JP2003121666A - 導波路型光デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

導波路型光デバイスおよびその製造方法

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JP2003121666A
JP2003121666A JP2001312611A JP2001312611A JP2003121666A JP 2003121666 A JP2003121666 A JP 2003121666A JP 2001312611 A JP2001312611 A JP 2001312611A JP 2001312611 A JP2001312611 A JP 2001312611A JP 2003121666 A JP2003121666 A JP 2003121666A
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optical waveguide
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waveguide element
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Shigeru Yoneda
茂 米田
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    • G02B6/1203—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides characterised by means for reducing the temperature dependence using mounting means, e.g. by using a combination of materials having different thermal expansion coefficients

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 個々の光導波路素子の温度特性の相違に係わ
らず、所望の中心波長を得る導波路型光デバイスを製造
する導波路型光デバイスおよびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 アレイ導波路２０１は、光導波路層２１
１をシリコン基板２１２上に形成した平板状の導波路素
子２０３と、その光導波路層２１１側に接着された第１
の補正基板２０４と、シリコン基板２１２側に接着され
た第２の補正基板２０５から構成される。２枚の補正基
板２０４、２０５の線膨張係数α1、α4を導波路素子２
０３のそれよりも大きくし、ヤング率Ｅ1、Ｅ4を適切な
値に設すると共に接着剤２１４、２１５として剛性の高
いものを使用することにより、導波路素子２０３の温度
による収縮を第１および第２の基板によって増大させ、
所定の温度の範囲内でその中心周波数を所望の値に設定
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信や光を使用し
た情報処理の分野等で使用されるフィルタデバイスとし
ての導波路型光デバイスおよびその製造方法に係わり、
特に製造時の歩留まりを改善することのできる導波路型
光デバイスおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信技術の普及および光を用いた情報
処理技術の発展と共に光波長フィルタとしての光導波路
素子が広く使用されるようになっている。光の干渉を利
用して各種の機能を実現するこのような光導波路素子
は、一般に環境温度に応じて屈折率や光路長が異なって
くる。このため、製造した光導波路素子ごとに透過帯域
あるいは中心波長が変動することになる。
【０００３】したがって、ＡＷＧ（arrayed waveguid
e）を始めとする光導波路素子の中心波長については、
ペルチェ素子あるいはヒータを温度調整装置として用い
て、それぞれの中心波長をＩＴＵ（International Tele
communication Union）で定められたグリッド仕様を満
足するものに調整するようにしている。たとえば石英系
の光導波路素子の場合には、約０．１ｎｍ／゜Ｃの中心
波長温度依存性があるので、このような光導波路素子を
使用した導波路型光デバイスの設定温度を調整すること
で所望の中心波長に設定している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、製造したす
べての光導波路素子あるいはこれを組み込んだ導波路型
光デバイスが、このような温度調整装置の調整する温度
範囲内で中心波長を所望の値に設定することができると
は限らない。温度調整装置で調整することができない光
導波路素子あるいは導波路型光デバイスは、従来から不
良品とならざるを得ず、素子またはデバイスの製造時の
歩留まりを向上できない大きな要因となっていた。
【０００５】そこで本発明の目的は、個々の光導波路素
子の温度特性の相違に係わらず、所望の中心波長を得る
ことのできる導波路型光デバイスを製造する際の歩留ま
りを向上させることのできる導波路型光デバイスおよび
その製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、（イ）平板状の光導波路素子と、（ロ）この光導波
路素子の基板側に配置され、その基板の線膨張係数より
も大きな所定の線膨張係数を有する支持基板と、（ハ）
この支持基板に組み込まれ、光導波路素子の温度を制御
する温度調整装置とを導波路型光デバイスに具備させ
る。
【０００７】すなわち請求項１記載の発明では、平板状
の光導波路素子の基板側にその線膨張係数よりも線膨張
係数が大きな支持基板を配置し、この支持基板に組み込
まれた温度調整装置で支持基板および光導波路素子の温
度を制御するようにしている。この温度制御で支持基板
は光導波路素子の線膨張率が実質的に増加するように光
導波路素子を伸縮させるので、その中心波長をより広範
囲に変化させることができ、線膨張係数が大きな支持基
板を使用しなかった場合に所望の中心波長を得ることが
できなかった場合であっても、所定の線膨張係数を有す
ることでこれが可能になる。したがって、歩留まりを向
上させることが可能になる。
【０００８】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
導波路型光デバイスで、光導波路素子を構成する基板と
支持基板を接着する接着剤は剛性の高いものが使用され
ていることを特徴としている。
【０００９】すなわち請求項２記載の発明では、支持基
