JP2010095702A - 樹脂組成物、半導体封止用液状樹脂組成物、アンダーフィル用液状樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、樹脂組成物、半導体封止用液状樹脂組成物、アンダーフィル用液状樹脂組成物および半導体装置に関するものである。
情報技術化の進展に伴って、電気・電子機器、通信機器及びコンピューターなどの機器における小型化および情報伝達の高速化が急速に進み、これらに用いる集積回路(IC)パッケージも、小型化や高集積化が進展していて、近年はバンプ接合によるフリップチップ実装技術が著しい成長を見せている。その応用分野はモバイル関連に用いられるチップスケールパッケージ(CSP)やCPUのような大型パッケージと種々なアプリケーションに応用されている。しかしながらこれらのパッケージは、一般に、ICチップと基板(インターポーザー)を半田バンプで電気的に接合した接続方式のため外的強度に弱く、アンダーフィル材と呼ばれる液状樹脂組成物によって、ICチップと基板の隙間に充填接着することにより保護とパッケージの強化をしている。近年、半導体装置の小型化、薄型化、高性能化に伴い、半導体封止材に対しては、より一層の低粘度化、高強度化、高信頼性化が要求されている。
アンダーフィル用液状樹脂組成物の高信頼性化の方法として、樹脂組成物中への無機充填材の高充填がある。しかしながら、無機充填材を高充填すると樹脂組成物の粘度が高くなり、流動性が損なわれる。樹脂粘度を低く保ち、高流動性を維持するために溶融粘度の低い樹脂を用いたり(例えば特許文献1)、また、無機充填材の配合量を高めるために、無機充填剤をシランカップリング剤で表面処理する方法が知られている(例えば特許文献2)。また、添加剤による流動性改善の方法が知られている(例えば特許文献3)。しかし、これらの方法だけでは、種々ある要求特性のいずれかしか満足しないものが多く、全ての要求を満足させ広い範囲で適用可能な手法は、未だ見出されておらず、これらの方法でも、樹脂粘度の低下が不充分であり、流動性と硬化性を損なわず、無機充填材の配合量を高め、信頼性を満足させる更なる技術が求められていた。
アンダーフィル用液状樹脂組成物の高信頼性化の方法として、樹脂組成物中への無機充填材の高充填がある。しかしながら、無機充填材を高充填すると樹脂組成物の粘度が高くなり、流動性が損なわれる。樹脂粘度を低く保ち、高流動性を維持するために溶融粘度の低い樹脂を用いたり(例えば特許文献1)、また、無機充填材の配合量を高めるために、無機充填剤をシランカップリング剤で表面処理する方法が知られている(例えば特許文献2)。また、添加剤による流動性改善の方法が知られている(例えば特許文献3)。しかし、これらの方法だけでは、種々ある要求特性のいずれかしか満足しないものが多く、全ての要求を満足させ広い範囲で適用可能な手法は、未だ見出されておらず、これらの方法でも、樹脂粘度の低下が不充分であり、流動性と硬化性を損なわず、無機充填材の配合量を高め、信頼性を満足させる更なる技術が求められていた。
本発明の目的は、エポキシ樹脂、及び無機充填材を含有する樹脂組成物において、従来より低粘度で流動性を有する樹脂組成物、半導体封止用液状樹脂組成物、アンダーフィル用液状樹脂組成物、および、これを用いた半導体装置を提供することである。
このような目的は、下記(1)〜(14)に記載の本発明により達成される。
(1)エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材およびポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤を必須成分とする樹脂組成物。
(2)前記ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(1)で表される上記(1)に記載の樹脂組成物。
(式中、R1はCmH2m+1−0であり、mは1〜30の整数、nは、1〜60の整数、R2はHを表す。)
(3)前記ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、さらに、ポリオキシプロピレンを構造中に含む界面活性剤である上記(1)に記載の樹脂組成物。
(4)前記ポリオキシエチレンと、前記ポリオキシプロピレンとを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(2)で表される上記(3)に記載の樹脂組成物。
(式中、R1はCmH2m+1−0であり、mは1〜30の整数、pは1〜40の整数、qは1〜40の整数、R2はHを表す。)
(5)前記ポリオキシエチレンと、前記ポリオキシプロピレンとを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(3)で表される上記(3)に記載の樹脂組成物。
(式中、R1はCmH2m+1−0であり、mは1〜30の整数、aは1〜30の整数、bは1〜30の整数、cは1〜30の整数、R2はHを表す。)
(6)前記ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(4)で表される上記(1)に記載の樹脂組成物。
(式中、R2はHであり、R3はCmH2m+1であり、mは1〜30の整数もしくは式(5)から選ばれるものである。)
(式中、R4は分岐していてもよい炭素数1〜30のアルキル基であり、eは1〜5の整数を表す。)
(7)前記ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(6)で表される上記(1)に記載の樹脂組成物。
(式中、R2はHであり、R5はHまたはCH3またはNH2であり、R6は分岐していてもよい炭素数1〜10のアルキル基であり、hは1〜30の整数、iは0〜30の整数、繰り返し数fは1〜200の整数、R7はHまたはCH3またはNH2を表す。)
(8)前記ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(7)で表される上記(1)に記載の樹脂組成物。
(式中、R2はHであり、sは1〜30の整数、tは0〜30の整数、uは1〜30の整数、vは0〜30の整数、R8およびR9は分岐していてもよい炭素数1〜10のアルキル基であり、R8およびR9は同一であっても異なっていてもよい。)
(9)前記無機充填材は、シリカである上記(1)〜(8)のいずれかに記載の樹脂組成物。
(10)前記硬化剤は、アミン硬化剤である上記(1)〜(9)のいずれかに記載の樹脂組成物。
(11)前記ポリオキシエチレン構造中に含む界面活性剤が、前記無機充填材全体の0.2〜10重量%添加されている上記(1)〜(10)のいずれかに記載の樹脂組成物。
(12)上記(1)〜(11)のいずれかに記載の樹脂組成物を利用してなる半導体封止用液状樹脂組成物。
(13)上記(1)〜(11)のいずれかに記載の樹脂組成物を利用してなるアンダーフィル用液状樹脂組成物。
(14)上記(12)または(13)に記載の液状樹脂組成物を用いて作製したことを特徴とする半導体装置。
(1)エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材およびポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤を必須成分とする樹脂組成物。
(2)前記ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(1)で表される上記(1)に記載の樹脂組成物。
(3)前記ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、さらに、ポリオキシプロピレンを構造中に含む界面活性剤である上記(1)に記載の樹脂組成物。
(4)前記ポリオキシエチレンと、前記ポリオキシプロピレンとを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(2)で表される上記(3)に記載の樹脂組成物。
(5)前記ポリオキシエチレンと、前記ポリオキシプロピレンとを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(3)で表される上記(3)に記載の樹脂組成物。
(6)前記ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(4)で表される上記(1)に記載の樹脂組成物。
(7)前記ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(6)で表される上記(1)に記載の樹脂組成物。
(8)前記ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(7)で表される上記(1)に記載の樹脂組成物。
(9)前記無機充填材は、シリカである上記(1)〜(8)のいずれかに記載の樹脂組成物。
(10)前記硬化剤は、アミン硬化剤である上記(1)〜(9)のいずれかに記載の樹脂組成物。
(11)前記ポリオキシエチレン構造中に含む界面活性剤が、前記無機充填材全体の0.2〜10重量%添加されている上記(1)〜(10)のいずれかに記載の樹脂組成物。
(12)上記(1)〜(11)のいずれかに記載の樹脂組成物を利用してなる半導体封止用液状樹脂組成物。
(13)上記(1)〜(11)のいずれかに記載の樹脂組成物を利用してなるアンダーフィル用液状樹脂組成物。
(14)上記(12)または(13)に記載の液状樹脂組成物を用いて作製したことを特徴とする半導体装置。
本発明によれば、エポキシ樹脂、及び無機充填材を含有する樹脂組成物において、従来より低粘度で流動性を有する樹脂組成物、半導体封止用液状樹脂組成物、アンダーフィル用液状樹脂組成物、および、これを用いた半導体装置を提供することができる。
以下、本発明の樹脂組成物、半導体封止用液状樹脂組成物、アンダーフィル用液状樹脂組成物、および、これを用いた半導体装置について詳細に説明する。
本発明の樹脂組成物は、半導体装置に用いられる液状樹脂組成物であり、基板に実装された半導体素子を保護するために半導体素子を封止したりする半導体封止用液状樹脂組成物として、基板と半導体素子との間隙に充填し信頼性を向上させたりするアンダーフィル用液状樹脂組成物などとして用いられる液状の樹脂組成物である。
以下、本発明の樹脂組成物を構成する各成分について説明する。
