JP4673447B2 - 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4673447B2 JP4673447B2 JP2010521249A JP2010521249A JP4673447B2 JP 4673447 B2 JP4673447 B2 JP 4673447B2 JP 2010521249 A JP2010521249 A JP 2010521249A JP 2010521249 A JP2010521249 A JP 2010521249A JP 4673447 B2 JP4673447 B2 JP 4673447B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- color filter
- counter electrode
- transparent counter
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 46
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 67
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 63
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
- H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/861—Repairing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/94—Laser ablative material removal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は、有機ＥＬディスプレイおよびその製造方法に関する。
近年、次世代のフラットディスプレイパネルとして、有機ＥＬディスプレイが期待されている。有機ＥＬディスプレイは、自発光で視野角依存性が無く、高コントラスト、薄型、軽量、低消費電力を実現できるといったメリットを有する。
有機ＥＬディスプレイを構成する有機ＥＬ素子は、基本的に、画素電極および対向電極と、画素電極および対向電極との間に配置された有機層を有する。有機層は、蛍光体分子を含む発光層と、発光層を挟む電子伝導性の薄膜およびホール伝導性の薄膜とからなる。電子伝導性の薄膜に電子を注入する対向電極とホール伝導性の薄膜にホールを注入する画素電極との間に電圧を印加したとき、画素電極からホールが注入され、対向電極から電子が注入され、発光層内で電子とホールが結合し、発光層が発光する。
有機ＥＬディスプレイの製造方法は、厚さ数１０ｎｍの有機層や薄膜電極を積層する工程を有する。これらの積層工程は、クリーンルーム内で行われているが、有機層を形成するための機材や周辺環境からパーティクルなどの異物を完全に除去することはできない。したがって、有機ＥＬディスプレイを製造する過程で有機層に異物が混入してしまうことがある。
有機層中に異物が混入した場合、画素電極と対向電極との間に電圧を印加すると、異物を通して電流が電極間をリークしてしまう。電流がリークすると有機ＥＬディスプレイの発光効率が低下し、消費電力の上昇につながる。また、異物が存在する画素においては、異物による電流リークにより、その画素における有機層（発光層）に流れる電流量が減少する。そのため、その画素全体における発光層の輝度が低下する。さらには、異物が存在する画素があると、有機ＥＬディスプレイにおける輝度ムラが引き起こされる。
有機層に混入した異物を通した電流のリークを停止させるための方法として、レーザリペア法が知られている。レーザリペア法とは、有機層の異物が混入した部分（以下「欠陥部」とも称する）にレーザ光を照射することで、異物を通した電流のリークを防止する方法である（例えば特許文献１〜１２参照）。
特許文献１には、カラーフィルタを有する有機ＥＬ素子の欠陥部における画素電極にレーザ光を照射し、画素電極のみに多光子吸収を生じさせる方法が記載されている。これにより、カラーフィルタなどの他の部材は破壊せずに、欠陥部における画素電極のみを破壊（絶縁化）し、異物を通した画素電極と対向電極との間の電流のリークを抑えることができる。
特許文献２〜５には、欠陥部における画素電極または対向電極のいずれか一方を、レーザ照射によって除去することで、異物による電流のリークを防止する方法が開示されている。
特許文献６には、欠陥部における電極をレーザ照射によって酸化させることで欠陥部における電極を絶縁化する方法が開示されている。欠陥部を絶縁化することで、異物による電流のリークを防止することができる。
特許文献７〜９には、レーザ照射によって欠陥部の異物自体を絶縁化し、異物による電流のリークを防止する方法が開示されている。
特許文献１０〜１２には、制御部およびビーム発生器を有するレーザリペア装置が開示されている。制御部によって位置が特定された有機ＥＬディスプレイパネルにおける欠陥部に、ビーム発生器からのビームを照射することで、欠陥部を絶縁し、修復することができる。
しかしながら、ダークスポットとなる欠陥部（非発光領域）と発光領域との輝度差が大きいと、有機ＥＬディスプレイの画質の低下を招くおそれがある。特に、本発明者は、特許文献１に記載されたように、欠陥部上にカラーフィルタが残存していると、欠陥部（非発光領域）と発光領域との輝度差がさらに顕著になることを見出した。
本発明は、欠陥部における輝度の低下を抑えた有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
本発明者は、欠陥部上のカラーフィルタを除去すれば、欠陥部（非発光領域）での輝度の低下を抑制できることを見出し、さらに検討を加え発明を完成させた。すなわち本発明の第１は、以下に示す有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
［１］基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬパネルを準備するステップであって、前記有機ＥＬ素子のそれぞれは、前記基板上に配置された画素電極、前記画素電極上に配置された有機層、前記有機層上に配置された透明対向電極、前記透明対向電極上に配置された保護層および前記保護層上に配置されたカラーフィルタを有し、前記有機ＥＬ素子内の前記有機層に存在する欠陥部を検出するステップ、前記透明対向電極のうち、前記欠陥部上の領域に、前記カラーフィルタを通してレーザ光を照射し、前記領域の透明対向電極を破壊するステップ、および前記カラーフィルタのうち、前記欠陥部上の領域を除去するステップ、を有する有機ＥＬディスプレイの製造方法。
［２］前記照射するレーザ光の波長は、４００ｎｍ以下である、［１］に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
［３］前記カラーフィルタを除去するステップと、前記透明対向電極を破壊するステッ
プとは、同一ステップである、［１］または［２］に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
［４］前記カラーフィルタを除去するステップと、前記透明対向電極を破壊するステップとは、異なるステップであり、前記カラーフィルタの除去は、前記カラーフィルタのうち前記欠陥部上の領域へのレーザ光の照射により行われる、［１］または［２］に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
［５］前記カラーフィルタを除去するステップにおいて、前記カラーフィルタに貫通痕を形成する、［１］〜［４］のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
［６］前記カラーフィルタを除去するステップにおいて、前記カラーフィルタを薄くする、［１］〜［４］のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
［７］前記レーザ光の照射により、前記保護層内に微小な気泡を形成する、［１］〜［６］のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
［２］前記照射するレーザ光の波長は、４００ｎｍ以下である、［１］に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
［３］前記カラーフィルタを除去するステップと、前記透明対向電極を破壊するステッ
プとは、同一ステップである、［１］または［２］に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
［４］前記カラーフィルタを除去するステップと、前記透明対向電極を破壊するステップとは、異なるステップであり、前記カラーフィルタの除去は、前記カラーフィルタのうち前記欠陥部上の領域へのレーザ光の照射により行われる、［１］または［２］に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
［５］前記カラーフィルタを除去するステップにおいて、前記カラーフィルタに貫通痕を形成する、［１］〜［４］のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
［６］前記カラーフィルタを除去するステップにおいて、前記カラーフィルタを薄くする、［１］〜［４］のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
［７］前記レーザ光の照射により、前記保護層内に微小な気泡を形成する、［１］〜［６］のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
本発明の第２は以下に示す有機ＥＬディスプレイに関する。
［８］基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬディスプレイであって、前記有機ＥＬ素子のそれぞれは、前記基板上に配置された画素電極、前記画素電極上に配置された有機層、前記有機層上に配置された透明対向電極、前記透明対向電極上に配置された保護層および前記保護層上に配置されたカラーフィルタを有し、少なくとも一つの前記有機ＥＬ素子は、前記有機層に欠陥部を有し、前記透明対向電極のうち、前記欠陥部上の領域は破壊されており、前記カラーフィルタのうち前記欠陥部上の領域は除去されている、有機ＥＬディスプレイ。
［８］基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬディスプレイであって、前記有機ＥＬ素子のそれぞれは、前記基板上に配置された画素電極、前記画素電極上に配置された有機層、前記有機層上に配置された透明対向電極、前記透明対向電極上に配置された保護層および前記保護層上に配置されたカラーフィルタを有し、少なくとも一つの前記有機ＥＬ素子は、前記有機層に欠陥部を有し、前記透明対向電極のうち、前記欠陥部上の領域は破壊されており、前記カラーフィルタのうち前記欠陥部上の領域は除去されている、有機ＥＬディスプレイ。
本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法によれば、非発光領域上のカラーフィルタも除去することから、非発光領域の輝度の低下を抑えることができ、有機ＥＬディスプレイにおける輝度のムラを抑えることができる（後述）。
１．本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法
本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、１）有機ＥＬパネルを準備する第１ステップ、２）有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子内の有機層における欠陥部を検出する第２ステップ、３）透明対向電極のうち欠陥部上の領域に、カラーフィルタを通してレーザ光を照射し、照射した領域の透明対向電極を破壊する第３ステップを有する。以下それぞれのステップについて詳細に説明する。
本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、１）有機ＥＬパネルを準備する第１ステップ、２）有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子内の有機層における欠陥部を検出する第２ステップ、３）透明対向電極のうち欠陥部上の領域に、カラーフィルタを通してレーザ光を照射し、照射した領域の透明対向電極を破壊する第３ステップを有する。以下それぞれのステップについて詳細に説明する。
１）第１ステップでは、有機ＥＬパネルを準備する。第１ステップで準備する有機ＥＬパネルは、トップエミッション型である。有機ＥＬパネルは、基板および基板上にマトリクス状に配置された有機ＥＬ素子を有する。それぞれの有機ＥＬ素子は、基板上に配置された画素電極と、画素電極上に配置された有機層と、有機層上に配置された透明対向電極
と、透明対向電極上に配置された保護層と、保護層上に配置されたカラーフィルタと、を有する。
と、透明対向電極上に配置された保護層と、保護層上に配置されたカラーフィルタと、を有する。
本発明は、特に大画面の有機ＥＬディスプレイを製造する場合に効果を発揮する。大画面の有機ＥＬディスプレイを製造する場合、有機層内にパーティクルなどの異物が混入する恐れがあることから、本発明によって欠陥部を通した電流のリークを防止する必要が大きい。
また、有機ＥＬ素子における有機層は、蒸着法で形成されても、塗布法で形成されてもよい。有機ＥＬディスプレイの大画面化の観点からは、有機層を塗布法で形成することが好ましい。塗布法の例には、インクジェット、ディスペンサー、ノズルコート、スピンコート、凹版印刷、凸版印刷などが含まれる。一方、有機層を蒸着法で形成した場合、メタルマスクからパーティクルなどの異物が混入する恐れがある。したがって、有機層を蒸着法で形成する場合であっても、本発明によって欠陥部を通した電流のリークを防止することが有効である。
有機ＥＬパネルに含まれる有機ＥＬ素子は、電極および有機層の薄膜を積層することで製造される。それぞれの薄膜には、数１０ｎｍレベルの膜厚の管理が要求される。有機ＥＬ素子の製造の際には、通常、製造環境の管理や製造設備のメンテナンスが実施されているが、有機層内に異物が混入してしまうことがある（図３参照）。
以下の第２ステップおよび第３ステップでは、このような異物が混入した有機層の領域（以下「欠陥部」とも称する）を通した電流のリークを防止する方法について説明する。
２）第２ステップでは、有機ＥＬ素子内の有機層にパーティクルなどの異物が混入した欠陥部（図３参照）を検出する。欠陥部を検出する方法は、特に限定されないが、外観検査による方法や、有機ＥＬディスプレイに逆バイアスまたは順バイアスの電圧を印加し、リーク発光を検出する方法がある。
３）第３ステップでは、透明対向電極のうち第２ステップで特定した欠陥部上の領域にカラーフィルタを通してレーザ光を照射し、透明対向電極のうち欠陥部上の領域を破壊（以下単に「透明対向電極を破壊」とも称する）する。ここで、「透明対向電極にレーザを照射する」とは、透明対向電極に焦点を合わせてレーザ光を照射することを意味する。また、「透明対向電極を破壊する」とは、透明対向電極の機能を破壊すること（つまり電流が流れないようにすること）を意味する。
図１は、レーザ照射によって破壊された透明対向電極を示す。図１では１３は透明対向電極を示し、１４は有機層を示す。図１に示されるように「透明対向電極を破壊する」とは、レーザ光を照射した領域の透明対向電極１３と有機層１４との間に空間Ｘを形成するか（図１Ａ）、レーザ光を照射した領域の透明対向電極１３を変性させ、クラックを形成するか（図１Ｂ）、レーザ光を照射した領域の透明対向電極１３を破砕して（図１Ｃ）、欠陥部を通じて、レーザ光を照射した箇所の透明対向電極１３に電流が流れないようにすることを意味する。
また、本発明では、透明対向電極上に保護層を設けていることから、透明対向電極を破壊した際に、透明対向電極の破片が飛散することはない。したがって、透明対向電極の破壊によって生じた透明対向電極の破片が、有機ＥＬディスプレイのさらなる不良の原因となることはない。
透明対向電極のうち欠陥部上の領域を破壊することで、欠陥部を通した電流のリークが
防止され、欠陥部が非発光領域となるが、有機ＥＬ素子としての機能は修復される。
防止され、欠陥部が非発光領域となるが、有機ＥＬ素子としての機能は修復される。
透明対向電極上のレーザ光の照射面積は、欠陥部の面積よりも２０〜５０％大きいことが好ましい。レーザ光の照射面積は、レーザに設置されたスリットなどによって調節されることができる。スリットとは、レーザ光のスポットのサイズを縦方向、横方向自由に変えるための部材である。スリットを用いることで、欠陥部の面積に応じて、レーザ光の照射面積を適宜調節することができる。
照射するレーザ光を発するレーザ光源は、特に限定されないが、例えば、フラッシュランプ励起Ｎｄ:ＹＡＧレーザである。Ｎｄ:ＹＡＧレーザを用いた場合、レーザ光の波長を、基本波長である１０６４ｎｍ、第二高調波である５３２ｎｍ、第三高調波である３５５ｎｍ、第四高調波である２６６ｎｍから選択することができる。
透明対向電極に照射するレーザ光の波長は特に限定されないが、１１００ｎｍ以下であることが好ましく、４００ｎｍ以下であることが特に好ましい。つまりＮｄ：ＹＡＧレーザであれば、第三高調波または第四高調波を用いればよい。波長が４００ｎｍ以下である場合、透明対向電極の下にある有機層に与える影響が少ないからである。
