JP4720637B2 - 光素子及びその製造方法 - Google Patents
光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4720637B2 JP4720637B2 JP2006165760A JP2006165760A JP4720637B2 JP 4720637 B2 JP4720637 B2 JP 4720637B2 JP 2006165760 A JP2006165760 A JP 2006165760A JP 2006165760 A JP2006165760 A JP 2006165760A JP 4720637 B2 JP4720637 B2 JP 4720637B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- electrode
- columnar
- optical element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
- H01S5/18313—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation by oxidizing at least one of the DBR layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/18—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
- H01S5/04257—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration having positive and negative electrodes on the same side of the substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
この発明によると、面発光型半導体レーザの少なくとも一部を含む第1柱状部の側面及び上面の一部が第1絶縁層により覆われており、受光素子の少なくとも一部を含む第2柱状部の側面及び上面の一部が第2絶縁層により覆われている。このため、第1柱状部からの第1絶縁層の剥離及び第2柱状部からの第2絶縁層の剥離が防止されてリーク電流を低減することができる。
ここで、本発明の光素子は、前記第1絶縁層が、前記第1柱状部の上面外周を全周に亘って覆っていることが望ましい。
或いは、本発明の光素子は、前記第1絶縁層上には、前記第1柱状部の上面に接合して前記面発光型半導体レーザと電気的に接続された第1電極が形成されており、前記第1絶縁層は、少なくとも前記第1電極の下方の部分が前記第1柱状部の上面を覆っていることを特徴としている。
この発明によると、第1柱状部の上面に接合して面発光型半導体レーザと電気的に接続される第1電極の下方に位置する第1絶縁層が少なくとも第1柱状部の上面を覆っているため、少なくとも第1電極の下方において第1柱状部からの第1絶縁層の剥離が防止されて第1電極の断線をなくすことができる。
ここで、本発明の光素子は、前記第1絶縁層が、前記第1柱状部の上面を、その外周の端部から中心に向かって少なくとも1μm覆っていることが望ましい。
また、本発明の光素子は、前記第2絶縁層が、前記第2柱状部の上面外周を全周に亘って覆っていることが望ましい。
或いは、本発明の光素子は、前記第2絶縁層上には、前記第2柱状部の上面に接合して前記受光素子と電気的に接続された第2電極が形成されており、前記第2絶縁層は、少なくとも前記第2電極の下方の部分が前記第2柱状部の上面を覆っていることを特徴としている。
この発明によると、第2柱状部の上面に接合して受光素子と電気的に接続される第2電極の下方に位置する第2絶縁層が少なくとも第2柱状部の上面を覆っているため、少なくとも第2電極の下方において第2柱状部からの第2絶縁層の剥離が防止されて第2電極の断線をなくすことができる。
また、本発明の光素子は、前記第2絶縁層が、前記第1柱状部の上面に前記第1絶縁層の縁部から該第1絶縁層と連続して形成されていることとしてもよい。
この発明によると、平面視で第1絶縁層と第2絶縁層とが重ならないため、第1絶縁層と第2絶縁層との形成順序を適宜変更できる。
そして、本発明の光素子は、前記第1絶縁層が、前記第2絶縁層の一部を覆い、前記第1絶縁層上には、前記第2柱状部の上面に接合して前記受光素子と電気的に接続された第2電極が形成されていることを特徴としている。
この発明によると、第2電極と面発光型半導体レーザとの間や第2電極と受光素子との間における寄生容量を低減することができる。このため、面発光型半導体レーザや光素子の高速動作が可能となる。
ここで、本発明の光素子は、前記第2絶縁層が、前記第2柱状部の上面を、その外周の端部から中心に向かって少なくとも1μm覆っていることが望ましい。
上記課題を解決するために、本発明の光素子の製造方法は、基板表面に直交する方向にレーザ光を射出する面発光型半導体レーザと受光素子とを備える光素子の製造方法において、前記基板上に前記面発光型半導体レーザ及び前記受光素子を構成する複数の半導体層を形成する工程と、前記半導体層をエッチングすることにより、前記面発光型半導体レーザの少なくとも一部を含む第1柱状部を形成する工程と、前記半導体層をエッチングすることにより、前記受光素子の少なくとも一部を含む第2柱状部を形成する工程と、前記第1柱状部の側面及び上面の一部を覆うように第1絶縁層を形成する工程と、前記第2柱状部の側面及び上面の一部を覆うように第2絶縁層を形成する工程とを含むことを特徴としている。