本発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤とを必須成分とする構成となっている。
本発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含む。エポキシ樹脂としては、一分子中にエポキシ基を2個以上有するものであれば特に分子量や構造は限定されるものではないが、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、N,N−ジグリシジルアニリン、N,N−ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンのような芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイド等の脂環式エポキシ等の脂肪族エポキシ樹脂が挙げられる。
エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の5〜60重量%であることが好ましく、より好ましくは10〜40重量%である。含有量が前記範囲内であると、反応性や組成物の耐熱性や機械的強度、封止時の流動特性に優れる。
本発明の樹脂組成物は、硬化剤を含む。硬化剤としては、特に限定はされないが、アミン系、特にジシアンジアミドと芳香族アミン、テトラメチレンヘキサミン、又はフェノールノボラック系硬化剤や酸無水物系硬化剤等が挙げられる。
これらの中でも、アミン系硬化剤を含むことが好ましい。これにより、エポキシ樹脂の硬化性を向上することができる。アミン系硬化剤としては、エポキシ樹脂中のエポキシ基と共有結合を形成することが可能な1級アミンまたは2級アミンを分子中に2個以上含むものであれば、特に分子量や構造は限定されるものではない。そのようなアミン系硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタミン、m−キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、2−メチルペンタメチレンジアミン脂肪族ポリアミン、イソフォロンジアミン、1,3−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、ノルボルネンジアミン、1,2−ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ポリアミン、N−アミノエチルピペラジン、1,4−ビス(2−アミノ−2−メチルプロピル)ピペラジンなどのピペラジン型のポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、m−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジエチルトルエンジアミン、トリメチレンビス(4−アミノベンゾエート)、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−P−アミノベンゾエートなどの芳香族ポリアミン類等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いても、2種以上の硬化剤を配合して用いても良い。
硬化剤の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の5〜30重量%であることが好ましく、より好ましくは5〜20重量%である。含有量が前記範囲内であると、反応性や組成物の耐熱性や機械的強度、封止時の流動特性に優れる。
本発明において硬化剤と硬化促進剤を併用しても良い。硬化促進剤としては、特に限定はされないが、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等の有機燐系や、1.8−ジアザビシクロウンデセン、トリエチレンジアミン、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール等の窒素系の硬化促進剤かそれらのアダクト品が好適に使用される。
本発明の樹脂組成物は、無機充填材を含む。無機充填材としては、金属酸化物、金属炭酸塩、金属、ガラス、又はそれらの複合物からなるものが好ましく、これらの中でも金属酸化物が好ましい。
金属酸化物としてはシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアなどが挙げられるが、シリカが好ましい。シリカとしては、溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ等の溶融シリカ、合成シリカ、結晶シリカ等が挙げられる。これらの中でも樹脂組成物の耐熱性、耐湿性、強度等を向上できることから合成シリカが好ましい。
無機充填材の形状は、特に限定されないが、粘度・流動特性の観点から球状であることが好ましい。粒子の場合、その平均粒子径は、特に限定されないが、0.01〜30μmであることが好ましく、より好ましくは0.2〜8μmである。平均粒子径を前記上限値以下とすることにより液状樹脂組成物が半導体装置へ流動する際のフィラー詰まりによる部分的な未充填や充填不良を抑制する効果が高くなる。また、平均粒子径を下限値以上にすることにより、半導体素子の封止時、または、基板と半導体素子との間隙に充填する際の流動性に優れる。
