ち、X>Q+1)、複数の解が考えられ、これらのうち1つは他の基準を基に選択される。
中心波長に関する式36と温度無依存性に関する式37は、特定の数の材料、及び、特定の次数の多項式の屈折率のモデル化に関して、式36、37以外の上記全ての式を、より一般的な形で記載したものである。本出願では、式が特定の数値パラメータを一般化している時は、その式はパラメータの各値について式の積極的な開示を表している。例えば、式36、37はパラメータQ、Xを一般化しているので、これらの式は、Q及びXの値の各組合せについて式の積極的な開示を表わしている。
〈非多項式関数型のモデル化〉
これまでの記載の殆どにおいて、様々な材料の非線形な屈折率の温度依存性のモデル化には、多項式の関数を用いる場合を想定してきた。しかし、1つまたは複数の材料を多項式で記述するのが困難な場合や、十分に正確なモデル化を行うために非常に大きな次数の多項式が必要となる場合、或いは、単純に利用可能な補償材料の数を上回る次数の多項式が必要となる場合(X<Q+1)の何れかが生じる可能性がある。このような場合、例えば、ポリマーが所望の操作温度範囲内の温度付近で、比較的急激な屈折率の変化を示すことが考えられる。所望の操作温度範囲内のガラス転移温度を有するポリマーは、時にこうした急激な変化を見せることがあり、非多項式関数型によるモデル化が有効である。このような状況では、温度範囲全体に及ぶ波長の誤差を最小化するには、3つ(又は3以上)の材料の材料系を使用すれば更に有効である。
これを実現するには、少なくとも2つの方法がある。1つ又は複数の材料に関して実験で得られる屈折率の温度依存性のデータが、1つ又は複数の非多項式関数型にうまく適合する場合、非多項式関数型を適切な温度無依存化に関する式(式8、23、27、37の何れか)に代入することによって閉形式でΔLの値を求めることができる。代数の閉形式解が得られない関数型である時、或いは、1つ又は複数の材料の屈折率の温度依存性に関する所定の関数型がない場合は、従来の数値最適化プログラムを用いて、温度無依存化を最適化するΔLに関する数値解法を発見することができる。何れの場合においても、1つ又は複数の材料の屈折率の温度依存性のモデル化に非線形の関数型を用いるか、少なくとも3つの材料を使うか、或いはその両方を用いることによって、より広い温度範囲に亘って温度無依存性を大幅に改善することが可能である。
〈溝の形状と大きさについての検討〉
図4に示した溝430は全て、図の下部に近づくほど狭くなり(光学経路の縦方向に占める区間が短い)、図の上部に近づくほど広くなる(光学経路の縦方向に占める区間が長い)湾曲した三角形となっている。この形状については多くの変形が考えられる。1つの変形例は、既に述べたように、溝を反転させ、三角形の狭い方の端を図の上部に、広い方の端を図の下部に向けて配置する。この場合、補償材料の屈折率はベース材料と同じ方向に温度に対して変化する。更に他の変形として、一実施形態では、屈折率が互いに逆の方向に温度に対して変化する2つの異なる補償材料を用いて、第1補償材料に割り当てられた溝は図4に示す方向に向け、第2補償材料に割り当てられた溝は逆向きにする。ある特定の材料(光学経路に沿った全ての溝の集合体)の溝の方向は、その特定の材料に関するΔLの符号によって決まる。ΔLは、図4のAWGに下部から上部にかけての物理的経路長の増分を表しているため、特定の材料のΔLが負の場合は、溝が上部付近よりも下部付近で広くなるように溝を向ける必要がある。
多数の変形を可能とするには、少なくとも2つの原則がある。まず第1に、光学経路上に配置された全ての材料からなる集合体において、光学経路の縦方向に伸びる各材料の長さについて、互いに隣接する光学経路間の増分が、上記特定の材料に関して算出されたΔLとほぼ等しくなければならい。第2に、溝の上流側の端と下流側の端は、光エネルギーへの屈折、反射、回折効果を最小化するように形状と方向が決められていなければならない。1つ目の原則は、材料毎に1つずつ三角形の溝を形成することによって満たすことができる。しかし、補償材料はスラブ領域413の残りが提供するような平面的な導波路を提供しないとすると、1つの溝では過剰な光を垂直方向に導波路から逃してしまうことになる。三角形を複数の溝に分割することによって、各溝をより狭くすることができる。もっと重要なことは、複数の溝間の距離が適切に選択されている時、溝での回折によって生じる損失の一部は、次の溝の下流の導波路に導入される光として再結合される。
図9A〜図9Fは、様々な実施形態で使用可能な、複数の異なる溝の構造を示している。図9Aでは、ポリマーA、Bは1つの三角形の溝の中に隣り合って配置されている。図9Bでは、2つの溝がポリマーA、Bの夫々に割り当てられている。溝は、入力してくる光エネルギーがポリマーBの溝の何れかに到達する前に、全てのポリマーAを横断するように並んでいる。図9Cは、ポリマーA、Bが1つの三角形の溝の中に隣り合って配置されており、3つ目のポリマーCが別の溝に配置されている。ポリマーA/Bの三角とポリマーCの三角は逆向きになっている。図9Dでは、ポリマーA、Bは逆向きで別々の2つの三角形の溝に配置されている。図9Eでは、ポリマーA、Bの夫々に2つの溝が割り当てられており、ポリマーBの溝はポリマーAの溝の間に配置されている。図9Fは、特定の材料に関して決まる物理的経路長の増分ΔLがその材料の全ての領域からなる集合体で満足されている限り、特定の材料を様々な形で充填することができることを強調している。この図では、ポリマーAの三角形全体が、任意の境界で3つの別々の領域910、912、914に分解されている。しかし、3つの領域の集合体は、物理的経路長の増分ΔLを満たしている。他にも多くの変形が可能である。
説明を簡潔にするために、図9A〜図9Fの図は、溝を三角形で示している。しかし、厳密には補償領域が三角形の場合、光学経路が互いに平行である場合しか、異なる光学経路を横切るΔLは一定とならない。図10は、光学経路のうち数本について、図4のAWGのスラブ領域413を通過する光線の近似(破線1010)を描いたものである。光が、入力導波路412の入力点からスラブ413の円弧状の出力面に向かって、平行に伝播するのではなく放射状に伝播していることが分かる。各溝が異なる光学経路に亘って一定のΔLを提供するには、湾曲した三角形の溝を使用することができる。
図10Aは、その1つの構成を示している。この図では、異なる光学経路の光線の近似において、各溝に亘る物理的経路長の増分が一定となるように、溝の形状を湾曲した三角形にしている。各溝の前端(例えば、溝1012の端1018)は、中心点が入力導波路412の入力点から横向きの一方向に僅かにずれている円弧を形成している。各溝の後端(例えば、溝1012の端1020)は、中心点が入力導波路412の入力点から横向きの他方向に僅かにずれている別の円弧を形成している。図10Aには、3つの光線の近似経路である1022、1024、1026が示されている。図10Aのほぼ同心円をなす構造をした溝の問題は、溝の端から反射する光エネルギーが、おおよそ入力導波路412の入力点で再び焦点が合い、導波路412に戻ってしまうことである。図5に示した端が傾斜した溝によってこの問題は軽減される。溝を傾斜させる代わりに、或いは、それに追加して、この溝を図10Aに示すように同心円状であるが、中心点を導波路412の入力点からずらして形成することも可能である。この場合、反射した光エネルギーが、導波路412から離れた別のポイント1028に再び焦点が合ってしまう。図10Bの構成では、光学経路の光線の近似は、放射状に溝を横切ることはない。異なる光学経路に亘って物理的経路長の増分を一定にするように、溝の適切な形状を決定するためには、幾何学的計算が必要となる。
図10Cは更に別の考え得る構成を表しており、ここでは、補償領域が湾曲した三角形ではなく、細長い長方形の形をしている。光学経路の物理的な相互作用長が図の下部よりも上部でより大きくなるように、各長方形は中心光学経路1030に対して、鋭角Φだけ傾いている。図10Cでは、補償領域における高次の補償材料のために、光学経路に屈曲が見られる。ここでは図に必ずしも明示していないが、他の構成においても存在するこれらの影響は、補償領域を通過する各光学経路の実際の物理的経路長を計算する際に考慮に入れる必要がある。
図10Dは、図10Cの構成の変形である。ここでは、溝は、より三角形に近い形をしており、中心光学経路1030に対して、より大きく鋭角Φ分傾いている。この場合もやはり、異なる光学経路にわたる物理的経路長の増分を一定にするために、幾何学的計算によって、三角形の適切な勾配と、適切な配向角Φ2の両方を決定する。他にも多くの変形が可能である。
〈補償材料の構造上の変形例〉
溝430を充填するために使われる補償材料の構造及び内容においても、変形が可能である。図11A〜図11Hは、複数の変形例を示している。これらの図は、例えば、スラブ導波路413を横切る中心光学経路に沿った1つの溝の断面図である。図5に示した基本的な構成が図11Aでも示されている。溝430は、平面導波路413のコアレベル512を十分下回るレベルまで伸びており、完全に材料Aで満たされている。波形1110は、伝播するエネルギーの垂直方向の光強度分布を表したもので、ほぼガウス分布であり、コア層512内におおよその中心がある。材料Aの溝は、伝播する光学エネルギーのほぼ全てに影響するように下へ伸びている。図11Bは図9Aの構成の断面図であって、1つの溝の中に2つの材料が隣り合って配置されている。
図11Fでは、溝は図11Aの溝とほぼ同じ深さまでエッチングされているが、2層に分かれて材料が充填されている。第1材料Uは、溝430の下部層1120に堆積され、もう一つの材料Vは上部層1122に堆積されている。材料Uは、材料Vの堆積の前に硬化、又は、安定させる。そうすることによって、2つの材料U、Vの屈折率特性の相互作用を最小化、或いは、なくすことができる。材料Uは、光学経路に沿って伝播するエネルギーのごく僅かであるαにしか影響を及ぼさず、残りのエネルギーは材料Vによって影響を受けるため、溝430で材料UとVを組合せることによって、ある値αに関して、αdn/dT+(1−α)dn/dTによって得られる実効屈折率の温度依存性を有する複合補償材料が効果的に形成される。そのため、図11Fの構造は、所望する屈折率温度依存性を有する複合補償材料を設計する仕組みを提供する。例えば、特定の実効屈折率温度依存性dn/dTを有する補償材料A、及び、物理的経路長の増分ΔLを所望する場合、図11Fに示すように、適切な値αを得るために適切な相対膜厚と深さで、2つの異なる材料U、Vを重ねることによって、所望する補償材料Aを形成することができる。補償材料がこのように設計された時、αパラメータによって、実効屈折率の温度依存性がおおよその値で決定される。複合材料の屈折率温度依存性は、純粋な充填材料を使って、上記と同様の方法で実験により決定されることが望ましい。ここで使用する用語「材料」は、1つ又は複数の他の材料(ここでは、「副材料」と呼ぶこともある)からなり、それらを混合したり、層状に重ねたり、或いは、他の方法で組み合わせたりすることによってその「材料」全体が形成されている。図11Fではそれらの材料が層状になっている。
図11Fに示すような補償材料の構造を用いて温度無依存性の式を満たすことができる。即ち、2つの補償材料A及びBを使用する場合、異なる補償領域を材料AとBの何れかに完全に割り当てずに、図11Fのように、全ての補償領域が夫々、材料AとBの両方を層状にして含む構造を用いることができる。数学的には、物理的経路長の増分変数ΔLの代わりに、物理的経路長の増分より(伝播距離が)短い、材料Xに関する有効経路長の増分を用いることによって、その効果を式に反映することができる。即ち、上記の式で、ΔL及びΔLの代わりに、ΔLAeff=αΔL及びΔLBeff=(1−α)ΔLを用いることができる。上記の式を使って、ΔLAeff及びΔLBeffについて所望の値が算出されると、2つの材料は同じ溝を共用していることからΔL=ΔLとなり、ΔL及びαが算出される。或いは、dn/dTにαdn/dTを、dn/dTに(1−α)dn/dTを代入することによって、その効果を式に反映することもできる。上記の式をΔL及びΔLの値の算出に用い、上述の如く、ΔL=ΔLであるから、αの値を算出することができる。
材料U及びVの屈折率によっては、図11Fの構造は、光エネルギーが溝430を横切る際に上下どちらかに誤って伝播することによって挿入損失が生じる可能性がある。この欠点は、材料U及びVを、図11Fのように2層ではなく、図11Gのように非常に薄い複数の層状に堆積することによって緩和することができる。或いは、図11Hに示すように、ガラス材料の下部クラッド層510内に全体が配置されている層1130、コア層512の溝の深さとほぼ同じ深さで配置されている第2の層1132、上部クラッド層514内に全体が配置されている第3の層1134からなる3つの層を用いて、複合材料を溝430に充填することができる。3つの層は、異なる材料U、V、Wで充填されるか、或いは、層1134の材料は、層1130と同じ材料が選択される。層1132の材料は、層1130及び1134の材料よりも屈折率が高く、溝430を横切る光エネルギーを引き続き伝播させるようになっている。図11Hの溝430の「材料」全体の実効屈折率温度依存性は、αdn/dT+αdn/dT+(1−α−α)dn/dTによっておよその値が求められる。
図11Cでは、溝430がコア層512の一部の深さまで伸びている。この変形は、図11Fの対応箇所と同様であると考えられる。図11Fでは、下部材料Uが溝430の底部の下にあるベース材料の容積と等しい。式が、補償材料Aが光学経路上の長さLの区間に沿って挿入されていることを示す場合、代わりに異なる材料Vを、一部の深さまで、長さLの区間に沿って挿入することが可能である。「材料」Aは、ここでは材料Vと溝430の底部の下のベース材料の容積が重なった複合体であると考える。
図11Dは、図11Cと原則的には同じであるが、図11Dでは、溝は上部クラッド層514を貫いたところまでしかエッチングされていない。この実施形態では、αの値はより小さくなるが、その他の点では図11Cと同じである。図11Eでは、溝は上部クラッド層514の一部の深さまでしかエッチングされていない。この実施形態では、αの値は図11Dよりももっと小さくなるが、その他の点ではやはり図11C、図11Dと同じである。当然のことながら、図11A〜図11Hに示す方法で有効な材料を形成する際には、異なる材料を幾つ組み合わせてもよい。また、これらの図に示されている仕組み自体を互いに組み合わせて、溝430を充填する更に他の例としても良い。多くの変形が可能である。
〈機械的補償〉
ここに記載されている、光学回折格子装置の温度無依存化を改善するための技術は、温度補償領域に様々な材料を挿入することに限定されない。当該技術の中には、機械的な機構を含めた他の温度無依存化方法の改善に適用できるものもある。例えば、AWGの入力又は出力結合領域に対して、光エネルギーの入出力を行う入力/出力導波路が横方向に移動すると、AWGの通過帯域も移動することが知られている。更に、入力/出力導波路をバイメタル板といった温度依存性の配置機構に加え、それによって、AWGの残りの部分の温度依存性を補償するために、結合領域に関連する導波路の横方向の位置を、温度に合わせて自動的に移動させることも知られている。しかし、他の従来の機構と同様に、温度による影響が1次でしか考慮されていない。
図12は、本発明の特徴を用いて、機械的に中心波長を安定させるAWGの一部を示している。具体的には、図12は、入力結合領域413と、入力された光エネルギーを結合領域413の入力面419に結びつける入力ファイバー412を示している。この入力ファイバーは、入力面419には取り付けられておらず、アーム1210の一端に取り付けられている。アーム1210の反対端は、入力結合領域413が上に配置されたチップ1212に取り付けられている。アーム1210は、周囲温度に従って、ファイバー412をチップ1212に対して横向きに(即ち、図に示すy方向に)配置するような構造及び向きになっている。例えば、アーム1210ではバイメタル作動装置が使用できる。従来の機械的温度無依存化システムとは異なり、アーム1210の形状と構造は、Q次の温度依存性の中心波長変化を補償するようになっている(Q≧2)。具体的には、アーム1210は、以下の式41で与えられる横方向の位置yにファイバー412を保持する。
[式41]
2次の補償(Q=2)のためのk及びkは、以下の式42で与えられる。
[式42]
機械的技術は、異なる材料を光学経路に挿入する技術と併せて用いることができ、Q=1の場合も同様に満足する。また、本発明の態様を用いて、他にも多くの応用が可能である。
〈実用的考察〉
ここに記載した概念を使用する実際の装置では、当然のことながら、上記の式に正確に合致することは不可能であるか、若しくは、商業的な見地からその必要がない場合もある。例えば、通常の製造公差のために実際の装置は式から逸脱しているかも知れない。或いは、利用可能な溝の総数は整数であるため、一方のポリマーで充填された溝の数と他方のポリマーで充填された溝の数の比率は、上記で得られたΔLの比率と正確に一致しないこともある。こうした理由のために上記の式から逸脱する実際の装置は、ここでは、式を「ほぼ」満たすと考える。こうした装置は、ここで開示された新規の概念を使用しているため、式を正確に満足していなくても、従来の装置より良好な温度無依存性を持つことができる。
また、ここに記載した式及び技術を用いて温度無依存性を最適化する一方で、当然のことながら、ここに記載した式及び技術を部分的に用いる、即ち、僅かに効果を損なう要因があったとしても、従来の方法に比べて、本発明の実施形態は大幅に温度無依存性を改善することができる。例えば、屈折率温度依存性がQ次の多項式(Q>1)でモデル化され、特定の材料数Xを有する材料系を用いる場合、式37から最適ベクトルΔLの値を求めることができる。しかし、代わりに以下の同様の式43を使うことも可能である。
[式43]
ここで、pは、従来の技術で製造が可能なAWGよりも実質的に良好な温度無依存性を有するAWGを生み出す小さな数である。線形の、1つのポリマーによる解では恐らく、−50〜+90℃の温度範囲で中心波長の変化が約70pmより小さく、或いは、0〜+70℃の温度範囲で中心波長の変化が約20pmより小さいAWGを製造することはできない。しかし、式37を用いた2次の、2つのポリマーによる実施形態では、中心波長の変化を−50〜+90℃の温度範囲で約40pmより小さい、或いは、0〜+70℃の温度範囲で約10pmより小さい値にまで減少させることができる。しかし、pが正確には0ではないが比較的小さい値の場合に、式43を用いた実施形態では、式37を用いて得られる最適な結果には至らないが、中心波長の変化を上記の従来の変化量よりも更に減少させることができる。こうした実施形態を更に検討することによって、ここに記載した式及び技術を活用することができる。
本発明の好適な実施形態の前述の記載は、図解及び記載のために提供された。これらは包括的であること、或いは、開示された正確な形式に本発明を限定することを意図していない。当然、多くの改良、変形は当業者にとって明らかである。例えば、本発明は、第一にAWGマルチプレクサ/デマルチプレクサに関して記載されており、限定はしないが、参照することにより本明細書に援用されるAmersfoortによる米国特許第5,629,992号に記載の自由空間回折格子装置といった、他の光学装置に適用することも可能である。他の例として、1つの溝内にある1つ又は複数の材料は、熱補償に加えて、又は、代えて、複屈折性補償機能を果たす(参照することにより本明細書に援用される米国特許第6,757,454号を参照)。また、本明細書で技術的背景、又は、別の箇所で参照することによって記載、示唆、援用した幾つかの、或いは、全ての変形は、参照することによって、本発明の実施形態の記載に特に組み込まれる。ここに記載した実施形態は、本発明の原則、実際の適用を最大限に説明するために選択され、記載されている。それによって、当業者が本発明の様々な実施形態について理解し、意図された特定の用途に適するように様々に改良することが可能である。本発明の範囲は特許請求の範囲、及び、それに相当する箇所によって規定される。
デマルチプレクサとして機能する典型的なアレイ導波路回折格子のスペクトル感度を示す図 −5℃、+35℃、+75℃の周囲温度における従来のアレイ導波路回折格子の単一チャネルにおける透過率を示す図 温度無依存化されていないアレイ導波路回折格子と、1次温度無依存化されたアレイ導波路回折格子と、2次温度無依存化されたアレイ導波路回折格子について、温度の関数として、中心波長の変化を各別に示す図 本発明の特徴を備えたアレイ導波路回折格子を示す図 本発明の特徴を備えたアレイ導波路回折格子を示す図 様々な実施形態における、図4に示したスラブ導波路領域部分の一例を示す断面図 様々な実施形態における、図4に示したスラブ導波路領域部分の他の一例を示す断面図 シリカの屈折率と温度の関係を示す図 屈折率と温度の関係を示す図 屈折率と温度の関係を示す図 図4に示したアレイ導波路回折格子の入力結合領域における補償領域の様々な構成の一例を示す図 図4に示したアレイ導波路回折格子の入力結合領域における補償領域の様々な構成の一例を示す図 図4に示したアレイ導波路回折格子の入力結合領域における補償領域の様々な構成の一例を示す図 図4に示したアレイ導波路回折格子の入力結合領域における補償領域の様々な構成の一例を示す図 図4に示したアレイ導波路回折格子の入力結合領域における補償領域の様々な構成の一例を示す図 図4に示したアレイ導波路回折格子の入力結合領域における補償領域の様々な構成の一例を示す図 図4に示したアレイ導波路回折格子における光学経路の光線の近似を示す図 図4に示したアレイ導波路回折格子の入力結合領域における補償領域の様々な構成の一例を示す図 図4に示したアレイ導波路回折格子の入力結合領域における補償領域の様々な構成の一例を示す図 図4に示したアレイ導波路回折格子の入力結合領域における補償領域の様々な構成の一例を示す図 図4に示したアレイ導波路回折格子の入力結合領域における補償領域の様々な構成の一例を示す図 アレイ導波路回折格子の補償領域における補償材料の様々な構成の一例を示す図 アレイ導波路回折格子の補償領域における補償材料の様々な構成の一例を示す図 アレイ導波路回折格子の補償領域における補償材料の様々な構成の一例を示す図 アレイ導波路回折格子の補償領域における補償材料の様々な構成の一例を示す図 アレイ導波路回折格子の補償領域における補償材料の様々な構成の一例を示す図 アレイ導波路回折格子の補償領域における補償材料の様々な構成の一例を示す図 アレイ導波路回折格子の補償領域における補償材料の様々な構成の一例を示す図 アレイ導波路回折格子の補償領域における補償材料の様々な構成の一例を示す図 本発明の態様を取り入れた光学装置の一部を示す図

Claims (36)

  1. アレイ導波路回折格子を経由して入力端子と光通信を行う出力端子を備えてなり、対象通過帯域を含む複数の通過帯域を有する光学装置であって、
    前記対象通過帯域の有する中心波長の温度についての1次〜Q次(Q≧2)の導関数が、前記中心波長の変化が−5〜+70℃の温度範囲において20pm未満となるように、−5〜+70℃の温度範囲において、ほぼ0に等しいことを特徴とする光学装置。
  2. 前記1次〜Q次の導関数が、前記中心波長の変化が−30〜+70℃の温度範囲において20pm未満となるように、−30〜+70℃の温度範囲において、ほぼ0に等しいことを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 実効屈折率の温度依存性が夫々に異なる複数の材料を介して、前記入力端子から前記出力端子まで光エネルギーを伝播させる複数の光学経路を備えることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  4. 前記入力端子と前記出力端子のうち特定の一つと光通信を行うための導波路と、
    温度に依存して前記アレイ導波路回折格子に対する前記導波路の物理的な位置を調節する温度補償部材を備えることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  5. 材料系を経由する複数の光学経路を備えてなる光学装置であって、前記複数の光学経路の夫々が、隣接する前記光学経路と個々の実効光路差だけ異なる個々の実効光路長を有し、
    前記個々の光路差の温度についての1次〜Q次(Q≧2)の導関数が、前記光路差の変化の何れもが−5〜+70℃の温度範囲において20pmを超えることがないように、−5〜+70℃の温度範囲において、ほぼ0に等しいことを特徴とする光学装置。
  6. 前記1次〜Q次の導関数が、前記光路差の変化の何れもが−30〜+70℃の温度範囲において20pmを超えることがないように、−30〜+70℃の温度範囲において、ほぼ0に等しいことを特徴とする請求項5に記載の装置。
