JP2003040696A - 酸化亜鉛基層状化合物を内包した構造を持つ酸化亜鉛材料 - Google Patents
酸化亜鉛基層状化合物を内包した構造を持つ酸化亜鉛材料Info
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Abstract
性の高い微結晶粒子または微結晶粒子集合体からなる酸
化亜鉛材料の提供。 【構成】 酸化亜鉛単結晶内に酸化亜鉛基層状化合物構
造を持つ化合物が内包された酸化亜鉛材料。特に、酸化
亜鉛基層状化合物の結晶方位が酸化亜鉛の結晶方位と整
合し配向している構造。イオン注入によって酸化亜鉛単
結晶に酸化亜鉛基層状化合物の構成元素(例えば、イン
ジウム)を添加し、必要により熱処理を加えることで、
酸化亜鉛中に酸化亜鉛基層状化合物の結晶構造を有する
微結晶粒子を析出させる。 【効果】 酸化亜鉛基層状化合物を内包した酸化亜鉛材
料が得られる。酸化亜鉛基層状化合物と酸化亜鉛の間の
屈折率差、伝導度差、誘電率差によって電子・光学機能
を持たせた酸化亜鉛材料が得られる。
Description
する異方性結晶微結晶粒子を内包した酸化亜鉛材料とそ
の製造法に関する。
種を含む酸化亜鉛基層状化合物を内包した酸化亜鉛材料
は、例えば、Anchuan Wang らの報告(Appl. Phys. Let
t. 誌第73巻 第3号 327ページ)に見られるように、高
濃度にインジウムやガリウムをドープした薄膜中におい
て観察されている。しかし、これらの薄膜では、酸化亜
鉛基層状化合物が無秩序に析出しており、酸化亜鉛中の
特定の位置に酸化亜鉛基層状化合物を析出させることが
できていない。
が有する2次元性、また、微結晶粒子、極薄膜が持つ量
子効果を含めた有用な電子・光機能を利用するために
は、配向性の高い微結晶粒子、或いは、微結晶粒子集合
体からなる薄膜を得なければならない。また、これらの
微結晶粒子、薄膜が機能を発現させ、素子を製造するに
は、何らかの材料に担持させる必要がある。一般に用い
られる印刷、塗布などの方法では微結晶粒子の完全な配
向性を得ることは難しく、また、微結晶粒子が幾重にも
積層して塗布・印刷されてしまう。
結晶微結晶粒子を内包した材料を得るために、以下の3
点を解決する技術が必要である。 1.酸化亜鉛基層状化合物構造を有する微結晶粒子を得
ること。 2.酸化亜鉛基層状化合物の微結晶粒子を母結晶に担持
させること。 3.微結晶粒子の結晶方位が母結晶の結晶方位と配向し
ていること。
子閉じこめなどを実現するためには、内包した微結晶粒
子が母結晶表面に露出せず、母結晶内に封じられている
必要がある。酸化亜鉛基層状化合物を母結晶に内包させ
るためには、酸化亜鉛結晶の外部からインジウムまたは
ガリウムを拡散させる方法は選択できない。
ジウムまたはガリウムを輸送するための手段として、イ
オンを高速に加速することが可能なイオン加速器を用い
ることによつて上記の課題を解決できることを見いだし
た。すなわち、本発明は、酸化亜鉛単結晶を母結晶とす
る材料であって、インジウムまたはガリウムの少なくと
も1種を含む酸化亜鉛基層状化合物の結晶構造を有し、
酸化亜鉛のc軸と酸化亜鉛基層状化合物のc軸が平行に
なるように整列した酸化亜鉛基層状化合物を内包するこ
とを特徴とする酸化亜鉛材料である。
とする材料であって、組成式 In2 (1+x)O3(1+y)[Zn
O]m、またはGa2(1+x)O3(1+y)[ZnO]mで表される
酸化亜鉛基層状化合物結晶(ただし、この組成式におい
て、xとyは酸化亜鉛に内包された酸化亜鉛基層状化合
物に発生する積層欠陥、点欠陥を意味する実数、mは酸
化亜鉛基層状化合物の平均積層周期を示す1以上の整数
である。)を内包することを特徴とする、上記の酸化亜
鉛材料である。
とする材料であって、インジウムまたはガリウムの少な
くとも1種を含む酸化亜鉛基層状化合物結晶構造を有す
る微結晶粒子を酸化亜鉛単結晶の表面から2ミクロン以
内の深さに内包することを特徴とする、上記の酸化亜鉛
材料である。
とする材料であって、インジウムまたはガリウムの少な
くとも1種を含む酸化亜鉛基層状化合物結晶構造を有す
る微結晶粒子を酸化亜鉛単結晶の表面から2ミクロン以
内の深さに内包するが、この微結晶粒子が材料表面に露
出していないことを特徴とする、上記の酸化亜鉛材料で
ある。
とする材料であって、組成式M2(1+ z)In2(1+x)O
3(1+y)[ZnO]mで表される固溶体(ただし、この組成