無機充填材の含有量は、下限としては、樹脂組成物全体の30重量%以上が好ましく、40重量%以上がより好ましい。上限は、半導体装置としての信頼性から、無機充填材の含有量は多いことが好ましいが充填性、溶融粘度の観点から樹脂組成物全体の85重量%以下が好ましい。含有量が下限値以上であることにより半導体装置の信頼性を向上させる効果が高くなり、上限値以下であることにより基板と半導体素子との間隙への充填性と信頼性のバランスに優れる。
本発明の樹脂組成物は、ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤を含む。ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤としては、一般式(1)で表されるものを用いることができる。
(式中、R1はCmH2m+1−0であり、mは1〜30の整数、nは、1〜60の整数、R2はHを表す。)一般式(1)で表される界面活性剤を添加することにより、樹脂組成物の流動性向上の効果に優れる。
本発明に用いられるポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、さらに、ポリオキシプロピレンを構造中に含む界面活性剤であってもよい。また、ポリオキシエチレンと、ポリオキシプロピレンとを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(2)で表されるものを用いることができる。
(式中、R1はCmH2m+1−0であり、mは1〜30の整数、pは1〜40の整数、qは1〜40の整数、R2はHを表す。)
また、ポリオキシエチレンと、ポリオキシプロピレンとを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(3)で表される界面活性剤であってもよい。一般式(3)で表される界面活性剤は、その構造中に親水基としてポリオキシプロピレンをポリオキシエチレンで挟んだ構造を持つことにより、界面活性剤の親水性挙動を弱めることができ、樹脂組成物の流動挙動を調整することが出来る。
(式中、R1はCmH2m+1−0であり、mは1〜30の整数、aは1〜30の整数、bは1〜30の整数、cは1〜30の整数、R2はHを表す。)
また、ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(4)で表される界面活性剤であってもよい。一般式(4)または(5)で表される界面活性剤は、その構造中に芳香族環を有することで、流動性、および、溶融粘度をより低減させることが可能となる。
(式中、R2はHであり、R3はCmH2m+1であり、mは1〜30の整数もしくは式(5)から選ばれるものである。)
(式中、R4は分岐していてもよい炭素数1〜30のアルキル基であり、eは1〜5の整数を表す。)
また、ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(6)で表される界面活性剤であってもよい。
(式中、R2はHであり、R5はHまたはCH3またはNH2であり、R6は分岐していてもよい炭素数1〜10のアルキル基であり、hは1〜30の整数、iは0〜30の整数、繰り返し数fは1〜200の整数、R7はHまたはCH3またはNH2を表す。)
また、ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式(7)で表される界面活性剤であってもよい。
(式中、R2はHであり、sは1〜30の整数、tは0〜30の整数、uは1〜30の整数、vは0〜30の整数、R8およびR9は分岐していてもよい炭素数1〜10のアルキル基であり、R8およびR9は同一であっても異なっていてもよい。)
本発明の樹脂組成物に含まれる界面活性剤で、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン共重合体を構造中に含むものに関しては、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン共重合体はランダム共重合体でもブロック共重合体であってもよい。
ポリオキシエチレンを含む界面活性剤の含有量は5重量%以上、90重量%以下が好ましく、重量平均分子量は100〜200000であることが好ましい。
以上、本発明の樹脂組成物に含まれる界面活性剤について、末端R1、R2が、非イオン系について説明したが、陰イオン系、陽イオン系であってもよい。
陰イオン系の界面活性剤の場合では、R1−は、M+−SO3−O−、または、M+−OCO−であり、R2−は、M+−SO3−、または、M+−OCO−(CH2)k−、である(ここでM+は金属カチオン、kは0〜10の整数、を表す)。
陽イオン系の界面活性剤の場合では、R1−は、B−{(CH3−(CH2)j−)3−N+−(CH2)k−O−}であり、R2−は、B−{(CH3−(CH2)j−)3−N+−(CH2)k−}、である(ここでB−はハロゲンアニオン、jおよびkは0〜10の整数、を表す)。