この発明によると、面発光型半導体レーザの少なくとも一部を含む第1柱状部の側面及び上面の一部を覆うように第1絶縁層が形成され、受光素子の少なくとも一部を含む第2柱状部の側面及び上面の一部を覆うように2絶縁層が形成される。このため、第1柱状部からの第1絶縁層の剥離を防止し、これによりリーク電流を低減することができる高性能の光素子を製造することができる。
また、本発明の光素子の製造方法は、前記第1絶縁層を形成する工程が、前記第1柱状部の側面及び上面を覆うように前駆体層を形成する工程と、前記前駆体層が前記第1柱状部上面の一部を覆うよう前記第1柱状部の上面に形成された前記前駆体層をパターニングする工程と、前記前駆体層を硬化する工程とを含むことを特徴としている。
ここで、本発明の光素子の製造方法は、前記前駆体層のパターニングが、ドライエッチング法又はウェットエッチング法を用いて行われることを特徴としている。
また、本発明の光素子の製造方法は、前記前駆体層のパターニングが、前記駆動体が前記第1柱状部の上面を、その外周の端部から中心に向かって少なくとも1μm覆うようパターニングすることを特徴としている。
この発明によると、第1柱状部の上面を、その外周の端部から中心に向かって少なくとも1μm覆うようパターニングすれば、仮にパターニング時に誤差が生じたとしても第1柱状部の上面の少なくとも一部を第1絶縁層により覆うことができる。
また、本発明の光素子の製造方法は、前記第2絶縁層を形成する工程が、前記第2柱状部の側面及び上面を覆うように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層が前記第2柱状部上面の一部を覆うよう前記第2柱状部の上面に形成された前記絶縁層をパターニングする工程とを含むことを特徴としている。
ここで、本発明の光素子の製造方法は、前記絶縁層が、プラズマCVD法によって形成されることを特徴としている。
また、本発明の光素子の製造方法は、前記絶縁層のパターニングが、ドライエッチング法又はウェットエッチング法を用いて行われることを特徴としている。
更に、本発明の光素子の製造方法は、前記前絶縁層のパターニングが、前記絶縁層が前記第2柱状部の上面を、その外周の端部から中心に向かって少なくとも1μm覆うようパターニングすることを特徴としている。
この発明によると、第2柱状部の上面を、その外周の端部から中心に向かって少なくとも1μm覆うようパターニングすれば、仮にパターニング時に誤差が生じたとしても第2柱状部の上面の少なくとも一部を第2絶縁層により覆うことができる。
まず、図1〜図3を参照して本発明の一実施形態による光素子の構造について説明する。図1は本発明の一実施形態による光素子を模式的に示す平面図であり、図2,図3は本発明の一実施形態による光素子を模式的に示す断面図である。尚、図2は、図1中のA−A線に沿う断面図であり、図2は図1中のB−B線に沿う断面図である。図2,図3に示す通り、本実施形態の光素子10は、面発光型半導体レーザ20と、受光素子としての光検出素子30とを含んで構成される。以下、これらの構成及び全体構成について順に説明する。
面発光型半導体レーザ20は、半導体基板(本実施形態ではn型GaAs基板)11上に形成されている。この面発光型半導体レーザ20は垂直共振器を有しており、本実施形態では垂直共振器をなす一方の分布反射型多層膜ミラー及び活性層が柱状の半導体堆積体(以下、第1柱状部という)40に形成されている。つまり、面発光型半導体レーザ20はその一部が第1柱状部40に含まれた構成である。
本実施形態の光素子10は、主として第1柱状部40の周囲を取り囲むよう第1ミラー21の上に第1絶縁層50が形成されている。また、この第1絶縁層50は、第1柱状部40の周囲のみならず、第1柱状部40の上面の少なくとも一部を覆うように形成されている。この第1絶縁層50は、電極26の引き出し部26b及びパッド部26cの下に形成されている。更に、第1絶縁層50は、後述する第2絶縁層70の下に形成されている。
本実施形態の光素子10は、面発光型半導体レーザ20上に分離層27が形成されている。即ち、分離層27は、面発光型半導体レーザ20と後述する光検出素子30との間に設けられている。具体的には、図2及び図3に示す通り、分離層27は、第2ミラー23上に形成されている。即ち、分離層27は、第2ミラー23と後述する第1コンタクト層31との間に設けられている。
光検出素子30は分離層27上に設けられている。光検出素子30は第1コンタクト層31、光吸収層32、及び第2コンタクト層33を含んで構成される。第1コンタクト層31は分離層27上に設けられ、光吸収層32は第1コンタクト層31上に設けられ、第2コンタクト層33は光吸収層32上に設けられている。第1コンタクト層31の平面形状は、光吸収層32、及び第2コンタクト層33の平面形状よりも大きく形成されている(図2及び図3参照)。第2コンタクト層33及び光吸収層32は、柱状の半導体堆積体(以下、第2柱状部という)60を構成する。つまり、光検出素子30はその一部が第2柱状部60に含まれた構成である。尚、光検出素子30の上面は、面発光型半導体レーザ20からのレーザ光の射出面34とされている。
この電極35は、主として第1コンタクト層31及び第2絶縁層70を取り囲むように設けられている。換言すると、第1コンタクト層31及び第2絶縁層70は、電極35の内側に設けられている。
本実施形態の光素子10は、主として第2柱状部60を取り囲むように、且つ、第2柱状部60の上面の少なくとも一部を覆うように第2絶縁層70が形成されている。この第2絶縁層70は、図1〜図3に示す通り、第1コンタクト層31、第2ミラー23、及び第1絶縁層50の上に形成されている。また、第2絶縁層70は、電極36の引き出し部36b及びパッド部36cの下に形成されている。
本実施形態の光素子10は、面発光型半導体レーザ20のn型の第1ミラー21及びp型の第2ミラー23、並びに光検出素子30のn型の第1コンタクト層31及びp型の第2コンタクト層33から、全体としてnpnp構造になっている。光検出素子30は、面発光型半導体レーザ20で発生したレーザ光の出力をモニタするために設けられる。具体的には、光検出素子30は、面発光型半導体レーザ20で生じたレーザ光を電流に変換し、この電流の値によって面発光型半導体レーザ20で生じたレーザ光の出力がモニタされる。
次に、実施形態の光素子10の一般的な動作について説明する。尚、下記の光素子10の駆動方法は一例であり、本発明の範囲内で種々の変更が可能である。まず、電極25と電極26とを不図示の電源に接続してpinダイオードに順方向の電圧を印加すると、面発光型半導体レーザ20の活性層22において、電子と正孔との再結合が生じ、再結合による発光が生じる。そこで生じた光が第2ミラー23と第1ミラー21との間を往復する間に誘導放出が起こって光の強度が増幅される。光利得が光損失を上まわると、レーザ発振が起こり、第2ミラー23の上面からレーザ光が射出され、分離層27へと入射する。
次いで、レーザ光は光検出素子30の第1コンタクト層31に入射する。
次に、以上説明した光素子10の製造方法について説明する。図4〜図13は、本発明の一実施形態による光素子の製造工程を模式的に示す断面図である。尚、これらの図は図1に示す断面図に対応している。本実施形態の光素子10を製造するには、図4に示す通り、まずn型GaAs層からなる半導体基板11の表面11aに組成を変調させながらエピタキシャル成長させて半導体多層膜80を形成する。
。具体的には、まず、第2ミラー23上にレジスト(図示省略)を塗布した後、リソグラフィ法により塗布したレジストをパターニングする。これにより、所定のパターンのレジスト層R3が形成される。次いで、レジスト層R3をマスクとして、例えばドライエッチング法により、第2ミラー23、活性層22、及び第1ミラー21の一部をエッチングする。これにより、図8に示す通り、第1柱状部40が形成される。
かかる形状にするためには、第2ミラー23上に形成された前駆体層のうちの第1絶縁層50となる部分以外の部分を除去する必要がある。第2ミラー23上に形成された前駆体層の厚みと、第1柱状部40の上面を覆うよう形成された前駆体の厚みとは全く異なるため、前駆体層のパターニングは2回に分けて行うのが好ましい。例えば、最初のパターニングで第1絶縁層50となる部分以外の部分をパターニングして第1絶縁層50の外形形状を円形にし、第2回目のパターニングで第1柱状部40の上面を覆っている前駆体層を除去して第1絶縁層50が第1柱状部40の上面を、その外周の端部から中心に向かって少なくとも1μm覆うように形成する。
すなわち、第1絶縁層50の第1柱状部40側の縁部と第2絶縁層70の第1柱状部40側の縁部とが一致している。そして、電極36が第1絶縁層50及び第2絶縁層70上に形成されている。
ここで、第1絶縁層50には、第1絶縁層50が液体材料を硬化させることによって形成されていることから、第1柱状部40の縁部近傍に盛上り部が形成されている。また、第1柱状部40は、その側壁と半導体基板11の表面11aとのなす角が90度未満となっており、その外形が下面から上面に向かうにしたがって漸次縮小している。
この光素子100は、上述した実施形態と同様の手順によって製造できるが、第1絶縁層50と第2絶縁層70とが平面視において重なっていないため、第1絶縁層50を形成する工程と第2絶縁層70を形成する工程との順番を入れ替えることが可能となる。
このような構成の光素子100においても、上述と同様の作用、効果を奏する。
ここで、第1絶縁層50には、第1絶縁層50が液体材料を硬化させることによって形成されていることから、第2柱状部60の縁部近傍に盛上り部が形成されている。また、第1柱状部40は、その側壁と半導体基板11の表面11aとのなす角が90度未満となっており、その外形が下面から上面に向かうにしたがって漸次縮小している。
このような構成の光素子110においても、上述と同様の作用、効果を奏するが、第2絶縁層70上に厚肉の第1絶縁層50が形成されているため、電極36と光検出素子30との間隔や電極36と面発光型半導体レーザ20との間隔が大きくなるため、電極36と面発光型半導体レーザ20との間や電極36と光検出素子30との間隔における寄生容量を低減することができる。このため、面発光型半導体レーザ20や光検出素子30の高速動作が可能となる。
Claims (2)
- 基板表面に直交する方向にレーザ光を射出する面発光型半導体レーザと、当該面発光型半導体レーザの上方又は下方に形成された受光素子とを前記基板上に備える光素子において、
前記面発光型半導体レーザの少なくとも一部を含む第1柱状部の側面及び上面の一部を覆う第1絶縁層と、
前記受光素子の少なくとも一部を含む第2柱状部の側面及び上面の一部を覆う第2絶縁層とを備え、
前記第1柱状部は、その側壁と前記基板の表面とのなす角が90度未満となっており、その外形が下面から上面に向かうにしたがって漸次縮小しており、
前記第1絶縁層上には、前記第1柱状部の上面に接合して前記面発光型半導体レーザと電気的に接続された第1電極が形成されており、
前記第2絶縁層上に肉厚の前記第1絶縁層が形成され、前記第2絶縁層上及び前記第1絶縁層上には、前記第2柱状部の上面に接合して前記受光素子と電気的に接続された第2電極が形成されており、
前記第1絶縁層は、前記第2柱状部の縁部近傍に盛上り部が形成されるとともに、少なくとも前記第1電極の下方の部分が前記第1柱状部の上面を覆っており、
前記第2絶縁層は、少なくとも前記第2電極の下方の部分が前記第2柱状部の上面を覆っていることを特徴とする光素子。 - 前記第1絶縁層は、前記第1柱状部の上面を、その外周の端部から中心に向かって少なくとも1μm覆っており、
前記第2絶縁層は、前記第2柱状部の上面を、その外周の端部から中心に向かって少なくとも1μm覆っていることを特徴とする請求項1記載の光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006165760A JP4720637B2 (ja) | 2005-09-07 | 2006-06-15 | 光素子及びその製造方法 |
US11/470,395 US20070054437A1 (en) | 2005-09-07 | 2006-09-06 | Optical element and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005258893 | 2005-09-07 | ||
JP2005258893 | 2005-09-07 | ||
JP2006165760A JP4720637B2 (ja) | 2005-09-07 | 2006-06-15 | 光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007103907A JP2007103907A (ja) | 2007-04-19 |
JP4720637B2 true JP4720637B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=37830516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006165760A Expired - Fee Related JP4720637B2 (ja) | 2005-09-07 | 2006-06-15 | 光素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070054437A1 (ja) |
JP (1) | JP4720637B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6206669B2 (ja) * | 2013-11-20 | 2017-10-04 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
EP3514898A1 (en) * | 2018-01-19 | 2019-07-24 | Koninklijke Philips N.V. | Vertical cavity surface emitting laser device with integrated photodiode |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002289976A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Ricoh Co Ltd | 半導体構造およびその製造方法および半導体レーザ素子および半導体レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光lanシステム |
US6670599B2 (en) * | 2000-03-27 | 2003-12-30 | Aegis Semiconductor, Inc. | Semitransparent optical detector on a flexible substrate and method of making |
JP2005033106A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Seiko Epson Corp | 面発光型発光素子、光モジュール、光伝達装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0645633A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-18 | Nec Corp | 半導体光スイッチとその駆動方法 |
JP3713956B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2005-11-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 |
DE60043536D1 (de) * | 1999-03-04 | 2010-01-28 | Nichia Corp | Nitridhalbleiterlaserelement |
JP3729270B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2005-12-21 | セイコーエプソン株式会社 | 光素子およびその製造方法 |
JP3729271B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2005-12-21 | セイコーエプソン株式会社 | 光素子およびその製造方法 |
JP4164685B2 (ja) * | 2004-07-06 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 光素子及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-06-15 JP JP2006165760A patent/JP4720637B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-06 US US11/470,395 patent/US20070054437A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6670599B2 (en) * | 2000-03-27 | 2003-12-30 | Aegis Semiconductor, Inc. | Semitransparent optical detector on a flexible substrate and method of making |
JP2002289976A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Ricoh Co Ltd | 半導体構造およびその製造方法および半導体レーザ素子および半導体レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光lanシステム |
JP2005033106A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Seiko Epson Corp | 面発光型発光素子、光モジュール、光伝達装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070054437A1 (en) | 2007-03-08 |
JP2007103907A (ja) | 2007-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8031755B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser and method for fabricating the same | |
US20070133642A1 (en) | Vertical cavity surface emitting laser module having monitoring photodiode and method of fabricating the same | |
JP2005217147A (ja) | 受発光素子アレイ、光モジュール、および光伝達装置 | |
JP4650631B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP3729270B2 (ja) | 光素子およびその製造方法 | |
US7312508B2 (en) | Optical element, and its manufacturing method | |
JP4164679B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
JP4720637B2 (ja) | 光素子及びその製造方法 | |
JP2007158215A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
JP4525921B2 (ja) | 光素子およびその製造方法、ならびに光モジュール | |
JP2007165501A (ja) | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP2007129010A (ja) | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 | |
US20070081568A1 (en) | Optical semiconductor element and method for manufacturing the same | |
JP4356677B2 (ja) | 光半導体素子 | |
JP2008187108A (ja) | 光素子およびその製造方法 | |
US7643531B2 (en) | Optical semiconductor element including photodetecting element with comb-tooth structure | |
JP4449756B2 (ja) | 光素子 | |
JP2007036140A (ja) | 光素子およびその製造方法 | |
JP2007103768A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
JP2008004746A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
JP2005223061A (ja) | 光素子およびその製造方法 | |
JP4572369B2 (ja) | 光素子及びその製造方法 | |
JP2006049428A (ja) | 光素子およびその製造方法 | |
JP2006339486A (ja) | 光素子およびその製造方法 | |
JP2006066482A (ja) | 面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法、並びに光学ユニットおよび光学モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081002 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110215 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110321 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |