JP4702403B2 - 充電制御用半導体集積回路 - Google Patents
充電制御用半導体集積回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4702403B2 JP4702403B2 JP2008149032A JP2008149032A JP4702403B2 JP 4702403 B2 JP4702403 B2 JP 4702403B2 JP 2008149032 A JP2008149032 A JP 2008149032A JP 2008149032 A JP2008149032 A JP 2008149032A JP 4702403 B2 JP4702403 B2 JP 4702403B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mos transistor
- current
- voltage
- current detection
- control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/02—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries for charging batteries from ac mains by converters
- H02J7/04—Regulation of charging current or voltage
- H02J7/06—Regulation of charging current or voltage using discharge tubes or semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
- G01R19/16504—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the components employed
- G01R19/16519—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the components employed using FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
前記電流検出回路は、前記電流制御用MOSトランジスタのドレイン電圧と前記電流検出用MOSトランジスタのドレイン電圧を入力とする演算増幅回路を備え、該演算増幅回路の出力に基づいて前記電流検出用MOSトランジスタのバイアス状態が、前記電流制御用MOSトランジスタのバイアス状態と同一になるように構成され、前記電流制御用MOSトランジスタのドレイン電極から出力端子までの配線と、前記電流検出用MOSトランジスタのドレイン電極から前記演算増幅回路の反転入力端子が接続された入力点となる箇所までの配線が、断面積が同一で長さの比を1:Nに設定されることで、前記電流制御用MOSトランジスタと前記電流検出用MOSトランジスタの各ドレイン電極から前記演算増幅回路の対応する入力点までの配線の寄生抵抗による電圧降下が同一となるように設定され、
前記電流検出回路は、前記演算増幅回路の入力点と、接地点に接続された電流−電圧変換手段と、の間に接続されたバイアス状態制御用トランジスタを備え、前記演算増幅回路の出力が前記バイアス状態制御用トランジスタの制御端子に印加されることで、前記電流制御用MOSトランジスタと前記電流検出用MOSトランジスタのドレイン電圧が同電位となるように構成され、
前記電流検出用MOSトランジスタのドレイン電極から前記演算増幅回路の入力点までの配線は、チップ内部で冗長に引き回わされて寄生抵抗が所定値になるように構成する。
11 ゲート電圧制御回路
12 電圧検出回路
13 電流検出回路
14 電圧比較回路
20 直流電源
30 二次電池
Q1 電流制御用MOSトランジスタ
Q2 電流検出用MOSトランジスタ
Q3 バイアス状態制御用トランジスタ
M1,M2 バックゲート電圧切替え用スイッチMOSトランジスタ
Claims (6)
- 電圧入力端子と出力端子との間に接続され前記電圧入力端子から出力端子へ流す電流を制御する電流制御用MOSトランジスタと、
ソース端子が前記電流制御用MOSトランジスタのソース端子に接続され1/Nのサイズを有し同一のゲート電圧がゲート端子に印加される電流検出用MOSトランジスタを有する電流検出回路と、
前記電流検出回路により検出された電流値に応じて前記電流制御用MOSトランジスタのゲート電圧を制御するゲート電圧制御回路と、を備えた充電制御用半導体集積回路であって、
前記電流検出回路は、前記電流制御用MOSトランジスタのドレイン電圧と前記電流検出用MOSトランジスタのドレイン電圧を入力とする演算増幅回路を備え、該演算増幅回路の出力に基づいて前記電流検出用MOSトランジスタのバイアス状態が、前記電流制御用MOSトランジスタのバイアス状態と同一になるように構成され、
前記電流制御用MOSトランジスタのドレイン電極から出力端子までの配線と、前記電流検出用MOSトランジスタのドレイン電極から前記演算増幅回路の反転入力端子が接続された入力点となる箇所までの配線が、断面積が同一で長さの比を1:Nに設定することで、前記電流制御用MOSトランジスタと前記電流検出用MOSトランジスタの各ドレイン電極から前記演算増幅回路の対応する入力点までの配線の寄生抵抗による電圧降下が同一となるように設定され、
前記電流検出回路は、前記演算増幅回路の入力点と、接地点に接続された電流−電圧変換手段と、の間に接続されたバイアス状態制御用トランジスタを備え、
前記演算増幅回路の出力が前記バイアス状態制御用トランジスタの制御端子に印加されることで、前記電流制御用MOSトランジスタと前記電流検出用MOSトランジスタのドレイン電圧が同電位となるように構成され、
前記電流検出用MOSトランジスタのドレイン電極から前記演算増幅回路の入力点までの配線は、チップ内部で冗長に引き回わされて寄生抵抗が所定値になるように形成されていることを特徴とする充電制御用半導体集積回路。 - 前記電流検出用MOSトランジスタは、半導体チップ上において前記電流制御用MOSトランジスタの形成領域のほぼ中央に位置するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の充電制御用半導体集積回路。
- 前記電流検出用MOSトランジスタは、基本のドレイン電極と互いに分離された複数の予備ドレイン電極を有し、前記予備ドレイン電極をアルミ配線パターンにより選択的に前記基本のドレイン電極に接続することにより、実効ゲート幅が調整可能に構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の充電制御用半導体集積回路。
- 前記電流検出回路は、所定の定電圧を分圧する分圧回路と、該分圧回路により分圧された電圧と、前記電流制御用MOSトランジスタに流れる電流を電圧に変換する電流−電圧変換手段により変換された電圧と、の電位差に応じた電圧を前記ゲート制御回路へ出力する増幅回路とを備え、前記分圧回路を構成するいずれかの抵抗はその抵抗値が調整可能に構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の充電制御用半導体集積回路。
- 前記電流−電圧変換手段は半導体チップの外付け抵抗素子であり、該抵抗素子を接続するための外部端子が設けられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の充電制御用半導体集積回路。
- 前記外付け抵抗素子は所定の抵抗値を有する汎用の抵抗素子であり、前記電流制御用MOSトランジスタと前記電流検出用MOSトランジスタのサイズ比Nは、前記汎用の抵抗素子の抵抗値に応じて決定されていることを特徴とする請求項5に記載の充電制御用半導体集積回路。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008149032A JP4702403B2 (ja) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 充電制御用半導体集積回路 |
TW098116388A TW200952306A (en) | 2008-06-06 | 2009-05-18 | Charge-controlling semiconductor integrated circuit |
KR1020090044898A KR20090127222A (ko) | 2008-06-06 | 2009-05-22 | 충전 제어용 반도체 집적 회로 |
EP09161921A EP2139116A1 (en) | 2008-06-06 | 2009-06-04 | Charge-controlling semiconductor integrated circuit |
US12/478,065 US8035355B2 (en) | 2008-06-06 | 2009-06-04 | Charge-controlling semiconductor integrated circuit |
CN2009101454759A CN101599655B (zh) | 2008-06-06 | 2009-06-05 | 充电控制用半导体集成电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008149032A JP4702403B2 (ja) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 充電制御用半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009296817A JP2009296817A (ja) | 2009-12-17 |
JP4702403B2 true JP4702403B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=41226118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008149032A Active JP4702403B2 (ja) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 充電制御用半導体集積回路 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8035355B2 (ja) |
EP (1) | EP2139116A1 (ja) |
JP (1) | JP4702403B2 (ja) |
KR (1) | KR20090127222A (ja) |
CN (1) | CN101599655B (ja) |
TW (1) | TW200952306A (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6030817B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2016-11-24 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | バッテリ状態監視回路およびバッテリ装置 |
JP5516286B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-06-11 | ミツミ電機株式会社 | 電流電圧検出回路および電流制御回路 |
JP5605143B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2014-10-15 | ミツミ電機株式会社 | 電流制御回路 |
JP6090642B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2017-03-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 充電装置 |
US9519303B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-12-13 | Infineon Technologies Ag | Precision current sensing |
US10790679B2 (en) * | 2014-09-26 | 2020-09-29 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Battery protection circuit and device, battery pack, and battery protection method |
JP6132860B2 (ja) * | 2015-01-22 | 2017-05-24 | 力晶科技股▲ふん▼有限公司 | トランジスタテスト回路及び方法、半導体記憶装置、並びに半導体装置 |
CN106114230A (zh) * | 2016-07-28 | 2016-11-16 | 肇庆高新区凯盈顺汽车设计有限公司 | 电动汽车电池管理系统 |
EP3336624B1 (de) * | 2016-12-19 | 2019-02-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung mit zwei redundanten baugruppen die sich gegenseitig überwachen |
US9906117B1 (en) * | 2017-03-24 | 2018-02-27 | Versatile Power, Inc. | Systems, methods, and devices for remote sense without wires |
CN108155187B (zh) * | 2018-01-16 | 2024-01-19 | 上海南麟电子股份有限公司 | 开关电源电路、半导体功率器件及其制备方法 |
JP6756754B2 (ja) | 2018-02-09 | 2020-09-16 | ミツミ電機株式会社 | 充電制御装置、充電システム及び充電制御方法 |
JP6477964B1 (ja) * | 2018-09-13 | 2019-03-06 | ミツミ電機株式会社 | 二次電池保護回路 |
JP2021190896A (ja) * | 2020-06-01 | 2021-12-13 | 株式会社村田製作所 | 制御回路 |
JP7560722B2 (ja) | 2020-09-09 | 2024-10-03 | ミツミ電機株式会社 | 電流検出回路、スイッチ回路 |
CN112731092A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-30 | 哈尔滨理工大学 | 一种有机薄膜晶体管的测试系统 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000284195A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-13 | Sharp Corp | ビーム光偏向走査装置 |
JP2002209340A (ja) * | 2000-12-29 | 2002-07-26 | Nokia Mobile Phones Ltd | 蓄電池の充電電流及び放電電流を測定する方法及び装置 |
JP2004259902A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2007134624A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路 |
JP2009213329A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Ricoh Co Ltd | 充電制御回路 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3080823B2 (ja) * | 1993-10-15 | 2000-08-28 | モトローラ株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP3331777B2 (ja) * | 1994-09-29 | 2002-10-07 | ミツミ電機株式会社 | 充電回路 |
JPH0982893A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Toshiba Corp | 半導体集積回路の製造方法及び半導体集積回路 |
US5835361A (en) * | 1997-04-16 | 1998-11-10 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Switch-mode power supply with over-current protection |
US6507171B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-01-14 | Nokia Corporation | Method and apparatus for measuring battery charge and discharge current using a direct analog-to-digital conversion of a charge/discharge replica current |
JP3665574B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2005-06-29 | セイコーインスツル株式会社 | 充放電制御回路と充電式電源装置 |
JP2002320323A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-10-31 | Seiko Instruments Inc | 電源回路 |
DE10120524B4 (de) * | 2001-04-26 | 2015-08-20 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung zur Ermittlung des Stromes durch ein Leistungs-Halbleiterbauelement |
JP2005114477A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Rohm Co Ltd | 負荷駆動回路 |
US7253589B1 (en) * | 2004-07-09 | 2007-08-07 | National Semiconductor Corporation | Dual-source CMOS battery charger |
JP4097635B2 (ja) | 2004-08-02 | 2008-06-11 | 松下電器産業株式会社 | 電流検出回路及びそれを用いたスイッチング電源 |
JPWO2006016456A1 (ja) * | 2004-08-10 | 2008-05-01 | ローム株式会社 | 回路の保護方法、保護回路およびそれを利用した電源装置 |
JP4844468B2 (ja) * | 2007-05-08 | 2011-12-28 | 富士電機株式会社 | 二次電池保護装置及び半導体集積回路装置 |
-
2008
- 2008-06-06 JP JP2008149032A patent/JP4702403B2/ja active Active
-
2009
- 2009-05-18 TW TW098116388A patent/TW200952306A/zh unknown
- 2009-05-22 KR KR1020090044898A patent/KR20090127222A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-06-04 EP EP09161921A patent/EP2139116A1/en not_active Withdrawn
- 2009-06-04 US US12/478,065 patent/US8035355B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-05 CN CN2009101454759A patent/CN101599655B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000284195A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-13 | Sharp Corp | ビーム光偏向走査装置 |
JP2002209340A (ja) * | 2000-12-29 | 2002-07-26 | Nokia Mobile Phones Ltd | 蓄電池の充電電流及び放電電流を測定する方法及び装置 |
JP2004259902A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2007134624A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路 |
JP2009213329A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Ricoh Co Ltd | 充電制御回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101599655A (zh) | 2009-12-09 |
KR20090127222A (ko) | 2009-12-10 |
TW200952306A (en) | 2009-12-16 |
JP2009296817A (ja) | 2009-12-17 |
EP2139116A1 (en) | 2009-12-30 |
US8035355B2 (en) | 2011-10-11 |
CN101599655B (zh) | 2012-11-14 |
US20090302805A1 (en) | 2009-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4702403B2 (ja) | 充電制御用半導体集積回路 | |
JP7488438B2 (ja) | トランジスタ電力スイッチのための電流感知及び制御 | |
US8102156B2 (en) | Differential amplifier circuit and electric charge control apparatus using differential amplifier circuit | |
US7936540B2 (en) | DC-DC converters having improved current sensing and related methods | |
US7994766B2 (en) | Differential current sensor device and method | |
US20060043945A1 (en) | Power regulator having over-current protection circuit and method of providing over-current protection thereof | |
JP2005333691A (ja) | 過電流検出回路及びこれを有する電源装置 | |
KR101208325B1 (ko) | 전류 감지 회로 및 그 형성 방법 | |
JPH08508600A (ja) | Mosトランジスタの閾値電圧を調整する装置および方法 | |
JP4022208B2 (ja) | 線形および飽和領域で動作可能なパワーmosfet用電流センス | |
US20060158817A1 (en) | Overcurrent detecting device | |
US20100079120A1 (en) | Measuring the current through a load transistor | |
JP5211866B2 (ja) | 電流制御回路 | |
US20190173463A1 (en) | Insulated-gate semiconductor device driving circuit | |
WO2010133136A1 (zh) | 一种集成电路 | |
TWI381511B (zh) | 單一接腳多功能信號偵測方法以及用於其之結構 | |
TWI405067B (zh) | 用於負電壓調節器之控制電路及控制負電壓調節器的方法 | |
JP2012079083A (ja) | 電流制御回路 | |
US20100007316A1 (en) | Current Sensing In a Buck-Boost Switching Regulator Using Integrally Embedded PMOS Devices | |
US20120206110A1 (en) | Reverse current prevention circuit, charging circuit incorporating reverse current prevention circuit, and constant-voltage circuit incorporating reverse current prevention circuit | |
JP6812935B2 (ja) | 車載用判定回路及び車載用電源装置 | |
JP2008141873A (ja) | 充電装置 | |
JP2004297965A (ja) | 電源制御用半導体集積回路 | |
JPH02181663A (ja) | 電流センス回路 | |
JP2003198277A (ja) | Mosトランジスタ出力回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100420 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100610 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4702403 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |