JP4679633B2 - レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Description
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸(光酸発生剤)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.05g
トリエタノールアミン(クエンチャー)・・・・・・・・・・・・・・・0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)・・・・・・・・20g
次に、図5(a)に示すように、基板1の上に前記の分子レジスト材料を塗布し、続いて、塗布されたレジスト膜2を90℃の温度下で60秒間加熱することにより、膜厚が50nmのレジスト膜2を形成する。
本発明の第1の実施形態に係るレジスト材料を用いたパターン形成方法について図1(a)〜図1(d)を参照しながら説明する。
t−ブチルメタクリル酸(酸不安定基を含む非環状の分子化合物)・・・・・0.7g
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸(光酸発生剤)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.05g
トリエタノールアミン(クエンチャー)・・・・・・・・・・・・・・・0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)・・・・・・・・20g
次に、図1(a)に示すように、基板101の上に前記のレジスト材料を塗布し、続いて、塗布されたレジスト膜102を90℃の温度下で60秒間加熱することにより、膜厚が50nmのレジスト膜102を形成する。
以下、本発明の第2の実施形態に係るレジスト材料を用いたパターン形成方法について図2(a)〜図2(d)を参照しながら説明する。
ジ(t−ブチル)ビスフェノールA(酸不安定基を含む分子化合物)・・・・0.6g
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸(酸発生剤)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.05g
トリエタノールアミン(クエンチャー)・・・・・・・・・・・・・・・0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート[溶媒]・・・・・・・・・20g
次に、図2(a)に示すように、基板201の上に前記のレジスト材料を塗布し、続いて、塗布されたレジスト膜202を90℃の温度下で60秒間加熱することにより、膜厚が50nmのレジスト膜202を形成する。
以下、本発明の第3の実施形態に係るレジスト材料を用いたパターン形成方法について図3(a)〜図3(d)を参照しながら説明する。
2−メチルアダマンチルメタクリル酸(酸不安定基を含む分子化合物)・・・0.5g
トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸(光酸発生剤)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.05g
トリエタノールアミン(クエンチャー)・・・・・・・・・・・・・・・0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)・・・・・・・・20g
次に、図3(a)に示すように、基板301の上に前記のレジスト材料を塗布し、続いて、塗布されたレジスト膜302を90℃の温度下で60秒間加熱することにより、膜厚が50nmのレジスト膜302を形成する。
以下、本発明の第4の実施形態に係るレジスト材料を用いたパターン形成方法について図4(a)〜図4(d)を参照しながら説明する。
ジ(2−メチルシクロペンチル)ビスフェノールA(酸不安定基を含む分子化合物)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.5g
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸(光酸発生剤)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.05g
トリエタノールアミン(クエンチャー)・・・・・・・・・・・・・・・0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)・・・・・・・・20g
次に、図4(a)に示すように、基板401の上に前記のレジスト材料を塗布し、続いて、塗布されたレジスト膜402を90℃の温度下で60秒間加熱することにより、膜厚が50nmのレジスト膜402を形成する。
102 レジスト膜
102a レジストパターン
201 基板
202 レジスト膜
202a レジストパターン
301 基板
302 レジスト膜
302a レジストパターン
401 基板
402 レジスト膜
402a レジストパターン
Claims (19)
- 酸不安定基を含まないアルカリ可溶性で且つ三量体以上の環状のオリゴマーと、
酸不安定基を含む分子化合物と、
光酸発生剤とを含み、
