JP2009302548A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、表面に素子分離層形成領域と保護絶縁膜形成領域とを備えた半導体基板を準備する工程と;前記表面を覆う酸化膜を形成する工程と;前記酸化膜を覆う窒化膜を形成する工程と;前記素子分離形成領域上の前記絶縁膜を開口すると共に、前記保護絶縁膜形成領域上の前記絶縁膜に前記保護絶縁膜形成領域上の酸化膜を部分的に開口する開口パターンを形成する工程と;前記酸化膜を熱酸化させて、前記保護絶縁膜上に保護絶縁膜を形成し、前記素子分離層形成領域上に素子分離層を形成する工程と;前記窒化膜を除去する工程と;前記半導体基板の表面上に前記保護絶縁膜に接続するゲート絶縁膜を形成する工程と;前記ゲート絶縁膜上及び前記保護絶縁膜上に跨るゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【選択図】図10
Description
A. Kitamura, et al., "self-Isolated and High PerformanceComplementary Lateral DMOSFETs with Surrounding-Body Regions" Proceedings ofISPSD, p.42 (1995)
本発明の第1参考例に係る半導体装置は、ゲートフィールドプレート構造を有する。後に説明するように、ゲート電極の一部が乗り上げているシリコン酸化膜(保護絶縁)がLOCOS酸化法以外の方法によって形成され、シリコン基板表面の平坦性が保たれている。さらに、シリコン酸化膜(保護絶縁膜)の端部の傾斜が緩く、ゲート電極下の酸化膜厚が急激に変化しないことを特徴とする。
本発明の第2参考例に係る半導体装置は、上述した第1参考例と同様にゲートフィールドプレート構造を有する。後に説明するように、ゲート電極の一部が乗り上げているシリコン酸化膜(保護絶縁膜)がLOCOS酸化法以外の方法によって形成され、シリコン基板表面の平坦性が保たれている。さらに、シリコン酸化膜(保護絶縁膜)の端部の傾斜が緩く、ゲート電極下の酸化膜厚が急激に変化しないことを特徴とする。
本発明の第1実施例に係る半導体装置は、上述した第1、第2参考例と同様にゲートフィールドプレート構造を有する。後に説明するように、ゲート電極の一部が乗り上げているシリコン酸化膜がLOCOS酸化法により形成されるが、他の素子分離のためのフィールド酸化膜よりも薄くなっている。このため、従来の構造に比べてシリコン基板表面の平坦性が保たれている。さらに、シリコン酸化膜(保護絶縁膜)の端部の傾斜が緩く、ゲート電極下の酸化膜厚が急激に変化しないことを特徴とする。
また、一度のフォトリソグラフィー工程により異なる膜厚を有するフィールド酸化膜(322,322a)を形成することができるため、製造コストの増大を抑制することができる。
114 溝
116a,212a シリコン酸化膜(保護絶縁膜)
122,222,322 LOCOS酸化膜(素子分離領域)
124,224,324 ゲート酸化膜
126,226,326 ゲート電極
322a LOCOS酸化膜(保護絶縁膜)
Claims (6)
- 表面に素子分離層形成領域と保護絶縁膜形成領域とを備えた半導体基板を準備する工程と、
前記表面を覆う酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜を覆う窒化膜を形成する工程と、
前記素子分離形成領域上の前記絶縁膜を開口すると共に、前記保護絶縁膜形成領域上の前記絶縁膜に前記保護絶縁膜形成領域上の酸化膜を部分的に開口する開口パターンを形成する工程と、
前記酸化膜を熱酸化させて、前記保護絶縁膜上に保護絶縁膜を形成し、前記素子分離層形成領域上に素子分離層を形成する工程と、
前記窒化膜を除去する工程と、
前記半導体基板の表面上に前記保護絶縁膜に接続するゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上及び前記保護絶縁膜上に跨るゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記開口パターンは、ドット状に形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口パターンは、マトリックス状に形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口パターン一定の間隔をおいて形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- ソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域と前記ドレイン領域とに挟まれたゲート電極形成領域を有する半導体素子形成領域を備えた半導体基板と、
前記ゲート電極形成領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極形成領域上に前記ゲート絶縁膜に接続されて、前記半導体基板の表面からの膜厚が前記ゲート絶縁膜よりも厚く形成された保護絶縁層と、
前記ゲート絶縁膜上と前記保護絶縁膜上とに跨って形成されたゲート電極と、
前記半導体素子形成領域を前記半導体基板の表面の他の領域と電気的に分離し、前記半導体基板の表面からの膜厚が前記保護絶縁膜よりも厚く形成された素子分離層と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記保護絶縁膜は、前記ゲート電極形成領域上から前記半導体基板の表面の内部に亘って形成されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8609500B2 (en) | 2011-06-15 | 2013-12-17 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device production method |
JP2014183231A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR101575368B1 (ko) * | 2010-04-05 | 2015-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
CN111048420A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-21 | 杰华特微电子(杭州)有限公司 | 横向双扩散晶体管的制造方法 |
US11114527B2 (en) | 2010-06-21 | 2021-09-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6453574A (en) * | 1987-08-25 | 1989-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPS6480070A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPH02201932A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Rohm Co Ltd | 高耐圧mos電界効果トランジスタ |
JPH05283425A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Nippon Steel Corp | Mis型半導体装置の製造方法 |
JPH08130253A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Nec Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JPH08181223A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH10209169A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH1154499A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002026152A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2009
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6453574A (en) * | 1987-08-25 | 1989-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPS6480070A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPH02201932A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Rohm Co Ltd | 高耐圧mos電界効果トランジスタ |
JPH05283425A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Nippon Steel Corp | Mis型半導体装置の製造方法 |
JPH08130253A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Nec Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JPH08181223A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH10209169A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH1154499A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002026152A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101575368B1 (ko) * | 2010-04-05 | 2015-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
US11114527B2 (en) | 2010-06-21 | 2021-09-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US8609500B2 (en) | 2011-06-15 | 2013-12-17 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device production method |
US8729610B2 (en) | 2011-06-15 | 2014-05-20 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device |
JP2014183231A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN111048420A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-21 | 杰华特微电子(杭州)有限公司 | 横向双扩散晶体管的制造方法 |
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Publication number | Publication date |
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