式において、xとyは酸化亜鉛に内包された酸化亜鉛基
層状化合物に発生する積層欠陥、点欠陥を意味する実
数、mは酸化亜鉛基層状化合物の平均積層周期を示す1
以上の整数、Mは、La〜Luに至るランタニド元素ま
たはYから選ばれる1種以上、zは固溶組成を示す正の
実数である。)を内包することを特徴とする、上記の酸
化亜鉛材料である。
ムの少なくとも1種、あるいはさらにLa〜Luに至る
ランタニド元素またはYから選ばれる1種以上の金属元
素を20万電子ボルト超の加速電圧で加速したイオン注
入によって酸化亜鉛単結晶内に注入することを特徴とす
る、上記の酸化亜鉛材料の製造法である。また、本発明
は、イオン注入の後、注入によって生じた欠陥を回復さ
せ、さらに注入されたイオンを酸化するために酸素雰囲
気中で熱処理を加えることを特徴とする上記の酸化亜鉛
材料の製造法である。
状化合物が量子ドットとしての特性を発現するには、微
結晶粒子が酸化亜鉛単結晶内に内包される必要があり、
この微結晶粒子を析出させるためには、イオン注入法が
有効である。
入した酸化亜鉛単結晶を高温で熱処理することにより、
構造再配列を誘起し、これにより、酸化亜鉛単結晶内に
酸化亜鉛基層状化合物構造を有する微結晶粒子を形成す
る。微結晶粒子の存在、結晶配向性は、透過型電子顕微
鏡によって評価可能である。
在する屈折率差、誘電率差、伝導率差によって、有用な
電子・光学機能を持たせた酸化亜鉛材料を製造するに
は、酸化亜鉛中に酸化亜鉛基層状化合物が内包された構
造が必要であり、かつ、結晶粒界による電子・光の散乱
をさけた高性能素子を得るためには、多結晶の酸化亜鉛
ではなく、単結晶の酸化亜鉛に酸化亜鉛基層状化合物を
内包した構造が有利であるため、単結晶に酸化亜鉛基層
状化合物を内包した構造が好ましい。
くとも1種を含む酸化亜鉛基層状化合物を内包した酸化
亜鉛材料の概略説明図である。酸化亜鉛単結晶からなる
母結晶にインジウムまたはガリウムの少なくとも1種を
イオン注入すると、注入された領域は結晶構造が乱れ、
非晶質状態に近い状態になりこれを熱処理すると微結晶
化し、In2(1+x)O3(1+y)[ZnO]mまたはGa2(1+x)
O3(1+y) [ZnO]mで表される酸化亜鉛基層状化合物結
晶が形成され、図1中の拡大図に示すように、酸化亜鉛
のc軸と酸化亜鉛の層状化合物結晶のc軸が平行になる
ように整列した酸化亜鉛基層状化合物を内包する酸化亜
鉛材料が得られる。層状化合物を内包させるための母結
晶として、酸化亜鉛単結晶を選択することができる。
種を含む酸化亜鉛基層状化合物は酸化亜鉛と類似した構
造を有している。イオン注入法による注入量を変えるこ
とにより、微結晶粒子の析出量が制御可能であり、ま
た、注入後の熱処理による微結晶粒子の成長により、微
結晶粒子のサイズ制御も可能である。ただし、イオン加
速器による酸化亜鉛基層状化合物の2次元的な結晶構造
に起因する2次元的な物性は電気伝導性の2次元性、磁
性の2次元性につながる。
イオンが固溶することが知られており、組成式M2(1+z)
In2(1+x)O3(1+y)[ZnO]m(xとyは酸化亜鉛に内
包された微結晶粒子に発生する積層欠陥、点欠陥を意味
する実数、mは酸化亜鉛基層状化合物結晶の平均積層周
期を示す1以上の整数、Mは、La〜Luに至るランタ
ニド元素またはYから選ばれる1種以上、zは固溶組成
を示す正の実数である)で表される固溶体を内包する酸
化亜鉛材料を製造可能である。
次元的な相互作用を誘起するためには、母結晶の結晶方
位によって、結晶方位が揃えられた酸化亜鉛基層状化合
物を内包した構造が必要である。イオン注入法によって
単結晶中に結晶方位のそろった酸化亜鉛基層状化合物を
析出させることで、結晶方位の揃った磁性の2次元性を
持つ構造が製造可能となる。
概略工程図を図2に示す。イオン加速器を用いて加速し
たイオン(インジウムとガリウムの一方、あるいは両
方)を酸化亜鉛単結晶のC面(0001面)から注入する。こ
の際、内包構造を作るには、酸化亜鉛単結晶の内部に打
ち込んだイオンを結晶の奥に到達させなければならない
が、加速電圧が小さいほど奥に到達し難くなり、20万
電子ボルトでは、打ち込んだイオンが表面にとどまって
しまい、酸化亜鉛単結晶表面をインジウムおよび/また
はガリウム添加酸化亜鉛でコーティングした状態とな
り、内包構造を実現できない。したがって、加速電圧を
20万電子ボルト超、好ましくは百万電子ボルト以上に
したイオン注入が必要である。
囲において変えることにより、酸化亜鉛単結晶中の特定
部位表面から計ったある限定された深さの部位にインジ
ウムまたはガリウムの少なくとも1種を含む金属元素を
高濃度に注入できる。
計可能であり、イオン注入法により理論的に予測したあ
る限定された深さ範囲にインジウムまたはガリウムの少
なくとも1種を含む金属元素を高濃度に注入できる。固
溶体を形成する場合には、インジウム、ガリウム、ある
いは固溶体を形成する元素のイオンがそれぞれ、同じ深
さに注入されるために必要なイオン加速電圧を、予め、
理論計算などにより求めておく。
注入部位が非晶質に近い状態になっており、これを熱処
理することによって被注入部位に打ち込まれたイオンと
酸化亜鉛単結晶中の亜鉛イオンを反応させて、酸化亜鉛
基層状化合物を微結晶粒子として析出させる。熱処理は
800℃以上、6時間以上の熱処理が好ましいが、最適
な熱処理条件は、イオン注入時の加速電圧、注入量など
により変化するため、注入条件ごとにその温度、処理条
件を調整する。また、インジウムやガリウムは3価のイ
オンであるため、十分な酸素量を与えないと、不安定な
状態になり、目的の構造が実現できないため、酸素雰囲
気で熱処理する必要がある。
るいは、注入中に熱を加えることにより、注入後の熱処
理を施すことなく、注入中に注入によるダメージを取り
除くことは可能である。注入中に十分な熱が与えられた
場合、注入後の熱処理を施すこと無しに目的の構造を得
られる場合もある。こうした場合、注入後の熱処理を施
すこと無しに、酸化亜鉛基層状化合物を内包した酸化亜
鉛材料が製造可能である。したがって、上記、熱処理条
件は、あくまで、注入後の注入部位が非晶質的な状態に
なっていた場合に、その状態から回復させるために十分
な条件を示したものである。
種、あるいは、ランタニド元素またはYからなる金属元
素のイオンを注入した後、あるいは、それらを打ち込む
前に、理論計算によって見積もられた適当なエネルギー
で酸素イオンを打ち込むことにより、上記熱処理に際し
て、酸素雰囲気が必要でない場合がある。したがって、
上記の熱処理条件は、注入後の酸化が必要な場合に十分
な酸素を与えるための十分条件を示したものである。
する電子、光応答を取り出して素子に応用するために
は、母結晶自身による光吸収などの効果を低減する必要
があり、母結晶表面から浅い位置、すなわち、2ミクロ
ン程度の深さに微結晶粒子を内包させる必要があり、こ
うした浅い領域に、異種元素を導入する手段としてイオ
ン注入法を利用する。利用可能な市販の一般的な打ち込
み装置である200万電子ボルトの装置を用いて10ミ
クロン未満の深さへの注入は可能である。
合、母結晶に打ち込んだイオンの深さが浅いために、熱
処理による結晶化の際に拡散によって表面に吐き出され
てくる可能性がある。また、低加速電圧のイオンで打ち
込んだ場合には、打ち込まれたイオンが表面に存在して
しまう。そのため、インジウムまたはガリウムが酸化亜
鉛単結晶の外部に吐き出されることを避けるためには、
母結晶の表面から深い位置に打ち込む必要があり、高加
速電圧のイオン注入装置を用いてイオン注入を行う。
販のHVEEハイボルテージエンジニアリングヨーロッ
パ製の2MeVイオン加速器を用い、200万電子ボル
トの加速電圧で加速したインジウムイオンを酸化亜鉛単
結晶のC面から注入し、注入後800℃において酸素ガ
ス雰囲気中で熱処理した。この試料を透過型電子顕微鏡
で観察したところ、図3のような観察結果が得られた。
期とするコントラストが得られており、このコントラス
トは、打ち込んだインジウムと酸化亜鉛単結晶中の亜鉛
が反応することで生成した酸化亜鉛基層状化合物の形成
を示すものである。すなわち、酸化亜鉛基層状化合物の
結晶構造を有する微結晶粒子が、イオン注入シミュレー
ションソフトウエアを用いた注入深さ予測で予想された
深さの位置に、そのc軸を酸化亜鉛単結晶と平行にした
状態で形成された。
速器を用い20万電子ボルトの加速電圧で加速したイン
ジウムイオンを酸化亜鉛単結晶のC面から注入し、注入
後800℃において酸素ガス雰囲気中で熱処理した。こ
の試料を透過型電子顕微鏡で観察したところ、酸化亜鉛
基層状化合物は得られなかった。これは、イオン加速電
圧が低く、インジウムが酸化亜鉛単結晶表面近くに注入
され、熱処理中に脱離したことによる。
も1種を含む酸化亜鉛基層状化合物を内包した酸化亜鉛
材料の概略説明図である。