且つ、ポリマーを含まないことを特徴とするレジスト材料。 - 前記環状のオリゴマーは、シクロデキストリン(cyclodextrin)、カリックスアレン(calixarene)、レゾルシンアレン(resorcinarene)、ピロガロールアレン(pyrogallolarene)、カリックスピロール(calixpyrrole)、チオカリックスアレン(thiocalixarene)又はホモオキサカリックスアレン(homooxacalixarene)であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト材料。
- 前記シクロデキストリンは、α-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン又はγ-シクロデキストリンであることを特徴とする請求項2に記載のレジスト材料。
- 前記カリックスアレンは、カリックス[4]アレン、カリックス[6]アレン又はカリックス[8]アレンであることを特徴とする請求項2に記載のレジスト材料。
- 前記酸不安定基を含む分子化合物は、非環状の分子化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載のレジスト材料。
- 前記非環状の分子化合物における酸不安定基は、t−ブチル基、t−ブチルオキシカルボニル基、1−エトキシエチル基、メトキシメチル基、2−メチルアダマンチル基又は2−エチルアダマンチル基であることを特徴とする請求項5に記載のレジスト材料。
- 前記酸不安定基を含む非環状の分子化合物は、t−ブチルアクリル酸、t−ブチルメタクリル酸、t−ブチルα−フルオロアクリル酸、t−ブチルオキシカルボニルアクリル酸、t−ブチルオキシカルボニルメタクリル酸、t−ブチルオキシカルボニルα−フルオロアクリル酸、メトキシメチルアクリル酸、メトキシメチルメタクリル酸又はメトキシメチルα−フルオロアクリル酸であることを特徴とする請求項5に記載のレジスト材料。
- 前記酸不安定基を含む分子化合物は、ジ(t−ブチル)ビスフェノールA、t−ブチルフェノール、t−ブチルo−クレゾール、t−ブチルm−クレゾール、t−ブチルp−クレゾール、t−ブチル1−ナフトール、t−ブチル2−ナフトール、ジ(t−ブチル)カテコール、ジ(t−ブチル)レゾルシノール、トリ(t−ブチル)ピロガロール、ヘキサ(t−ブチル)ヘキサヒドロキシベンゼン、ジ(t−ブチルオキシカルボニル)ビスフェノールA、t−ブチルオキシカルボニルフェノール、t−ブチルオキシカルボニルo−クレゾール、t−ブチルオキシカルボニルm−クレゾール、t−ブチルオキシカルボニルp−クレゾール、t−ブチルオキシカルボニル1−ナフトール、t−ブチルオキシカルボニル2−ナフトール、ジ(t−ブチルオキシカルボニル)カテコール、ジ(t−ブチルオキシカルボニル)レゾルシノール、トリ(t−ブチルオキシカルボニル)ピロガロール、ヘキサ(t−ブチルオキシカルボニル)ヘキサヒドロキシベンゼン、ジ(1−エトキシエチル)ビスフェノールA、1−エトキシエチルフェノール、(1−エトキシエチル)o−クレゾール、(1−エトキシエチル)m−クレゾール、(1−エトキシエチル)p−クレゾール、(1−エトキシエチル)1−ナフトール、(1−エトキシエチル)2−ナフトール、ジ(1−エトキシエチル)カテコール、ジ(1−エトキシエチル)レゾルシノール、トリ(1−エトキシエチル)ピロガロール、ヘキサ(1−エトキシエチル)ヘキサヒドロキシベンゼン、ジ(メトキシメチル)ビスフェノールA、メトキシメチルフェノール、メトキシメチルo−クレゾール、メトキシメチルm−クレゾール、メトキシメチルp−クレゾール、メトキシメチル1−ナフトール、メトキシメチル2−ナフトール、ジ(メトキシメチル)カテコール、ジ(メトキシメチル)レゾルシノール、トリ(メトキシメチル)ピロガロール、ヘキサ(メトキシメチル)ヘキサヒドロキシベンゼン、2−メチルシクロペンチルアクリル酸、2−メチルシクロペンチルメタクリル酸、2−メチルシクロペンチルα−フルオロアクリル酸、ジ(2−メチルシクロペンチル)ビスフェノールA、2−エチルシクロペンチルアクリル酸、2−エチルシクロペンチルメタクリル酸、2−エチルシクロペンチルα−フルオロアクリル酸、ジ(2−エチルシクロペンチル)ビスフェノールA、2−メチルアダマンチルアクリル酸、2−メチルアダマンチルメタクリル酸、2−メチルアダマンチルα−フルオロアクリル酸、ジ(2−メチルアダマンチル)ビスフェノールA 、2−エチルアダマンチルアクリル酸、2−エチルアダマンチルメタクリル酸、2−エチルアダマンチルα−フルオロアクリル酸又はジ(2−エチルアダマンチル)ビスフェノールAであることを特徴とする請求項1又は2に記載のレジスト材料。
- 前記光酸発生剤は、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸、トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルフォン酸又はジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルフォン酸であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のレジスト材料。
- 基板の上に、酸不安定基を含まないアルカリ可溶性で且つ三量体以上の環状のオリゴマーと、酸不安定基を含む分子化合物と、光酸発生剤とを含み、且つポリマーを含まないレジスト材料からレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う工程と、
パターン露光が行われた前記レジスト膜を加熱する工程と、
加熱された前記レジスト膜に対して現像を行って、前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記環状のオリゴマーは、シクロデキストリン(cyclodextrin)、カリックスアレン(calixarene)、レゾルシンアレン(resorcinarene)、ピロガロールアレン(pyrogallolarene)、カリックスピロール(calixpyrrole)、チオカリックスアレン(thiocalixarene)又はホモオキサカリックスアレン(homooxacalixarene)であることを特徴とする請求項10に記載のパターン形成方法。
- 前記シクロデキストリンは、α-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン又はγ-シクロデキストリンであることを特徴とする請求項11に記載のパターン形成方法。
- 前記カリックスアレンは、カリックス[4]アレン、カリックス[6]アレン又はカリックス[8]アレンであることを特徴とする請求項11に記載のパターン形成方法。
- 前記酸不安定基を含む分子化合物は、非環状の分子化合物であることを特徴とする請求項10又は11に記載のパターン形成方法。
- 前記非環状の分子化合物における酸不安定基は、t−ブチル基、t−ブチルオキシカルボニル基、1−エトキシエチル基、メトキシメチル基、2−メチルアダマンチル基又は2−エチルアダマンチル基であることを特徴とする請求項14に記載のパターン形成方法。
- 前記酸不安定基を含む非環状の分子化合物は、t−ブチルアクリル酸、t−ブチルメタクリル酸、t−ブチルα−フルオロアクリル酸、t−ブチルオキシカルボニルアクリル酸、t−ブチルオキシカルボニルメタクリル酸、t−ブチルオキシカルボニルα−フルオロアクリル酸、メトキシメチルアクリル酸、メトキシメチルメタクリル酸又はメトキシメチルα−フルオロアクリル酸であることを特徴とする請求項14に記載のパターン形成方法。
- 前記酸不安定基を含む分子化合物は、ジ(t−ブチル)ビスフェノールA、t−ブチルフェノール、t−ブチルo−クレゾール、t−ブチルm−クレゾール、t−ブチルp−クレゾール、t−ブチル1−ナフトール、t−ブチル2−ナフトール、ジ(t−ブチル)カテコール、ジ(t−ブチル)レゾルシノール、トリ(t−ブチル)ピロガロール、ヘキサ(t−ブチル)ヘキサヒドロキシベンゼン、ジ(t−ブチルオキシカルボニル)ビスフェノールA、t−ブチルオキシカルボニルフェノール、t−ブチルオキシカルボニルo−クレゾール、t−ブチルオキシカルボニルm−クレゾール、t−ブチルオキシカルボニルp−クレゾール、t−ブチルオキシカルボニル1−ナフトール、t−ブチルオキシカルボニル2−ナフトール、ジ(t−ブチルオキシカルボニル)カテコール、ジ(t−ブチルオキシカルボニル)レゾルシノール、トリ(t−ブチルオキシカルボニル)ピロガロール、ヘキサ(t−ブチルオキシカルボニル)ヘキサヒドロキシベンゼン、ジ(1−エトキシエチル)ビスフェノールA、1−エトキシエチルフェノール、(1−エトキシエチル)o−クレゾール、(1−エトキシエチル)m−クレゾール、(1−エトキシエチル)p−クレゾール、(1−エトキシエチル)1−ナフトール、(1−エトキシエチル)2−ナフトール、ジ(1−エトキシエチル)カテコール、ジ(1−エトキシエチル)レゾルシノール、トリ(1−エトキシエチル)ピロガロール、ヘキサ(1−エトキシエチル)ヘキサヒドロキシベンゼン、ジ(メトキシメチル)ビスフェノールA、メトキシメチルフェノール、メトキシメチルo−クレゾール、メトキシメチルm−クレゾール、メトキシメチルp−クレゾール、メトキシメチル1−ナフトール、メトキシメチル2−ナフトール、ジ(メトキシメチル)カテコール、ジ(メトキシメチル)レゾルシノール、トリ(メトキシメチル)ピロガロール、ヘキサ(メトキシメチル)ヘキサヒドロキシベンゼン、2−メチルシクロペンチルアクリル酸、2−メチルシクロペンチルメタクリル酸、2−メチルシクロペンチルα−フルオロアクリル酸、ジ(2−メチルシクロペンチル)ビスフェノールA、2−エチルシクロペンチルアクリル酸、2−エチルシクロペンチルメタクリル酸、2−エチルシクロペンチルα−フルオロアクリル酸、ジ(2−エチルシクロペンチル)ビスフェノールA、2−メチルアダマンチルアクリル酸、2−メチルアダマンチルメタクリル酸、2−メチルアダマンチルα−フルオロアクリル酸、ジ(2−メチルアダマンチル)ビスフェノールA 、2−エチルアダマンチルアクリル酸、2−エチルアダマンチルメタクリル酸、2−エチルアダマンチルα−フルオロアクリル酸又はジ(2−エチルアダマンチル)ビスフェノールAであることを特徴とする請求項10又は11に記載のパターン形成方法。
- 前記光酸発生剤は、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸、トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルフォン酸又はジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルフォン酸であることを特徴とする請求項10〜17のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記露光光は、ArFエキシマレーザ光、極紫外線又は電子線であることを特徴とする請求項10〜18のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
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