JP4695979B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4695979B2 JP4695979B2 JP2005373180A JP2005373180A JP4695979B2 JP 4695979 B2 JP4695979 B2 JP 4695979B2 JP 2005373180 A JP2005373180 A JP 2005373180A JP 2005373180 A JP2005373180 A JP 2005373180A JP 4695979 B2 JP4695979 B2 JP 4695979B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- signal
- circuit
- unit
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 49
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/7795—Circuitry for generating timing or clock signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
本発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。図1は本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置における光電変換セル部20の回路構成を示している。図1に示すように光電変換セル部20は行列状に配置された単位画素21と、2個の単位画素21の間に設けられたフローティングディフュージョン(FD)部22と、一方のソースドレインがFD部22と接続されたリセットトランジスタ23と、ゲートがFD部22と接続された画素アンプトランジスタ24とによって形成されている。図1には4行3列の単位画素が示されているが、光電変換セル部20に含まれる単位画素21の行数及び列数は任意に変更してかまわない。
以下に、第1の実施形態の一変形例について図面を参照して説明する。図4は第1の実施形態の一変形例に係る固体撮像装置の回路構成を示している。図4において図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
以下に、本発明の第2の実施形態について図面を参照して説明する。図5は本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置のブロック構成を示している。
12 読み出しトランジスタ
15 ウェル
16 素子分離
20 光電変換セル部
21 単位画素
22 フローティングディフュージョン部
23 リセットトランジスタ
24 画素アンプトランジスタ
31 垂直信号線
32 リセット信号線
33 読み出し信号線
34 電源信号線
35 水平信号線
41 垂直走査回路
42 信号処理回路
43 水平走査回路
44 信号増幅回路
51 シフトレジスタ回路
52 シフトレジスタ回路
53 判別回路
54 選択回路
55 シフトレジスタ回路
56 選択回路
Claims (4)
- 行列状に配置され、入射光に応じた画素信号を出力する複数の単位画素と、
前記画素信号を受ける複数のフローティングディフュージョン部と、
列ごとに設けられ、画素アンプトランジスタを介在して前記フローティングディフュージョン部と電気的に接続された複数の垂直信号線と、
前記複数の垂直信号線から前記画素信号を順次読み出し、1行分の撮像信号に変換する信号処理回路と、
前記信号処理回路を駆動する水平駆動信号を出力する水平走査回路とを備え、
互いに隣接する行で且つ隣接する列に配置された2つの前記単位画素は、前記フローティングディフュージョン部を共有しており、
前記各フローティングディフュージョン部は、該フローティングディフュージョン部に蓄積された前記画素信号を読み出す前記画素アンプトランジスタと電気的に接続されており、
前記複数の垂直信号線のうちの一の垂直信号線は、一の列に配置された単位画素のうちの奇数行に配置された単位画素の前記画素信号を受け、前記一の垂直信号線と隣接する垂直信号線の一方は、前記一の列に配置された単位画素のうちの偶数行に配置された単位画素の前記画素信号を受け、
前記水平走査回路は、前記信号処理回路が偶数行に配置された前記単位画素の前記画素信号を読み出す場合と、奇数行に配置された前記単位画素の前記画素信号を読み出す場合とでは、タイミングが互いに異なる前記水平駆動信号を出力し、
前記水平走査回路は、複数のシフトレジスタ回路と、前記複数のシフトレジスタ回路のうちのいずれか1つのシフトレジスタ回路の出力を選択して前記水平駆動信号として出力する選択回路とを有し、
前記各シフトレジスタ回路は、タイミングが互いに異なる信号をそれぞれ生成することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記各単位画素は、前記入射光を前記画素信号に変換する光電変換部と、前記光電変換部と接続され前記画素信号を読み出す転送トランジスタとを有し、
前記フローティングディフュージョン部は、前記転送トランジスタのドレイン領域であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記信号処理回路が読み出す前記画素信号が、偶数行に配置された前記単位画素からの画素信号か、奇数行に配置された前記単位画素からの画素信号かを判別して、前記選択回路を駆動する判別回路をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記複数の単位画素を行ごとに選択状態とする垂直駆動信号を出力する垂直走査回路をさらに備え、
前記判別回路は、前記垂直駆動信号により駆動することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005373180A JP4695979B2 (ja) | 2005-12-26 | 2005-12-26 | 固体撮像装置 |
CNA2006800022201A CN101107843A (zh) | 2005-12-26 | 2006-07-11 | 固态摄像装置及其驱动方法 |
US11/792,856 US7728895B2 (en) | 2005-12-26 | 2006-07-11 | Solid-state image sensing device having shared floating diffusion portions |
PCT/JP2006/313790 WO2007074549A1 (ja) | 2005-12-26 | 2006-07-11 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
KR1020077020813A KR20080085117A (ko) | 2005-12-26 | 2006-07-11 | 고체촬상장치 및 그 구동방법 |
TW095130299A TW200725875A (en) | 2005-12-26 | 2006-08-17 | Solid-state imaging device and method for driving same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005373180A JP4695979B2 (ja) | 2005-12-26 | 2005-12-26 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007174600A JP2007174600A (ja) | 2007-07-05 |
JP4695979B2 true JP4695979B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=38217775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005373180A Expired - Fee Related JP4695979B2 (ja) | 2005-12-26 | 2005-12-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7728895B2 (ja) |
JP (1) | JP4695979B2 (ja) |
KR (1) | KR20080085117A (ja) |
CN (1) | CN101107843A (ja) |
TW (1) | TW200725875A (ja) |
WO (1) | WO2007074549A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4492250B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-06-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
CN102017147B (zh) * | 2007-04-18 | 2014-01-29 | 因维萨热技术公司 | 用于光电装置的材料、系统和方法 |
JP5026951B2 (ja) | 2007-12-26 | 2012-09-19 | オリンパスイメージング株式会社 | 撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、及び撮像素子 |
US8077236B2 (en) * | 2008-03-20 | 2011-12-13 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus providing reduced metal routing in imagers |
JP2010016056A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2010068433A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
US8913166B2 (en) * | 2009-01-21 | 2014-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus |
US8547458B2 (en) | 2009-02-04 | 2013-10-01 | Rosnes Corporation | Solid-state image pickup device |
US8576312B2 (en) * | 2009-02-04 | 2013-11-05 | Rosnes Corporation | Solid-state image pickup device with particular pixel arrangement |
US8130304B2 (en) * | 2009-07-24 | 2012-03-06 | Aptina Imaging Corporation | Image sensors with pixel charge summing |
KR101313691B1 (ko) * | 2011-12-26 | 2013-10-02 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 |
JP6347677B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2018-06-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61156866A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Toshiba Corp | 電荷蓄積形半導体装置 |
JP2004128193A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | Cmosイメージセンサ |
JP2004172950A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2005167958A (ja) * | 2003-02-13 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、その駆動方法及びそれを用いたカメラ |
JP2006054276A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2006080937A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Sony Corp | 物理情報取得方法および物理情報取得装置、並びに物理量分布検知の半導体装置、プログラム、および撮像モジュール |
JP2006165567A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Samsung Electronics Co Ltd | ハニカム構造の能動ピクセルセンサ |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6262690A (ja) | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Hitachi Ltd | 撮像記録再生装置 |
US6977684B1 (en) | 1998-04-30 | 2005-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Arrangement of circuits in pixels, each circuit shared by a plurality of pixels, in image sensing apparatus |
JP3854720B2 (ja) | 1998-05-20 | 2006-12-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
JP2000012819A (ja) | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
US6956605B1 (en) | 1998-08-05 | 2005-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
JP3697073B2 (ja) * | 1998-08-05 | 2005-09-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
US6734906B1 (en) | 1998-09-02 | 2004-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus with photoelectric conversion portions arranged two dimensionally |
JP3559714B2 (ja) * | 1998-09-02 | 2004-09-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびそれを用いた撮像システム |
EP1594312A4 (en) * | 2003-02-13 | 2006-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | SOLID STATE VIEWING DEVICE, ASSOCIATED CONTROL METHOD, AND CAMERA USING THE DEVICE |
KR100523672B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2005-10-24 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 다중 플로팅디퓨젼영역을 구비하는 씨모스 이미지센서 |
US7443437B2 (en) * | 2003-11-26 | 2008-10-28 | Micron Technology, Inc. | Image sensor with a gated storage node linked to transfer gate |
JP4230406B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2009-02-25 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
US7880785B2 (en) * | 2004-07-21 | 2011-02-01 | Aptina Imaging Corporation | Rod and cone response sensor |
KR100674923B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | 인접한 화소간에 출력회로를 공유하는 씨모스 이미지 센서 |
JP4224036B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2009-02-12 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | フォトダイオード領域を埋め込んだイメージセンサ及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-12-26 JP JP2005373180A patent/JP4695979B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-11 WO PCT/JP2006/313790 patent/WO2007074549A1/ja active Application Filing
- 2006-07-11 CN CNA2006800022201A patent/CN101107843A/zh active Pending
- 2006-07-11 US US11/792,856 patent/US7728895B2/en active Active
- 2006-07-11 KR KR1020077020813A patent/KR20080085117A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-08-17 TW TW095130299A patent/TW200725875A/zh unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61156866A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Toshiba Corp | 電荷蓄積形半導体装置 |
JP2004128193A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | Cmosイメージセンサ |
JP2004172950A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2005167958A (ja) * | 2003-02-13 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、その駆動方法及びそれを用いたカメラ |
JP2006054276A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2006080937A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Sony Corp | 物理情報取得方法および物理情報取得装置、並びに物理量分布検知の半導体装置、プログラム、および撮像モジュール |
JP2006165567A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Samsung Electronics Co Ltd | ハニカム構造の能動ピクセルセンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080085117A (ko) | 2008-09-23 |
TW200725875A (en) | 2007-07-01 |
US20080273105A1 (en) | 2008-11-06 |
CN101107843A (zh) | 2008-01-16 |
JP2007174600A (ja) | 2007-07-05 |
US7728895B2 (en) | 2010-06-01 |
WO2007074549A1 (ja) | 2007-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4695979B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4818018B2 (ja) | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム | |
JP3658278B2 (ja) | 固体撮像装置およびそれを用いた固体撮像システム | |
JP4959207B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5232189B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US9319609B2 (en) | Solid-state imaging device | |
JP4479736B2 (ja) | 撮像装置およびカメラ | |
JP5764784B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
EP3439287B1 (en) | Image pickup element and image pickup device | |
JP3916612B2 (ja) | 固体撮像装置、その駆動方法及びそれを用いたカメラ | |
US9077918B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus with first and second conductors that respectively supply corresponding voltages to digital circuits of a vertical scanning circuit and signal processing unit | |
JP4661212B2 (ja) | 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに半導体装置 | |
JP6922905B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 | |
US9344659B2 (en) | Image pickup apparatus | |
JP2006210468A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5177198B2 (ja) | 物理情報取得方法および物理情報取得装置 | |
JP2008065085A (ja) | 電子装置 | |
KR20060000321A (ko) | Cmos 이미지센서 | |
JP5197440B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JP2006222356A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2007089231A (ja) | 固体撮像装置、その駆動方法及びそれを用いたカメラ | |
JP2006049692A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4655785B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
KR20210076552A (ko) | 이미지 센싱 장치 | |
JP2010056401A (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110201 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110228 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |