KR101208325B1 - 전류 감지 회로 및 그 형성 방법 - Google Patents

전류 감지 회로 및 그 형성 방법 Download PDF

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Abstract

일 실시 예에서, 전류 감지 회로는 부하 전류를 조종하고 전류 감지 신호를 형성하기 위해 이용되는 직렬 연결 스위치들의 쌍과 함께 형성된다.

Description

전류 감지 회로 및 그 형성 방법{A CURRENT SENSE CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THEREOF}
본 발명은 일반적으로, 전자 공학에 관한 것으로 특히, 반도체 디바이스를 형성하는 방법 및 구조에 관한 것이다.
종래에, 반도체 산업은 전원 공급 제어 장치들을 위한 전류 감지 회로들을 형성하기 위해 다양한 방법들 및 구조들을 이용했다. 전류 감지 회ㅎ로들은 일반적으로 전원 공급 제어 장치에 의해 조절되고 전원 공급 제어 장치와 연결된 부하에 인가되는 부하 전류를 수신한다. 전류 감지 회로들은 일반적으로 부하 전류가 감지 저항을 흐르게 하며, 감지 저항은 부하 전류의 값을 나타내는 전압을 형성한다. 몇몇 경우에 있어서, 상이한 부하 전류 값들 사이에서 선택하기 위해 다중의 감지 저항들을 사용하는 것이 바람직하다. 전형적으로, 트랜지스터는 감지 저항에 직렬로 연결되어, 감지 저항 및 트랜지스터를 통해 흐르는 부하 전류를 조정한다. 그러한 전류 감지 회로의 일 예가 캘리포니아 로스 가토스(Los Gatos, California)의 모노리틱 파워 시스템즈, 인크.(Monolithic Power Systems, Inc.)에 의해 제조된 파트 번호 MP1517를 갖는 스텝-업 컨버터에 대한 데이터 시트에 개시되어 있다. 대부분의 경우, 전원 공급 제어 장치에 공급되는 감지 전압의 값은 종종 가변되어 부하 전류의 값에 에러를 발생시킨다.
따라서, 부하 전류의 값을 보다 정확히 나타내는 전류 감지 신호를 형성하는 전류 감지 회로를 갖는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명에 따라 전류 감지 회로를 갖는 전원 공급 시스템의 일부의 실시 예를 대략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 도 1의 전원 시스템의 일부를 포함하는 반도체 디바이스의 확대 평면도를 대략적으로 도시한 도면이다.
설명의 간소 및 명료하게 하기 위해, 도면들의 엘레먼트들(elements)이 반드시 균일한 척도는 아니며, 다른 도면들에서 동일한 참조 번호는 동일한 엘레먼트를 나타낸다. 부가적으로, 잘 알려진 단계들 및 엘레먼트들의 설명 및 세부 사항은 설명의 단순화를 위해 생략한다. 여기서 사용되는 바와 같이, 전류 이송(carring) 전극은 MOS 트랜지스터의 소스 또는 드레인 또는 바이폴라 트랜지스터의 이미터 또는 컬렉터 또는 다이오드의 캐소드 또는 애노드와 같은 디바이스를 통해 전류를 이송시키는 디바이스의 엘레먼트를 의미하며, 제어 전극은 MOS 트랜지스터의 게이트 또는 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 같은 디바이스를 통해 흐르는 전류를 제어하는 디바이스의 엘레먼트를 의미한다. 비록 여기서는 상기 디바이스들을 N-채널 또는 P-채널 디바이스들로서 설명하지만, 상보적인 디바이스들이 본 발명에 따라 또한 가능하다는 것을 당업자라면 인정할 것이다. 여기서 사용되는 바와 같이, 동안, 기간, 및 때라는 단어는 동작이 초기 동작시 즉시 일어나는 것을 의미하는 정확한 용어가 아니지만, 초기 동작에 의해 일어나는 반응 사이에, 전달 지연과 같은, 다소 작은 그러나 합당한 지연은 있을 수 있다는 것을 당업자라면 인정할 것이다.
