JP4730830B2 - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、リードフレームに固定された半導体素子を樹脂で封止することで作製される樹脂封止型の半導体デバイスの製造方法に関する。

半導体素子が樹脂で封止された樹脂封止型の半導体デバイスは、半導体素子が固定されるダイパッドと、半導体素子と外部とを接続するリード部とで構成される単位フレームが複数配列されたリードフレームを用いて製造される。図１２は、従来からの樹脂封止型の半導体デバイスの製造工程について、リードフレーム上の各ダイパッドに半導体素子を固定した後の詳細を示したものである。すなわち、まず樹脂封止工程Ｓ１として、メインランナーから、サブランナー及びゲートを経由してパッケージまで連絡する成形用金型で、半導体素子が固定されたリードフレームを挟み込む。そして、メインランナーから樹脂を注入、充填することで、リードフレーム上に固定された多数の半導体素子のそれぞれが樹脂で封止される。次に、メインランナー除去工程Ｓ２として、メインランナーとサブランナーを分断して、メインランナーを除去する。次に、ゲート切断工程Ｓ３として、サブランナーとパッケージとを接続するゲートを切断した上で、サブランナー除去工程Ｓ４において、リードフレームに付着したサブランナーの除去を行う。サブランナーを除去する具体的な方法としては、例えば、予めリードフレームに設けられたパンチ挿入穴からパンチによってサブランナーを押圧することで、リードフレームから剥離させ、除去していた（例えば、特許文献１参照）。そして、高圧水流を噴射させることで、樹脂封止工程においてパッケージ周辺に形成されたバリを取り除き、リード部を切断することで、個々の半導体デバイスが製造される（Ｓ５からＳ９）。

また、近年、このような製造工程で製造される半導体デバイスは、品質を確保し、コストダウンを図るとともに、さらなる小型化が望まれている。このため、搭載される半導体素子の小型化が図られるとともに、極薄のリードフレームが使用されるようになってきている。
特開２００３−３４０８８７号公報

しかしながら、このような極薄のリードフレームにおいては、上記のようにサブランナーをパンチで押圧して除去する際に、リードフレームにも外力が作用し変形が生じてしまう。さらに、次のバリ取り工程においても、バリ取りを行う際の高圧水流によって、さらにリードフレームが変形してしまう。このように、リードフレームが変形してしまうことで、リードフレームを次工程へ搬送することができなくなってしまうとともに、リード部の変形等の品質の悪化を招いてしまう問題があった。

この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、極薄のリードフレームを用いても、リードフレームを変形させること無くサブランナーを除去することが可能な半導体デバイスの製造方法を提供するものである。

上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明は、半導体素子が固定されるダイパッドと、該ダイパッドの周囲に複数配置され、前記半導体素子と接続されるリード部とで構成される単位フレームが複数配列されたリードフレームを用いて、前記ダイパッドのそれぞれに前記半導体素子を固定し、樹脂で封止することで作製される樹脂封止型の半導体デバイスの製造方法であって、前記リードフレームの側方に延設されるメインランナーから、前記リードフレーム上において前記メインランナーの側方に延設される複数のサブランナーを経由し、該サブランナーのそれぞれの側方に位置して前記半導体素子のそれぞれを封止するパッケージへ、該パッケージのそれぞれと前記サブランナーとを接続するゲートを介して樹脂を注入、充填する樹脂封止工程と、前記メインランナーと前記サブランナーとを分断し、前記メインランナーを除去するメインランナー除去工程と、前記樹脂封止工程において樹脂によって成形された前記ゲートを、前記パッケージの近傍において切断し、前記サブランナーと前記パッケージとを分断させるゲート切断工程と、前記樹脂封工程、前記メインランナー除去工程及び前記ゲート切断工程の後に、高圧水流を前記リードフレーム上に噴射させて、前記パッケージの周囲に形成されたバリを除去するバリ取り工程と、前記パッケージと分断された前記サブランナーを、前記リードフレームの前記サブランナーが延設された表面側と相対する裏面側から押し下げて、前記リードフレーム上から剥離させて除去するサブランナー除去工程とを備え、該サブランナー除去工程は、少なくとも前記バリ取り工程よりも後工程において行われることを特徴としている。
この発明に係る半導体デバイスの製造方法によれば、リードフレーム上には、半導体素子のそれぞれを樹脂封止したパッケージとサブランナーとが形成されている。そして、バリ取り工程において、高圧水流をリードフレーム上に噴射させて、パッケージの周囲に形成されたバリを除去する。この際、リードフレームにはサブランナーが延設された状態であり、サブランナーによってリードフレームの剛性を高めた状態とすることができる。このため、高圧水流によってリードフレームが変形してしまうのを防ぐことができる。また、高圧水流は、サブランナーにも噴射され、サブランナーとリードフレームとの間に作用する付着力を低下させる。このため、バリ取り工程の後工程において、サブランナー除去工程としてサブランナーをリードフレームの裏面側から押し下げたとしても、サブランナーをリードフレームから容易に剥離させることができるので、リードフレームの変形を防ぐことができる。