板の伸縮を光導波路素子側に効率的に伝えるように、両
者を接着する接着剤に剛性の高いものを使用することに
している。
【００１０】請求項３記載の発明では、（イ）平板状の
光導波路素子と、（ロ）この光導波路素子の導波路側に
配置され、光導波路素子の線膨張係数よりも大きな線膨
張係数を有する第１の基板と、（ハ）光導波路素子の導
波路側と反対側に配置され、光導波路素子の温度を調整
する温度調整装置を備え、光導波路素子の線膨張係数よ
りも大きな線膨張係数を有する第２の基板とを導波路型
光デバイスに具備させる。
【００１１】すなわち請求項３記載の発明では、平板状
の光導波路素子をこれよりも線膨張係数の大きな第１お
よび第２の基板で挟み込むように配置することで、光導
波路素子の線膨張率を実質的に増加させる。これによ
り、光導波路素子の中心波長をより広範囲に変化させる
ことができ、所望の中心波長を得ることができるように
なる。したがって、歩留まりを向上させることが可能に
なる。
【００１２】請求項４記載の発明では、請求項３記載の
導波路型光デバイスで、光導波路素子を構成する導波路
と第１の基板を接着する第１の接着剤および光導波路素
子を構成する基板と第２の基板を接着する第２の接着剤
は共に剛性の高いものが使用されていることを特徴とし
ている。
【００１３】すなわち請求項４記載の発明では、第１お
よび第２の基板の伸縮を光導波路素子側に効率的に伝え
るように、両者を接着する接着剤に剛性の高いものを使
用することにしている。
【００１４】請求項５記載の発明では、請求項４記載の
導波路型光デバイスで、第１の基板の線膨張係数は、第
２の基板を光導波路素子の基板側に配置したときの温度
変化による全体の反りを減少させるような値に選択され
ていることを特徴としている。
【００１５】すなわち請求項５記載の発明では、平板状
の光導波路素子をこれよりも線膨張係数の大きな第１お
よび第２の基板で挟み込んだときに、これらの線膨張係
数を適切に設定することで、一方のみを光導波路素子に
接着した時に生じる温度による反りを解消している。
【００１６】請求項６記載の発明では、請求項３記載の
導波路型光デバイスで、（イ）光導波路素子と光学的に
結合するファイバアレイと、（ロ）光導波路素子の導波
路側に配置され、ファイバアレイの接着強度を補強する
ヤトイガラスを備え、第１の基板の厚さはヤトイガラス
と同等かこれよりも薄いことを特徴としている。
【００１７】すなわち請求項６記載の発明では、請求項
３記載の導波路型光デバイスが光導波路素子の導波路側
に第１の基板を配置したことでデバイスの全体的な厚さ
が増加する可能性が生じるが、ファイバアレイの接着強
度を補強するヤトイガラスが導波路側に存在するので、
第１の基板の厚さをヤトイガラスと同等かこれよりも薄
くすることにして、全体的な厚さの増大を防止してい
る。
【００１８】請求項７記載の発明では、請求項１記載の
導波路型光デバイスで、支持基板と温度調整装置はこれ
らの厚さがほぼ等しいことを特徴としている。
【００１９】すなわち請求項７記載の発明では、支持基
板と温度調整装置はこれらの厚さをほぼ等しくすること
で、導波路素子の基板側に必須の温度調整装置を導波路
型光デバイスに使用した際の全体的な厚さと実質的に変
わらない厚さで、導波路型光デバイスを作製できるよう
にしている。
【００２０】請求項８記載の発明では、請求項３記載の
導波路型光デバイスで、第２の基板と温度調整装置はこ
れらの厚さがほぼ等しいことを特徴としている。
【００２１】すなわち請求項８記載の発明では、請求項
１記載の導波路型光デバイスと同様に、光導波路素子の
基板側に必須の温度調整装置を導波路型光デバイスに使
用した際の全体的な厚さと実質的に変わらない厚さで、
導波路型光デバイスを作製できるようにしている。
【００２２】請求項９記載の発明では、請求項３記載の
導波路型光デバイスで、第１および第２の基板はそれら
の厚さおよび線膨張係数が互いに等しいものであること
を特徴としている。
【００２３】すなわち請求項９記載の発明では、光導波
路素子の両側に接着する第１および第２の基板の最も簡
単な選択基準を表わしている。これら第１および第２の
基板として全く同じものであって、光導波路素子の線膨
張係数よりも線膨張係数の大きなものを使用すれば、光
導波路素子に反りが殆ど生じなければ同様に反りが殆ど
生じることはなく、光導波路素子の伸縮率のみを増加さ
せることができる。しかも、第１および第２の基板を共
通化することができるので、コストダウンと部品管理の
容易さを実現することができる。
【００２４】請求項１０記載の発明では、（イ）光導波
路素子を製造する素子製造ステップと、（ロ）製造され
た光導波路素子の中心波長が所定の温度範囲の温度制御
で所望の値に設定されるか否かを判定する判定ステップ
と、（ハ）この判定ステップで所望の値に設定されると
判定されなかった光導波路素子に対してその基板側にそ
の基板自体の線膨張係数よりも大きな所定の線膨張係数
の支持基板を接着する接着ステップとを導波路型光デバ
イスの製造方法に具備させる。
【００２５】すなわち請求項１０記載の発明では、請求
項１記載の発明による導波路型光デバイスを製造する方
法を示している。まず、素子製造ステップで光導波路素
子を製造し、これら製造された光導波路素子を判定ステ
ップで、それぞれの光導波路素子の中心波長が所定の温
度範囲の温度制御で所望の値に設定されるか否かを判定
する。従来ではこの判定ステップで中心波長が所望の値
に設定できないとされたものを不良品として廃棄するし
かなかったが、本発明ではこの判定ステップで所望の値
に設定されると判定されなかった光導波路素子に対し
て、接着ステップでその基板側にその基板自体の線膨張
係数よりも大きな所定の線膨張係数の支持基板を接着す
ることにして、これらも導波路型光デバイスとして使用
できるようにしている。
【００２６】請求項１１記載の発明では、（イ）光導波
路素子を製造する素子製造ステップと、（ロ）この素子
製造ステップで製造された光導波路素子に対してその基
板側にその基板自体の線膨張係数よりも大きな所定の線
膨張係数の支持基板を接着する接着ステップとを導波路
型光デバイスの製造方法に具備させる。
【００２７】すなわち請求項１１記載の発明では、請求
項１記載の発明による導波路型光デバイスを製造する他
の方法を示している。まず、素子製造ステップで光導波
路素子を製造し、これら製造された光導波路素子に対し
て、接着ステップでその基板側にその基板自体の線膨張
係数よりも大きな所定の線膨張係数の支持基板を接着す
ることにして、これらも導波路型光デバイスとして使用
できるようにしている。請求項１０記載の発明との違い
は、光導波路素子の基板側にその基板自体の線膨張係数
よりも大きな所定の線膨張係数の支持基板を無条件で接
着するようにしていることである。これにより、製造プ