도 1은 전원 공급 시스템(10)의 일부의 실시예를 대략적으로 도시한 도면이다. 전원 공급 시스템(10)은 부하(13)에 제공되는 부하 전류(25)의 값을 정확하게 조절하도록 구성된 전원 공급 제어 장치(20)를 포함한다. 전원 공급 시스템(10)은 전원 입력단(11) 및 전원 회수단(12) 사이의 전원을 수신한다. 전원 입력단(11) 및 전원 회수단(12) 사이에 인가되는 전압은 일반적으로 배터리와 같은 dc 소스로부터의 dc 전압이다. 대부분의 경우에 있어서, 인덕터(16) 및 블록킹 다이오드(18)는 부하 전류(25)의 부하(13)로의 공급을 지원하기 위해 전원 공급 제어 장치(20) 외부와 연결된다. 커패시터(17)는 또한 부하(13) 구동을 지원하기 위해 이용될 수 있다. 바람직한 실시 예에 있어서, 부하(13)는 LED(14: light emitting diode) 및 LED(15)와 같은 다수의 직렬 연결 LED들을 포함한다. 몇몇 실시 예들에서, 다이오드(18)는 전원 공급 제어 장치(20) 내에 포함될 수 있다.
전원 공급 제어 장치(20)는 전형적으로 전원 입력단(11) 및 전원 회수단(12) 각각과 연결된 전압 입력단(23) 및 전압 회수단(24) 사이의 전원을 수신한다. 전원 공급 제어 장치(20)는 보통 스위칭 제어 회로(36), 전류 감지 회로(21), 및 선택적인 내부 조절기 또는 조절기(33)를 포함한다. 조절기(33)는 입력 전압을 수신하고, 스위칭 제어 회로(36) 및 전류 감지 회로(21)와 같은 전원 공급 제어 장치(20)의 엘레먼트들을 동작시키기 위해 사용되는 출력단(34)의 내부 동작 전압을 제공하기 위해 전압 입력단(23) 및 전압 회수단(24) 사이에 연결된다. 스위칭 제어 회로(36)는 일반적으로 트랜지스터(43)와 같은 전원 스위치를 제어하고, 부하 전류(25)의 값을 조절하기 위해 사용되는 스위칭 신호를 형성하는 PWM 제어 회로이다. 다른 실시 예들에서, 스위칭 제어 회로(36)는 PFM(pulse frequency modulator)을 포함하는 잘 알려진 다른 형태의 제어 회로들일 수 있다. 도 1에 도시된 스위칭 제어 회로(36)의 예시적인 블록 다이어그램 형태는 클럭 발생기 또는 클럭(37), 기준 발생기 또는 기준(45), 에러 증폭기(46), 램프 발생기 또는 램프(38), PWM 비교기(39), 제어 블록(40), 및 트랜지스터(43)를 포함한다. 당업계에 잘 알려진 바와 같이, 스위칭 제어 회로(36)는 전류 감지 신호를 수신하고, 트랜지스터(43)를 제어하고 부하 전류(25) 값을 조절하기 위해 스위칭 신호를 반응적으로 형성한다. 스위칭 제어 회로(36)는 과전압 보호, 저전압 보호, 써멀 셧다운(thermal shut-down), 최대 전류 제한, 또는 다른 잘 알려진 기능들과 같은, 도 1에 도시되지 않은 그 밖의 다른 잘 알려진 기능들을 또한 포함할 수 있다.
전류 감지 회로(21)는 제어 회로(62), 제 1 전류 감지 스위치 또는 트랜지스터(47), 제 2 전류 감지 스위치 또는 트랜지스터(52), 제 1 커플링 스위치 또는 트랜지스터(49), 및 제 2 커플링 스위치 또는 트랜지스터(50)를 포함한다. 제어 회로(62)는 제어 입력단(31)으로부터의 전류 선택 제어 신호를 수신하고, 응답하여 전류 감지 회로(21)의 노드(48)로부터 출력단(22)으로의 신호 또는 노드(51)로부터 출력단(22)으로의 신호를 결합하는데 사용되는 제 1 전류 제어 신호(59) 및 제 2 전류 제어 신호(58)를 형성하도록 구성된다. 제어 회로(62)는 일반적으로 버퍼(56) 및 인버터(57)를 포함한다. 일 실시 예에서, 전류 감지 회로(21)는 스위칭 제어 회로(36)와 같은 스위칭 제어 회로를 갖는 반도체 기판 상에 형성된다. 그러한 실시 예를 위해, 인덕터(16), 커패시터(17), 및 다이오드(18)는 보통 반도체 기판 외부에 있다. 몇몇 실시 예들에서, 트랜지스터(43) 또는 스위칭 제어 회로(36)는 또한 전류 감지 회로(21)가 그 상부에 형성된 반도체 기판의 외부에 있을 수 있다.
