JP4620780B2 - 感度補正方法および撮像装置 - Google Patents
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- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims description 105
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title claims description 26
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
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Description
前記複数の撮像素子は列状に設けられ、相互に隣接する2つの撮像素子から成るグループを形成したときに、前記グループにおいて前記電荷補正部は、前記グループに含まれる2つの前記感光部の間に1つだけ設けられ、
前記演算手段は、前記電荷補正部に蓄積される第2の電荷量で、この電荷補正部が含まれるグループにおける複数の電荷蓄積部に蓄積された第1の電荷量を補正することを特徴とするものである。
図1には、本発明の感度補正方法が適用された撮像装置の第一の実施形態である車載用のカメラモジュールの概略構成が示されている。
Claims (9)
- 被写体からの光を複数の撮像素子で受光することにより前記被写体の画像を読み取る際に発生するシェーディングを除去するための感度補正方法であって、それぞれの前記撮像素子が、入射光を受光して光電変換する感光部と、前記入射光によって前記感光部に蓄積された電荷を転送して一時的に蓄積する電荷蓄積部と、該電荷蓄積部に漏れ込んだ電荷を見積もる電荷補正部とを備えて、前記被写体からの光を前記複数の撮像素子で受光して電荷を蓄積した後、前記感光部に蓄積された電荷を前記電荷蓄積部に転送して該電荷蓄積部に蓄積される第1の電荷量を前記電荷補正部に漏れ込んだ第2の電荷量で補正した第3の電荷量を各撮像素子の電荷量として複数の撮像素子についての電荷量を順次出力することを特徴とする感度補正方法。
- 前記被写体からの光を前記複数の撮像素子で受光して同時に電荷を蓄積した後、前記複数の撮像素子についての電荷量を順次出力することを特徴とする請求項1記載の感度補正方法。
- 前記電荷蓄積部と前記電荷補正部とを、前記感光部から同じ距離だけ離間した位置に配置された同じ部材で構成することを特徴とする請求項1または2記載の感度補正方法。
- 前記電荷蓄積部と前記電荷補正部とをフローティングディフュージョンアンプとすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の感度補正方法。
- 前記撮像素子の受光面において、前記電荷蓄積部および前記電荷補正部それぞれの占める面積を前記感光部の占める面積に対して1/10以下の大きさとすることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の感度補正方法。
- 前記複数の撮像素子を列状に設け、相互に隣接する2つの撮像素子から成るグループを形成し、前記グループに含まれる2つの前記感光部の間に前記電荷補正部を設けて、相互に隣接する2つの撮像素子において、1つの電荷補正部を共有化して用いることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の感度補正方法。
- 被写体からの光を受光する複数の撮像素子と、前記被写体の像を前記撮像素子に結像させる光学系とを具備し、前記光学系を通して前記被写体からの光を前記複数の撮像素子で受光して蓄積した電荷を出力する撮像装置であって、それぞれの前記撮像素子が、入射光を光電変換する感光部と、前記入射光によって前記感光部に蓄積された電荷を転送して一時的に蓄積する電荷蓄積部と、該電荷蓄積部に漏れ込む電荷量を見積もる電荷補正部と、前記それぞれの撮像素子における前記感光部に蓄積された電荷を転送して前記電荷蓄積部に蓄積された第1の電荷量を前記電荷補正部に漏れ込んだ第2の電荷量で補正する演算手段と、該演算手段によって算出された第3の電荷量を各撮像素子の電荷量として複数の撮像素子についての電荷量を順次出力する出力手段とを具備し、
前記複数の撮像素子は列状に設けられ、相互に隣接する2つの撮像素子から成るグループを形成したときに、前記グループにおいて前記電荷補正部は、前記グループに含まれる2つの前記感光部の間に1つだけ設けられ、
前記演算手段は、前記電荷補正部に蓄積される第2の電荷量で、この電荷補正部が含まれるグループにおける複数の電荷蓄積部に蓄積された第1の電荷量を補正することを特徴とする撮像装置。 - 前記被写体からの光を前記複数の撮像素子で受光して同時に電荷を蓄積した後、前記複数の撮像素子についての電荷量を順次出力することを特徴とする請求項7記載の撮像装置。
- 前記撮像部が相補型金属酸化物半導体(CMOS)センサであることを特徴とする請求項7または8記載の撮像装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006229229 | 2006-08-25 | ||
JP2006229229 | 2006-08-25 | ||
PCT/JP2007/066492 WO2008023806A1 (fr) | 2006-08-25 | 2007-08-24 | Procédé de correction de sensibilité et dispositif imageur |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008023806A1 JPWO2008023806A1 (ja) | 2010-01-14 |
JP4620780B2 true JP4620780B2 (ja) | 2011-01-26 |
Family
ID=39106888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008530974A Expired - Fee Related JP4620780B2 (ja) | 2006-08-25 | 2007-08-24 | 感度補正方法および撮像装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8049796B2 (ja) |
EP (1) | EP2061235B1 (ja) |
JP (1) | JP4620780B2 (ja) |
CN (1) | CN101507263B (ja) |
WO (1) | WO2008023806A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101507263B (zh) * | 2006-08-25 | 2011-04-20 | 京瓷株式会社 | 灵敏度修正方法和摄像装置 |
JP4290209B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2009-07-01 | 三菱電機株式会社 | 画像表示装置および画像表示方法 |
EP2347463B1 (en) | 2008-10-09 | 2017-06-07 | Chaozhou Three-Circle (Group) Co., Ltd. | A solid oxide fuel cell or solid oxide fuel cell sub-component and methods of preparing same |
JP2012175259A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Olympus Corp | 固体撮像装置 |
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JP2006217548A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1097617A (ja) | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Security- Japan:Kk | 画像処理システム |
JPH1169154A (ja) | 1997-08-19 | 1999-03-09 | Canon Inc | シェーディング補正方法及び装置 |
US6879730B1 (en) * | 1999-04-12 | 2005-04-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Sensitivity correction method and image reading device |
JP2000358142A (ja) | 1999-04-12 | 2000-12-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感度補正方法及び画像読取装置 |
JP2004304331A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP4441219B2 (ja) | 2003-09-02 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | デジタルカメラ |
JP4272566B2 (ja) | 2004-03-19 | 2009-06-03 | 富士フイルム株式会社 | 広ダイナミックレンジ固体撮像素子の色シェーディング補正方法および固体撮像装置 |
CN101507263B (zh) * | 2006-08-25 | 2011-04-20 | 京瓷株式会社 | 灵敏度修正方法和摄像装置 |
-
2007
- 2007-08-24 CN CN2007800316799A patent/CN101507263B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-24 US US12/438,715 patent/US8049796B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-24 EP EP07806078.7A patent/EP2061235B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-24 JP JP2008530974A patent/JP4620780B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-24 WO PCT/JP2007/066492 patent/WO2008023806A1/ja active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008023806A1 (fr) | 2008-02-28 |
US8049796B2 (en) | 2011-11-01 |
EP2061235A4 (en) | 2011-05-04 |
EP2061235B1 (en) | 2014-11-19 |
CN101507263A (zh) | 2009-08-12 |
US20100253812A1 (en) | 2010-10-07 |
EP2061235A1 (en) | 2009-05-20 |
JPWO2008023806A1 (ja) | 2010-01-14 |
CN101507263B (zh) | 2011-04-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101026 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101028 |
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