JP4657356B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
A. Kitamura, et al., "self-Isolated and High PerformanceComplementary Lateral DMOSFETs with Surrounding-Body Regions" Proceedings ofISPSD, p.42 (1995)
本発明の第1参考例に係る半導体装置は、ゲートフィールドプレート構造を有する。後に説明するように、ゲート電極の一部が乗り上げているシリコン酸化膜(保護絶縁)がLOCOS酸化法以外の方法によって形成され、シリコン基板表面の平坦性が保たれている。さらに、シリコン酸化膜(保護絶縁膜)の端部の傾斜が緩く、ゲート電極下の酸化膜厚が急激に変化しないことを特徴とする。
本発明の第2参考例に係る半導体装置は、上述した第1参考例と同様にゲートフィールドプレート構造を有する。後に説明するように、ゲート電極の一部が乗り上げているシリコン酸化膜(保護絶縁膜)がLOCOS酸化法以外の方法によって形成され、シリコン基板表面の平坦性が保たれている。さらに、シリコン酸化膜(保護絶縁膜)の端部の傾斜が緩く、ゲート電極下の酸化膜厚が急激に変化しないことを特徴とする。
本発明の第1実施例に係る半導体装置は、上述した第1、第2参考例と同様にゲートフィールドプレート構造を有する。後に説明するように、ゲート電極の一部が乗り上げているシリコン酸化膜がLOCOS酸化法により形成されるが、他の素子分離のためのフィールド酸化膜よりも薄くなっている。このため、従来の構造に比べてシリコン基板表面の平坦性が保たれている。さらに、シリコン酸化膜(保護絶縁膜)の端部の傾斜が緩く、ゲート電極下の酸化膜厚が急激に変化しないことを特徴とする。
また、一度のフォトリソグラフィー工程により異なる膜厚を有するフィールド酸化膜(322,322a)を形成することができるため、製造コストの増大を抑制することができる。
114 溝
116a,212a シリコン酸化膜(保護絶縁膜)
122,222,322 LOCOS酸化膜(素子分離領域)
124,224,324 ゲート酸化膜
126,226,326 ゲート電極
322a LOCOS酸化膜(保護絶縁膜)
Claims (1)
- 表面に素子分離層形成領域と保護絶縁膜形成領域とを備えた半導体基板を準備する工程と、
前記表面を覆う酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜を覆う窒化膜を形成する工程と、
前記素子分離層形成領域上の前記窒化膜を開口すると共に、前記保護絶縁膜形成領域上の前記窒化膜に開口パターンを形成し、前記保護絶縁膜形成領域上の前記酸化膜を部分的に露出させる工程と、
前記半導体基板における前記酸化膜が露出した部分を熱酸化させて、前記保護絶縁膜形成領域上に保護絶縁膜を形成するとともに、前記素子分離層形成領域上に前記保護絶縁膜よりも膜厚の厚い素子分離層を形成する工程と、
前記熱酸化を行った後、前記窒化膜及び前記酸化膜を除去する工程と、
前記窒化膜及び前記酸化膜を除去する工程を行った後、前記半導体基板の表面上の前記保護絶縁膜の一端に、前記保護絶縁膜に接続され且つ前記保護絶縁膜よりも薄いゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上及び前記保護絶縁膜上に跨るゲート電極を形成する工程と、を含み、
前記開口パターンは、少なくとも1方向において、前記開口パターンの各々の幅と、隣接する前記開口パターンとの間隔とが同一となるように配置形成されたライン・アンド・スペースであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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