透明対向電極上のレーザ光のエネルギ（レーザの照射エネルギ密度）は、透明対向電極の材料や厚さなどよって選択される。例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いて、透明対向電極（透明対向電極の材料：ＩＴＯ、透明対向電極の厚さ：１００ｎｍ）を破壊する場合、後述するカラーフィルタによるレーザ光への影響を考慮しないとすると、レーザ光の波長を第三高調波（３５５ｎｍ）とし、レーザの照射エネルギ密度を、０．０５〜０．１５Ｊ／ｃｍ２とすることが好ましい。
このように本発明では、透明対向電極のうち欠陥部上の領域を破壊して、欠陥部を通した電流のリークを防止するので、有機層やＴＦＴにダメージを与えることなく有機ＥＬ素子を修復することができる。
本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、さらにカラーフィルタのうち第２ステップで検出された有機層の欠陥部上の領域を除去する（以下単に「カラーフィルタを除去する」とも称する）ステップを有することを特徴とする。カラーフィルタを除去するステップ（以下「フィルタ除去ステップ」とも称する）は、上述した第３ステップと同一ステップであってもよいし（実施の形態１参照）、第３ステップとは異なるステップ（実施の形態２および３参照）であってもよい。
フィルタ除去ステップと第３ステップとが同一ステップである場合、レーザ光の照射によって、透明対向電極を破壊すると同時にカラーフィルタも除去する。
一方、フィルタ除去ステップと第３ステップとが異なるステップである場合、フィルタ除去ステップにおけるフィルタの除去は、カラーフィルタのうち欠陥部上の領域にレーザ光を照射することにより行われる。フィルタ除去ステップと第３ステップとが異なるステップである場合、フィルタ除去ステップは、第３ステップの前であっても後であってもよいが、第３ステップの前であることが好ましい。ここで、「カラーフィルタにレーザ光を照射する」とは、カラーフィルタに焦点を合わせてレーザ光を照射することを意味する。
ここで、「カラーフィルタを除去する」とは、レーザ光を照射した領域のカラーフィルタを完全に除去し、カラーフィルタに貫通痕を形成すること（実施の形態１および２参照）を意味してもよいし、およびレーザ光を照射した領域のカラーフィルタの表面を部分的に除去し、カラーフィルタを薄くすること（実施の形態３参照）を意味してもよい。
カラーフィルタを薄くするには、例えば、カラーフィルタに貫通痕を形成する場合よりも、カラーフィルタを透過しやすい波長のレーザ光を照射したり、レーザの照射エネルギ密度を低下させたりすればよい。
カラーフィルタ上のレーザ光の照射面積は、欠陥部の面積よりも３０〜６０％大きいことが好ましい。
このように本発明では、カラーフィルタのうち、欠陥部上の領域を除去することで、欠陥部（非発光領域）の輝度の低下を抑えることができる。カラーフィルタを除去することと、非発光領域の輝度の低下を抑えることとの関係は、後述する「２．本発明の有機ＥＬディスプレイ」の説明において詳細に説明する。
第３ステップで透明対向電極に照射するレーザ光の波長は、フィルタ除去ステップが、第３ステップと同一ステップである場合（実施の形態１参照）と、第３ステップと異なるステップである場合（実施の形態２および３参照）とで異なる。以下、場合ごとに透明対向電極に照射するレーザ光の波長について説明する。
（１）フィルタ除去ステップと第３ステップとが同一ステップである場合
フィルタ除去ステップと第３ステップとが同一ステップである場合、透明対向電極に照射するレーザ光はカラーフィルタを透過しない波長を有することが好ましい。フィルタ除去ステップと第３ステップとが同一ステップである場合、透明対向電極に照射されるレーザ光の一部がカラーフィルタにも吸収される必要があるからである。
フィルタ除去ステップと第３ステップとが同一ステップである場合、透明対向電極に照射するレーザ光はカラーフィルタを透過しない波長を有することが好ましい。フィルタ除去ステップと第３ステップとが同一ステップである場合、透明対向電極に照射されるレーザ光の一部がカラーフィルタにも吸収される必要があるからである。
カラーフィルタはその色によって光の透過率が異なる。例えば赤色のカラーフィルタは、波長６００ｎｍ以上の光の透過率が高く；緑色のカラーフィルタは、波長４８０〜５８０ｎｍおよび７９０ｎｍ以上の光の透過率が高く；青色のカラーフィルタは、波長４３０〜５００ｎｍおよび８５０ｎｍ以上の光の透過率が高い。したがって、欠陥部上のカラーフィルタが赤色の場合、レーザ光の波長を、６００ｎｍ未満に設定し；欠陥部上のカラーフィルタが緑色の場合、レーザ光の波長を、４８０ｎｍ未満または５８０ｎｍ超〜７９０ｎｍ未満に設定し；欠陥部上のカラーフィルタが青色の場合、レーザ光の波長を、４３０ｎｍ未満または５００ｎｍ超〜８５０ｎｍ未満に設定すればよい。
（２）フィルタ除去ステップと第３ステップとが異なるステップである場合
フィルタ除去ステップと第３ステップとが異なるステップである場合、ｉ）レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがある場合（実施の形態３参照）と、ii）レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがない場合（実施の形態２参照）とで、レーザ光の波長がさらに異なる。例えばｉ）フィルタ除去ステップの前に第３ステップを行う場合であるか、またはフィルタ除去ステップでカラーフィルタを薄くした後に、第３ステップを行う場合には、レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがある。一方、ii）例えば、フィルタ除去ステップでカラーフィルタに貫通痕を形成した後に、第３ステップを行う場合には、レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがない。
フィルタ除去ステップと第３ステップとが異なるステップである場合、ｉ）レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがある場合（実施の形態３参照）と、ii）レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがない場合（実施の形態２参照）とで、レーザ光の波長がさらに異なる。例えばｉ）フィルタ除去ステップの前に第３ステップを行う場合であるか、またはフィルタ除去ステップでカラーフィルタを薄くした後に、第３ステップを行う場合には、レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがある。一方、ii）例えば、フィルタ除去ステップでカラーフィルタに貫通痕を形成した後に、第３ステップを行う場合には、レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがない。
ｉ）レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがある場合
レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがある場合、レーザ光はカラーフィルタに影響を与えずに、透明対向電極を破壊することが求められることから、カラーフィルタを透過する波長を有することが好ましい。したがって、欠陥部上のカラーフィルタが赤色の場合、レーザ光の波長を、６００ｎｍ以上に設定し；欠陥部上のカラーフィルタが緑色の場合、レーザ光の波長を、４８０〜５８０ｎｍまたは７９０ｎｍ以上に設
定し；欠陥部上のカラーフィルタが青色の場合、レーザ光の波長を、４３０〜５００ｎｍまたは８５０ｎｍ以上に設定すればよい。
レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがある場合、レーザ光はカラーフィルタに影響を与えずに、透明対向電極を破壊することが求められることから、カラーフィルタを透過する波長を有することが好ましい。したがって、欠陥部上のカラーフィルタが赤色の場合、レーザ光の波長を、６００ｎｍ以上に設定し；欠陥部上のカラーフィルタが緑色の場合、レーザ光の波長を、４８０〜５８０ｎｍまたは７９０ｎｍ以上に設
定し；欠陥部上のカラーフィルタが青色の場合、レーザ光の波長を、４３０〜５００ｎｍまたは８５０ｎｍ以上に設定すればよい。
ii）レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがない場合
レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがない場合、レーザ光がカラーフィルタに与える影響を考慮しなくてよいため、レーザ光の波長を任意に設定することができる。レーザ光の波長は、有機層に与える影響が少ない、４００ｎｍ以下に設定することが好ましい。
レーザ光を照射する領域の透明対向電極上にカラーフィルタがない場合、レーザ光がカラーフィルタに与える影響を考慮しなくてよいため、レーザ光の波長を任意に設定することができる。レーザ光の波長は、有機層に与える影響が少ない、４００ｎｍ以下に設定することが好ましい。
このように本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法によれば、有機層にダメージを与えることなく欠陥部を非発光領域にすることができるので、消費電力が低下し、発光効率が上昇する。
また、欠陥部上のカラーフィルタを除去することから、非発光領域の輝度が上昇し、有機ＥＬディスプレイにおける輝度ムラを低減することができる。
また、欠陥部上のカラーフィルタを除去することから、非発光領域の輝度が上昇し、有機ＥＬディスプレイにおける輝度ムラを低減することができる。
２．本発明の有機ＥＬディスプレイ
本発明の有機ＥＬディスプレイは、上述した本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法によって製造された有機ＥＬディスプレイである。本発明の有機ＥＬディスプレイは、トップエミッション型であり、基板および基板上にマトリクス状に配置された有機ＥＬ素子を有する。
本発明の有機ＥＬディスプレイは、上述した本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法によって製造された有機ＥＬディスプレイである。本発明の有機ＥＬディスプレイは、トップエミッション型であり、基板および基板上にマトリクス状に配置された有機ＥＬ素子を有する。
有機ＥＬ素子は、基板上に配置された画素電極、画素電極上に配置された有機層、有機層上に配置された透明対向電極、透明対向電極上に配置された保護層および保護層上に配置されたカラーフィルタを有する。また、カラーフィルタ上にはさらに封止ガラスが配置されていてもよい。
基板は、絶縁性の板である。また、基板には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が内蔵されていてもよい。
画素電極は、基板上に配置される導電性の部材である。画素電極は通常、陽極として機能するが陰極として機能してもよい。また、画素電極は光反射性を有することが好ましい。このような画素電極の材料の例には、ＡＰＣ合金（銀、パラジウム、銅の合金）やＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが含まれる。
また画素電極は、コンタクトホールを通してＴＦＴのソース電極またはドレイン電極に接続されていてもよい。
また画素電極は、コンタクトホールを通してＴＦＴのソース電極またはドレイン電極に接続されていてもよい。
有機層は、有機発光材料を含む有機発光層を有する。有機発光層に含まれる有機発光材料は塗布法で形成することができる高分子有機発光材料であることが好ましい。高分子有機発光材料の例には、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリアセチレンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリパラフェニレンエチレンおよびその誘導体、ポリ３−ヘキシルチオフェンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体などが含まれる。
また有機発光層は、有機ＥＬ素子の配置位置によって、赤、緑または青のいずれかの光を発する。有機層は、さらに正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などを有していてもよい。
透明対向電極は、有機層上に配置される導電性の透明部材である。対向電極は通常、陰極として機能するが陽極として機能してもよい。このような透明対向電極の材料の例には
、ＩＴＯやＩＺＯなどが含まれる。透明対向電極の厚さは約１００ｎｍである。本発明の有機ＥＬディスプレイでは、透明対向電極のうち、有機層の欠陥部上の領域が選択的に破壊されていることを特徴とする。
、ＩＴＯやＩＺＯなどが含まれる。透明対向電極の厚さは約１００ｎｍである。本発明の有機ＥＬディスプレイでは、透明対向電極のうち、有機層の欠陥部上の領域が選択的に破壊されていることを特徴とする。
保護層は、有機層を水や酸素から保護するための部材である。保護層の材料の例には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などの無機物やＵＶ硬化樹脂などの有機物が含まれる。
カラーフィルタの色は、有機ＥＬ素子が発する色によって適宜選択される。具体的には、赤色の光を発する有機層を有する有機ＥＬ素子は、赤色のカラーフィルタを有し、緑色の光を発する有機層を有する有機ＥＬ素子は、緑色のカラーフィルタを有し、青色の光を発する有機層を有する有機ＥＬ素子は、青色のカラーフィルタを有する。カラーフィルタの材料は、例えば、カラーレジストである。またカラーフィルタの厚さは約１μｍである。本発明の有機ＥＬディスプレイでは、カラーフィルタのうち、有機層の欠陥部上の領域が選択的に除去されていることを特徴とする。
このように、本発明の有機ＥＬディスプレイでは、カラーフィルタのうち欠陥部上の領域が除去されているので、欠陥部（非発光領域）の輝度の低下が抑えられる。以下、図面を用いてカラーフィルタが除去されていることと、非発光領域の輝度の低下が抑えられることとの関係を説明する。
図２は、本発明の有機ＥＬディスプレイに含まれ、かつ欠陥部を有する有機ＥＬ素子１００を示す。有機ＥＬ素子１００では、透明対向電極のうち、欠陥部上の領域が破壊され、カラーフィルタのうち、欠陥部上の領域が除去されている。有機ＥＬ素子１００は、基板１６、画素電極１５、有機層１４、透明対向電極１３、保護層１２、カラーフィルタ１１および封止ガラス１０を有する。
また、有機層１４には異物２１が混入している。異物２１が混入した有機層１４の領域は欠陥部１０１を構成する。図２中の矢印５０は、有機層１４から発せられた光を示す。
上述のように欠陥部１０１は非発光領域なので、図２に示されるように欠陥部１０１は光を発しない。しかし、欠陥部１０１の周囲の有機層１４から発せられた光が、欠陥部１０１上の領域にも拡散する。このため、非発光領域である欠陥部１０１からも光を取り出すことができる。さらに本発明では、欠陥部１０１上のカラーフィルタ１１が除去されていることから、欠陥部１０１上の領域に拡散した光は、カラーフィルタ１１を通過しない。このため、欠陥部１０１上の領域に拡散した光は、カラーフィルタ１１によって減衰されることなく外部に発せられる。したがって、たとえ欠陥部１０１が非発光領域であったとしても、欠陥部１０１の周辺の有機層１４から拡散した光を減衰させることなく、欠陥部１０１から取り出すことができるので、欠陥部１０１の輝度の低下が抑えられる。
以下、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。また、実施の形態では、上述した有機ＥＬ素子内の有機層における欠陥部を検出する第２ステップ後の、第３ステップ（透明対向電極を破壊するステップ）およびカラーフィルタの除去ステップについて説明する。
（実施の形態１）
実施の形態１では、第３ステップとカラーフィルタを除去するステップ（フィルタ除去ステップ）が同一ステップである例について説明する。
実施の形態１では、第３ステップとカラーフィルタを除去するステップ（フィルタ除去ステップ）が同一ステップである例について説明する。
図３Ａは、本発明の製造方法における第２ステップ（有機ＥＬ素子内の有機層における欠陥部を検出するステップ）によって検出された、欠陥部を有する有機ＥＬ素子１００を
示す図である。
示す図である。
図３Ａの有機ＥＬ素子１００は、基板１６、画素電極１５、有機層１４、透明対向電極１３、保護層１２、カラーフィルタ１１および封止ガラス１０を有する。有機層１４は異物２１を有し、異物２１が混入した有機層の領域は欠陥部１０１を構成する。
一方、本発明の有機ＥＬディスプレイは、図３Ｂに示されたような欠陥部を有しない有機ＥＬ素子１０３も含む。
図４は、実施の形態１における第３ステップおよびフィルタ除去ステップを示した図である。図４に示されたように第３ステップおよびフィルタ除去ステップで用いられるレーザ装置２００は、レーザ光源３１、スリット３３および集束レンズ３４を有する。
図４に示されるように、本実施の形態の第３ステップでは、透明対向電極１３上に焦点を合わせて、透明対向電極１３のうち欠陥部１０１上の領域に、カラーフィルタ１１を通して、レーザ光３２を照射する。
照射するレーザ光３２の波長およびレーザの照射エネルギ密度は、透明対向電極１３に焦点を合わせて、透明対向電極１３にレーザ光３２を照射したときに、透明対向電極１３の破壊およびカラーフィルタ１１の除去が同時に起こるように調整すればよい。
たとえば、レーザ光源３１がフラッシュランプ励起のＮｄ:ＹＡＧレーザである場合であってカラーフィルタ１１が赤色の場合、レーザ光３２の波長を５３２ｎｍ（第二高調波）とし、透明対向電極１３上のレーザの照射エネルギ密度を０．７Ｊ／ｃｍ２より高くすればよく；カラーフィルタ１１が緑色の場合、レーザ光３２の波長を３５５ｎｍ（第三高調波）とし、透明対向電極１３上のレーザの照射エネルギ密度を０．４１Ｊ／ｃｍ２以上とすればよく；カラーフィルタが青色の場合、レーザ光３２の波長を３５５ｎｍとし、透明対向電極１３上のレーザの照射エネルギ密度を０．４１Ｊ／ｃｍ２より高くし、またはレーザ光３２の波長を５３２ｎｍとし、透明対向電極１３上のレーザの照射エネルギ密度を０．６３Ｊ／ｃｍ２以上とすればよい。
レーザ光３２を透明対向電極１３に焦点を合わせて照射することで、カラーフィルタ１１に貫通痕３５を形成し、透明対向電極破壊部３６を形成することができる。
このように、本実施の形態によれば、欠陥部上の透明対向電極を破壊することで欠陥部を通した電流のリークを防止することができる。このため、有機層やＴＦＴにダメージを与えることなく、有機ＥＬ素子を修復することができる。また、カラーフィルタのうち欠陥部上の領域を除去することで、欠陥部（非発光領域）の輝度の低下を抑えることができ、輝度ムラのない有機ＥＬディスプレイを製造することができる。さらに本実施の形態では、カラーフィルタの除去および透明対向電極の破壊を同一のステップで行うことができることから、より短時間で有機ＥＬ素子を修復することができる。
（実施の形態２）
実施の形態１では、第３ステップとフィルタ除去ステップとが同一ステップである例について説明した。実施の形態２では、第３ステップとフィルタ除去ステップとが異なるステップである例について説明する。
実施の形態１では、第３ステップとフィルタ除去ステップとが同一ステップである例について説明した。実施の形態２では、第３ステップとフィルタ除去ステップとが異なるステップである例について説明する。
図５Ａは、実施の形態２におけるフィルタ除去ステップを示した図であり、図５Ｂは、実施の形態２における第３ステップを示した図である。
図５Ａに示されるように、本実施の形態のフィルタ除去ステップでは、まずカラーフィルタ１１上にレーザ光３２の焦点を合わせ、カラーフィルタ１１のうち、欠陥部１０１上の領域にレーザ光３２を照射し、カラーフィルタ１１のうち欠陥部１０１上の領域を除去し貫通痕３５を形成する。カラーフィルタ１１には、カラーフィルタを透過しない波長を有するレーザ光３２を照射する。
例えば、レーザ光源３１がフラッシュランプ励起のＮｄ:ＹＡＧレーザである場合であってカラーフィルタ１１が赤色の場合、レーザ光３２の波長を５３２ｎｍ（第二高調波）とし、カラーフィルタ１１上のレーザの照射エネルギ密度を０．４８Ｊ／ｃｍ２以上とするか、またはレーザ光３２の波長を３５５ｎｍ（第三高調波）とし、カラーフィルタ１１上のレーザの照射エネルギ密度を０．３２Ｊ／ｃｍ２以上とすればよく；カラーフィルタ１１が緑色の場合、レーザ光３２の波長を３５５ｎｍ（第三高調波）とし、カラーフィルタ１１上のレーザの照射エネルギ密度を０．３２Ｊ／ｃｍ２以上とすればよく；カラーフィルタが青色の場合、レーザ光３２の波長を５３２ｎｍ（第二高調波）とし、カラーフィルタ１１上のレーザの照射エネルギ密度を０．４８Ｊ／ｃｍ２以上とするか、またはレーザ光３２の波長を３５５ｎｍ（第三高調波）とし、カラーフィルタ１１上のレーザの照射エネルギ密度を０．１３Ｊ／ｃｍ２以上とすればよい。
その後、第３ステップでは、透明対向電極１３にレーザ光３２の焦点を合わせて、透明対向電極１３のうち、欠陥部１０１上の領域にレーザ光３２を照射し、透明対向電極１３を破壊する（図５Ｂ）。実施の形態１と異なり、本実地の形態の第３ステップでは、カラーフィルタ１１が既に除去されていることから、カラーフィルタ１１による影響を考慮せず、レーザ光３２の条件を透明対向電極１３を破壊するためにより適した条件に設定することができる。例えば、レーザ光源３１がフラッシュランプ励起のＮｄ:ＹＡＧレーザである場合、レーザ光３２の波長を３５５ｎｍとし、透明対向電極１３上のレーザの照射エネルギ密度を０．０５〜０．１５Ｊ／ｃｍ２とすればよい。
また、実施の形態１のようにカラーフィルタの除去と透明対向電極の破壊とを同一のステップで行う場合、除去するカラーフィルタの面積が大きくなってしまうおそれがある。非発光領域に対して、除去されたカラーフィルタの面積が大きすぎる場合、カラーフィルタを通過しない光の割合が増加し、有機ＥＬディスプレイの色再現性などに影響を与えるおそれがある。一方、本実施の形態のように、カラーフィルタの除去と透明対向電極の破壊とが別々のステップで行われる場合、除去されるカラーフィルタの面積を、適宜選択することが容易であるため、色再現性への影響を抑えることができる。
（実施の形態３）
実施の形態１および実施の形態２では、レーザ光を照射した箇所のカラーフィルタを完全に除去し、カラーフィルタに貫通痕を形成する例について説明した。実施の形態３では、レーザ光を照射した箇所のカラーフィルタを完全に除去しない例について説明する。
実施の形態１および実施の形態２では、レーザ光を照射した箇所のカラーフィルタを完全に除去し、カラーフィルタに貫通痕を形成する例について説明した。実施の形態３では、レーザ光を照射した箇所のカラーフィルタを完全に除去しない例について説明する。
図６Ａは、実施の形態３におけるフィルタ除去ステップを示した図であり、図６Ｂは、実施の形態３における第３ステップを示した図である。
図６Ａに示されるように、本実施の形態のフィルタ除去ステップでは、まずカラーフィルタ１１上にレーザ光３２の焦点を合わせ、カラーフィルタ１１のうち欠陥部１０１上の領域にレーザ光３２を照射し、カラーフィルタ１１のうち欠陥部１０１上の領域４０を除去し、領域４０のカラーフィルタ１１を薄くする。本実施の形態では、レーザ光３２を照射したカラーフィルタ１１が完全に除去されないようにレーザ光３２の波長またはレーザの照射エネルギ密度を調整することを特徴とする。
その後、本実施の第３ステップでは、透明対向電極１３にレーザ光３２の焦点を合わせて、透明対向電極１３のうち欠陥部１０１上の領域にレーザ光３２を照射し、透明対向電極１３を破壊する（図６Ｂ）。本実施の形態の第３ステップでは、レーザ光３２が、フィルタ除去ステップで薄くなったカラーフィルタ１１をさらに除去しないように調節されることを特徴とする。したがって、第３ステップにおけるレーザ光３２は、カラーフィルタ１１を透過するように波長を調節される。例えば、レーザ光源３１がフラッシュランプ励起のＮｄ:ＹＡＧレーザである場合、レーザ光３２の波長を基本波長である１０６４ｎｍとし、透明対向電極１３上のレーザの照射エネルギ密度を０．４２Ｊ／ｃｍ２以下とすることが好ましい。
このように、本実施の形態では、欠陥部上に薄いカラーフィルタを残すため、実施の形態１の効果に加えて、色再現性の低下を抑えることができる。
（実施の形態４）
実施の形態４では、レーザ光３２またはＵＶ光を照射すると微小な気泡が発生する材料を保護層に用いた例について説明する。
実施の形態４では、レーザ光３２またはＵＶ光を照射すると微小な気泡が発生する材料を保護層に用いた例について説明する。
図７は、実施の形態４の第３ステップおよびフィルタ除去ステップを示した図である。
図７に示されるように、本実施の形態では、透明対向電極１３に焦点を合わせて、透明対向電極１３のうち、欠陥部１０１上の領域にレーザ光３２を照射し、カラーフィルタ１１のうち欠陥部１０１上の領域を除去し、透明対向電極１３のうち欠陥部１０１上の領域を破壊する。
照射するレーザ光３２の波長およびレーザの照射エネルギ密度は、透明対向電極に焦点を合わせてレーザ光３２を照射したときに、透明対向電極の破壊およびカラーフィルタの除去が同時に起こるように調整すればよい。
このときカラーフィルタ１１と透明対向電極１３との間の保護層１２にレーザ光３２が通過する。保護層１２にレーザ光３２が通過すると、保護層１２に微小な気泡４１が発生する。保護層１２に形成された微小な気泡４１は、欠陥部１０１の外周部の光を散乱させ、欠陥部１０１の輝度を向上させることができる。
また、本実施の形態では、レーザ光３２またはＵＶ光を照射すると微小な気泡４１が発生する材料を保護層に用いた例について説明したが、例えば、レーザ光３２またはＵＶ光を照射すると光の屈折率が変化する材料を保護層に用いてもよい。
このように、本実施の形態によれば実施の形態１の効果に加えて、欠陥部の輝度をさらに向上させることができるので、より輝度ムラの少ない有機ＥＬディスプレイを得ることができる。
以下本発明の実施例について説明する。以下の実施例は、本発明の範囲を限定するものではない。
（実施例１）
有機ＥＬ素子の準備
図８に示されたような、ガラス基板１６上に画素電極１５、正孔注入層１７、正孔輸送層１８、有機発光層１４、電子輸送層１９および厚さ１００ｎｍの透明対向電極１３（ＩＴＯ）を積層した有機ＥＬ素子を準備した。さらに、準備した有機ＥＬ素子上に、ガラス
板２０および赤、緑または青のカラーフィルタ１１を配置し、カラーフィルタの色が異なる３種類の有機ＥＬ素子を準備した。カラーフィルタ１１の材料はカラーレジストであり、カラーフィルタの厚さは、１μｍとした。
有機ＥＬ素子の準備
図８に示されたような、ガラス基板１６上に画素電極１５、正孔注入層１７、正孔輸送層１８、有機発光層１４、電子輸送層１９および厚さ１００ｎｍの透明対向電極１３（ＩＴＯ）を積層した有機ＥＬ素子を準備した。さらに、準備した有機ＥＬ素子上に、ガラス
板２０および赤、緑または青のカラーフィルタ１１を配置し、カラーフィルタの色が異なる３種類の有機ＥＬ素子を準備した。カラーフィルタ１１の材料はカラーレジストであり、カラーフィルタの厚さは、１μｍとした。
レーザの照射
準備したそれぞれの有機ＥＬ素子の透明対向電極に、波長が１０６４ｎｍのレーザ光をレーザの照射エネルギ密度０．４２〜４．５Ｊ／ｃｍ２で照射し、波長５３２ｎｍのレーザ光をレーザの照射エネルギ密度０．０６〜０．７１Ｊ／ｃｍ２で照射し、波長３５５ｎｍのレーザ光をレーザの照射エネルギ密度０．０５〜０．４１Ｊ／ｃｍ２で照射した。レーザ装置にはＡＧＴ−２０００ＲＴ（ＹＡＧレーザ、株式会社ＡＧＴ製）を用いた。レーザ光の透明対向電極上における照射面積口は２０μｍとし、パルス幅を３〜５ｎ秒とした。また、レーザ照射はシングルショットで行った。
準備したそれぞれの有機ＥＬ素子の透明対向電極に、波長が１０６４ｎｍのレーザ光をレーザの照射エネルギ密度０．４２〜４．５Ｊ／ｃｍ２で照射し、波長５３２ｎｍのレーザ光をレーザの照射エネルギ密度０．０６〜０．７１Ｊ／ｃｍ２で照射し、波長３５５ｎｍのレーザ光をレーザの照射エネルギ密度０．０５〜０．４１Ｊ／ｃｍ２で照射した。レーザ装置にはＡＧＴ−２０００ＲＴ（ＹＡＧレーザ、株式会社ＡＧＴ製）を用いた。レーザ光の透明対向電極上における照射面積口は２０μｍとし、パルス幅を３〜５ｎ秒とした。また、レーザ照射はシングルショットで行った。
図９は、レーザ光の照射によるそれぞれのカラーフィルタ（ＣＦ）および透明対向電極（ＩＴＯ）への影響を示した表である。
図９に示されるように、波長１０６４ｎｍのレーザ光（レーザの照射エネルギ密度０．４２Ｊ／ｃｍ２）を照射した場合、全ての色のカラーフィルタには影響を与えることなく透明対向電極のみを破壊することができた。
波長５３２ｎｍのレーザ光（レーザの照射エネルギ密度０．６３Ｊ／ｃｍ２）は、赤色のカラーフィルタを除去することができ、レーザの照射エネルギ密度０．５６Ｊ／ｃｍ２以上で、青色のカラーフィルタを除去することができるが、緑色のカラーフィルタには影響を与えなかった。また、波長５３２ｎｍのレーザ光は、カラーフィルタが赤色の場合に、ＩＴＯを充分に破壊することはできなかった。これは、波長５３２ｎｍのレーザ光が、赤色のカラーフィルタに吸収されレーザ光のエネルギが減衰したことによるものと考えられる。したがって、カラーフィルタが赤色の場合であって、かつ波長５３２ｎｍのレーザ光で、ＩＴＯを破壊する場合、レーザ光の照射エネルギ密度を０．６３Ｊ／ｃｍ２よりも増加させる必要がある。
波長３５５ｎｍのレーザ光（レーザの照射エネルギ密度０．２５Ｊ／ｃｍ２）は、青色のカラーフィルタを除去することができ、レーザの照射エネルギ密度０．４１Ｊ／ｃｍ２で、緑色のカラーフィルタを除去することができるが、赤色のカラーフィルタには影響を与えなかった。波長３５５ｎｍのレーザ光は、カラーフィルタが青色の場合、ＩＴＯを破壊することはできなかった。これは、波長３５５ｎｍのレーザ光が、青色のカラーフィルタに吸収されレーザ光のエネルギが減衰したことによるものと考えられる。したがって、カラーフィルタが青色の場合であって、かつ波長３５５ｎｍのレーザ光で、ＩＴＯを破壊する場合、レーザ光の照射エネルギ密度を０．２５Ｊ／ｃｍ２よりも増加させる必要がある。
これらの結果は、カラーフィルタの色に応じてレーザ光の波長を選択することによって、カラーフィルタを除去したり、ＩＴＯを破壊したりできることを示唆する。
（実施例２）
有機ＥＬ素子の準備
図８に示されたような、ガラス基板１６上に画素電極１５、正孔注入層１７、正孔輸送層１８、有機発光層１４、電子輸送層１９および厚さ１００ｎｍの透明対向電極１３（ＩＴＯ）を積層した、有機ＥＬ素子を準備した。本実施例では有機ＥＬ素子にカラーフィルタを積層しなかった。
有機ＥＬ素子の準備
図８に示されたような、ガラス基板１６上に画素電極１５、正孔注入層１７、正孔輸送層１８、有機発光層１４、電子輸送層１９および厚さ１００ｎｍの透明対向電極１３（ＩＴＯ）を積層した、有機ＥＬ素子を準備した。本実施例では有機ＥＬ素子にカラーフィルタを積層しなかった。
レーザの照射
準備した有機ＥＬ素子の透明対向電極に、波長が１０６４ｎｍのレーザ光をレーザの照射エネルギ密度０．４２〜４．５Ｊ／ｃｍ２で照射し、波長５３２ｎｍのレーザ光をレーザの照射エネルギ密度０．０６〜０．７１Ｊ／ｃｍ２で照射し、波長３５５ｎｍのレーザ光をレーザの照射エネルギ密度０．０５〜０．４１Ｊ／ｃｍ２で照射した。レーザ装置にはＡＧＴ−２０００ＲＴ（ＹＡＧレーザ、株式会社ＡＧＴ製）を用いた。レーザ光の透明対向電極上における照射面積口は２０μｍとし、パルス幅３ｎ〜５ｎ秒とした。また、レーザ照射はシングルショットで行った。
準備した有機ＥＬ素子の透明対向電極に、波長が１０６４ｎｍのレーザ光をレーザの照射エネルギ密度０．４２〜４．５Ｊ／ｃｍ２で照射し、波長５３２ｎｍのレーザ光をレーザの照射エネルギ密度０．０６〜０．７１Ｊ／ｃｍ２で照射し、波長３５５ｎｍのレーザ光をレーザの照射エネルギ密度０．０５〜０．４１Ｊ／ｃｍ２で照射した。レーザ装置にはＡＧＴ−２０００ＲＴ（ＹＡＧレーザ、株式会社ＡＧＴ製）を用いた。レーザ光の透明対向電極上における照射面積口は２０μｍとし、パルス幅３ｎ〜５ｎ秒とした。また、レーザ照射はシングルショットで行った。
結果
波長５３２ｎｍおよび１０６４ｎｍのレーザ光は、透明対向電極（ＩＴＯ）の下地層である有機層にもダメージを与えた。一方、波長３５５ｎｍのレーザ光は、透明対向電極を破壊するが、下地層の有機層には、ダメージを与えなかった。これは、レーザ光を照射する透明対向電極上にカラーフィルタがない場合、ＹＡＧレーザの第３高調波のレーザ光を用いることが好ましいことを示す。
波長５３２ｎｍおよび１０６４ｎｍのレーザ光は、透明対向電極（ＩＴＯ）の下地層である有機層にもダメージを与えた。一方、波長３５５ｎｍのレーザ光は、透明対向電極を破壊するが、下地層の有機層には、ダメージを与えなかった。これは、レーザ光を照射する透明対向電極上にカラーフィルタがない場合、ＹＡＧレーザの第３高調波のレーザ光を用いることが好ましいことを示す。
本出願は、２００９年２月１０日出願の特願２００９−０２８４３５に基づく優先権を主張する。当該出願明細書に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法によれば、カラーフィルタのうち欠陥部上の領域も除去することから、非発光部（欠陥部）の輝度の低下を抑えることができる。このため、画質に優れた有機ＥＬディスプレイを高い歩留まりで提供することができる。また、本発明は、カラーフィルタを利用した他の発光デバイスの製造にも適用することができる。
１０ 封止ガラス
１１ カラーフィルタ
１２ 保護層
１３ 透明対向電極
１４ 有機層
１５ 画素電極
１６ 基板
１７ 正孔注入層
１８ 正孔輸送層
１９ 電子輸送層
２０ ガラス板
２１ 異物
３１ レーザ光源
３２ レーザ光
３３ スリット
３４ 集束レンズ
３５ 貫通痕
３６ 透明対向電極破壊部
４０ カラーフィルタの薄い領域
４１ 気泡
１００ 有機ＥＬ素子
１０１ 欠陥部
２００ レーザ装置
１１ カラーフィルタ
１２ 保護層
１３ 透明対向電極
１４ 有機層
１５ 画素電極
１６ 基板
１７ 正孔注入層
１８ 正孔輸送層
１９ 電子輸送層
２０ ガラス板
２１ 異物
３１ レーザ光源
３２ レーザ光
３３ スリット
３４ 集束レンズ
３５ 貫通痕
３６ 透明対向電極破壊部
４０ カラーフィルタの薄い領域
４１ 気泡
１００ 有機ＥＬ素子
１０１ 欠陥部
２００ レーザ装置
Claims (14)
- 基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬパネルを準備するステップであって、前記有機ＥＬ素子のそれぞれは、前記基板上に配置された画素電極、前記画素電極上に配置された有機層、前記有機層上に配置された透明対向電極、前記透明対向電極上に配置された保護層および前記保護層上に配置されたカラーフィルタを有し、
前記有機ＥＬ素子内の前記有機層に存在する欠陥部を検出するステップ、
前記透明対向電極のうち、前記欠陥部上の領域に、前記カラーフィルタを通してレーザ光を照射し、前記領域の透明対向電極を破壊するステップ、および
前記カラーフィルタのうち、前記欠陥部上の領域を除去するステップ、