本発明の樹脂組成物は、ポリオキシエチレン構造中に含む界面活性剤の含有量が、上述した無機充填材全体の0.2重量%以上、10重量%以下が好ましく、より好ましくは0.3重量%以上、5重量%以下であり、さらに好ましくは0.5重量%以上、3重量%以下である。界面活性剤の含有量が上記の範囲内であれば、半導体素子の封止時、または、基板と半導体素子との間隙に充填する際の流動性に優れる。
本発明の樹脂組成物には、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、界面活性剤以外に必要に応じて希釈剤、顔料、難燃剤、レベリング剤、消泡剤等の添加物を用いることができる。
本発明の半導体封止用液状樹脂組成物、アンダーフィル用液状樹脂組成物は、上述した各成分、添加物等をプラネタリーミキサー、三本ロール、二本熱ロール、ライカイ機などの装置を用いて分散混練して製造することができる。
本発明の半導体封止用液状樹脂組成物、アンダーフィル用液状樹脂組成物は、各種の用途に用いられるが、流動特性が必要な半導体装置、電子部品の封止用樹脂として特に有用である。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。
(実施例1)
(1)アンダーフィル用液状封止樹脂組成物を作製
ジアリルビスフェノールA型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、RE−810NM、エポキシ当量210)2.00重量部、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、EXA−830LVP、エポキシ当量161)7.99重量部、3官能グリシジルアミン型エポキシ樹脂(住友化学株式会社製、スミエポキシELM−100、エポキシ当量100)9.99重量部、芳香族2級アミン型硬化剤(三洋化成工業株式会社製、T−12、アミン当量116)5.98重量部、芳香族1級アミン型硬化剤(日本化薬株式会社製、カヤハードAA、アミン当量63.5)5.98重量部、合成球状シリカ(アドマテックス株式会社製、アドマファインSO−25R、平均粒径0.5μm)65重量部、希釈剤(東京化成工業株式会社製、エチレングリコール モノ−ノルマル−ブチルエーテルアセテート)0.40重量部、着色剤(三菱化学株式会社製、MA−600、カーボンブラック)0.06重量部、低応力剤(ADEKA株式会社製、BF−1000、平均分子量1000)1.00重量部、カップリング剤(信越化学工業株式会社製、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)0.60重量部、ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤として式(1)で表されR1がC10H21、R2がH、n数の平均が4である界面活性剤(日本乳化剤株式会社製、非イオン型)1.00重量部を配合し、プラネタリーミキサーと3本ロールを用いて混合した後、真空脱泡処理することによりアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を得た。
(1)アンダーフィル用液状封止樹脂組成物を作製
ジアリルビスフェノールA型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、RE−810NM、エポキシ当量210)2.00重量部、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、EXA−830LVP、エポキシ当量161)7.99重量部、3官能グリシジルアミン型エポキシ樹脂(住友化学株式会社製、スミエポキシELM−100、エポキシ当量100)9.99重量部、芳香族2級アミン型硬化剤(三洋化成工業株式会社製、T−12、アミン当量116)5.98重量部、芳香族1級アミン型硬化剤(日本化薬株式会社製、カヤハードAA、アミン当量63.5)5.98重量部、合成球状シリカ(アドマテックス株式会社製、アドマファインSO−25R、平均粒径0.5μm)65重量部、希釈剤(東京化成工業株式会社製、エチレングリコール モノ−ノルマル−ブチルエーテルアセテート)0.40重量部、着色剤(三菱化学株式会社製、MA−600、カーボンブラック)0.06重量部、低応力剤(ADEKA株式会社製、BF−1000、平均分子量1000)1.00重量部、カップリング剤(信越化学工業株式会社製、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)0.60重量部、ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤として式(1)で表されR1がC10H21、R2がH、n数の平均が4である界面活性剤(日本乳化剤株式会社製、非イオン型)1.00重量部を配合し、プラネタリーミキサーと3本ロールを用いて混合した後、真空脱泡処理することによりアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を得た。
(2)半導体装置の作製
