JP4729737B2 - 亜鉛含有化合物 - Google Patents
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Description
ては、わざわざ紫外線光源を用意しなければならない場合もあり、可視光線領域でよく機能する光触媒が強く望まれている。
3.0eV程度であるが、構造を制御してもバンドギャップを制御することは難しい。そこで、TiO2に窒素Nをドープすることによりバンドギャップを縮小させる試みが報告
されている。だが、この方法では、吸収された光量子数に対する反応効率が、NをドープしないTiO2とほぼ同等で、原理的に格段の効率向上は望めない。
物質を分解することが可能である。
を空間的に分離することが可能となり、光触媒としての効率がより高まる。
(1)固相反応法
酸化亜鉛ZnOと、ニッケルNi、銅Cuあるいは銀Agの酸化物の混合粉末を850℃から900℃で仮焼成し、次いで粉砕した後、1000℃から1300℃で焼結させる。その後、レーザ瞬間加熱あるいは還元雰囲気中における熱処理等により欠陥を作る。
(2)ゾルゲル法
酢酸亜鉛ニ水和物および2−アミノエタノールを含む2−メトキシエタノール溶液を石英ガラス等の基板上にコーティングし、200℃程度に加熱する。その後、レーザ瞬間加熱等により欠陥を作る。
(3)有機金属化学蒸着法(MOCVD)
亜鉛を含む有機金属(たとえば、ジエチルジンク)、遷移金属を含む有機金属(たとえば、Metal β-diketonates)、窒素、一酸化窒素および二酸化窒素の混合ガスを原料ガスとして通常のMOCVD装置を用いて加熱したガラス等の基板に成長させる(亜鉛は、360℃から480℃。遷移金属は、600℃から700℃)。その後、レーザ瞬間加熱等により欠陥を作る。
(4)噴霧熱分解法
亜鉛の硝酸塩溶液を基板に塗布して焼成し、その後その上に、基板温度180℃前後で亜鉛の硝酸塩および遷移金属の硝酸塩を噴霧し、次いでアニール処理(たとえば、400℃から750℃程度、40分程度)する。その後、レーザ瞬間加熱等により欠陥を作る。(5)エアロゾルデポジション法
酸化亜鉛、窒化亜鉛、遷移金属酸化物の微細粒(粒径100ナノメートル以下が望ましい。)を搬送ガスと混合してエアロゾル化し、原料微細粒を数百メートル毎秒程度以上に加速して基板上に噴射する。その後、アニール処理により窒素濃度を調整する。そして、レーザ瞬間加熱等により欠陥を作る。市販されている酸化亜鉛と、別に作りおくことのできる、固相反応法により得られるNi、CuあるいはAgを含む酸化亜鉛の微粒子を用いてエアロゾル化して基板上に噴射してもよい。
(6)スパッタ法
たとえばRFマグネトロンスパッタ法において、ターゲットとしてZnO、Zn3N2およびNi、CuあるいはAgの酸化物を用い、窒素、酸素およびアルゴンの混合ガス雰囲気中(全圧1Pa程度、ガス流量20sccm程度、出力25W程度。ただし、詳細は、装置の構造、仕様、規模等に依存する。)、基板温度100℃から200℃程度でスパッタ製膜する。製膜組成は、概ねターゲットの面積比で制御することができるが、膜中の窒素、酸素の微調整は、混合ガス雰囲気の組成により制御可能である。ターゲットにはペレ
ットを用いることができる。
(7)電子ビーム蒸着法
スパッタ法とほぼ同様であり、蒸発源としてZnO、Zn3N2およびNi、CuあるいはAgの酸化物の混合物からできたペレットを用い、窒素および酸素の混合ガス雰囲気中(全圧1Pa程度、電子加速電圧6kV、電子ビーム電流は数mAから数十mA。ただし、詳細は、装置の構造、仕様、規模等に依存する。)、基板温度100℃から250℃程度で製膜する。
(8)レーザデポジション
たとえばNd−YAGパルスレーザ(532nm)を用い、ターゲットとしてZnO、Zn3N2およびNi、CuあるいはAgの酸化物の混合物からできたペレットを用い、窒素および酸素の混合ガス雰囲気中(全圧1Paから10Pa程度、レーザ強度4J/cm2程度、パルス幅4nsec、1パルス当たりのエネルギーは300mJから400mJ程度、パルス繰り返し周期10Hz程度。ただし、詳細は、装置の構造、仕様、規模等に依存する。)、基板温度100℃から300℃程度で製膜する。製膜組成は、概ねターゲットの組成比で制御することができるが、膜中の窒素、酸素の微調整は、混合ガス雰囲気の組成により制御可能である。
O4を主体とする場合には、以下の製造方法が例示される。
方法が例示される。
面体の集合体とみなせる。この様子をウルツ鉱構造について示したのが図1である。また、隙間には、図2に示したように、酸素原子6個で囲まれた八面体構造の空間が存在する。この八面体の一辺は概ね3.2オングストローム程度である。
である。
)を示す。ウルツ鉱構造のバルクの酸化亜鉛のDFT−LDAによるバンドギャップ値は1.0eVである。ここで用いている第一原理計算は局所密度近似(LDA)にその基礎をおくため、実験で観測されるバンドギャップ値は、LDAが予言するバンドギャップ値の約3倍となる。実験によるバンドギャップは、概ね3.2eVとされており、主に紫外線領域に光吸収帯を有している。
光触媒が実現される。室内等の紫外線量の少ない生活空間における悪臭分解、抗菌、自己浄化機能等に幅広く応用可能である。また、水からの水素や酸素の高効率な生成技術の開発、発展に大きく貢献することができると考えられる。
Claims (22)
