JP4736473B2 - アンダーフィル用液状封止樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
また、従来のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物は、半導体装置中に残留するフラックス成分と接触・相溶することによりフィラー同士が凝集し、線膨張係数や弾性率が非均一化するという点で課題を残していた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、クラックや剥離などを低減し、かつ樹脂組成物中の応力局在化を緩和させることにある。
(B)式(1)で表される芳香族アミン硬化剤、
(C)表面の孤立シラノール基の濃度が0.008〜0.08mmol/gであるシリカフィラー、(D)シランカップリング剤、
を含むことを特徴とするアンダーフィル用液状封止樹脂組成物。
[2]更に(E)エポキシ基を有するポリブタジエンを有する[1]記載のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物。
[3]前記シランカップリング剤が、アミノシラン及びエポキシシラン、または、メルカプトシラン及びエポキシシランを含むものである[1]または[2]記載のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物。
[4]基板と、当該基板上に配置されたチップ、及びこの二つの間隙を充填するアンダーフィルを備え、
当該アンダーフィルが[1]乃至[3]のいずれかに記載のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を硬化させてなる半導体装置。
[5]基板と、当該基板上に配置されたチップ、及びこの二つの間隙を充填するアンダーフィルを備える半導体装置の製造方法であって、
(I)基板とチップの間隙に[1]乃至[3]のいずれかに記載のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を充填する工程、
(II)充填されたアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を硬化させてアンダーフィルとする工程、
を含む半導体装置の製造方法。
この場合、芳香族環にグリシジルエーテル構造あるいはグリシジルアミン構造が結合した構造を含むものが耐熱性、機械特性、耐湿性という観点から好ましく、脂肪族または脂環式エポキシ樹脂は信頼性、特に接着性という観点から使用する量を制限するほうが好ましい。これらは単独でも2種以上混合して使用しても良い。本発明ではアンダーフィル用液状封止樹脂組成物の態様のため、エポキシ樹脂として最終的に常温(25℃)で液状であることがこのましいが、常温で固体のエポキシ樹脂であっても常温で液状のエポキシ樹脂に溶解させ、結果的に液状の状態であればよい。
従って(C)実質上全表面が孤立シラノール基で被われているシリカフィラーは高い表面活性を有し、シランカップリング剤と良好に反応し、結果として樹脂組成物中において良好な分散安定性を示す。
具体的には、(C)実質上全表面が孤立シラノール基で被われているシリカフィラーを配合した樹脂組成物を半導体装置中に充填した際、装置内部に残留したフラックス成分と樹脂組成物とが相溶してもシリカの凝集が発生せず、結果として半導体装置内の弾性率や熱膨張率などの応力分布の均一性が保たれ、半導体装置の高信頼性が保たれる。
なお、赤外吸収スペクトル以外でも、例えば、近赤外分光、核磁気共鳴、電子スピン共鳴などによっても孤立シラノール基の観測・定量は可能である。
エポキシ基の導入部位としてはポリブタジエンの主鎖骨格、側鎖、末端のいずれの部位でも良い。ブタジエン主鎖骨格の結合構造はシス体、トランス体、ビニル体のいずれでも良いが、シス体とトランス体の合計が少なくとも20%以上であることが望ましい。シス体とトランス体の合計が20%以上の場合は分子の運動性が維持され、樹脂組成物中で応力吸収効果を発現することができる。
エポキシ樹脂(A)としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(具体的な化合物については表1の注釈に記載した。以下同様。)を100重量部、(D)シランカップリング剤としてエポキシシランカップリング剤を2重量部、希釈剤5重量部、顔料0.05重量部を3本ロール混合し、プラネタリーミキサーをもちいて27℃で7時間7rpmにて攪拌し、このものに(C)シリカフィラーとして孤立シラノールシリカ219.2重量部、アミン硬化剤(B)として芳香族1級アミン硬化剤39.1重量部を配合し、3本ロールをもちいて混合し、プラネタリーミキサーと真空ポンプをもちいて真空攪拌脱泡処理することによりアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を作製した。なお、ここで実施例1で使用した孤立シラノールシリカのシラノール基量は0.02mmol/gであり、IRスペクトルチャートを図1に示す。
表1のように処方した他は、実施例1と同様に実験及び評価を行った。その結果を表1に示す。なお、表の実施例1〜5および比較例1〜3は、全樹脂組成物中に占めるシリカフィラーの含有量が60重量%となるよう調製した。比較例2に使用した一般的なシリカのIR測定結果を図2に入れる。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂:大日本インキ化学工業(株)製、EXA−830LVP、ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂、エポキシ当量161