また、樹脂封止工程において樹脂が注入、充填されることで、リードフレーム上には、半導体素子のそれぞれを封止したパッケージと、ゲートを介してパッケージと接続されるととともに、メインランナーと接続されたサブランナーが成形される。そして、メインランナー除去工程において、メインランナーとサブランナーとを分断し、メインランナーを除去する。次に、ゲート切断工程においてゲートを切断し、サブランナーとパッケージとを分断させる。この状態においては、サブランナーとリードフレームとは、サブランナーを形成する樹脂の付着力によって一体となっている。

また、上記の半導体デバイスの製造方法において、前記樹脂封止工程において成形された前記パッケージに識別記号を印字するとともに、前記リード部のそれぞれを切断する印字・リード切断工程をさらに備え、前記サブランナー除去工程は、前記印字・リード切断工程の前工程において行われることがより好ましいとされている。

この発明に係る半導体デバイスの製造方法によれば、個々の半導体デバイスが切り離される印字・リード切断工程の直前まで、サブランナーがリードフレーム上に延設され、サブランナーによってリードフレームの剛性を高めた状態とすることができる。このため、各工程を実施する際に、また、各工程間においてリードフレームを搬送する際に、リードフレームが変形してしまうのを防ぐことができる。

また、上記の半導体デバイスの製造方法において、前記サブランナー除去工程は、前記リードフレームの前記表面を下向きとして配置し、前記ゲートを上方から下向きに押圧することで、前記サブランナーを除去することがより好ましいとされている。

この発明に係る半導体デバイスの製造方法によれば、サブランナーに接続されたゲートを押圧することで、サブランナーをリードフレームから剥離させ除去することができる。すなわち、リードフレームのサブランナーが延設された部分に、リードフレームの裏面側からサブランナーを押圧するための貫通孔などを設ける必要が無い。このため、リードフレームの剛性をさらに高めることができ、リードフレームの変形をさらに確実に防ぐことができる。

本発明の半導体デバイスの製造方法によれば、サブランナー除去工程をバリ取り工程の後工程とすることで、リードフレームから容易に剥離させることができ、サブランナーを除去する際のリードフレームの変形を防ぐことができる。また、バリ取り工程時においても、高圧水流によるリードフレームの変形を防ぐことができる。このため、リードフレームの変形による、リードフレームの次工程への搬送障害、また、リード部の変形等の半導体デバイスの品質の悪化を防ぐことができる。

図１及び図１１は、この発明に係る実施形態を示している。図３に示すように、樹脂封止型の半導体デバイス１０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１上に接着された半導体素子であるＩＣチップ１２と、ＩＣチップ１２と接続される複数のリード部１３とを備えている。ＩＣチップ１２は、例えば、単結晶ケイ素で形成された半導体基板と、半導体基板上に設けられた配線層などで構成されるものである。また、ダイパッド１１及びリード部１３は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ合金等の金属で形成されている。本実施形態においては、リード部１３は、ダイパッド１１の一辺側に３本、対向する他辺側に３本、計６本配置されている。そして、これらのリード部１３の内の１本であるリード部１４は、吊リードを兼ねており、その先端部１４ａがダイパッド１１と連結されている。また、他の５本であるリード部１５は、その先端部１５ａが導電性を有するボンディングワイヤ１６を介してＩＣチップ１２と直接電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１６は、例えば、金（Ａｕ）で形成されており、熱圧着に超音波振動を併用したボンディング法によって接合されている。そして、このように構成されたＩＣチップ１２、ダイパッド１１及び各リード部１３の先端部１４ａ、１５ａは、樹脂で形成されたパッケージ１７で封止され、ＩＣチップ１２を外部からの衝撃等から保護し、電気的に絶縁するとともに、複数のリード部１３を介してＩＣチップ１２と外部とを接続可能な構成としている。パッケージ１７を形成する樹脂としては、例えば、フェノール系硬化剤、シリコンゴム及びフィラー等が添加されたビフェニール系の絶縁樹脂である。

このような樹脂封止型の半導体デバイス１０は、半導体デバイス１０を形成するダイパッド１１と複数のリード部１３とで構成された単位フレーム３１が複数配列された略板上のリードフレームを使用して量産される。図１は、２枚のリードフレーム３０を同時に使用し、各単位フレーム３１ごとにパッケージ１７で封止したものを示しており、図２は、その拡大図を示している。図１及び図２に示すように、本実施形態においては、リードフレーム３０には、１４個の単位フレーム３１が幅方向Ｘに配置され、さらに長さ方向Ｙに２列を１組として、計６４列配列されている。すなわち、一枚のリードフレーム３０からは８９６個の半導体デバイス１０が同時に製造可能であり、２枚のリードフレーム３０を同時に使用することで、１７９２個の半導体デバイス１０を同時に製造可能である。また、図２に示すように、各単位フレーム３１のリード部１３は、各基端部１４ｂ、１５ｂがリードフレーム本体３０ａに連結されていることで保持されているとともに、ダイパッド１１は、吊リードであるリード部１４によってのみ支持され、周囲には貫通孔３０ｂが形成されている。また、リードフレーム３０の幅方向Ｘの両側には、搬送用の複数の貫通孔３０ｃ、３０ｄが形成されている。以下、このようなリードフレーム３０を使用して半導体デバイス１０を製造する詳細について、図１１に示すフロー図及び図４から図１０に示す説明図に基づいて説明する。

まず、図３に示すように、リードフレーム３０の各ダイパッド１１に、ＩＣチップ１２を接着させ、ＩＣチップ１２とリード部１５とをボンディングワイヤ１６によって接続する。次に、図１１に示すように、樹脂封止工程Ｐ１を行う。すなわち、図４に示すように、２つのリードフレーム３０を所定の間隔をもって幅方向Ｘに配置する。そして、上部金型４０ａと、下部金型４０ｂとで構成された成形用金型４０で、２つのリードフレーム３０を挟み込む。

図２及び図４に示すように、上部金型４０ａには、メインランナー部４１、サブランナー部４２、キャビティ４３、及びゲート部４４からなる各凹部が形成されている。キャビティ４３は、リードフレーム３０に上部金型４０ａを当接させた際に、各ＩＣチップ１２を封止するパッケージ１７と対応する凹部である。また、メインランナー部４１は、リードフレーム３０に上部金型４０ａを当接させた際に、２つのリードフレーム３０の間に延設され、リードフレーム３０上においてメインランナー部４１の両側に複数延設されるサブランナー部４２と連通している。また、サブランナー部４２は、単位フレーム３１の配列を２列１組として、１組ごとに複数延設されている。また、ゲート部４４は、各キャビティ４３と、対応するサブランナー部４２とを連通させている。なお、メインランナー部４１には外部と連通し、樹脂を注入する樹脂注入口４０ｃが形成されている。すなわち、図４に示すように、成形用金型４０によって２つのリードフレーム３０を挟み込んだ状態で、樹脂注入口４０ｃから樹脂を注入することで、注入された樹脂はメインランナー部４１から、複数のサブランナー部４２を経由して各キャビティ４３へ、ゲート部４４を介して樹脂が注入、充填される。

図１は、樹脂を冷却固化した後に、成形用金型４０を取り外した状態を示している。すなわち、樹脂を冷却固化することで、ＩＣチップ１２、ダイパッド１１及び各リード部１３の先端部１４ａ、１５ａが、キャビティ４３に対応して樹脂で形成されたパッケージ１７によって封止される。さらに、メインランナー部４１に対応してメインランナー２１、サブランナー部４２に対応してサブランナー２２、ゲート部４４に対応してゲート２３が成形される。メインランナー２１の両側には、サブランナー２２が連結した状態であり、さらにそれぞれのサブランナー２２の両側にはゲート２３を介してパッケージ１７が連結されている。また、サブランナー２２は、サブランナー２２を形成している樹脂の付着力によって、リードフレーム３０の表面３０ｅに付着した状態である。このため、２つのリードフレーム３０は、メインランナー２１及びサブランナー２２によって一体化された状態となっている。なお、上部金型４０ａにおいて、サブランナー部４２のメインランナー部４１と連通する基端部には凸部４２ａが設けられている。このため、樹脂で成形されたサブランナー２２の基端部２２ａにおいて対応する位置には、切欠き部２２ｂが形成される。以上のように樹脂封止工程Ｐ１においてＩＣチップ１２が封止されたリードフレーム３０は、図１１に示すように、順次各工程に搬送され、メインランナー２１などの不要な樹脂成形部を取り除き、またメッキ処理などの各処理が施される。なお、各工程間を搬送する際は、リードフレーム３０に貫通孔３０ｃ、３０ｄが設けられていることで、正確に位置決めして搬送することができる。

まず、メインランナー除去工程Ｐ２として、メインランナー２１とサブランナー２２とを分断し、メインランナー２１の除去を行う。すなわち、図５に示すように、まず、成形用金型４０を取り外したリードフレーム３０を、メインランナー２１が延設された表面３０ｅ側を下向きとなるように配置する。そして、図６に示すように、この状態でメインランナー除去機構５０に装着する。メインランナー除去機構５０は、２つのリードフレーム３０を把持可能な把持部５１ａを有する一対のアーム５１を備える。一対のアーム５１は、基端部５１ｂにおいて、互いに軸体５１ｃに軸着されており、図示しない駆動部によって揺動可能である。図６に示すように、一対のアーム５１を揺動させることで、各リードフレーム３０は対応するアーム５１とともに揺動されるので、サブランナー２２の切欠き部２２ｂにおいてサブランナー２２は折り曲げられて、メインランナー２１とサブランナー２２は分断される。このため、メインランナー２１が離脱し除去されるとともに、２つのリードフレーム３０は分断された状態となる。

次に、図７及び図１１に示すように、ゲート切断工程Ｐ３を行う。すなわち、サブランナー２２と各パッケージ１７とを接続しているゲート２３をパッケージ１７の近傍において切断する。本実施形態においては、レーザー光Ｂを照射することによるレーザー切断によって切断している。ゲート２３を切断することで、サブランナー２２とパッケージ１７とは分断されるので、サブランナー２２とリードフレーム３０とは、サブランナー２２を形成する樹脂の付着力によって一体となっている。

次に、図８及び図１１に示すように、バリ取り工程Ｐ４として、樹脂封止工程Ｐ１において成形用金型４０の僅かな隙間に樹脂が漏洩するなどによって、パッケージ１７の周囲に形成されたバリ２４の除去を行う。すなわち、高圧水流Ｗをリードフレーム３０上に噴射させて、バリ２４を除去する。この際、リードフレーム３０にはサブランナー２２が延設された状態であり、サブランナー２２によってリードフレーム３０の剛性を高めた状態としている。このため、高圧水流Ｗによってリードフレーム３０が変形してしまうこと無く、バリ２４の除去を行うことができる。また、高圧水流Ｗは、サブランナー２２にも噴射され、サブランナー２２とリードフレーム３０との間に浸透する。このため、サブランナー２２とリードフレーム３０との間に作用する付着力は低下する。なお、バリ２４を除去する方法としては、高圧水流Ｗを噴射させる前に、さらにレーザー照射によるバリ取り工程を実施するものとしても良い。この場合にも、リードフレーム３０にサブランナー２２が延設されて剛性を高めた状態にできることで、レーザー照射に際に必要なリードフレーム３０の平面度を保証することができる。さらに、図１１に示すように、メッキ工程Ｐ５として、各パッケージ１７から突出しているリード部１３に半田メッキ処理を施す。

次に、図９から図１１に示すように、サブランナー除去工程Ｐ６として、サブランナー２２が延設された状態のリードフレーム３０をサブランナー除去装置５２に設置して、サブランナー２２の除去を行う。図９及び図１０に示すように、サブランナー除去装置５２は、表面３０ｅを下向きとして設置されるリードフレーム３０の両端及びパッケージ１７を支持する支持台５３、５４と、サブランナー２２を除去する押圧機構５５とを備える。押圧機構５５は、リードフレーム３０上方に位置する梁部５６と、梁部５６から下方に突出している複数のパンチ５７と、支持台５３に設けられ、梁部５６を支持するとともに、梁部５６を昇降させる昇降手段５８とを備える。昇降手段５８は、より詳しくはボールネジであり、図示しない駆動部によって回転し、梁部５６を昇降させることが可能である。また、パンチ５７は、設置されたリードフレーム３０のサブランナー２２が延設されている方向に配列されており、サブランナー２２の側方に突出したゲート２３の各々と対応して設けられている。また、図１０に示すように、パンチ５７は、下方に押圧部５７ａが突出した略コの字状の部材であり、サブランナー２２、及びリードフレーム３０のサブランナー２２が付着した部分を跨いで、サブランナー２２の両側に突出しているゲート２３を押圧することが可能である。

すなわち、図９に示すように、サブランナー除去装置５２の支持台５３、５４に、リードフレーム３０を設置して、押圧機構５５のパンチ５７を下降させる。そして、図１０に示すように、パンチ５７の押圧部５７ａを対応する各ゲート２３に当接させて、さらに下降させることで、ゲート２３は下方に押圧され、ゲート２３と連結しているサブランナー２２はリードフレーム３０の裏面３０ｆ側から押し下げられる。このため、サブランナー２２は、リードフレーム３０から剥離して、下方に脱落、除去される。この際、バリ取り工程Ｐ４において、高圧水流Ｗによってサブランナー２２とリードフレーム３０との付着力は弱められている。このため、少ない力でサブランナー２２をリードフレーム３０から容易に剥離させることができ、リードフレーム３０を変形させること無く、サブランナー２２を除去することができる。

最後に、図１１に示すように、印字・リード切断工程Ｐ７として、各パッケージ１７に識別記号を捺印するとともに、リードフレーム本体３０ａから各リード部１３を、基端部１４ｂ、１５ｂで切断することで個々の半導体デバイス１０が製造され、個片品として収納される。なお、パッケージ１７に識別記号を印字する方法としては、捺印に限らず、金型、あるいはレーザーなどによる刻印によるものなどでも良い。

以上のように、本発明の半導体デバイスの製造方法によれば、サブランナー除去工程Ｐ６をバリ取り工程Ｐ４の後工程とすることで、リードフレーム３０から容易に剥離させることができ、サブランナー２２を除去する際のリードフレーム３０の変形を防ぐことができる。また、バリ取り工程Ｐ４時においても、高圧水流Ｗによるリードフレーム３０の変形を防ぐことができる。このため、半導体デバイス１０の小型化に伴い、例えば厚さ０．０８ｍｍ以下の極薄のリードフレームを使用したとしても、リードフレーム３０が変形してしまうことによるリードフレーム３０の次工程への搬送障害、また、リード部１３の変形等の半導体デバイス１０の品質の悪化を防ぐことができる。さらに、個々の半導体デバイス１０が切り離される印字・リード切断工程の直前まで、サブランナー２２がリードフレーム３０上に延設され、サブランナー２２によって剛性を高めた状態とすることができる。このため、各工程を実施する際に、また、各工程間においてリードフレーム３０を搬送する際においても、リードフレーム３０の変形を防ぐことができる。また、上記のようにゲート２３を押圧してサブランナー２２を除去することで、リードフレーム３０のサブランナー２２が延設された部分に、リードフレーム３０の裏面３０ｆ側からサブランナー２２を押圧するための貫通孔などを設ける必要が無い。このため、リードフレーム３０の剛性をさらに高めることができ、リードフレーム３０の変形をさらに確実に防ぐことができる。

なお、本実施形態の樹脂封止工程Ｐ１において、２つのリードフレーム３０を１組として樹脂封止するものとしたが、これに限ること無く、１回の工程において１つのリードフレーム３０のみを樹脂封止するものとしても良いし、さらに多数のリードフレーム３０を同時に樹脂封止するものとしても良い。また、ゲート切断工程Ｐ３において、レーザー切断によってゲート２３を切断するものとしたが、切断金型を使用して切断するものとしても良く、少なくとも、パッケージ１７近傍において正確に切断可能な手段であれば良い。また、本実施形態においては、ゲート切断工程Ｐ３の後にバリ取り工程Ｐ４及びメッキ処理工程Ｐ５を行うものとしたが、バリ取り工程Ｐ４及びメッキ処理工程Ｐ５の後にゲート切断工程Ｐ３を行うものとしても良い。少なくとも、バリ取り工程Ｐ４の後にサブランナー除去工程Ｐ６が行われれば、同様の効果を期待することができる。さらに、バリ取り工程Ｐ４において、高圧水流によってバリ取りを行うものとしたが、高圧水流によるバリ取りと、レーザー照射によるバリ取りを併用する構成としても良い。このようにすることで、さらに確実にバリ取りを行うことができ、仕上げを良好なものとすることができる。また、サブランナー除去工程Ｐ６において、リードフレーム３０は、サブランナー除去装置５２の支持台５３、５４によって両端及びパッケージ１７を支持されるものとしたが、リードフレーム３０の表面３０ｅの樹脂が成形されずに露出している部分のみを支持するものとしても良い。

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。

この発明の実施形態の樹脂封止されたリードフレームの上面図である。 この発明の実施形態の樹脂封止されたリードフレームの拡大斜視図である。 この発明の実施形態の単位フレームの上面図である。 この発明の実施形態の樹脂封止工程における説明図である。 この発明の実施形態のメインランナー除去工程における説明図である。 この発明の実施形態のメインランナー除去工程における説明図である。 この発明の実施形態のゲート切断工程における説明図である。 この発明の実施形態のバリ取り工程における説明図である。 この発明の実施形態のサブランナー除去工程における説明図である。 この発明の実施形態のサブランナー除去工程における説明図である。 この発明の実施形態の製造方法におけるフロー図である。 この発明の従来の製造方法におけるフロー図である。

符号の説明

１０ 半導体デバイス
１１ ダイパッド
１２ ＩＣチップ（半導体素子）
１３、１４、１５ リード部
１７ パッケージ
２１ メインランナー
２２ サブランナー
２３ ゲート
２４ バリ
３０ リードフレーム
３０ｅ 表面
３０ｆ 裏面
Ｐ１ 樹脂封止工程
Ｐ２ メインランナー除去工程
Ｐ３ ゲート切断工程
Ｐ４ バリ取り工程
Ｐ６ サブランナー除去工程
Ｐ７ 印字・リード切断工程
Ｗ 高圧水流

Claims (3)

1. 半導体素子が固定されるダイパッドと、該ダイパッドの周囲に複数配置され、前記半導体素子と接続されるリード部とで構成される単位フレームが複数配列されたリードフレームを用いて、前記ダイパッドのそれぞれに前記半導体素子を固定し、樹脂で封止することで作製される樹脂封止型の半導体デバイスの製造方法であって、
   前記リードフレームの側方に延設されるメインランナーから、前記リードフレーム上において前記メインランナーの側方に延設される複数のサブランナーを経由し、該サブランナーのそれぞれの側方に位置して前記半導体素子のそれぞれを封止するパッケージへ、該パッケージのそれぞれと前記サブランナーとを接続するゲートを介して樹脂を注入、充填する樹脂封止工程と、
   前記メインランナーと前記サブランナーとを分断し、前記メインランナーを除去するメインランナー除去工程と、
   前記樹脂封止工程において樹脂によって成形された前記ゲートを、前記パッケージの近傍において切断し、前記サブランナーと前記パッケージとを分断させるゲート切断工程と、
   前記樹脂封工程、前記メインランナー除去工程及び前記ゲート切断工程の後に、高圧水流を前記リードフレーム上に噴射させて、前記パッケージの周囲に形成されたバリを除去するバリ取り工程と、
   前記パッケージと分断された前記サブランナーを、前記リードフレームの前記サブランナーが延設された表面側と相対する裏面側から押し下げて、前記リードフレーム上から剥離させて除去するサブランナー除去工程とを備え、
   該サブランナー除去工程は、少なくとも前記バリ取り工程よりも後工程において行われることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法において、
   前記パッケージに識別記号を印字するとともに、前記リード部のそれぞれを切断する印字・リード切断工程をさらに備え、
   前記サブランナー除去工程は、前記印字・リード切断工程の前工程において行われることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
3. 請求項１または請求項２に記載の半導体デバイスの製造方法において、
   前記サブランナー除去工程は、前記リードフレームの前記表面を下向きとして配置し、前記ゲートを上方から下向きに押圧することで、前記サブランナーを除去することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

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