동작시, 입력단(31)에 인가되는 제어 신호가 부하 전류(25)에 대한 두개의 다른 값들을 선택하기 위해 이용된다. 부가적으로, 전류 감지 회로(21)는 부하 전류(25)의 값을 매우 정밀하게 제어하는 방식으로 전류 감지 신호를 형성하도록 구성된다. 스위칭 제어 회로(36)는 전류 감지 회로(21)의 출력단(22)과 결합하는 전류 감지 신호를 수신한다. 당업계에 잘 알려진 바와 같이, 스위칭 제어 회로(36)는 응답하여 트랜지스터(43)가 부하 전류(25)의 값을 증가 또는 감소시키도록 인에이블 또는 디스에이블시킨다. 만일 트랜지스터(43)가 디스에이블되면, 부하 전류(25)는 다이오드(18)를 통해, 부하(13)를 통해 인덕터(16)로부터 스위칭 제어 회로(36)의 제어 장치의 전류 입력단(27)으로 흐르게 된다. 만일, 트랜지스터(43)가 인에이블되면, 인덕터(16)로부터의 전류는 전원 공급 제어 장치(20)의 PWM 출력단(26)을 통해, 트랜지스터(43)를 통해, 전압 회수단(24)으로 흐르게 된다. 트랜지스터(43)가 인에이블되어 있는 동안, 커패시터(17)는 부하(13)에 전류를 공급한다.
만일, 트랜지스터(43)가 디스에이블되면, 전류 감지 회로(21)는 전류 감지 회로(21)의 입력단 상의 전류 입력단(27)로부터의 부하 전류(25)를 받는다. 전류 감지 회로(21)는 또한 입력단(31) 상의 전류 선택 제어 신호를 수신하고, 선택적으로 트랜지스터들(47 및 49) 또는 트랜지스터들(52 및 50)을 인에이블시켜 출력단(22) 상에 전류 감지 신호를 형성한다. 버퍼(56) 및 인버터(57)는 트랜지스터들의 두 쌍 중 하나를 선택적으로 인에블시키는 선택 회로를 형성한다. 만일, 입력단(31) 상의 전류 선택 제어 신호가 로우라면, 인버터(57)의 출력단 상의 제어 신호(59)는 하이가 되어, 트랜지스터들(47 및 49)을 인에이블시키고, 버퍼(56)의 출력단 상의 제어 신호(58)는 로우가 되어, 트랜지스터들(50 및 52)를 디스에이블시킨다. 전류 선택 제어 신호에 의한 트랜지스터(47)의 인에이블은 부하 전류(25)를 제 1 전류 감지 엘레먼트 또는 감지 저항(65)과 결합시킨다. 저항(65)은 전원 공급 제어 장치(20)의 제 1 감지 입력단(28) 상의 전류 감지 회로(21)와 연결된다. 부하 전류(25)는 트랜지스터(47)를 통해 노드(48)로, 제 1 감지 입력단(28)을 통해 그리고 저항(65)을 통해 전원 회수단(12)으로 흐르게 된다. 저항(65)을 통해 흐르게 되는 부하 전류(25)는 노드(48) 상에 전류 감지 신호를 형성한다. 트랜지스터(49)는 또한 전류 제어 신호에 의해 선택적으로 인에이블되기 때문에, 트랜지스터(49)는 노드(48)로부터의 전류 감지 신호를 출력단(22)에 결합시킨다. 에러 증폭기(46)는 전류 감지 신호를 수신하며, 스위칭 제어 회로(36)는 트랜지스터(43)를 제어하여 부하 전류(25)의 값을 조절하게 되며 그 결과, 증폭기(46)의 전류 감지 신호의 값은 대략적으로 기준(45)으로부터의 기준 신호의 값과 동일하게 된다. 저항(65)을 통한 부하 전류(25)는 트랜지스터(47) 양단의 전압 강하 값과는 무관하게 노드(48) 상에 전류 감지 신호를 형성한다. 트랜지스터(47) 양단의 전압 강하 값은 트랜지스(47)의 온-저항 또는 Rdson 값을 포함하는 몇몇 파라미터들을 기초로 가변될 수 있다. 온-저항 값은 온도, 트랜지스터(47)의 게이트-대-소스 전압, 및 트랜지스터(47)를 통해 흐르는 전류 값을 기초로 가변될 수 있다. 노드(48) 상에 형성되고 증폭기(46)에 의해 수신되는 전류 감지 신호는 부하 전류(25)의 값에 의해 결정되는 저항(65)를 가로지는 신호의 값이기 때문에, 전류 감지 신호는 트랜지스터(47) 양단 전압 값과는 독립된다. 따라서, 비록 트랜지스터(47) 양단의 전압 강하 값이 가변되더라도, 노드(48)에 형성되는 감지 전압의 값은 오로지 부하 전류(25)의 값 및 저항(65)의 값에 의존한다. 증폭기(46)의 입력은 고 임피던스이므로, 트랜지스터(49)를 통해 흐르는 전류는 무시할 수 있고, 그 결과 트랜지스터(49) 양단의 전압 또한 무시할 있으며, 트랜지스터(49)에 의해 노드(48)로부터 출력단(22)까지 결합되는 전류 감지 신호의 값에 대체적으로 전혀 영향을 받지 않는다. 트랜지스터(49) 양단의 전압 값은 일반적으로 대략 일 미리볼트(1mV) 이하이다. 트랜지스터들(47 및 49)가 인에이블되고, 트랜지스터(50 및 52)는 디스에이블되는 경우, 스위칭 제어 회로(36)는 제 1 값이 되게 부하 전류(25)의 값을 제어한다. 전류 감지 신호의 값은 트랜지스터(47)의 전압을 포함하고 있지 않기 때문에, 전류 감지 신호의 값은 부하 전류(25)의 값을 매우 정밀하게 나타내며, 저항(65)의 정밀성에 의해 제어된다. 저항(65)는 회로의 외부에 있으므로, 저항(65)의 값은 매우 정밀할 수 있다. 한 예시적인 실시 예에서, 저항(65)은 일 퍼센트 저항이 되도록 선택되었으며, 그에 대응하는 부하 전류(25)의 값은 또한 대략 일 퍼센트 이내로 거의 정밀했다. 이것은 감지 저항이 일 퍼센트의 정밀도를 가질 때조차 대략 5 퍼센트보다 좋지 않은 정밀도를 성취했던 종래의 구현보다 훨씬 더 정밀하다. 따라서, 부하 전류(25)의 값은 단지 대략 일 퍼센트까지 가변되는 대체적으로 일정한 값으로 유지되었다.
유사하게, 만일 입력단(31) 상이 제어 신호의 값이 하이라면, 전류 제어 신호(59)는 트랜지스터들(47 및 49)을 디스에이블시키는 로우이지만, 버퍼(56)의 출력단 상의 전류제어 신호(58)는 트랜지스터들(52 및 50)을 인에이블시키는 하이이다. 트랜지스터(52)가 인에이블되고 트랜지스터(47)가 디스에이블되는 경우, 부하 전류(25)는 트랜지스터(52)를 통과하여 노드(51)로 흐르고, 또한 제 2 감지 입력단(29)을 통해 저항(66)과 같은 제 2 전류 감지 엘레먼트를 통과하여 전원 회수단(12)으로 흐르게 된다. 트랜지스터(50)는 노드(51) 상에 형성되는 전류 감지 신호의 값을 출력단(22)에 결합시킨다. 트랜지스터(52)는 트랜지스터(47)과 유사하게 동작하며, 트랜지스터(50)는 트랜지스터(49)와 유사하게 동작한다. 따라서, 증폭기(46)에 의해 수신되는 전류 감지 신호는 저항(66) 양단의 신호 값이며, 트랜지스터(52) 양단의 전압 값을 포함하지 않으며, 전류 감지 신호는 트랜지스터(52) 양단의 전압 값과는 무관하다. 부가하여, 트랜지스터(50)를 흐르는 전류는 무시할 수 있으며, 그에 따른 트랜지스터(50) 양단의 전압은 트랜지스터(50)에 의해 노드(51)로부터 출력단(22)으로 결합되는 감지 신호의 값에 거의 영향을 주지 않는다.
다른 실시 예들에서, 저항(65) 및 트랜지스터들(47 및 49)과 같은 트랜지스터 쌍들 및 감지 저항들보다 많거나 또는 적은 트랜지스터 쌍들 및 감지 저항들, 및 제어 회로(62)의 다른 구성이 부하 전류(25)를 위한 추가적인 선택가능한 값들을 제공하기 위해 이용될 수 있다. 예컨대, 다른 실시 예에서, 부하 전류(25)의 제 3 상태를 형성하기 위해 쌍으로서 뿐만 아니라 동시에 트랜지스터들(47, 49, 50 및 52) 모두를 인에이블시키는 것이 가능할 수 있다.
전류 감지 회로(21)의 이러한 동작이 원활히 되게 하기 위해, 트랜지스터(47)의 드레인이 트랜지스터(52)의 드레인 및 전류 입력단(27)에 공통으로 연결된다. 트랜지스터(47)의 소스는 트랜지스터(49)의 드레인, 노드(48), 및 제 1 감지 입력단(28)에 공통으로 연결된다. 트랜지스터(49)의 소스는 출력단(22) 및 트랜지스터(50)의 소스에 공통으로 연결된다. 트랜지스터(49)의 게이트는 트랜지스터(47)의 게이트 및 인버터(57)의 출력단에 공통으로 연결된다. 트랜지스터(50)의 드레인은 노드(51), 제 2 감지 입력단(29), 및 트랜지스터(52)의 소스에 공동으로 연결된다. 트랜지스터(52)의 게이트는 트랜지스터(50)의 게이트, 버퍼(56)의 출력단, 및 인버터(57)의 입력단에 공통으로 연결된다. 버퍼(56)의 입력단은 입력단(31)에 연결된다.
도 2는 반도체 다이(71) 상에서 형성되는 반도체 디바이스(70)의 실시예 일부의 확대 평면도를 대략적으로 도시한 도면이다. 전류 감지 회로(21)는 다이(71) 상에 형성된다. 다이(71)는 또한 도면의 단순화를 위해 도 2에는 나타내지 않은 스위칭 제어 회로(36)와 같은 다른 회로들을 포함할 수 있다. 전류 감지 회로(21) 및 디바이스(70)는 당업자에게 잘 알려진 반도체 제조 기술에 의해 다이(71) 상에 형성된다.
위의 모든 것들의 관점에서, 신규한 디바이스 및 방법이 개시되어 있다는 것이 명백하다. 그 밖의 특징들 가운데에서도, 대략적으로 일정한 값에 부하 전류를 정밀하게 조절하도록 스위칭 제어기의 피드백 경로에 직렬로 트랜지스터들의 쌍을 결합시키는 것이 포함된다. 감지 엘레먼트를 트랜지스터들의 공통 연결에 결합시키는 것은 감지 엘레먼트를 통해 부하 전류를 조종하고 트랜지스터들 중 하나의 양단 전압과 별개인 감지 엘레먼트 양단의 전압을 형성하는 것을 용이하게 한다.
본 발명의 요지를 특정 바람직한 실시 예들을 통해 설명하였지만, 많은 대안들 및 변형들이 반도체 분야에서의 숙련자들에게는 명백할 것이다. 전류 감지 회로(21)는 또한 전원 공급 제어 장치(20)와 유사한 제어 장치들을 위한 트루 컷-오프 기능(true cut-off function)을 제공하기 위해 이용될 수 있다. 보다 구체적으로, 본 방법은 BiCOMS 트랜지스터들, 금속 반도체 FETs(MESFETs), HFETs, 바이폴라 및 다른 형태의 트랜지스터들 뿐만 아니라 MOS 트랜지스터 뿐만 아니라, 다른 바이폴라 트랜지스터들에 직접적으로 적용가능하지만, 발명의 요지를 N-채널 MOS 트랜지스터들용으로 설명하였다. 부가적으로, 단어 "연결된"이 설명의 명확성을 위해 시종일관 사용되었지만, 단어 "결합된"과 동일한 의미이다. 따라서, "연결된"은 직접 연결 또는 간접 연결 중 하나를 포함하는 것으로서 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 전류 감지 회로에 있어서:
    부하 전류를 수신하도록 구성된 입력단으로서, 상기 부하 전류는 부하를 통과하여 상기 부하로부터 상기 입력단으로 흐르고, 상기 부하 전류는 상기 부하를 작동시키는 데 사용되는, 상기 입력단;
    상기 입력단으로부터 부하 전류를 수신하도록 연결된 제 1 스위치;
    상기 제 1 스위치에 연결된 제 1 감지 엘레먼트로서, 상기 제 1 스위치에 의해 상기 부하 전류는 상기 입력단으로부터 상기 제 1 스위치 및 상기 제 1 감지 엘레먼트를 통과하여 흐르는, 상기 제 1 감지 엘레먼트; 및
    상기 부하 전류의 값을 조절하기 위해 구성된 제어 회로에 상기 제 1 감지 엘레먼트를 선택적으로 결합시키도록 구성된 제 2 스위치를 포함하며,
    상기 제 1 감지 엘레먼트에 흐르는 전류는 상기 제 2 스위치에는 흐르지 않는 것을 특징으로 하는, 전류 감지 회로.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 스위치는 상기 부하 전류를 전도시킬 수 있도록 결합된 제 1 전류 이송 전극, 상기 제 1 감지 엘레먼트에 결합되어 상기 부하 전류를 전도시키는 제 2 전류 이송 전극, 및 제어 전극을 갖는 제1 트랜지스터이며, 상기 제 2 스위치는 상기 제 1 감지 엘레먼트와 결합된 제 1 전류 이송 전극, 제 2 전류 이송 전극, 및 제어 전극을 갖는 제 2 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로.
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  11. 전류 감지 회로를 형성하는 방법에 있어서,
    부하를 통과하여 상기 부하를 작동시키는 데 사용되는 부하 전류를 전도시키도록 상기 전류 감지 회로를 구성하는 단계;
    상기 부하 전류를 수신하도록 연결된 제 1 스위치 및 상기 제 1 스위치와 연결된 제 1 감지 엘레먼트를 갖도록 상기 전류 감지 회로를 구성하는 단계; 및
    상기 부하 전류가 상기 부하로부터 상기 제 1 스위치 및 상기 제 1 감지 엘레먼트를 통과하여 흐르도록 상기 부하 전류를 조종하기 위해 상기 제 1 스위치를 이용하며, 상기 부하 전류의 값을 나타내는 제 1 전류 감지 신호를 응답하여 형성하도록 상기 전류 감지 회로를 구성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 전류 감지 신호의 값은 상기 제 1 스위치 양단에서 강하되는 전압의 값과는 무관한 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로를 형성하는 방법.
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  13. 제 11 항에 있어서, 상기 방법은 상기 부하 전류가 상기 부하로부터 제 2 감지 엘레먼트를 통과하여 흐르도록 상기 부하 전류를 조종하고, 상기 부하 전류의 값을 나타내는 제 2 전류 감지 신호를 응답하여 형성하도록 상기 전류 감지 회로의 제 2 스위치를 구성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 2 전류 감지 신호의 값은 상기 제 2 스위치 양단에서 강하되는 전압의 값과는 무관한 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로를 형성하는 방법.
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  15. 제 13 항에 있어서, 상기 부하 전류를 전도시키도록 상기 전류 감지 회로를 구성하는 단계는, 상기 부하 전류가 상기 제 1 감지 엘레먼트를 통과하여 흐르도록 상기 부하 전류를 선택적으로 조종하고, 상기 제 2 감지 엘레먼트를 통과하는 상기 부하 전류를 선택적으로 조종하도록 상기 전류 감지 회로를 구성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로를 형성하는 방법.
  16. 전류 감지 회로를 형성하는 방법에 있어서,
    전류 감지 신호에 응답하여 부하를 통과하여 흐르는 전류를 조절하도록 전류 조절 회로를 구성하는 단계;
    제 1 스위치 및 제 2 스위치 사이에서 제 1 공통 노드 연결을 갖도록 상기 제 2 스위치와 직렬로 상기 제 1 스위치를 구성하는 단계; 및
    상기 전류 감지 신호를 상기 전류 조절 회로에 결합시키기 위해 상기 전류 조절 회로의 피드백 경로에 직렬로 상기 제 1 스위치 및 제 2 스위치를 결합시키는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 스위치는 상기 부하 전류가 상기 제 1 공통 노드를 통과하여 상기 부하로부터 상기 제 1 공통 노드로 흐르도록 상기 부하 전류를 전도시키고, 상기 제 2 스위치는 상기 부하 전류를 전도시키지 않는 것을 특징으로 하는 전류 감지 회로를 형성하는 방법.
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