  7. 前記複数の光学経路の夫々が複数の材料を横断し、前記複数の材料の夫々が、他の前記材料と異なる実効屈折率温度依存性を有することを特徴とする請求項5に記載の装置。
  8. 材料系を経由する複数の光学経路を備えてなる光学装置であって、
    前記材料系が、前記光学経路を伝搬する光エネルギーを少なくとも1次元的に閉じ込めるコア及びクラッド材料を含み、
    前記複数の光学経路の夫々が、前記コア及びクラッド材料以外に少なくとも2つの別の材料を横断し、
    前記別の材料の夫々が、前記コア及びクラッド材料及び他の前記別の材料と異なる実効屈折率温度依存性を有し、
    前記複数の光学経路の夫々が隣接する前記光学経路と個々の実効光路差だけ異なる個々の実効光路長を有し、
    前記個々の光路差の温度についての1次〜Q次(Q≧2)の導関数が、前記光路差の変化の何れもが−5〜+70℃の温度範囲において20pmを超えることがないように、−5〜+70℃の温度範囲においてほぼ0に等しいことを特徴とする光学装置。
  9. 前記1次〜Q次の導関数が、前記光路差の変化の何れもが−30〜+70℃の温度範囲において20pmを超えることがないように、−30〜+70℃の温度範囲において、ほぼ0に等しいことを特徴とする請求項8に記載の装置。
  10. 前記入力端子から前記出力端子まで複数の光学経路を有し、前記光学経路の一部を形成するベース材料と、少なくとも1つの補償領域を備え、
    記少なくとも1つの補償領域は、少なくとも第1補償材料及び第2補償材料をまとめて含み、前記第1補償材料及び前記第2補償材料は、前記光学経路を横切り、実効屈折率温度依存性が互いに、且つ、前記ベース材料とも異なることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  11. 前記補償領域のうち第1補償領域が、前記第1補償材料及び前記第2補償材料の両方を含むことを特徴とする請求項10に記載の装置。
  12. 前記第1補償材料及び前記第2補償材料は、前記第1補償領域の異なる層に配置されることを特徴とする請求項11に記載の装置。
  13. 前記第1補償領域は、第3補償材料を更に含み、
    前記第1補償材料は、前記第1補償領域の下層に配置され、
    前記第2補償材料は、前記第1補償領域の中層に配置され、
    前記第3補償材料は、前記第1補償領域の上層に配置され、
    前記第2補償材料は、前記第1補償材料及び前記第3補償材料の何れよりも高い屈折率を有することを特徴とする請求項11に記載の装置。
  14. 前記光学装置は、前記ベース材料として、下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上にコア層と、前記コア層の上に上部クラッド層とを備え、
    前記第2補償材料は、前記ベース材料の前記コア層とほぼ同一平面上にあることを特徴とする請求項13に記載の装置。
  15. 前記補償領域の1つが、前記第1補償材料を含むが、前記第2補償材料は含まないことを特徴とする請求項10に記載の装置。
  16. 前記少なくとも1つの補償領域は、前記第1補償材料及び前記第2補償材料を含む複数の補償材料をまとめて含み、前記複数の補償材料の全ての補償材料が、前記光学経路を横切り、互いに、且つ、前記ベース材料とも異なる実効屈折率温度依存性を有し、
    前記補償領域の夫々が、前記複数の補償材料のうち必ず1つを含むことを特徴とする請求項10に記載の装置。
  17. 前記第1補償材料が、複数の副材料の複合体を備え、前記複合体の実効屈折率温度依存性は、前記第1補償材料の実効屈折率温度依存性であることを特徴とする請求項10に記載の装置。
  18. 前記複数の副材料が層状に重なって前記複合体を形成することを特徴とする請求項17に記載の装置。
  19. 前記複数の副材料のうち第1副材料は前記ベース材料と同一であり、前記複数の副材料のうち第2副材料は前記ベース材料及び前記複合体とは異なる実効屈折率温度依存性を有することを特徴とする請求項17に記載の装置。
  20. 前記第1補償材料は更に、前記ベース材料の複屈折性を補償することを特徴とする請求項10に記載の装置。
  21. 前記光学経路は、第1スラブ領域、前記アレイ導波路回折格子、及び、第2スラブ領域を順番に横断し、
    前記補償材料の少なくとも1つは、前記第1または第2スラブ領域の1つに配置されていることを特徴とする請求項10に記載の装置。
  22. 前記補償材料の夫々の特定の1つは、前記第1または第2スラブ領域の何れか1つまたは両方に配置されていることを特徴とする請求項21に記載の装置。
  23. 前記入力端子から前記出力端子まで複数の光学経路を有し、前記光学経路の一部を形成するベース材料と、複数の補償領域とを備え、
    記複数の補償領域の少なくとも1つからなる第1サブセットが第1補償材料を含み、少なくとも1つの他の補償領域からなる第2サブセットが第2補償材料を含み、前記第1補償材料及び前記第2補償材料が、互いに、且つ、前記ベース材料と異なる実効屈折率温度依存性を有することを特徴とする請求項1に記載の装置。
  24. 前記ベース材料はシリカを含み、前記第1補償材料及び前記第2補償材料はポリマーからなることを特徴とする請求項23に記載の装置。
  25. 前記光学経路は、第1スラブ領域、前記アレイ導波路回折格子、及び、第2スラブ領域を順番に横断し、
    前記第1サブセットの前記補償材料の少なくとも1つは、前記第1または第2スラブ領域の1つに配置されていることを特徴とする請求項23に記載の装置。
  26. 前記第1及び第2サブセットの前記補償材料の夫々の特定の1つは、前記第1または第2スラブ領域の何れか1つまたは両方に配置されていることを特徴とする請求項25に記載の装置。
  27. 記対象通過帯域の有する中心波長は、−50〜+90℃の温度範囲で70pm未満の変化を示すことを特徴とする請求項1に記載の装置。
  28. 前記中心波長は、−50〜+90℃の温度範囲で40pmを超える変化をしないことを特徴とする請求項27に記載の装置。
  29. 記対象通過帯域の有する中心波長は、0〜+70℃の温度範囲で20pm未満の変化を示すことを特徴とする請求項1に記載の装置。
  30. 前記中心波長は、0〜+70℃の温度範囲で10pmを超える変化をしないことを特徴とする請求項29に記載の装置。
  31. 材料系を経由する複数の光学経路を備えてなる光学装置であって、前記複数の光学経路の夫々がX個の材料を横断し、
    が、ほぼ0に等しく、
    q,xは夫々、各x番目の材料の実効屈折率の温度に対するq階(次)導関数であり、
    ΔL は、前記複数の光学経路の夫々に沿った材料xの総物理的経路長の隣接する光学経路間における増分であり、
    Q≧2であることを特徴とする光学装置。
  32. X≧3であることを特徴とする請求項31に記載の装置。
  33. X≧Q+1であることを特徴とする請求項31に記載の装置。
  34. X個の材料は、ベース材料と、X−1個の補償材料からなり、
    前記光学装置は前記ベース材料に形成された少なくともX−1個の補償領域を備え、前記補償領域の夫々は前記補償材料のうち必ず1つを含み、
    前記複数の光学経路の夫々において、前記補償材料の総物理的経路長が互いに同じになるように、前記補償領域の形状及びサイズが決められており、
    前記補償材料の夫々に割り当てられる前記補償領域の数が、前記補償材料の総物理的経路長の増分ΔL にほぼ比例することを特徴とする請求項31に記載の装置。
  35. 前記ベース材料はシリカを有し、前記補償材料の夫々はポリマーを有することを特徴とする請求項34に記載の装置。
  36. 材料系を経由する複数の光学経路を備えてなる光学装置であって、前記複数の光学経路の夫々がX個の材料を横断し、
    が、ほぼ0に等しく、
    q,xは夫々、各x番目の材料の実効屈折率の温度に対するq階(次)導関数であり、
    ΔL は、前記複数の光学経路の夫々に沿った材料xの総物理的経路長の隣接する光学経路間における増分であり、
    Q≧1且つX≧3であり、
    前記材料の少なくとも1つがシリカを有し、前記材料の少なくとも2つの夫々がポリマーを有することを特徴とする光学装置。
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