- 結晶構造中に、亜鉛Znが4つの酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方またはその両方により囲まれた、一辺の長さが2.5オングストロームから4.0オングストロームである四面体ZnO4-xNx(x=0,1,2,3,4)が存在し、かつコバルトCo、ニッケルNi、銅Cuおよび銀Ag以外の金属M(Mは、タリウムTl、鉛Pb、ビスマスBi、ガドリニウムGd、亜鉛Zn、アルミニウムAl、ガリウムGa、チタンTi、スズSn、または、ゲルマニウムGe元素である)が6つの酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方またはその両方により囲まれた、一辺の長さが2.5オングストロームから4.0オングストロームである八面体MO6-xNx(x=0,1,2,3,4,5,6)または6つの酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方またはその両方により囲まれた、一辺の長さが2.5オングストロームから4.0オングストロームである空の八面体O6-xNx(x=0,1,2,3,4,5,6)が存在する亜鉛含有化合物であって、価電子帯頂上の波動関数が、酸素の2p軌道あるいは窒素の2p軌道、または金属MがタリウムTl、鉛PbあるいはビスマスBiである場合は6s軌道、金属MがガドリニウムGdの場合は4f軌道を主要な成分として含み、八面体内部の金属Mの一部がコバルトCo、ニッケルNi、銅Cuあるいは銀Agにより置換され、または八面体内部の空の空間にコバルトCo、ニッケルNi、銅Cuあるいは銀Agが挿入されており、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cuあるいは銀Agの金属元素同士の結晶中における平均距離が6オングストローム以上であることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項1記載の亜鉛含有化合物において、亜鉛Zn周りの4つの配位子である酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方または両方の一つあるいは二つが抜き取られた構造(ZnO3-xNx,x=0,1,2,3あるいはZnO2-xNx,x=0,1,2)を有することを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項1または2記載の亜鉛含有化合物において、亜鉛Znの一部が、ホウ素B、アルミニウムAl、ガリウムGaあるいはインジウムInの一種または二種以上により置換され、化学量論組成が保たれていることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項1記載の亜鉛含有化合物において、ウルツ鉱構造あるいは閃亜鉛鉱構造の酸化亜鉛に存在する6個の酸素で囲まれた酸素八面体中に銀Ag、銅CuあるいはニッケルNiが挿入されていることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項4記載の亜鉛含有化合物において、銀Ag、銅CuあるいはニッケルNiの周辺の酸素の一つあるいは二つが、窒素Nに置換されていることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項4または5記載の亜鉛含有化合物において、4つの酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方またはその両方により亜鉛Znが取り囲まれたZnO4-xNx四面体(x=0,1,2,3,4)から酸素あるいは窒素が1個あるいは2個取り去られることにより得られるとみなされる、酸素あるいは窒素が3配位したZnO3-xNx構造(x=0,1,2,3)あるいは2配位したZnO2-xNx構造(x=0,1,2)が表面あるいは内部に存在していることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項4ないし6いずれか1項に記載の亜鉛含有化合物において、亜鉛Znの一部が、ホウ素B、アルミニウムAl、ガリウムGa、あるいはインジウムInのいずれか一種または二種以上で置換されていることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項1記載の亜鉛含有化合物において、スピネル構造を有する化合物半導体であるZnAl2O4、ZnGa2O4、Zn2TiO4あるいはZn2SnO4中の酸素Oが6配位したMO6八面体内部の金属M(M=Al、Ga、Ti、または、Sn)の一部あるいは全部が、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cuあるいは銀Agにより置換されていることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項8記載の亜鉛含有化合物において、酸素Oの一部が窒素Nで置換されて、化学量論比が保たれていることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項8または9記載の亜鉛含有化合物において、酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方または両方の4個で亜鉛Znが囲まれ、一辺の長さが2.5オングストロームから4.0オングストロームであるZnO4-xNx四面体(x=0,1,2,3,4)から酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方または両方が1個あるいは2個取り去られて得られたとみなされる、酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方または両方が3配位したZnO3-xNx構造(x=0,1,2,3)あるいは2配位したZnO2-xNx構造(x=0,1,2)が、表面あるいは内部に存在していることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項8ないし10いずれか1項に記載の亜鉛含有化合物において、亜鉛Znの一部が、ホウ素B、アルミニウムAl、ガリウムGaあるいはインジウムInの一種または二種以上により置換され、化学量論組成が保たれていることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項1記載の亜鉛含有化合物において、ガーネット構造を有する化合物半導体であるGd3Zn2GaGe2O12中の酸素Oが6配位したMO6八面体内部の金属M(M=GaあるいはGe)の一部あるいは全部が、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cuあるいは銀Agにより置換されていることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項12記載の亜鉛含有化合物において、酸素Oの一部または全部が窒素Nで置換されて、化学量論比が保たれていることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項13記載の亜鉛含有化合物において、酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方または両方の4個で亜鉛Znが囲まれたZnO4-xNx四面体(x=0,1,2,3,4)から酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方または両方が1個あるいは2個取り去られて得られたとみなされる、酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方または両方が3配位したZnO3-xNx構造(x=0,1,2,3)あるいは2配位したZnO2-xNx構造(x=0,1,2)が、表面あるいは内部に存在していることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項12ないし14いずれか1項に記載の亜鉛含有化合物において、亜鉛Znの一部が、ホウ素B、アルミニウムAl、ガリウムGaあるいはインジウムInの一種または二種以上により置換され、化学量論組成が保たれていることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項1ないし15いずれか1項に記載の亜鉛含有化合物において、光触媒に用いられることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項1ないし15いずれか1項に記載の亜鉛含有化合物において、助触媒を担持あるいは電極を有することを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項17記載の亜鉛含有化合物において、助触媒あるいは電極が、貴金属、遷移金属あるいは酸化物から形成されていることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項18記載の亜鉛含有化合物において、助触媒あるいは電極が、Pt、Ni、IrO2、NiOx、RuO2のいずれかから形成されていることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項16記載の亜鉛含有化合物において、化学物質製造用あるいは化学物質分解用の光触媒であることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項20記載の亜鉛含有化合物において、酸素製造用、水素製造用あるいは水分解用に用いられることを特徴とする亜鉛含有化合物。
- 請求項20記載の化学物質分解用光触媒の存在下において、有害化学物質に光を照射することを特徴とする有害化学物質の分解方法。
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CN101797500B (zh) * | 2009-12-31 | 2011-11-09 | 南京大学 | Gd3-xBixSbO7、Gd3-xYxSbO7和In2BiTaO7光催化剂、制备及应用 |
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JP2001322814A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-20 | Kenkichiro Kobayashi | p型酸化物半導体およびその製造方法 |
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JP2003040696A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | National Institute For Materials Science | 酸化亜鉛基層状化合物を内包した構造を持つ酸化亜鉛材料 |
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