も1種を含む酸化亜鉛基層状化合物の結晶を内包した酸
化亜鉛材料を得るための製造法の概略工程図である。
合物の図面代用透過電子顕微鏡写真である。
Claims (8)
- 【請求項1】 酸化亜鉛単結晶を母結晶とする材料であ
って、インジウムまたはガリウムの少なくとも1種を含
む酸化亜鉛基層状化合物の結晶構造を有し、酸化亜鉛の
c軸と酸化亜鉛基層状化合物のc軸が平行になるように
整列した酸化亜鉛基層状化合物を内包することを特徴と
する酸化亜鉛材料。 - 【請求項2】 酸化亜鉛単結晶を母結晶とする材料であ
って、組成式 In2 (1+x)O3(1+y)[ZnO]m、またはG
a2(1+x)O3(1+y)[ZnO]mで表される酸化亜鉛基層状
化合物結晶(ただし、この組成式において、xとyは酸
化亜鉛に内包された酸化亜鉛基層状化合物に発生する積
層欠陥、点欠陥を意味する実数、mは酸化亜鉛基層状化
合物の平均積層周期を示す1以上の整数である。)を内
包することを特徴とする、請求項1記載の酸化亜鉛材
料。 - 【請求項3】 酸化亜鉛単結晶を母結晶とする材料であ
って、インジウムまたはガリウムの少なくとも1種を含
む酸化亜鉛基層状化合物結晶構造を有する微結晶粒子を
酸化亜鉛単結晶の表面から2ミクロン以内の深さに内包
することを特徴とする、請求項1または2記載の酸化亜
鉛材料。 - 【請求項4】 酸化亜鉛単結晶を母結晶とする材料であ
って、インジウムまたはガリウムの少なくとも1種を含
む酸化亜鉛基層状化合物結晶構造を有する微結晶粒子を
酸化亜鉛単結晶の表面から2ミクロン以内の深さに内包
するが、この微結晶粒子が材料表面に露出していないこ
とを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載の
酸化亜鉛材料。 - 【請求項5】 酸化亜鉛単結晶を母結晶とする材料であ
って、組成式M2( 1+z)In2(1+x)O3(1+y)[ZnO]mで
表される固溶体(ただし、この組成式において、xとy
は酸化亜鉛に内包された酸化亜鉛基層状化合物に発生す
る積層欠陥、点欠陥を意味する実数、mは酸化亜鉛基層
状化合物の平均積層周期を示す1以上の整数、Mは、L
a〜Luに至るランタニド元素またはYから選ばれる1
種以上、zは固溶組成を示す正の実数である。)を内包
することを特徴とする、請求項1ないし4のいずれかに
記載の酸化亜鉛材料。 - 【請求項6】 インジウムまたはガリウムの少なくとも
1種を20万電子ボルト超の加速電圧で加速したイオン
注入によって酸化亜鉛単結晶内に注入することを特徴と
する、請求項1ないし4のいずれかに記載の酸化亜鉛材
料の製造法。 - 【請求項7】 インジウム、ガリウムの少なくとも1種
に加えてLa〜Luに至るランタニド元素またはYから
選ばれる1種以上の金属元素を20万電子ボルト超の加
速電圧で加速したイオン注入によって酸化亜鉛単結晶内
に注入することを特徴とする、請求項5記載の酸化亜鉛
材料の製造法。 - 【請求項8】 イオン注入の後、注入によって生じた欠
陥を回復させ、さらに注入されたイオンを酸化するため
に酸素雰囲気中で熱処理を加えることを特徴とする請求
項6または7記載の酸化亜鉛材料の製造法。
Priority Applications (1)
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JP2001228226A JP3721395B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | 酸化亜鉛基層状化合物を内包した構造を持つ酸化亜鉛材料 |
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JP2001228226A Expired - Lifetime JP3721395B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | 酸化亜鉛基層状化合物を内包した構造を持つ酸化亜鉛材料 |
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-
2001
- 2001-07-27 JP JP2001228226A patent/JP3721395B2/ja not_active Expired - Lifetime
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