を有する有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 前記照射するレーザ光の波長は、４００ｎｍ以下である、請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 前記カラーフィルタを除去するステップと、前記透明対向電極を破壊するステップとは、同一ステップである、請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 前記除去されるカラーフィルタは赤色であり、前記透明対向電極に照射する前記レーザ光の波長は、６００ｎｍ未満である、請求項３に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 前記除去されるカラーフィルタは緑色であり、前記透明対向電極に照射する前記レーザ光の波長は、４８０ｎｍ未満または５８０ｎｍ超７９０ｎｍ未満である、請求項３に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 前記除去されるカラーフィルタは青色であり、前記透明対向電極に照射する前記レーザ光の波長は、４３０ｎｍ未満または５００ｎｍ超８５０ｎｍ未満である、請求項３に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 前記カラーフィルタを除去するステップと、前記透明対向電極を破壊するステップとは、異なるステップであり、前記カラーフィルタの除去は、前記カラーフィルタのうち前記欠陥部上の領域へのレーザ光の照射により行われる、請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 前記除去されるカラーフィルタは赤色であり、前記透明対向電極に照射する前記レーザ光の波長は、６００ｎｍ以上である、請求項７に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 前記除去されるカラーフィルタは緑色であり、前記透明対向電極に照射する前記レーザ光の波長は、４８０ｎｍ〜５８０ｎｍまたは７９０ｎｍ以上である、請求項７に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 前記除去されるカラーフィルタは青色であり、前記透明対向電極に照射する前記レーザ光の波長は、４３０ｎｍ〜５００ｎｍまたは８５０ｎｍ以上である、請求項７に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 前記カラーフィルタを除去するステップにおいて、前記カラーフィルタに貫通痕を形成する、請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 前記カラーフィルタを除去するステップにおいて、前記カラーフィルタを薄くする、請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 前記レーザ光の照射により、前記保護層内に微小な気泡を形成する、請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬディスプレイであって、前記有機ＥＬ素子のそれぞれは、前記基板上に配置された画素電極、前記画素電極上に配置された有機層、前記有機層上に配置された透明対向電極、前記透明対向電極上に配置された保護層および前記保護層上に配置されたカラーフィルタを有し、
少なくとも一つの前記有機ＥＬ素子は、前記有機層に欠陥部を有し、
前記透明対向電極のうち、前記欠陥部上の領域は破壊されており、前記カラーフィルタのうち前記欠陥部上の領域は除去されている、有機ＥＬディスプレイ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009028435 | 2009-02-10 | ||
| JP2009028435 | 2009-02-10 | ||
| PCT/JP2010/000337 WO2010092749A1 (ja) | 2009-02-10 | 2010-01-21 | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP4673447B2 true JP4673447B2 (ja) | 2011-04-20 |
| JPWO2010092749A1 JPWO2010092749A1 (ja) | 2012-08-16 |
Family
ID=42561598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010521249A Active JP4673447B2 (ja) | 2009-02-10 | 2010-01-21 | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8772052B2 (ja) |
| EP (1) | EP2378841B1 (ja) |
| JP (1) | JP4673447B2 (ja) |
| CN (1) | CN102210193B (ja) |
| WO (1) | WO2010092749A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8557614B2 (en) * | 2010-12-28 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing lighting device |
| US8652859B2 (en) * | 2011-01-31 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device and manufacturing apparatus of light-emitting device |
| JP5310773B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2013-10-09 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| WO2012143974A1 (ja) * | 2011-04-20 | 2012-10-26 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US9112187B2 (en) * | 2011-06-08 | 2015-08-18 | Joled Inc. | Organic el device and method of manufacturing organic EL device |
| WO2013186961A1 (ja) * | 2012-06-14 | 2013-12-19 | パナソニック株式会社 | 欠陥検出方法、有機ｅｌ素子のリペア方法、および有機ｅｌ表示パネル |
| KR102047922B1 (ko) * | 2013-02-07 | 2019-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 기판, 플렉서블 기판의 제조 방법, 플렉서블 표시 장치, 및 플렉서블 표시 장치 제조 방법 |
| KR102120892B1 (ko) * | 2013-04-25 | 2020-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막봉지의 유기막 손상 측정방법 및 측정장치 |
| KR20150033152A (ko) * | 2013-09-23 | 2015-04-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 수리 방법 |
| CN104779264A (zh) * | 2014-01-10 | 2015-07-15 | 上海和辉光电有限公司 | 混色型掩膜开口缺陷的有机发光二极管显示屏修补方法 |
| CN104091901A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled制备方法 |
| JP2017069030A (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 住友化学株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| CN107526191A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-12-29 | 惠科股份有限公司 | 液晶面板、液晶显示器和液晶面板的修补方法 |
| JP2018170129A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
| JP2023035934A (ja) * | 2021-09-01 | 2023-03-13 | 凸版印刷株式会社 | 光学装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235178A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sharp Corp | 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3840010B2 (ja) | 1999-10-19 | 2006-11-01 | 東北パイオニア株式会社 | 発光ディスプレイの製造方法 |