ロセスが簡略化される。
【００２８】請求項１２記載の発明では、請求項１０ま
たは請求項１１記載の導波路型光デバイスの製造方法
で、接着ステップで接着に使用する接着剤は硬化時の剛
性が高いものであることを特徴としている。
【００２９】すなわち請求項１２記載の発明では、支持
基板の伸縮を光導波路素子側に効率的に伝えるように、
両者を接着する接着剤に剛性の高いものを使用すること
にしている。
【００３０】請求項１３記載の発明では、（イ）光導波
路素子を製造する素子製造ステップと、（ロ）製造され
た光導波路素子の中心波長が所定の温度範囲の温度制御
で所望の値に設定されるか否かを判定する判定ステップ
と、（ハ）この判定ステップで所望の値に設定されると
判定されなかった光導波路素子に対してその導波路側に
その基板自体の線膨張係数よりも大きな線膨張係数の第
１の基板を接着する第１の基板接着ステップと、（ニ）
判定ステップで所望の値に設定されると判定されなかっ
た光導波路素子に対してその基板側に光導波路素子の基
板自体の線膨張係数よりも大きな線膨張係数の第２の基
板を接着する第２の基板接着ステップとを導波路型光デ
バイスの製造方法に具備させる。
【００３１】すなわち請求項１３記載の発明では、請求
項３記載の発明による導波路型光デバイスを製造する方
法を示している。まず、素子製造ステップで光導波路素
子を製造し、これら製造された光導波路素子を判定ステ
ップで、それぞれの光導波路素子の中心波長が所定の温
度範囲の温度制御で所望の値に設定されるか否かを判定
する。従来ではこの判定ステップで中心波長が所望の値
に設定できないとされたものを不良品として廃棄するし
かなかったが、本発明ではこの判定ステップで所望の値
に設定されると判定されなかった光導波路素子に対し
て、第１の基板接着ステップで、その導波路側にその基
板自体の線膨張係数よりも大きな線膨張係数の第１の基
板を接着するようにしている。また、判定ステップで所
望の値に設定されると判定されなかった光導波路素子に
対しては第２の基板接着ステップで、その基板側に光導
波路素子の基板自体の線膨張係数よりも大きな線膨張係
数の第２の基板を接着するようにしている。これより、
これら第１および第２の基板を接着した導波路型光デバ
イスも他の導波路型光デバイスと同様に使用できるよう
になる。
【００３２】請求項１４記載の発明では、（イ）光導波
路素子を製造する素子製造ステップと、（ロ）この素子
製造ステップで製造された光導波路素子に対してその導
波路側にその基板自体の線膨張係数よりも大きな線膨張
係数の第１の基板を接着する第１の基板接着ステップ
と、（ハ）素子製造ステップで製造された光導波路素子
に対してその基板側に光導波路素子の基板自体の線膨張
係数よりも大きな線膨張係数の第２の基板を接着する第
２の基板接着ステップとを導波路型光デバイスの製造方
法に具備させる。
【００３３】すなわち請求項１４記載の発明では、請求
項３記載の発明による導波路型光デバイスを製造する方
法を示している。まず、素子製造ステップで光導波路素
子を製造し、第１の基板接着ステップで、その導波路側
にその基板自体の線膨張係数よりも大きな線膨張係数の
第１の基板を接着するようにしている。また、素子製造
ステップで製造された光導波路素子に対しては第２の基
板接着ステップで、その基板側に光導波路素子の基板自
体の線膨張係数よりも大きな線膨張係数の第２の基板を
接着するようにしている。これにより、これら第１およ
び第２の基板を接着した導波路型光デバイスも他の導波
路型光デバイスと同様に使用できるようになる。なお、
第１の基板接着ステップと第２の基板接着ステップはど
ちらが先に行われてもよく、場合によっては同時に行わ
れてもよい。
【００３４】請求項１５記載の発明では、請求項１３ま
たは請求項１４記載の導波路型光デバイスの製造方法
で、第１および第２の基板はそれらの厚さおよび線膨張
係数が互いに等しいものであることを特徴としている。
【００３５】すなわち請求項１５記載の発明では、導波
路素子の両側に接着する第１および第２の基板の最も簡
単な選択手法を表わしている。これら第１および第２の
基板として全く同じものであって、光導波路素子の線膨
張係数よりも線膨張係数の大きなものを使用すれば、光
導波路素子に反りが殆ど生じなければ同様に反りが殆ど
生じることはなく、導波路素子の伸縮率のみを増加させ
ることができる。しかも、第１および第２の基板を共通
化することができるので、コストダウンと部品管理の容
易さを実現することができる。
【００３６】請求項１６記載の発明では、（イ）光導波
路素子を製造する素子製造ステップと、（ロ）製造され
た光導波路素子の中心波長が所望の値に設定される温度
を測定する理想温度測定ステップと、（ハ）この理想温
度測定ステップで測定した温度に応じて、光導波路素子
の基板側に接着する支持基板の線膨張係数を光導波路素
子の基板よりもどれだけ大きなものとするかを選択する
支持基板線膨張係数選択手段と、（ニ）この支持基板線
膨張係数選択手段で選択した線膨張係数の支持基板を光
導波路素子の基板側に接着する接着ステップとを導波路
型光デバイスの製造方法に具備させる。
【００３７】すなわち請求項１６記載の発明では、素子
製造ステップで光導波路素子を製造した後、理想温度測
定ステップで、製造された光導波路素子の中心波長が所
望の値に設定される温度を測定するようにしている。そ
して、この測定した温度に応じて、光導波路素子の基板
側に接着する支持基板の線膨張係数を光導波路素子の基
板よりもどれだけ大きなものとするかを支持基板線膨張
係数選択手段によって選択する。したがって、線膨張係
数の異なる支持基板を複数用意しておいて最も適切な支
持基板を選択することができる。
【００３８】請求項１７記載の発明では、（イ）光導波
路素子を製造する素子製造ステップと、（ロ）製造され
た光導波路素子の中心波長が所望の値に設定される温度
を測定する理想温度測定ステップと、（ハ）この理想温
度測定ステップで測定した温度に応じて、光導波路素子
の導波路側に接着する第１の基板と基板側に接着する第
２の基板の双方の線膨張係数を光導波路素子の基板より
もどれだけ大きなものとするかを選択する第１および第
２の基板線膨張係数選択手段と、（ニ）この第１および
第２の基板線膨張係数選択手段で選択した線膨張係数の
第１および第２の基板を光導波路素子の対応する部位に
接着する接着ステップとを導波路型光デバイスの製造方
法に具備させる。
【００３９】すなわち請求項１７記載の発明では、素子
製造ステップで光導波路素子を製造した後、理想温度測
定ステップで、製造された光導波路素子の中心波長が所
望の値に設定される温度を測定するようにしている。そ
して、この測定した温度に応じて、光導波路素子の導波
路側に接着する第１の基板と基板側に接着する第２の基
板の双方の線膨張係数を光導波路素子の基板よりもどれ
だけ大きなものとするかを選択し、第１および第２の基
板線膨張係数選択手段で選択した線膨張係数の第１およ
び第２の基板を光導波路素子の対応する部位に接着す
る。したがって、線膨張係数の異なる第１および第２の
基板を複数用意しておいて最も適切な支持基板を選択す
ることができる。
【００４０】次に本発明の原理的な構成を説明する。
【００４１】図１は本発明を適用する導波路型光デバイ
スとしてのアレイ導波路回折格子を表わしたものであ
る。このアレイ導波路回折格子２０１は、光導波路パタ
ーン２０２が形成された導波路素子２０３と、これを両
面から挟むように配置された第１および第２の補正基板
２０４、２０５から構成されている。
【００４２】ところで一般に光導波路の中心波長温度依
存性は、一般に次の（１）式で表わすことができる。
【００４３】
【数１】
【００４４】ここで符号λ0は中心波長であり、符号ｎ
eqは光導波路の等価屈折率を示している。また、１／Ｌ
・ｄＳ／ｄＴは光路長温度係数である。光路長温度係数
は次の（２）式で表わすことができる。
【００４５】
【数２】
【００４６】この（２）式で、符号αは光導波路の線膨
張係数を示している。線膨張係数αは一般に基板材料の
線膨張係数で近似することができる。これら（１）式お
よび（２）式より、基板の線膨張係数を調節すること
で、導波路型光デバイスの中心波長の温度依存性を変え
ることが可能であることが分かる。
【００４７】図２は、本発明を適用するアレイ導波路回
折格子の断面構造を表わしたものである。アレイ導波路
回折格子２０１は、光導波路層２１１をシリコン基板２
１２上に形成した所定の厚さｈ0を有する平板状の導波
路素子２０３と、その光導波路層２１１側に接着された
厚さｈ1の第１の補正基板２０４と、シリコン基板２１
２側に接着された厚さｈ4の第２の補正基板２０５から
構成されている。導波路素子２０３は、厚さｈ2の光導
波路層２１１と、厚さｈ3のシリコン基板２１２によっ
て構成されている。また、光導波路層２１１と第１の補
正基板２０４は第１の接着剤２１４によって接着されて
おり、シリコン基板２１２と第２の補正基板２０５の間
は第２の接着剤２１５によって接着されている。
【００４８】これら第１および第２の接着剤２１４、２
１５には、従来、シリコン基板２１２と他の基板を接着
した接着剤と異なり、剛性の高い接着剤が使用されてい
る。従来では、線膨張係数の異なる基板間で温度変化に
伴う伸縮の違いを他方の基板になるべく及ぼさないよう
な配慮で、剛性が低くある程度伸縮する材料を接着剤と
して使用していた。本発明では一方の基板の伸縮の影響
が他方の基板に効果的に及ぶように、全く逆の観点から
接着剤を使用する。
【００４９】アレイ導波路回折格子２０１のそれぞれの
層の線膨張係数とヤング率を次のように規定する。図で
一番上の第１の補正基板２０４の線膨張係数をα1と
し、ヤング率をＥ1とする。光導波路素子の光導波路層
２１１の線膨張係数をα2とし、ヤング率をＥ2とする。
光導波路素子の導波路基板２１２の線膨張係数をα3と
し、ヤング率をＥ3とする。第２の補正基板２０５の線
膨張係数をα4とし、ヤング率をＥ4とする。一般に光導
波路素子の光導波路層２１１は、他の部分としての第１
の補正基板２０４、シリコン基板２１２および第２の補
正基板２０５よりも厚さが非常に薄い。すなわち、各厚
さｈ1、ｈ2、ｈ3およびｈ4は次の関係にある。
【００５０】ｈ2≪ｈ1、ｈ3、ｈ4
【００５１】ここで、線膨張計数αは、その物質単体に
おける熱による伸縮の度合いを示すものであり、両端が
開放されている場合を前提としている。応力は、ヤング
率に歪量を掛け合わせた数値として表わすことができ
る。ヤング率が大きいほど、膨張、縮小による引張り圧
力が強くなる。また、各基板等の厚さｈ1〜ｈ4が厚いほ
ど、これらの膨張あるいは収縮時に他の基板等を引っ張
ったり圧縮する力が強くなる。
【００５２】今、図２に示した光導波路素子２０３を第
１および第２の補正基板２０４、２０５で上下に挟んだ
構造を解析する前に、まず導波路素子２０３が単独に存
在する場合、すなわち第１および第２の補正基板２０
４、２０５が存在しない構造について考察する。導波路
素子２０３は、前記したように光導波路層２１１をシリ
コン基板２１２上に形成したものである。このように２
つの層の貼り合わされた状態の基板を本明細書では「２
層組み合せはり」と称することにする。
【００５３】図３は、導波路素子の温度が上昇して導波
路方向に伸びる場合の変化の前後を示したものである。
同図（ａ）は伸びが生じる前の状態を表わしており、同
図（ｂ）は伸びが生じた状態を表わしている。この図で
符号２３１が導波路の位置を示しており、光導波路層２
１１内を矢印２３２方向に配置されている。光導波路層
２１１とシリコン基板２１２の線膨張係数α1、α2が異
なるので、温度が変化すると図３（ｂ）に示すように導
波路素子２０３の全体に反りが発生する。
【００５４】図４は、このような反りが発生することに
よるＴＥ偏光とＴＭ偏光のそれぞれの波長の変位につい
て表わしたものである。同図（ａ）ではＴＥ偏光の特性
曲線２４１とＴＭ偏光の特性曲線２４２がほぼ一致して
いるが、反りの発生によって同図（ｂ）のようにこれら
の特性曲線２４１、２４２が相違してくる。このような
温度依存性を回避あるいは軽減するためにも、一般には
温度の上昇に伴う反りの発生を防止あるいは軽減する必
要がある。
【００５５】さて、導波路素子２０３のシリコン基板２
１２の上に光導波路層２１１が形成されているという上
下関係を考えたとき、「２層組み合せはり」は、温度上
昇時に凹形に反る形態と、この逆に凸形に反る場合の２
つの場合が存在する。もちろん、温度上昇時に凹形に反
る形態の場合には温度下降時に凸形に反ることになり、
温度上昇時に凸形に反る形態の場合には温度下降時に凹
形に反ることになる。そこで、「２層組み合せはり」を
反りについての各形態に場合分けしてみることにする。
【００５６】（１）温度上昇時に「２層組み合せはり」
が凹形に反る場合 この場合とは、図２において線膨張係数α2よりも線膨
張係数α3の方が大きい場合である。次の（３−１−
１）式のようになる。 α2＜α3 （ただしα2＞０）……（３−１−１）
【００５７】（２）温度上昇時に「２層組み合せはり」
が凸形に反る場合 この場合とは、図２において線膨張係数α3よりも線膨
張係数α2の方が大きい場合である。次の（３−２−
１）式のようになる。 α2＞α3 （ただしα3＞０） ……（３−２−１） （３）温度上昇時に「２層組み合せはり」自体は反らな
い場合。 この場合とは、図２において線膨張係数α3と線膨張係
数α2が等しい場合である。次の（３−３−１）式のよ
うになる。 α2＝α3 ……（３−３−１）
【００５８】次に、以上説明した「２層組み合せはり」
に図２に示したように第１の補正基板２０４と第２の補
正基板２０５を上下に挟み込んだ場合を考える。ここで
は、導波路型光デバイスの温度依存性が拡大される場合
を考える。同様に各形態に場合分けしてみる。
【００５９】（４）温度上昇時に「２層組み合せはり」
が凹形に反る（温度下降時には凸形に反る）場合 「２層組み合せはり」は、次の（３−４−１）式の条件
で温度上昇時に凹形に反る。 α2＜α3 （ただしα2＞０） ……（３−４−１） この光導波路素子２０３の伸びおよび反りを減少させる
ために第１の補正基板２０４と第２の補正基板２０５を
図２に示すように配置した場合、第１の補正基板２０４
の線膨張係数が第２の補正基板２０５の線膨張係数より
も大きければ良い｛（３−４−３）式｝。つまり、光導
波路素子２０３の反りと逆になるように第１および第２
の基板の線膨張係数を設定する。さらに、光導波路素子
全体の線膨張係数を拡大するためにはα1およびα4は共
にα3よりも大きな値である必要がある｛式（３−４−
４）｝。 α1＞α4 ……（３−４−３） α1、α4＞α3 ……（３−４−４）
【００６０】次に、補正基板の他の材料特性について考
慮すると、下記式に示すように、ヤング率Ｅは大きいほ
ど剛性が高く、応力に対する歪みが小さく、基板の厚さ
ｈも大きいほど、歪みが小さくなる。そのため、（３−
４−３）式、（３−４−４）式が成り立たない場合にお
いても、次の（３−４−５）式あるいは（３−４−６）
式が成立することで光導波路素子２０３が温度上昇で受
ける反りを減少させることができる。なお、（３−４−
３）、（３−４−４）、（３−４−５）、（３−４−
６）式を全て満たす場合、効果は最も大きくなるが、そ
れぞれの不等号の差を大きくすれば、満たす式の数が少
なくても、反りを減少させる効果を十分に得ることがで
きる。 ε＝σ／Ｅ ε：歪み、σ：曲げ応力、Ｅ：ヤング率 σ＝Ｍ／Ｚ Ｍ：曲げモーメント、Ｚ：断面係数 Ｚ＝１／６ｂｈ2 ｂ：基板の断面長さ、ｈ：基板の断面厚さ Ｅ4＜Ｅ1 （ただしＥ2、Ｅ3＜Ｅ1）……（３−４−５） ｈ4＜ｈ1 （ただしｈ2、ｈ3＜ｈ1）……（３−４−６）
【００６１】（５）温度上昇時に「２層組み合せはり」
が凸形に反る（温度下降時には凹形に反る）場合 「２層組み合せはり」は、次の（３−５−１）式の条件
で温度上昇時に凸形に反る。 α2＞α3 （ただしα3＞０） ……（３−５−１） この光導波路素子２０３の伸びおよび反りを減少させる
ために第１の補正基板２０４と第２の補正基板２０５を
図２に示すように配置した場合、第１の補正基板２０４
の線膨張係数が第２の補正基板２０５の線膨張係数より
も大きければ良い｛（３−５−３）式｝。つまり、光導
波路素子２０３の反りと逆になるように第１および第２
の基板の線膨張係数を設定する。さらに、光導波路素子
全体の線膨張係数を拡大するためにはα1およびα4は共
にα3よりも大きな値である必要がある｛式（３−５−
４）｝。 α1＞α4 ……（３−５−３） α1、α4＞α3 ……（３−５−４）
【００６２】補正基板の他の材料については、先の
（４）と同様の考え方を当て嵌めることができる。そこ
でこの説明は省略する。
【００６３】（６）温度変化で「２層組み合せはり」自
体が反らない場合。「２層組み合せはり」を構成する導
波路素子２０３に反りが生じなくても、これを支持する
ために導波路基板２１２側に図２に示した第２の補正基
板２０５を固着すると、その線膨張係数α4が線膨張係
数α2、α3と等しくない限り、これら全体は凸形あるい
は凹形に反る力が働く。これを防止するためには第２の
補正基板２０５の線膨張係数α4と等しい線膨張係数α1
の第１の補正基板２０４を光導波路層２１１側に固着す
る必要がある。
【００６４】次に本発明の導波路型光デバイスの一例に
ついて具体的な値を算出してみる。
【００６５】算出の前提とする光導波路を図２に示した
アレイ導波路回折格子２０１とする。このアレイ導波路
回折格子２０１における光導波路素子２０３の厚さｈ0
をｔ1、線膨張係数をα0とする。また、第１および第２
の補正基板２０４、２０５の厚さｈ1、ｈ4をそれぞれ等
しい値ｔ2とし、これらの線膨張係数を共に等しい値α1
とする。さらに説明を簡単にするために、各層のヤング
率も等しいと仮定する。この場合のアレイ導波路回折格
子２０１全体の線膨張係数αallは次の（４）式で表わ
すことができる。
【００６６】
【数３】
【００６７】先に（１）式で中心波長λ0を設定し、こ
れを（２）式に代入して線膨張係数αに換算し、その値
および（４）式から、それぞれの基板２０３、２０４
（２０５）の線膨張係数α0、α1および厚さｔ1、ｔ2を
決定すればよい。一例としてこのアレイ導波路回折格子
２０１がＳｉ基板上に形成された石英系の光導波路素子
である場合についてこれらの値を算出する。
【００６８】光導波路素子２０３としてのＳｉ基板の厚
さを０．８ｍｍとし、その線膨張係数をα0を２６．３
×１０-7／°Ｃとする。また、（２）式におけるｄｎeq
／ｄＴを６．０×１０-6とし、等価屈折率ｎeqを１．４
６とする。また、中心波長λ 0を１．５５μｍとする。
この例の場合、従来の石英系の光導波路素子の２倍の
０．０２２ｎｍ／°Ｃに設定するものとする。（１）式
から次の（５）式が成立する。
【００６９】
【数４】
【００７０】これを（２）式に代入すると、次の（６）
式が得られる。 α＝９３．７×１０-7 （６）
【００７１】上下に接着する第１および第２の補正基板
２０４、２０５の厚さｔ2を１．５ｍｍとする。これら
の線膨張係数α1と、（５）式より、次の（７）式が得
られる。 α1＝１１１．７×１０-7 （７）
【００７２】したがって、このような線膨張係数α1を
持つ材料を第１および第２の補正基板２０４、２０５と
して使用すればよいことになる。
【００７３】
【発明の実施の形態】
【００７４】
【実施例】次に実施例としての光導波路とこれを用いた
導波路型光デバイスおよび導波路型光デバイスの製造方
法について説明する。まず、光導波路の一例として図１
に示した構成のアレイ導波路回折格子を作製した。前提
として図２で示したと同様にアレイ導波路回折格子２０
１における光導波路素子２０３の厚さをｈ0、線膨張係
数をα0とする。また、第１および第２の補正基板２０
４、２０５の厚さｈ1、ｈ4をそれぞれ等しい値ｔ1と
し、これらの線膨張係数を共に等しい値α1とする。第
１および第２の補正基板２０４、２０５としては、ガラ
スセラミックを使用して温度依存性変化ＡＷＧ（アレイ
導波路回折格子）を製作した。第１および第２の補正基
板２０４、２０５の線膨張係数α1は、共に１３０×１
０-7／°Ｃであり、その厚さｔ2は１ｍｍである。ま
た、光導波路素子２０３の線膨張係数α0は、２６．３
×１０-7／°Ｃであり、その厚さｔ1は０．８ｍｍであ
る。
【００７５】（４）式を使用すると、アレイ導波路回折
格子２０１全体の線膨張係数αallは１００．３７×１
０-7／°Ｃとなる。これを（１）式および（２）式に代
入して中心波長温度特性を求めることができる。
【００７６】このような本実施例のアレイ導波路回折格
子２０１では、第１および第２の基板２０４、２０５の
影響でその温度依存性がこれらの基板２０４、２０５が
存在しない場合よりも増加している。したがって、第１
の基板２０４あるいは第２の基板２０４、２０５に温度
調整装置を付加して温度を調整することで、アレイ導波
路回折格子２０１としての中心波長を所望の範囲に設定
することができる。しかも、本実施例の場合には第１お
よび第２の基板２０４、２０５を使用することで、アレ
イ導波路回折格子２０１全体としての温度に対する反り
の影響を減少させることができる。
【００７７】図５は、本実施例におけるアレイ導波路回
折格子の製造工程の概要を表わしたものである。まず図
１に示した導波路素子２０３を図示しないウェハを用い
て製造する（ステップＳ５０１）。次にその導波路素子
２０３がその基板側に取り付けられる図示しない温度調
整装置の使用温度範囲で、中心波長が予め定めた所望の
範囲内に設定可能であるかどうかの測定を行う（ステッ
プＳ５０２）。たとえば、温度調節装置の温度範囲は７
５〜８５゜Ｃの範囲で設定可能である。これらの温度範
囲に設定可能な導波路素子２０３については（ステップ
Ｓ５０３：Ｙ）、従来と同様にこの基板側に通常の基板
を接着して（ステップＳ５０４）、アレイ導波路回折格
子とする。
【００７８】中心波長が予め定めた所望の範囲内に設定
できなかったものについては（ステップＳ５０３：
Ｎ）、従来ではその導波路素子２０３自体を廃棄してい
た。本実施例では導波路素子２０３の導波路側に通常の
基板よりも線膨張係数の大きな所定の第１の補正基板２
０４を、剛性の高い接着剤で接着する（ステップＳ５０
５）。続いて、導波路素子２０３の基板側に通常の基板
よりも線膨張係数の大きな所定の第２の補正基板２０５
を、同じく剛性の高い接着剤で接着する（ステップＳ５
０６）。このようにして作製されたアレイ導波路回折格
子２０１は、温度調整装置の使用温度範囲で中心波長を
所望の値に設定することができるので、同様に製品とし
て出荷することができる。
【００７９】なお、この製造工程でステップＳ５０５と
ステップＳ５０６の工程は順序が逆になってもよいし、
同時に接着を行うようにしてもよい。
【００８０】本発明の第１の変形例
【００８１】図６は、アレイ導波路回折格子の製造工程
の第１の変形例を示したものである。この変形例で図５
と同一の工程は同一のステップ番号を付しており、これ
らの説明を適宜省略する。
【００８２】この第１の変形例では、ステップＳ５０３
で中心波長が予め定めた所望の範囲内に設定できなかっ
た導波路素子２０３に対して、その基板側のみに線膨張
係数の大きな所定の補正基板を接着することにしている
（ステップＳ５１１）。これによっても、図示しない温
度調整装置の使用温度範囲で中心波長を所望の値に設定
することができる。
【００８３】本発明の第２の変形例
【００８４】図７は、アレイ導波路回折格子の製造工程
の第２の変形例を示したものである。この変形例で図５
と同一の工程は同一のステップ番号を付しており、これ
らの説明を適宜省略する。
【００８５】この第２の変形例では、図１に示した導波
路素子２０３を図示しないウェハを用いて製造（ステッ
プＳ５０１）した後は、直ちにステップＳ５０５に進ん
で、導波路素子２０３の導波路側に通常の基板よりも線
膨張係数の大きな所定の第１の補正基板２０４を、剛性
の高い接着剤で接着する。そして、続いて、導波路素子
２０３の基板側に通常の基板よりも線膨張係数の大きな
所定の第２の補正基板２０５を、同じく剛性の高い接着
剤で接着する（ステップＳ５０６）。先の実施例と同様
にこれらステップＳ５０５およびステップＳ５０６の工
程が逆であっても、あるいは同時であっても構わない。
【００８６】このように第２の変形例では、製造される
個々の導波路素子２０３の特性の触れる最大範囲をカバ
ーするように第１および第２の補正基板２０４、２０５
を選択することで、いきなり温度調整装置を使用しても
中心波長が所望の値になるようにしている。この場合に
は、すべての導波路素子２０３に対して第１および第２
の補正基板２０４、２０５を配置することになるが、製
造工程が画一化し、かつ導波路素子２０３の両面に補正
基板２０４、２０５が配置されるので、アレイ導波路回
折格子２０１が破損しにくく取り扱いやすくなるという
利点も生じる。
【００８７】本発明の第３の変形例
【００８８】図８は、アレイ導波路回折格子の製造工程
の第３の変形例を示したものである。この変形例で図５
と同一の工程は同一のステップ番号を付している。
【００８９】この第３の変形例では、導波路素子２０３
を図示しないウェハを用いて製造（ステップＳ５０１）
した後に、これについて中心波長が所望の値に設定され
る温度を測定する（ステップＳ５２１）。そしてこの温
度に基づいて、予め用意した各種の線膨張係数の補正基
板の中から所望の線膨張係数の補正基板を選択する（ス
テップＳ５２２）。そして導波路素子２０３の基板側に
この補正基板を剛性の高い接着剤で接着することになる
（ステップＳ５２３）。
【００９０】本発明の第４の変形例
【００９１】図９は、アレイ導波路回折格子の製造工程
の第４の変形例を示したものである。この変形例で図８
と同一の工程は同一のステップ番号を付しており、これ
らの説明を適宜省略する。
【００９２】この第４の変形例ではステップＳ５２１の
測定を行った後、この温度に対応した線膨張係数の１お
よび第２の補正基板２０４、２０５の組を選択する（ス
テップＳ５３１）。そして、導波路素子２０３の導波路
側に、選択した第１の補正基板２０４を剛性の高い接着
剤で接着し（ステップＳ５３２）、続いて導波路素子２
０３の基板側に、選択した第２の補正基板２０５を剛性
の高い接着剤で接着する（ステップＳ５３３）。ステッ
プＳ５３２およびステップＳ５３３の工程はこれと逆で
あってもよいし、同一工程であってもよいことは当然で
ある。
【００９３】なお、実施例および変形例ではアレイ導波
路回折格子２０１、４０１について説明したが、これ以
外の導波路素子としてたとえばマッハツェンダ干渉計に
対しても本発明を適用することができることは当然であ
る。
【００９４】
【発明の効果】以上説明したように請求項１または請求
項２記載の発明によれば、平板状の光導波路素子の基板
側にその線膨張係数よりも線膨張係数が大きな支持基板
を配置し、この支持基板に組み込まれた温度調整装置で
支持基板および光導波路素子の温度を制御するようにし
たので、支持基板は光導波路素子の線膨張率が実質的に
