JP4735614B2 - 回路基板 - Google Patents
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Description
上記課題を解決するために、本発明の回路基板は、電気回路が形成された回路基板において、前記電気回路の信号線と電気的に接続されており、前記回路基板の表面と裏面との間であって前記回路基板の表面に対して交差する方向に延びる第1スルーホールと、前記第1スルーホールに対して隣接して設けられており、前記電気回路の基準電位を定める基準線に接続され、前記回路基板の表面に対して交差する方向に延びる第2スルーホールとを備え、前記第1スルーホールの各々は、前記回路基板の表面と裏面との間であって前記回路基板の表面に対して交差する方向の少なくとも一部に設けられて少なくとも一つ以上の前記第2スルーホールと隣接して配置されており、前記第2スルーホールは、前記回路基板の表面に対して交差する方向の長さが前記第1スルーホールの当該方向の長さ以上の長さに設定されることを特徴としている。
この発明によれば、回路基板の表面と裏面との間に、回路基板の表面に対して交差する方向に延びて電気回路の信号線と電気的に接続された第1スルーホールを設けるとともに、同方向に延びて電気回路の基準電位(グランド)を定める基準線に接続された少なくとも一つ以上の第2スルーホールを第1スルーホールの各々に隣接して設けたため、第1スルーホールと第2スルーホールとの間のインピーダンスが制御され、その結果、高周波信号の特性を向上させることができるとともに、高周波ノイズの放射を低減することができる。また、回路基板の表面と裏面との間であって回路基板の表面に対して交差する方向の少なくとも一部に第1スルーホールを設け、第2スルーホールの同方向の長さを第1スルーホールの同方向の長さ以上の長さに設定しているため、第1スルーホールと第2スルーホールとの間のインピーダンスが制御され、その結果、高周波信号の特性を向上させることができるとともに、高周波ノイズの放射を低減することができる。
また、本発明の回路基板は、表面と裏面との間に少なくとも1つの層が形成された多層基板であることを特徴としている。
また、本発明の回路基板の各層には、前記信号線及び前記基準線が設けられていることを特徴としている。
また、本発明の回路基板は、前記信号線に接続されている前記第1スルーホールに隣接する前記第2スルーホールのうちの少なくとも1つは、前記信号線を貫通しており、且つ、貫通した信号線とは電気的に接続されていないことを特徴としている。
本発明の電子機器は、上記の何れかに記載の回路基板を備えることを特徴としている。
図1は、第1の半導体装置の外観斜視図であって、(a)は上面斜視図であり、(b)は上面図である。図1に示す通り、半導体装置1は、例えばSi(シリコン)からなる基板10を有し、基板10の周辺部には複数の第1接続端子としての接続端子12が配列形成されているとともに、複数の接続端子12を単位として(図1に示す例では、3個又は4個)、接続端子12に隣接して第2接続端子としての接続端子14が配列形成されている。
ここで、図1に示す半導体装置1の製造方法について説明する。図2は、第1の半導体装置1の製造方法の概略を示す工程図である。また、図3〜図6は、第1の半導体装置1を加工する際の表面部分の詳細を示す断面図である。
図10は、第2の半導体装置の外観斜視図であって、(a)は上面斜視図であり、(b)は上面図である。図10に示す通り、第2の半導体装置8は、図1に示す第1の半導体装置1と同様に、例えばSi(シリコン)からなる基板80を有し、基板80の周辺部には複数の第1接続端子としての接続端子82が配列形成されているとともに、各々の接続端子82に対して(一対一に)、接続端子82に隣接して第2接続端子としての接続端子84が配列形成されている。半導体装置8は、接続端子82各々に対して接続端子84が形成されている点が図1に示す半導体装置1と異なる。
図11は、第3の半導体装置の上面図である。図10に示した第2の半導体装置80に形成された接続端子82と隣接した接続端子84との間に孔部86又は誘電体88を設けている。図11(a)は、隣接する接続端子82と接続端子84との間に孔部86を設けた上面図であり、図11(b)は、誘電体88を設けた上面図である。
図12は、第4の半導体装置の上面図である。図10に示した第2の半導体装置80に設けられた接続端子82と接続端子84との配列を変更している。図12(a)に示すように、接続端子82及び接続端子84は半導体装置1の外周に沿う直線上に交互に配列されており、1つの接続端子82に対して1つの接続端子84が対になって設けられている。
図13は、本発明の一実施形態による回路基板の断面図である。本実施形態においては、第1層L1〜第4層L4からなる4層基板を例に挙げて説明する。尚、図13において、第1層L1〜第4層L4の各々に設けられた高周波信号を伝達する信号線は斜線を付して表しており、基準電位(グランド)を定めるグランド線(基準線)は塗り潰して表している。
本発明の実施形態による半導体装置及び/又は回路基板を有する電子機器として、図14にはノート型パーソナルコンピュータ200、図15には携帯電話300が示されている。半導体装置各電子機器の筐体内部に配置される。また、電子機器は、上記のノート型コンピュータ及び携帯電話に限られる訳ではなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)及びエンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
Claims (1)
- 電気回路が形成された回路基板において、
前記電気回路の信号線と電気的に接続されており、前記回路基板の表面と裏面との間であって前記回路基板の表面に対して交差する方向に延びる第1スルーホールと、
前記第1スルーホールに対して隣接して設けられており、前記電気回路の基準電位を定める基準線に接続され、前記回路基板の表面に対して交差する方向に延びる第2スルーホールと
を備え、
前記第1スルーホールの各々は、前記回路基板の表面と裏面との間であって前記回路基板の表面に対して交差する方向の少なくとも一部に設けられて少なくとも一つ以上の前記第2スルーホールと隣接して配置されており、
前記第2スルーホールは、前記回路基板の表面に対して交差する方向の長さが前記第1スルーホールの当該方向の長さ以上の長さに設定されており、
前記信号線に接続されている前記第1スルーホールに隣接する前記第2スルーホールのうちの少なくとも1つは、前記信号線を貫通しており、且つ、貫通した信号線とは電気的に接続されていない
ことを特徴とする回路基板。
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