メチル基含有3官能グリシジルアミン:住友化学工業(株)製、スミエポキシELM-100、4−(2,3−エポキシプロポキシ)−N,N−ビス(2,3−エポキシプロピル)−2−メチルアニリン、エポキシ当量100
3官能グリシジルアミン:ジャパンエポキシレジン製、エピコートE-630、N,N−ビス(2,3−エポキシプロピル)−4−(2,3−エポキシプロポキシ)アニリン、エポキシ当量98
芳香族2級アミン型硬化剤:(1)式にてR1がメチル基、R2が水素、nの平均が0.3で示される構造のもの。アミン当量116
芳香族1級アミン型硬化剤:日本化薬(株) カヤハードAA 3,3’―ジエチル−4,4’―ジアミノジフェニルメタン アミン当量63.5
イミダゾール触媒:四国化成工業(株)製、キュアゾール C17Z、2−ヘプタデシルイミダゾール
酸無水物硬化剤:日本ゼオン(株)製 クインハード200 メチルテトラヒドロフタル酸無水物
孤立シラノールシリカ:アドマテクス(株)製 アドマファイン SO-E3(合成球状シリカ、平均粒径1.0um)を水酸化ナトリウム水溶液に浸漬・表面溶解処理させた後に700℃8時間加熱処理し、さらにイオン交換水洗浄・乾燥・粉砕し得たもの。孤立シラノール濃度0.02mmol/g(IRスペクトル拡散反射法)。
一般的なシリカ:アドマテクス(株)製、アドマファイン SO-E3、合成球状シリカ、平均粒径1.0um、孤立シラノール濃度0.005mmol/g(IRスペクトル拡散反射法)。
2級アミノシランカップリング剤:信越化学工業化学(株) KBM-573:N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、分子量255.4、理論被覆面積307m^2/g)
1級アミノシランカップリング剤:信越化学工業化学(株) KBM-903:3−アミノプロピルトリメトキシシラン、分子量179.3、理論被覆面積436m^2/g)
メルカプトシランカップリング剤:信越化学工業化学(株) KBM-803 3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、分子量196.4、理論被覆面積398m^2/g
エポキシシランカップリング剤:信越化学工業化学(株) KBM-403 : 3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、分子量236.3、理論被覆面積330m^2/g
低応力剤 :新日本石油化学(株)製 E−1000−6.5、数平均分子量1000、エポキシ当量246
希釈剤:東京化成工業株式会社製 試薬 エチレングリコール モノ−ノルマル-ブチルエーテルアセテート
顔料:三菱化学製 MA−600 カーボンブラック顔料
次に実施例5のアミン硬化剤(B)を酸無水物硬化剤とイミダゾール触媒に置き換えた組合せ(比較例1)の場合には、半導体装置を組み立てて吸湿リフロー試験行なったところ剥離が観測され、密着特性が不足している。このような剥離は半導体装置の動作信頼性を低下させるため問題となる。
実施例3の孤立シラノールシリカを一般的なシリカに置き換えた組合せ(比較例2)の場合には、フィラーの分離現象が観測された。比較例2の断面写真である図4を見るとアンダーフィル上部にフィラーが沈降して樹脂だけになった部分6が黒く観測できる。樹脂組成物内部の不均一による応力が半導体装置の信頼性を損なう恐れがある。
実施例3のシランカップリング剤(D)を希釈剤に置き換えた組合せ(比較例3)の場合には、流動性評価でボイドが、断面観察においてはフィラーの分離現象が観測された。半導体装置を組み立てて吸湿リフロー試験行なったところ剥離および亀裂が観測され、密着特性・樹脂強度が不足している。このようなボイド・剥離・亀裂は半導体装置の動作信頼性を著しく低下させるため問題となる。
2 シリコンチップ
3 アンダーフィル
4 金パッド
5 ソルダーレジスト
6 フィラーの分離、沈降によって出来た樹脂が多くシリカが少ない部分
Claims (5)
- (A)エポキシ樹脂、
(B)式(1)で表される芳香族アミン硬化剤、
(C)表面の孤立シラノール基の濃度が0.008〜0.08mmol/gであるシリカフィラー、
(D)シランカップリング剤、
を含むことを特徴とするアンダーフィル用液状封止樹脂組成物。
- 更に(E)エポキシ基を有するポリブタジエンを有する請求項1記載のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物。
- 前記シランカップリング剤が、アミノシラン及びエポキシシラン、または、メルカプトシラン及びエポキシシランを含むものである請求項1または2記載のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物。
- 基板と、当該基板上に配置されたチップ、及びこの二つの間隙を充填するアンダーフィルを備え、
当該アンダーフィルが請求項1乃至3のいずれかに記載のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を硬化させてなる半導体装置。 - 基板と、当該基板上に配置されたチップ、及びこの二つの間隙を充填するアンダーフィルを備える半導体装置の製造方法であって、
(I)基板とチップの間隙に請求項1乃至3のいずれかに記載のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を充填する工程、
(II)充填されたアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を硬化させてアンダーフィルとする工程、
を含む半導体装置の製造方法。
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