増加するように光導波路素子を伸縮させる。したがっ
て、支持基板の線膨張係数を吟味するだけで所望の中心
波長を得ることのできる導波路型光デバイスの割合が増
加し、歩留まりを向上させることが可能になる。
【００９５】また請求項３記載〜請求項９記載の発明に
よれば、平板状の光導波路素子をこれよりも線膨張係数
の大きな第１および第２の基板で挟み込むように配置し
たので、光導波路素子の線膨張率を実質的に増加させ、
製品の歩留まりを向上させることが可能になる。また、
光導波路素子を第１および第２の基板で挟み込むので、
機械的な耐衝撃性が増大する。更にこれら第１および第
２の基板の線膨張係数を適切に設定すれば導波路型光デ
バイス自体の温度による反りを防止あるいは減少させる
ことができ、中心波長の温度特性以外には特性に影響を
与えることがない。
【００９６】更に請求項６記載の発明によれば、第１の
基板の厚さをヤトイガラスと同等かこれよりも薄くする
ことにして、全体的な厚さの増大を防止することができ
る。
【００９７】また請求項７記載の発明によれば、支持基
板と温度調整装置はこれらの厚さがほぼ等しいので、導
波路型光デバイス自体の厚さの増大を防止することがで
きる。
【００９８】更に請求項８記載の発明によれば、第２の
基板と温度調整装置はこれらの厚さがほぼ等しい等しい
ので、導波路型光デバイス自体の厚さの増大を防止する
ことができる。
【００９９】また請求項９記載の発明によれば、請求項
３記載の導波路型光デバイスで、第１および第２の基板
はそれらの厚さおよび線膨張係数が互いに等しいので、
これらの部品を共通化することができ、コストダウンと
部品管理の容易さを実現することができる。
【０１００】更に請求項１０あるいは請求項１２記載の
発明によれば、光導波路素子を通常通り製造し、判定ス
テップで規格外とされる光導波路素子については、基板
の接着を行う通常の工程に光導波路素子の基板の線膨張
係数よりも大きな所定の線膨張係数の支持基板を接着す
ることにしたので、製造工程に対する影響が少なくしか
も不良品の発生を極力排除することができる。
【０１０１】また、請求項１１あるいは請求項１２記載
の発明によれば、光導波路素子を通常通り製造し、この
後、判定ステップを経ることなく、光導波路素子の基板
の線膨張係数よりも大きな所定の線膨張係数の支持基板
を光導波路素子の基板側に接着することにした。これに
より、製造のための工程を減らすことができ、しかも線
膨張係数の実質的な増大によって従来不良品とされなか
った素子についても、より少ない温度変化で所望の中心
波長に設定することができる。
【０１０２】更に請求項１３記載の発明によれば、光導
波路素子を通常通り製造し、判定ステップで規格外とさ
れる光導波路素子については、基板の接着を行う通常の
工程に光導波路素子の基板の線膨張係数よりも大きな所
定の線膨張係数の第１および第２の基板を接着すること
にしたので、製造工程に対する影響が少なくしかも不良
品の発生を極力排除することができる。
【０１０３】また請求項１４記載の発明によれば、光導
波路素子を通常通り製造し、その後に線膨張係数のより
大きな第１の基板と第２の基板をこれに接着するように
したので、製造工程に対する影響が少なくしかも不良品
の発生を極力排除することができる。また、光導波路素
子を挟むようにして第１および第２の基板を接着するの
で、機械的な耐衝撃性を高めることができる。
【０１０４】更に請求項１５記載の発明よれば、請求項
１３または請求項１４記載の導波路型光デバイスの製造
方法で、第１および第２の基板はそれらの厚さおよび線
膨張係数が互いに等しいので、第１および第２の基板を
共通化することができ、コストダウンと部品管理の容易
さを実現することができる。
【０１０５】また請求項１６記載の発明によれば、素子
製造ステップで光導波路素子を製造した後、理想温度測
定ステップで、製造された光導波路素子の中心波長が所
望の値に設定される温度を測定し、この測定した温度に
応じて、光導波路素子の基板側に接着する支持基板の線
膨張係数を光導波路素子の基板よりもどれだけ大きなも
のとするかを支持基板線膨張係数選択手段によって選択
するので、消費電力等の各種観点から最も適切な支持基
板を選択することができる。
【０１０６】更に請求項１７記載の発明によれば、素子
製造ステップで光導波路素子を製造した後、理想温度測
定ステップで、製造された光導波路素子の中心波長が所
望の値に設定される温度を測定し、この測定した温度に
応じて、光導波路素子の導波路側に接着する第１の基板
と基板側に接着する第２の基板の双方の線膨張係数を光
導波路素子の基板よりもどれだけ大きなものとするかを
選択し、第１および第２の基板線膨張係数選択手段で選
択した線膨張係数の第１および第２の基板を光導波路素
子の対応する部位に接着するので、線膨張係数の異なる
第１および第２の基板を複数用意しておいて消費電力等
の各種観点から最も適切な支持基板を選択することがで
きる。しかも第１および第２の基板を接着するので、機
械的な耐衝撃性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光導波路の一例としてのアレイ導波路
回折格子の斜視図である。
【図２】本発明のアレイ導波路回折格子の断面の一例を
示した断面図である。
【図３】導波路素子の温度が上昇して導波路方向に伸び
る場合の変化の前後を示した斜視図である。
【図４】反りによる波長の変化と中心波長の変位を、Ｔ
Ｅ偏光とＴＭ偏光のそれぞれについて表わした特性図で
ある。
【図５】本実施例におけるアレイ導波路回折格子の製造
工程の概要を表わした流れ図である。
【図６】本発明の第１の変形例におけるアレイ導波路回
折格子の製造工程の概要を表わした流れ図である。
【図７】本発明の第２の変形例におけるアレイ導波路回
折格子の製造工程の概要を表わした流れ図である。
【図８】本発明の第３の変形例におけるアレイ導波路回
折格子の製造工程の概要を表わした流れ図である。
【図９】本発明の第４の変形例におけるアレイ導波路回
折格子の製造工程の概要を表わした流れ図である。
【符号の説明】
２０１、４０１ アレイ導波路回折格子（導波路型光デ
バイス） ２０３ 導波路素子 ２０４、４０２ 第１の補正基板 ２０５ 第２の補正基板 ２１１ 光導波路層 ２１２ シリコン基板 ２１４ 第１の接着剤 ２１５ 第２の接着剤 α 線膨張係数 Ｅ ヤング率 ｈ 厚さ

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平板状の光導波路素子と、 この光導波路素子の基板側に配置され、その基板の線膨
    張係数よりも大きな所定の線膨張係数を有する支持基板
    と、 この支持基板に組み込まれ、前記光導波路素子の温度を
    制御する温度調整装置とを具備することを特徴とする導
    波路型光デバイス。
  2. 【請求項２】 前記光導波路素子を構成する基板と前記
    支持基板を接着する接着剤は剛性の高いものが使用され
    ていることを特徴とする請求項１記載の導波路型光デバ
    イス。
  3. 【請求項３】 平板状の光導波路素子と、 この光導波路素子の導波路側に配置され、光導波路素子
    の線膨張係数よりも大きな線膨張係数を有する第１の基
    板と、 前記光導波路素子の前記導波路側と反対側に配置され、
    光導波路素子の温度を調整する温度調整装置を備え、前
    記光導波路素子の線膨張係数よりも大きな線膨張係数を
    有する第２の基板とを具備することを特徴とする導波路
    型光デバイス。
  4. 【請求項４】 前記光導波路素子を構成する導波路と前
    記第１の基板を接着する第１の接着剤および前記光導波
    路素子を構成する基板と前記第２の基板を接着する第２
    の接着剤は共に剛性の高いものが使用されていることを
    特徴とする請求項３記載の導波路型光デバイス。
  5. 【請求項５】 前記第１の基板の線膨張係数は、第２の
    基板を前記光導波路素子の基板側に配置したときの温度
    変化による全体の反りを減少させるような値に選択され
    ていることを特徴とする請求項４記載の導波路型光デバ
    イス。
  6. 【請求項６】 前記光導波路素子と光学的に結合するフ
    ァイバアレイと、 前記光導波路素子の導波路側に配置され、前記ファイバ
    アレイの接着強度を補強するヤトイガラスを備え、 前記第１の基板の厚さはヤトイガラスと同等かこれより
    も薄いことを特徴とする請求項３記載の導波路型光デバ
    イス。
  7. 【請求項７】 前記支持基板と温度調整装置はこれらの
    厚さがほぼ等しいことを特徴とする請求項１記載の導波
    路型光デバイス。
  8. 【請求項８】 前記第２の基板と温度調整装置はこれら
    の厚さがほぼ等しいことを特徴とする請求項３記載の導
    波路型光デバイス。
  9. 【請求項９】 前記第１および第２の基板はそれらの厚
    さおよび線膨張係数が互いに等しいものであることを特
    徴とする請求項３記載の導波路型光デバイス。
  10. 【請求項１０】 光導波路素子を製造する素子製造ステ
    ップと、 製造された光導波路素子の中心波長が所定の温度範囲の
    温度制御で所望の値に設定されるか否かを判定する判定
    ステップと、 この判定ステップで所望の値に設定されると判定されな
    かった光導波路素子に対してその基板側にその基板自体
    の線膨張係数よりも大きな所定の線膨張係数の支持基板
    を接着する接着ステップとを具備することを特徴とする
    導波路型光デバイスの製造方法。
  11. 【請求項１１】 光導波路素子を製造する素子製造ステ
    ップと、 この素子製造ステップで製造された光導波路素子に対し
    てその基板側にその基板自体の線膨張係数よりも大きな
    所定の線膨張係数の支持基板を接着する接着ステップと
    を具備することを特徴とする導波路型光デバイスの製造
    方法。
  12. 【請求項１２】 前記接着ステップで接着に使用する接
    着剤は硬化時の剛性が高いものであることを特徴とする
    請求項１０または請求項１１記載の導波路型光デバイス
    の製造方法。
  13. 【請求項１３】 光導波路素子を製造する素子製造ステ
    ップと、 製造された光導波路素子の中心波長が所定の温度範囲の
    温度制御で所望の値に設定されるか否かを判定する判定
    ステップと、 この判定ステップで所望の値に設定されると判定されな
    かった光導波路素子に対してその導波路側にその基板自
    体の線膨張係数よりも大きな線膨張係数の第１の基板を
    接着する第１の基板接着ステップと、 前記判定ステップで所望の値に設定されると判定されな
    かった光導波路素子に対してその基板側に前記光導波路
    素子の基板自体の線膨張係数よりも大きな線膨張係数の
    第２の基板を接着する第２の基板接着ステップとを具備
    することを特徴とする導波路型光デバイスの製造方法。
  14. 【請求項１４】 光導波路素子を製造する素子製造ステ
    ップと、 この素子製造ステップで製造された光導波路素子に対し
    てその導波路側にその基板自体の線膨張係数よりも大き
    な線膨張係数の第１の基板を接着する第１の基板接着ス
    テップと、 前記素子製造ステップで製造された光導波路素子に対し
    てその基板側に前記光導波路素子の基板自体の線膨張係
    数よりも大きな線膨張係数の第２の基板を接着する第２
    の基板接着ステップとを具備することを特徴とする導波
    路型光デバイスの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記第１および第２の基板はそれらの
    厚さおよび線膨張係数が互いに等しいものであることを
    特徴とする請求項１３または請求項１４記載の導波路型
    光デバイスの製造方法。
  16. 【請求項１６】 光導波路素子を製造する素子製造ステ
    ップと、 製造された光導波路素子の中心波長が所望の値に設定さ
    れる温度を測定する理想温度測定ステップと、 この理想温度測定ステップで測定した温度に応じて、光
    導波路素子の基板側に接着する支持基板の線膨張係数を
    光導波路素子の基板よりもどれだけ大きなものとするか
    を選択する支持基板線膨張係数選択手段と、 この支持基板線膨張係数選択手段で選択した線膨張係数
    の支持基板を光導波路素子の基板側に接着する接着ステ
    ップとを具備することを特徴とする導波路型光デバイス
    の製造方法。
  17. 【請求項１７】 光導波路素子を製造する素子製造ステ
    ップと、 製造された光導波路素子の中心波長が所望の値に設定さ
    れる温度を測定する理想温度測定ステップと、 この理想温度測定ステップで測定した温度に応じて、光
    導波路素子の導波路側に接着する第１の基板と基板側に
    接着する第２の基板の双方の線膨張係数を光導波路素子
    の基板よりもどれだけ大きなものとするかを選択する第
    １および第２の基板線膨張係数選択手段と、 この第１および第２の基板線膨張係数選択手段で選択し
    た線膨張係数の第１および第２の基板を光導波路素子の
    対応する部位に接着する接着ステップとを具備すること
    を特徴とする導波路型光デバイスの製造方法。
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