JP4659677B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
第1の実施の形態では、チャネル領域の上側に互いに離間して設けられた第1及び第2フローティングゲートと、これら第1及び第2フローティングゲートを覆うように形成されたコントロールゲートとを具えた半導体装置の製造方法について説明する。この製造方法は、第1工程から第8工程までを含んでいる。以下、第1工程から順に各工程につき説明する。
第2の実施の形態では、上述の第1の実施の形態で説明した製造方法とは、他の製造方法を用いて、チャネル領域の上側に互いに離間して設けられた第1及び第2フローティングゲートと、これら第1及び第2フローティングゲートを覆うように形成されたコントロールゲートとを具えた半導体装置の製造方法について説明する。この製造方法は、第1工程から第10工程までを含んでいる。以下、第1工程から順に各工程につき説明する。
そして、これら下部酸化膜27、電荷蓄積窒化膜29、及び上部酸化膜31を含めて、ONO膜25が構成されている。
11a:上側基板面
13:素子領域
15:第1導電型不純物領域
17:素子間分離領域
19:マスク
21:主電極領域
21a、21b:第1及び第2主電極領域
23:チャネル領域
25:ONO膜
27:下部酸化膜
29:電荷蓄積窒化膜
31:上部酸化膜
33:フローティングゲート材料層
35:積層体
37a、37b:第1及び第2ONO膜
39a、39b:第1及び第2フローティングゲート
41a、41b:第1及び第2下部酸化膜
43a、43b:第1及び第2電荷蓄積窒化膜
45a、45b:第1及び第2上部酸化膜
47a、47b:第1及び第2残存領域
49:層間絶縁膜
51:コントロールゲート
53:ゲート形成犠牲膜
111:チャネル領域
113:主電極領域
113a:第1主電極領域
113b:第2主電極領域
115:基板
117:ゲート酸化膜
119:コントロールゲート
121:シリコン窒化膜
123:フローティングゲート
123a:フーティングゲート
123b:フーティングゲート
125:下部シリコン酸化膜
127:上部シリコン酸化膜
129:ONO膜
211:基板
213:チャネル領域
214:第1主電極領域及び第2主電極領域
215:ゲート酸化膜
216:フローティングゲート中央部
217:ONO膜
219:下部シリコン酸化膜
221:シリコン窒化膜
223:上部シリコン酸化膜
225:フローティングゲート側部
227:フローティングゲート
229:シリコン酸化膜
231:コントロールゲート
Claims (3)
- 半導体基板と、
該半導体基板の素子領域に作り込まれたチャネル領域と、
前記素子領域の前記チャネル領域を挟んで作り込まれた第1及び第2主電極領域と、
前記チャネル領域の上側表面に互いに離間して設けられた、下部酸化膜、該下部酸化膜の上側表面に設けられた電荷蓄積窒化膜、及び該電荷蓄積窒化膜の上側表面に設けられた上部酸化膜を含む第1及び第2ONO膜であって、それぞれの一方の側面を、前記チャネル領域の、上側基板面での前記第1及び第2主電極領域との境界上にそれぞれ位置させて設けられた当該第1及び第2ONO膜と、
該第1及び第2ONO膜の上側表面に、それぞれ設けられた第1及び第2フローティングゲートと、
前記第1及び第2ONO膜と、前記第1及び第2フローティングゲートとを含む前記素子領域の上側を、均一な膜厚で覆うように形成された層間絶縁膜と、
前記第1及び第2ONO膜間と、前記第1及び第2フローティングゲート間とを埋め込むとともに、前記層間絶縁膜の上側表面を覆うように設けられたコントロールゲートと
を具えることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板のチップ領域内の上側基板面に、一定間隔で配列して設けられた複数の素子間分離領域から露出している素子領域に、第1導電型の不純物を導入することによって、第1導電型不純物領域を形成する第1工程と、
該第1導電型不純物領域の上側表面の、チャネル領域を形成する予定領域上に、マスクを形成し、しかる後、前記第1導電型不純物領域に、第1導電型と逆の導電型を有する第2導電型不純物を導入することによって、第1及び第2主電極領域と、前記マスクの下部であって、前記第1及び第2主電極領域間にチャネル領域とを形成する第2工程と、
前記マスクを除去した後、前記半導体基板の上側全面に下部酸化膜、電荷蓄積窒化膜、及び上部酸化膜を、この順に重ねて形成することによって、前記下部酸化膜、前記電荷蓄積窒化膜、及び前記上部酸化膜を含むONO膜を形成する第3工程と、
該ONO膜の上側全面に、フローティングゲート材料層を形成して、前記ONO膜及び前記フローティングゲート材料層からなる積層体を形成する第4工程と、
該積層体の表面から前記上側基板面が露出するまで、該積層体に対する部分エッチングを行って、複数の前記素子間分離領域の配列方向に、互いに離間して延在するストライプ状の、第1及び第2残存領域を、前記チャネル領域上に、該第1及び第2残存領域のそれぞれの一方の側面を、前記チャネル領域の、前記上側基板面での前記第1及び第2主電極領域との境界上にそれぞれ位置させて、形成することにより、前記ONO膜から、前記第1及び第2残存領域中に第1及び第2ONO膜をそれぞれ残存形成するとともに、前記フローティングゲート材料層から、前記第1及び第2残存領域中に第1及び第2フローティングゲートをそれぞれ残存形成する第5工程と、
前記第1及び第2残存領域を含む前記半導体基板の上側全面に、均一な膜厚で層間絶縁膜を形成する第6工程と、
前記第1及び第2残存領域間を埋め込むとともに、前記層間絶縁膜の上側全面を覆うようにコントロールゲートを形成する第7工程と、
前記素子間分離領域の上側領域、及び該素子間分離領域の延長領域の上側に存在する前記コントロールゲート、前記層間絶縁膜、前記第1及び第2フローティングゲート、及び前記第1及び第2ONO膜を除去する第8工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板のチップ領域内の上側基板面に、一定間隔で配列して設けられた複数の素子間分離領域から露出している素子領域に、第1導電型の不純物を導入することによって、第1導電型不純物領域を形成する第1工程と、
前記半導体基板の上側全面に下部酸化膜、電荷蓄積窒化膜、及び上部酸化膜を、この順に形成することによって、前記下部酸化膜、前記電荷蓄積窒化膜、及び前記上部酸化膜を含むONO膜を形成する第2工程と、
該ONO膜の上側表面であって、第1及び第2フローティングゲートを形成する予定領域の間にゲート形成犠牲膜を形成する第3工程と、
該ゲート形成犠牲膜を含む前記ONO膜の上側表面を覆うように、フローティングゲート材料層を形成する第4工程と、
該フローティングゲート材料層を除去することによって、前記ゲート形成犠牲膜の両側側部に第1及び第2フローティングゲートを残存形成する第5工程と、
前記ゲート形成犠牲膜と、前記第1及び第2フローティングゲートとをマスクとして、前記第1導電型不純物領域に、第1導電型と逆の導電型を有する第2導電型の不純物を導入することによって、第1及び第2主電極領域を形成するとともに、前記ゲート形成犠牲膜と前記第1及び第2フローティングゲートとの下部であって、前記第1及び第2主電極領域間にチャネル領域を形成する第6工程と、
前記ゲート形成犠牲膜と、前記第1及び第2フローティングゲートの下部を除く部分の前記ONO膜とを、前記半導体基板の上側基板面が露出するまで除去するとともに、除去されずに残存した、前記第1及び第2フローティングゲートの下部の前記ONO膜から第1及び第2ONO膜を形成することにより、前記第1及び第2フローティングゲートと前記第1及び第2ONO膜とからなる第1及び第2残存領域を形成する第7工程と、
前記第1及び第2残存領域を含む前記半導体基板の上側全面に、均一な膜厚で層間絶縁膜を形成する第8工程と、
前記第1及び第2残存領域間を埋め込むとともに、前記層間絶縁膜の上側全面を覆うようにコントロールゲートを形成する第9工程と、
前記素子間分離領域の上側領域、及び該素子間分離領域の延長領域の上側に存在する前記コントロールゲート、前記層間絶縁膜、前記第1及び第2フローティングゲート、及び前記第1及び第2ONO膜を除去する第10工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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