チップとしては、日立超LSI社製PHASE−2TEGウエハーにチップの回路保護膜としてポリイミドを用い、半田バンプとしてSn/Ag/Cu組成の無鉛半田を形成したものを15mm×15mm×0.8mmtに切断し使用した。基板には、住友ベークライト株式会社製FR5相当の0.8mmtのガラスエポキシ基板をベースとして用い、その両面に太陽インキ製造株式会社製ソルダーレジストPSR4000/AUS308を形成し、片面に上記の半田バンプ配列に相当する金メッキパッドを形成したものを50mm×50mmの大きさに切断し使用した。接続用のフラックスにはTSF−6502(Kester製、ロジン系フラックス)を使用した。半導体装置の組立は、まず充分平滑な金属又はガラス板にドクターブレードを用いてフラックスを50μm厚程度に均一塗布し、次にフリップチップボンダーを用いてフラックス膜にチップの回路面を軽く接触させたのちに離し、半田バンプにフラックスを転写させ、次にチップを基板上に圧着させる。IRリフロー炉で加熱処理し半田バンプを溶融接合して作製した。溶融接合後に洗浄液を用いて洗浄を実施した。液状樹脂組成物の充填・封止方法は、作製した半導体装置を110℃の熱板上で加熱し、チップの一辺に調製した液状樹脂組成物を塗布し隙間充填させた後、150℃のオーブンで120分間液状樹脂組成物を加熱硬化し、評価試験用の半導体装置を得た。
チップとしては、日立超LSI社製PHASE−2TEGウエハーにチップの回路保護膜としてポリイミドを用い、半田バンプとしてSn/Ag/Cu組成の無鉛半田を形成したものを15mm×15mm×0.8mmtに切断し使用した。基板には、住友ベークライト株式会社製FR5相当の0.8mmtのガラスエポキシ基板をベースとして用い、その両面に太陽インキ製造株式会社製ソルダーレジストPSR4000/AUS308を形成し、片面に上記の半田バンプ配列に相当する金メッキパッドを形成したものを50mm×50mmの大きさに切断し使用した。接続用のフラックスにはTSF−6502(Kester製、ロジン系フラックス)を使用した。半導体装置の組立は、まず充分平滑な金属又はガラス板にドクターブレードを用いてフラックスを50μm厚程度に均一塗布し、次にフリップチップボンダーを用いてフラックス膜にチップの回路面を軽く接触させたのちに離し、半田バンプにフラックスを転写させ、次にチップを基板上に圧着させる。IRリフロー炉で加熱処理し半田バンプを溶融接合して作製した。溶融接合後に洗浄液を用いて洗浄を実施した。液状樹脂組成物の充填・封止方法は、作製した半導体装置を110℃の熱板上で加熱し、チップの一辺に調製した液状樹脂組成物を塗布し隙間充填させた後、150℃のオーブンで120分間液状樹脂組成物を加熱硬化し、評価試験用の半導体装置を得た。
(実施例2〜13)
表1および表2の配合量とし、実施例1と同様にしてアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を調整し、評価試験用の半導体装置を得た。
表1および表2の配合量とし、実施例1と同様にしてアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を調整し、評価試験用の半導体装置を得た。
(比較例1〜4)
表3の配合量とし、実施例1と同様にしてアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を調整し、評価試験用の半導体装置を得た。
表3の配合量とし、実施例1と同様にしてアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を調整し、評価試験用の半導体装置を得た。
なお、実施例2および3は、ポリオキシエチレンと、ポリオキシプロピレンとを構造中に含む界面活性剤として式(2)で表され
R1がB−{(CH3−(CH2)3−)3−N+−(CH2)3−O−}、
R2がB−{(CH3−(CH2)3−)3−N+−(CH2)3−}(ここでB−はハロゲンアニオン)、p数が平均4、q数の平均が4である界面活性剤(ビックケミー・ジャパン株式会社製、陽イオン型)を用いた。
R1がB−{(CH3−(CH2)3−)3−N+−(CH2)3−O−}、
R2がB−{(CH3−(CH2)3−)3−N+−(CH2)3−}(ここでB−はハロゲンアニオン)、p数が平均4、q数の平均が4である界面活性剤(ビックケミー・ジャパン株式会社製、陽イオン型)を用いた。
実施例4〜6は、ポリオキシエチレンと、ポリオキシプロピレンとを構造中に含む界面活性剤として式(2)で表されR1がC10H21、R2がH、p数が平均2、q数の平均が4である界面活性剤(日本乳化剤株式会社製、非イオン型)を用いた。
実施例7〜10は、ポリオキシエチレンと、ポリオキシプロピレンとを構造中に含む界面活性剤として式(3)で表されR1がC10H21、R2がH、a数が平均2、b数の平均が2、c数が平均2である界面活性剤(日本乳化剤株式会社製、非イオン型)を用いた。
実施例11、12はポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤として式(4)で表されR2がH、R3がC10H21、d数の平均が4である界面活性剤(日本乳化剤株式会社製、非イオン型)を用いた。
実施例13はポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤として式(4)で表されそのうちR3が式(5)で表されR4が炭素数2のアルキル基、e数の平均が2のものを用い、R2がH、d数の平均が10である界面活性剤((第一工業製薬株式会社製、非イオン型)を用いた。
実施例14はポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤として式(6)で表されR2がH、R5がNH2、R6が炭素数2のアルキル基、R7がH、h数の平均が2、i数の平均が4、f数の平均が20である界面活性剤((第一工業製薬株式会社製、非イオン型)を用いた。
実施例15はポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤として式(7)で表されR2がH、R8が炭素数7の分岐があるアルキル基、R9が炭素数7の分岐があるアルキル基、s数の平均が2、t数の平均が2、u数の平均が2、v数の平均が2である界面活性剤(日信化学工業株式会社製、非イオン型)を用いた。
各実施例および比較例により得られたアンダーフィル用液状封止樹脂組成物、半導体装置について、次の各評価を行った。各評価を評価方法と共に示す。得られた結果を表1〜3に示す。
(1)アンダーフィル用液状封止樹脂組成物評価
(i)溶融粘度測定:TIインスツルメンツ社製アレス粘度計を使用し、40mmφパラレルプレート使用、歪量は1000%、ギャップ250μm、角速度10rad/s、計測温度110℃、で測定を実施した。単位はPa・sである。
(i)溶融粘度測定:TIインスツルメンツ社製アレス粘度計を使用し、40mmφパラレルプレート使用、歪量は1000%、ギャップ250μm、角速度10rad/s、計測温度110℃、で測定を実施した。単位はPa・sである。
(ii)充填完了時間:18mm×18mmの上ガラスと上ガラスよりも充分大きなスライドガラスを隙間が80μmとなるようにスペーサー入り接着剤を用いて貼り合わせて平行平板を製作し、これを110℃熱板上に置いて予備加熱し、上ガラスの一辺に実施例1で得られた液状樹脂組成物を塗布し、液状樹脂組成物が充填完了するまでの時間を計測した。
(2)半導体装置評価
(i)半導体装置の作成
得られた液状樹脂組成物を半導体装置の基板に流動・封止し、リフロー試験、温度サイクル試験を実施した。試験、評価に使用した半導体装置の構成部材は以下のとおりである。チップとしては、日立超LSI社製PHASE−2TEGウエハーにチップの回路保護膜としてポリイミドを用い、半田バンプとしてSn/Ag/Cu組成の無鉛半田を形成したものを15mm×15mm×0.8mmtに切断し使用した。基板には、住友ベークライト株式会社製FR5相当の0.8mmtのガラスエポキシ基板をベースとして用い、その両面に太陽インキ製造株式会社製ソルダーレジストPSR4000/AUS308を形成し、片面に上記の半田バンプ配列に相当する金メッキパッドを形成したものを50mm×50mmの大きさに切断し使用した。接続用のフラックスにはTSF−6502(Kester製、ロジン系フラックス)を使用した。半導体装置の組立は、まず充分平滑な金属又はガラス板にドクターブレードを用いてフラックスを50μm厚程度に均一塗布し、次にフリップチップボンダーを用いてフラックス膜にチップの回路面を軽く接触させたのちに離し、半田バンプにフラックスを転写させ、次にチップを基板上に圧着させる。IRリフロー炉で加熱処理し半田バンプを溶融接合して作製した。溶融接合後に洗浄液を用いて洗浄を実施した。液状樹脂組成物の充填・封止方法は、作製した半導体装置を110℃の熱板上で加熱し、チップの一辺に調製した液状樹脂組成物を塗布し隙間充填させた後、150℃のオーブンで120分間液状樹脂組成物を加熱硬化し、評価試験用の半導体装置を得た。
(i)半導体装置の作成
得られた液状樹脂組成物を半導体装置の基板に流動・封止し、リフロー試験、温度サイクル試験を実施した。試験、評価に使用した半導体装置の構成部材は以下のとおりである。チップとしては、日立超LSI社製PHASE−2TEGウエハーにチップの回路保護膜としてポリイミドを用い、半田バンプとしてSn/Ag/Cu組成の無鉛半田を形成したものを15mm×15mm×0.8mmtに切断し使用した。基板には、住友ベークライト株式会社製FR5相当の0.8mmtのガラスエポキシ基板をベースとして用い、その両面に太陽インキ製造株式会社製ソルダーレジストPSR4000/AUS308を形成し、片面に上記の半田バンプ配列に相当する金メッキパッドを形成したものを50mm×50mmの大きさに切断し使用した。接続用のフラックスにはTSF−6502(Kester製、ロジン系フラックス)を使用した。半導体装置の組立は、まず充分平滑な金属又はガラス板にドクターブレードを用いてフラックスを50μm厚程度に均一塗布し、次にフリップチップボンダーを用いてフラックス膜にチップの回路面を軽く接触させたのちに離し、半田バンプにフラックスを転写させ、次にチップを基板上に圧着させる。IRリフロー炉で加熱処理し半田バンプを溶融接合して作製した。溶融接合後に洗浄液を用いて洗浄を実施した。液状樹脂組成物の充填・封止方法は、作製した半導体装置を110℃の熱板上で加熱し、チップの一辺に調製した液状樹脂組成物を塗布し隙間充填させた後、150℃のオーブンで120分間液状樹脂組成物を加熱硬化し、評価試験用の半導体装置を得た。
(ii)リフロー試験
上記の半導体装置をJEDECレベル3の吸湿処理(30℃相対湿度60%で168時間処理)を行った後、IRリフロー処理(ピーク温度260℃)を3回行い、超音波探傷装置にて半導体装置内部での液状樹脂組成物の剥離の有無を確認し、さらに光学顕微鏡を用いてチップ側面部の液状樹脂組成物表面を観察し亀裂の有無を観測した。リフロー試験において、剥離および亀裂が見られなかったものについては○、剥離または亀裂が見られたものについては×とした。
上記の半導体装置をJEDECレベル3の吸湿処理(30℃相対湿度60%で168時間処理)を行った後、IRリフロー処理(ピーク温度260℃)を3回行い、超音波探傷装置にて半導体装置内部での液状樹脂組成物の剥離の有無を確認し、さらに光学顕微鏡を用いてチップ側面部の液状樹脂組成物表面を観察し亀裂の有無を観測した。リフロー試験において、剥離および亀裂が見られなかったものについては○、剥離または亀裂が見られたものについては×とした。
(iii)温度サイクル試験
上記のリフロー試験を行った半導体装置に(−55℃/30分)と(125℃/30分)の冷熱サイクル処理を施し、250サイクル毎に超音波探傷装置にて半導体装置内部のチップと液状樹脂組成物界面の剥離の有無を確認し、さらに光学顕微鏡を用いてチップ側面部の液状樹脂組成物表面を観察し、亀裂の有無を観測した。温度サイクル試験において、500サイクル未満で剥離または亀裂が見られたものについては×、500サイクル経過後も剥離および亀裂が見られなかったものについては○とした。
上記のリフロー試験を行った半導体装置に(−55℃/30分)と(125℃/30分)の冷熱サイクル処理を施し、250サイクル毎に超音波探傷装置にて半導体装置内部のチップと液状樹脂組成物界面の剥離の有無を確認し、さらに光学顕微鏡を用いてチップ側面部の液状樹脂組成物表面を観察し、亀裂の有無を観測した。温度サイクル試験において、500サイクル未満で剥離または亀裂が見られたものについては×、500サイクル経過後も剥離および亀裂が見られなかったものについては○とした。
表から明らかなように、実施例1〜15は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材およびポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤を含む本発明の樹脂組成物を用いたアンダーフィル用液状封止樹脂組成物、半導体装置であり、溶融粘度が低く、また、充填完了時間も短かった。また、リフロー試験、温度サイクル試験においても良好な結果であった。
これに対して、比較例1〜4は、ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤を含まないため、アンダーフィル用液状封止樹脂組成物、半導体装置であり、溶融粘度が高く、また、充填完了時間も長かった。また、リフロー試験においてもクラックの発生、、温度サイクル試験においても信頼性が十分でなかった。
また、実施例6、10および12からも明らかなように、無機充填材量が多くなってもリフロー試験、温度サイクル試験においても良好な結果であった。
これに対して、比較例1〜4は、ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤を含まないため、アンダーフィル用液状封止樹脂組成物、半導体装置であり、溶融粘度が高く、また、充填完了時間も長かった。また、リフロー試験においてもクラックの発生、、温度サイクル試験においても信頼性が十分でなかった。
また、実施例6、10および12からも明らかなように、無機充填材量が多くなってもリフロー試験、温度サイクル試験においても良好な結果であった。
Claims (14)
- エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材およびポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤を必須成分とすることを特徴とする樹脂組成物。
- 前記ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、さらに、ポリオキシプロピレンを構造中に含む界面活性剤である請求項1に記載の樹脂組成物。
- 前記無機充填材は、シリカである請求項1〜8のいずれかに記載の樹脂組成物。
- 前記硬化剤は、アミン硬化剤である請求項1〜9のいずれかに記載の樹脂組成物。
- 前記ポリオキシエチレン構造中に含む界面活性剤が、前記無機充填材全体の0.2〜10重量%添加されている請求項1〜10のいずれかに記載の樹脂組成物。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の樹脂組成物を利用してなる半導体封止用液状樹脂組成物。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の樹脂組成物を利用してなるアンダーフィル用液状樹脂組成物。
- 請求項13または14に記載の液状樹脂組成物を用いて作製したことを特徴とする半導体装置。
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