| JP2001176672A (ja) | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Toray Ind Inc | 有機電界発光装置およびその製造方法 |
| US6909111B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| JP2002260857A (ja) | 2000-12-28 | 2002-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および薄膜形成装置 |
| JP2003178871A (ja) | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びその装置 |
| JP4270891B2 (ja) | 2003-01-21 | 2009-06-03 | 三洋電機株式会社 | Ｅｌ表示装置のレーザーリペア方法 |
| TWI242827B (en) | 2004-07-15 | 2005-11-01 | Ritdisplay Corp | System of detection and repair and method thereof |
| TWI237341B (en) | 2004-07-21 | 2005-08-01 | Ritdisplay Corp | System of detection and repair and method thereof |
| TWI290622B (en) | 2004-09-30 | 2007-12-01 | Ritdisplay Corp | Detection and repair system and method |
| JP2006269108A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置及びその欠陥画素の修復方法 |
| JP2006278343A (ja) | 2006-05-19 | 2006-10-12 | Tohoku Pioneer Corp | 発光ディスプレイの製造方法 |
| JP4924192B2 (ja) * | 2007-05-09 | 2012-04-25 | 大日本印刷株式会社 | 透明導電性膜付きカラーフィルタ基板の欠陥修正方法および透明導電性膜付きカラーフィルタ基板 |
| WO2008156284A1 (en) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Cowindst Co., Ltd. | Method of repairing flat pannel display |
| JP2009016195A (ja) | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Canon Inc | 有機発光装置のリペア方法及びそれを用いた有機発光装置の製造方法 |
| JP5104100B2 (ja) | 2007-07-30 | 2012-12-19 | マックス株式会社 | 湯水噴出装置および湯水噴出空調装置 |
-
2010
- 2010-01-21 CN CN201080003173.9A patent/CN102210193B/zh active Active
- 2010-01-21 EP EP10741029.2A patent/EP2378841B1/en active Active
- 2010-01-21 WO PCT/JP2010/000337 patent/WO2010092749A1/ja active Application Filing
- 2010-01-21 US US13/133,352 patent/US8772052B2/en active Active
- 2010-01-21 JP JP2010521249A patent/JP4673447B2/ja active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235178A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sharp Corp | 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2378841B1 (en) | 2013-07-31 |
| CN102210193A (zh) | 2011-10-05 |
| EP2378841A1 (en) | 2011-10-19 |
| CN102210193B (zh) | 2014-12-10 |
| US8772052B2 (en) | 2014-07-08 |
| WO2010092749A1 (ja) | 2010-08-19 |
| US20110278603A1 (en) | 2011-11-17 |
| EP2378841A4 (en) | 2012-07-18 |
| JPWO2010092749A1 (ja) | 2012-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4673447B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 | |
| JP4733235B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 | |
| JP5310773B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 | |
| US7964416B2 (en) | Manufacturing method of organic EL display | |
| JP2008235178A (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ | |
| JP5642277B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2008235177A (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ | |
| US20080233826A1 (en) | Method of producing organic light emitting device | |
| WO2012143974A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| GB2494957A (en) | Repairing short circuit manufacturing defects in OLED displays | |
| JP2003233329A (ja) | 表示装置のリペア方法 | |
| JP6057143B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2008268880A (ja) | 有機発光装置の製造方法 | |
| JP2004119243A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子の欠陥除去方法 | |
| KR20110113089A (ko) | 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 | |
| WO2012117656A1 (ja) | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 | |
| KR101848502B1 (ko) | 유기전계발광표시장치의 리페어방법 | |
| JP2012204105A (ja) | 表示基板の欠陥修正方法 | |
| JP2011113733A (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 | |
| KR20120004000A (ko) | 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 | |
| JP2007066562A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
| JP2013196831A (ja) | 有機ｅｌパネルの欠陥修正方法 | |
| JP2016100171A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110118 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4673447 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |