JP4606642B2 - 半導体製造装置及び化合物半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機金属熱分解法によって半導体基板上に単結晶薄膜層を形成するのに好適な半導体製造装置及びこれを用いた化合物半導体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
各種の化合物半導体装置の製造に用いる半導体薄膜結晶ウェーハを得るため、有機金属を熱分解させることにより基板上に所要の単結晶薄膜層を連続的にエピタキシャル成長させる有機金属熱分解法(MOCVD法)が広く採用されている。この方法による従来の半導体製造装置は、MOCVD反応炉内に原料ガスを1箇所の供給口から供給するのが一般的であった。この従来方法によると、供給口から反応炉内に載置された成膜すべき基板へ原料ガスを導く過程において、原料ガスを十分に均一な流速及び原料濃度を有する層流とするために、原料ガスを反応炉内の基板より上流部で比較的長い距離を通過させる構成となっている。
【0003】
一方、原料の供給口と基板との距離を短くするため、面状の多孔板を供給口としてこれと向かい合わせに基板を載置する構造の反応炉も提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の構成によると、原料ガスを均一な流速で所要の濃度を有する層流とするために、原料ガスを高温となっている反応炉の壁に接するようにして比較的長い距離に亘って通過させなければならず、これにより受ける熱のために原料の前分解が生じて結晶純度が低下したり、原料効率が低下してしまうなどの問題点を有していた。
【0005】
また、原料ガスは反応炉に適宜に設けられた1箇所の導入口から反応炉内に供給されるので、このようにして導入された原料ガスはその流路の不均一性の影響によって片流れを起こしやすく、エピタキシャル気相成長法によって半導体基板上に形成されるエピタキシャル結晶層の膜厚が不均一となるなどの問題も生じている。そして、面状の多孔板を供給口とする形式のものでは面内での原料供給量を調整することがほとんどできず、成長膜厚を充分均一にすることが困難であった。
【0006】
例えば、LED素子の製造に用いる半導体薄膜結晶ウェーハの場合、各エピタキシャル結晶層の膜厚を均一にすることが、これを用いて製造されたLED素子の発光波長及び強度特性のばらつきを抑えるのに必要であるが、このような成長膜厚の不均一性のために、半導体薄膜結晶ウェーハ全体に亘って特性の揃ったLED素子を形成することは難しく、したがって、出来上がったLED素子の特性をチェックして目的別に選り分けるなどの工程が必要となり、コスト上昇の原因ともなっている。
【0007】
本発明の目的は、従来技術における上述の問題点を解決することができる半導体製造装置及び化合物半導体の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を解決すべく原料ガスの供給方式について種々の実験を行い鋭意検討を行った結果、原料供給について工夫を施し、従来とは異なる原料供給方式を用いることにより上記問題が解決されることを見い出し、本発明をなすに至ったものである。
【0009】
上記課題を解決するため、本発明では、化合物半導体をMOCVD法を用いて製造するための半導体製造装置において、外部から供給される原料ガスを反応装置内に設けられている半導体基板表面に向けて導入するための導入部材を中空の部材とし、該中空部材内での原料ガスの流れ案内方向とは略直角の方向に均一な量の原料ガスが該中空部材から吹き出すように構成し、半導体基板がこのようにして導入部材から吹き出される均一な量の原料ガス流に浸るようにしたものである。
【0010】
請求項1の発明によれば、原料ガス供給装置と、該原料ガス供給装置からの原料ガスを受け取り有機金属熱分解法により複数の半導体基板に薄膜結晶層を形成するための反応装置とを備えて成る半導体製造装置において、前記複数の半導体基板は前記反応装置内に設けられたサセプタに略縦に取り付けられ、前記原料ガス供給装置から受け取った原料ガスを前記複数の半導体基板の表面に供給するため前記反応装置内には中空円環状部材を有する導入部材が設けられており、前記中該中空円環状部材には、前記原料ガス供給装置からの原料ガスを前記中空円環状部材の周方向に案内するための中空案内路と、該周方向と略直角な方向であって前記複数の半導体基板の各表面に沿う方向に前記原料ガスを該中空案内路から吹き出させるため該周方向に沿って間隔をあけて配設された複数の開口部とが設けられており、前記複数の開口部からの前記原料ガスが前記複数の前記基板の各表面に沿って流れ、かつ前記複数の半導体基板が前記複数の開口部からの原料ガス流によって浸されるようになっていることを特徴とする半導体製造装置が提案される。
【0011】
請求項2の発明によれば、請求項1の発明において、前記開口部が貫通孔の形態で設けられている半導体製造装置が提案される。
【0012】
請求項3の発明によれば、請求項1の発明において、前記複数の開口部のそれぞれから吹き出した原料ガスにより形成されるガス流が前記半導体基板上で均一化されるような間隔で前記複数の開口部が設けられている半導体製造装置が提案される。
【0013】
請求項4の発明によれば、請求項1乃至3記載の半導体製造装置のうちのいずれか1つの半導体製造装置により化合物半導体を製造することを特徴とする化合物半導体の製造方法が提案される。
【0014】
【0015】
【0016】
【0017】
【0018】
【0019】
【0020】
【0021】
【0022】
【0023】
【0024】
導入部材を用いることにより、棒状又は円環状の如き適宜の中空の部材に設けたガス吹出口である開口部より原料ガスを半導体基板に供給することができ、これらの開口部から供給されるガス流に浸るように半導体基板を載置させて結晶成長させることで均一性の高い結晶成長が可能となる。導入部材は冷却手段により容易に冷却することが可能である。これにより、従来の装置では不可能であった結晶成長部位付近まで、原料ガス供給口を近づけることができることとなるため、原料ガスを温度制御して従来より新鮮な状態で結晶成長部位へ到達させることができ、結晶純度の向上及び原料効率の向上が可能となる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例につき詳細に説明する。
【0026】
図1は、本発明による半導体製造装置の実施の形態の一例を示す概略構成図である。半導体製造装置1は、例えばInGaAlNの如きGaN系の3−5族化合物半導体ウェーハあるいはGaAs系の3−5族化合物半導体ウェーハ等、適宜の化合物半導体ウェーハを製造するための装置であり、反応装置2と、該反応装置2に原料ガスを供給するための原料ガス供給装置3とを備えている。
【0027】
反応装置2は、石英管等から成る本体21内に基板Sをセットしておくためのサセプタ22が設けられて成り、本体21内に設けられた高周波誘導加熱コイルあるいは赤外線ランプ等のサセプタ加熱設備23によってサセプタ22を加熱し、サセプタ22にセットされた基板Sを所要の温度となるように加熱することができる構成となっている。
【0028】
原料ガス供給装置3は、反応装置2によって基板S上に所要の単結晶薄膜層をMOCVD法により形成するために必要な原料ガスを反応装置2に供給するための公知の構成の装置であり、原料ガス供給装置3からの原料ガスは、原料供給ライン31を介して、原料ガスを受け取るため本体21に設けられた導入口24へと送給されている。
【0029】
このようにして導入口24へ送られてきた原料ガスを基板Sの表面上に単位長さあたり均一な量で供給するため、本体21内には導入口24に連結されている導入部材4が設けられており、導入部材4からの原料ガスは本体21内においてY方向に流され、使用済みの原料ガスは反応装置2から排気ガス処理装置5へ送られて処理され、その排出口5Aから大気中に排出される。
【0030】
図2及び図3を参照して、導入部材4について詳細に説明する。導入部材4は、棒状の中空部材として構成された本体41を備え、本体41内は本体41の長手方向に延設された隔壁体42、43によって3つに区割され、上部冷却液通路44、下部冷却液通路45、及び中空案内路である原料ガス案内路46が形成されている。
【0031】
符号47で示されるのは、導入口24からの原料ガスを本体41にまで導くための一端47Aが本体41の原料ガス案内路46と連通するように本体41に接続されているパイプ部材であり、パイプ部材47の他端47Bは導入口24に連絡されている。したがって、導入口24から本体21内に供給された原料ガスはパイプ部材47を通って本体41内の原料ガス案内路46内に導かれる。
【0032】
このようにして原料ガス案内路46内に導かれた原料ガスを導入部材4の本体41から基板Sに向けて均一に吹き出させることができるよう、本体41の前面壁41Aには原料ガス案内路46を外部と連通させる多数の開口部48が本体41の軸方向(矢印X方向)に沿って周期的に設けられている。本実施の形態では、開口部48は断面円形の微細な貫通孔として一定間隔に形成されており、本体41の原料ガス案内路46に上述の如くして供給された原料ガスは原料ガス案内路46内でX方向に沿って流れるように案内され、各開口部48からX方向とは直角方向のY方向に向けて吹き出して基板Sに供給されることになる。開口部48の個数及び配設間隔は、開口部48のそれぞれから吹き出る原料ガスにより得られることになる基板Sの成膜のための供給原料ガスが、基板Sに対してX方向の単位長さあたりに均一な量となるよう定められている。この結果、基板Sは導入部材4の開口部48から吹き出される均一な原料ガス流に浸ることができるようになっている。
【0033】
そして、上部冷却液通路44及び下部冷却液通路45には、図示しない冷却液供給装置から冷却液が循環的に供給され、これにより本体41の温度を制御する冷却装置が構成されている。この構成により、原料ガス案内路46内の原料ガスがサセプタ加熱設備23からの熱により高温となり、原料ガスが前分解するなどの不具合が生じるのを有効に防止できる構成となっている。
【0034】
半導体製造装置1は以上のように構成されているので、原料ガス供給装置3からの原料ガスは、導入部材4によって基板S表面にX方向の単位長さあたり均一な量を供給でき、したがって、基板Sはこの均一な原料ガス流に浸ることとなり、基板Sの表面において均一性の高い結晶成長が可能となる。また、導入部材4は水冷液を用いてそこに導入される原料ガスを冷却することが可能な構成であるから、原料ガスが導入口24から開口部48までの移動中に前分解することがないような温度に冷却制御できる。この結果、原料ガスを従来に比べてより新鮮な状態で基板S上の結晶成長部位へ導入することができるので、基板S上に形成される結晶純度を著しく改善できる上に、原料効率も著しく向上させることができる。
【0035】
熱分解された使用済みの原料ガスは、本体21の排出口25から排出ライン6を通って排気ガス処理装置5に送られる。
【0036】
上述した本実施の形態では、原料ガスのガス吹出口となる開口部48を微細な貫通孔の如き孔としているが、開口部48の形状はこの形状に限定されるものではない。貫通孔以外の具体的な形状としては、間隔が十分狭いスリット状のものが挙げられる。開口部48の形状を貫通孔の如き孔の形状とする場合、貫通孔の大きさ、間隔、方向等を本体41より供給される原料ガスの流れの均一性を調整するパラメータとして選ぶことができることになる。
【0037】
また貫通孔の相対的な配置としては上記X方向に1列に配置する方法以外にも、2列あるいはそれ以上の多数列として配置する構成とすることもできる。
【0038】
図4には、原料ガスの吹出口となる開口部48’がスリット状となっている場合の導入部材4の変形例が示されている。この構成の場合、開口部48’のスリット幅Wを上記X方向に対して均一とする必要はなく、開口部48’のスリット幅WをX方向の位置での関数とし、これを適切に設定することで、本体41より供給される原料ガスの流れを均一にすることができる。またスリットは1本である必要はなく、2本あるいはそれ以上のスリットを設けてもよい。
【0039】
ガス吹出口となる開口部の形状を貫通孔又はスリットいずれの形態にした場合であっても、開口部48、48’の断面形状としては、内部より外部に向かって次第に広がる形状のもの、逆に内部から外部に向かって次第に小さくなるもの、あるいは内部から外部まで一定の幅のもの、さらには内部と外部の間を膨らませたもの、逆に内部と外部は広く途中は小さくしたものなどの形状のものを用いることができる。また、貫通孔状の開口部48とスリット状の開口部48’とを併せて設けて吹出口として機能を持たせるようにしてもよい。
【0040】
開口部48を貫通孔によって形成する場合、その開口部の形状は円形、三角形、四角形等任意の形状とすることができるが、円形である場合、精度よく貫通孔を形成することができるので好適である。貫通孔の径寸法は、原料ガスの粘度などの性質、供給量等を考慮して決めることができる。具体的な貫通孔の径寸法としては、原料ガス、流量にも依存するが、円形の貫通孔を例に挙げると、内径としては0.01mm以上5mm以下が好ましい。貫通孔の内径が0.01mmより小さい場合、十分な加工精度を得ることができない。一方、貫通孔の内径が5mmより大きいと貫通孔より供給される原料ガスの流れのX方向の均一性が得られにくい。このような条件を考慮すると、より好ましい貫通孔の内径寸法は0.1mm以上2mm以下、さらに好ましくは0.5mm以上1mm以下である。
【0041】
一方、ガス吹出口をスリット状の開口部48’として形成する場合、スリット幅Wは、原料ガスの粘度などの性質、供給量等を考慮して決めることができる。具体的なスリット幅Wとしては、原料ガス、流量にも依存するが、0.01mm以上5mm以下が好ましい。スリット幅Wが0.01mmより小さい場合、十分な加工精度を得ることができない。一方、スリット幅Wが5mmより大きいと本体41より供給される原料ガスの流れのX方向の均一性が得られにくい。このような条件を考慮すると、より好ましいスリット幅Wは0.1mm以上2mm以下、さらに好ましくは0.5mm以上1mm以下である。
【0042】
上記の例は、原料ガスが導入部から反応炉へ1度のみ開口部を通過して供給される場合であるが、導入部材内部にさらに開口部を設け、原料ガスが2回以上開口部を通過して反応炉内に導かれる構造としてもよい。原料ガスが複数回開口部を通過する構造により、より均一な原料ガスの流れを得やすくなる。
【0043】
以上、ガス吹出口の構成について種々の形態を説明したが、いずれの形態であっても、原料ガスを吹き出すための開口部48,48’の形成方法としては、レーザ切削、超音波切削、電子ビーム切削、ドリル切削など公知の方法を用いることができる。開口部形成後、電解研磨、機械化学的研磨等により、開口部48,48’の加工面を滑らかにすれば、原料ガス中への不純物の放出、原料ガスと開口部48,48’の各壁面との反応等の影響を抑制することができ、加工面の円滑化を図ることが望ましい。
【0044】
また、原料によっては互いに反応を起こすものがあるため、この場合には各原料を混合しないでなるべく基板Sの近くまで導入することが望ましい。導入部材4を用いた場合には、各原料に対して個別の原料導入部材を設置することが容易に可能であるから、容易に原料の混合を避けながら、基板の直近まで原料ガスを導くことができる。この結果、本発明による効果を生かした半導体製造装置を構成できる。
【0045】
図5には、本発明の他の実施の形態が示されている。図5に示される半導体製造装置1’は、反応装置7の構成が図1に示した半導体製造装置1の反応装置2と異なっているのみで、他の構成は同じであるから、図5には反応装置7のみを示し、その他の構成は図示するのを省略してある。
【0046】
反応装置7は、本体71内に設けられたサセプタ73に基板Sを略縦に取り付ける縦型の形態のものである。本体71は2重壁構造となっており、その下部に設けられた冷却水供給口71Aから供給された冷却水が本体71の外表面全体を冷却し、本体71の上部に設けられた冷却水排出口71Bから排出される水冷式の構成となっている。なお、図5では基板Sは、サセプタ72に等間隔で複数枚取り付けた場合の例が示されている。
【0047】
本体71の導入口71Cには、原料ガス供給装置3から原料供給ライン31を介して送られてくる原料ガスを本体71内に導入してエピタキシャル結晶層の形成のために基板Sの表面にサセプタ72の周方向に対して単位長さあたり均一な量で供給するための導入部材8が連結されている。
【0048】
図6に詳細に示されるように、導入部材8は、中空で円環状の本体81と、導入口71Cに導かれてきた原料ガスを本体81に導くためのパイプ部材82とから成っている。パイプ部材82は角形パイプを用いて構成されており、入口端82Aは導入口71Cに連絡され、出口側は90度間隔で4分岐されており4つの出口端82B〜82Eを備えている。これらの出口端82B〜82Eは本体81の後部円環壁81Aにおいてパイプ部材82内に形成されており原料ガスをX方向に沿って案内するための中空案内路である環状の空間(図示せず)に連通するように連結されている。したがって、導入口71Cから本体81内に導入された原料ガスは、パイプ部材82によって本体81の周方向に沿って90度間隔の位置で本体81内に導入される。
【0049】
なお、パイプ部材82の形状は角形である必要はなく、適切な断面形状のものを適宜選択して用いることができる。また出口端の数は4である必要はなく、適切な数の出口端を適宜選択して導入口本体81に接続することができる。さらに、図1及び図5に示した各実施の形態においては、導入部材4、8は対応する反応装置2、7と別に作製したものであるが、導入部材4、8を対応する反応装置2、7の外部筐体の一部として一体化した構成とすることもできる。
【0050】
このようにして本体81内に導かれた原料ガスを本体81から基板Sに向けて均一に吹き出させることができるよう、本体81の前部円環壁81Bには、本体81の内部の環状の空間内の原料ガスを外部にX方向とは直角のY方向に沿って流出させるための多数の開口部83が本体81の軸方向(矢印X方向)に沿って貫通孔の形態で周期的に設けられている。本実施の形態では、開口部83は断面円形の微細な孔として一定間隔に形成されており、本体81内に上述の如くして供給された原料ガスはパイプ部材82内の円環状空間によって案内されてその周方向(X方向)に沿って流れ、各開口部83からは原料ガスが基板Sの表面に沿って下方向(Y方向)に向けて流れることになる。すなわち、本体81内における原料ガスの流れ方向(X方向)とは略直角の方向(Y方向)に原料ガスが本体81から送り出されることになる。
【0051】
開口部83は微細な孔であり、前部円環壁81Bの周方向に沿って略等間隔に設けられている。開口部83の個数及び配設間隔は、開口部83のそれぞれから吹き出る原料ガスにより得られることになる複数の基板Sの成膜のための供給原料ガスが、いずれの基板Sに対しても本体81の周方向の単位長さあたりに均一な量となるよう定められている。なお、複数の基板Sは本体81の開口部83に沿うように配置されており、これにより導入部材8の本体81から吹き出される原料ガス流に浸ることができるようになっている。
【0052】
半導体製造装置1’は以上のように構成されているので、原料ガス供給装置3からの原料ガスは、導入部材8によって複数の基板Sの表面に単位長さあたり均一な量を供給でき、したがって、導入部材8の開口部83に沿うように配置されている基板Sはこの均一な量の原料ガス流に浸ることとなり、基板Sの表面において均一性の高い結晶成長が可能となる。そして、導入部材8もまた、導入部材4の場合と同様の冷却構成により冷却液を用いての冷却を行い、原料ガスが導入口71Cから開口部83までの移動中に前分解することがないような温度に冷却制御することも可能である。このように構成すれば、原料ガスを従来に比べてより新鮮な状態で基板S上の結晶成長部位へ導入することができるので、基板S上に形成される結晶純度を著しく改善できる上に、原料効率も著しく向上させることができる。
【0053】
熱分解された使用済みの原料ガスは、本体71の排出口71Dから排出ライン6を通って排気ガス処理装置5に送られる。
【0054】
【実施例】
次に、本発明による構成の半導体製造装置を用いてサファイア基板上にエピタキシャル結晶薄膜層を形成した場合の実施例、及びGaAs基板上にエピタキシャル結晶薄膜層を形成した場合の実施例について説明する。
【0055】
(実施例1)
図5に示す構成の半導体装置1’の反応装置7内に複数枚の直径50mmのサファイア基板を設置し、所要の原料ガスを導入部材8の開口部83からサファイア基板上へ供給した。成長温度は550℃で、キャリアガスとして水素を用いて窒化ガリウム(GaN)のバッファ層をトリメチルガリウム(TMG)とアンモニアを用いて50nm成膜した。
【0056】
次にTMGの供給を止め、温度を1060℃まで昇温し、再びTMGの供給を行い、GaNを成長した。成長終了後直ちにTMGの供給を止め、冷却を行った。なお、成長中は基板の自公転運動を行った。さらに600℃になった時点でアンモニアの供給も止めた。十分冷却された後、反応炉を窒素で置換し、基板を取り出した。いずれの基板も表面は鏡面であった。これらの基板について成長膜厚を測定し、均一性を評価した。その結果を図7に示す。
【0057】
図7では、横軸をサファイア基板のセンターからエッジに向けての距離をとり、サファイア基板上に形成されたエピタキシャル結晶成長層の厚みがセンターからエッジに向けてどのように変化しているかの膜厚分布を規格化して示すものである。
【0058】
(参考例1)
次に、図1に示す構成の半導体製造装置1の反応装置2内に、予めGaNを成長させてあるサファイア基板をセットし、このGaN層上に、さらに、GaN層を再成長させた。ここでは、キャリアガスとして水素を用い、TMGとアンモニアとを用いてGaN層の再成長を行った。使用した装置においては、基板を1枚だけ処理できる構成のものとした。そして、再成長中はサファイア基板を自転させた。再成長終了後、再成長させた部分の膜厚における均一性を評価した。その結果を図7に示す。
【0059】
(比較例)
以上の実施例1及び参考例1の結果を従来の装置による場合と比較するため、従来の装置を用いてサファイア基板上にGaN層を成長させた。ここでは、参考例1で用いた装置において、導入部材4を取り除き、代わりに、原料ガスをサファイア基板の上方からサファイア基板に直接吹き付ける構成とした。また、サファイア基板はサセプタ上に水平にセットした。その他の構成、成長条件等は実施例1の場合と同一である。このようにして得られたGaN層の膜厚における均一性を評価した。その結果を図7に示す。
【0060】
図7に示す実験結果から、本発明により構成された半導体製造装置を用いた場合のエピタキシャル薄膜成長層の膜厚の均一性は、従来の場合(比較例)に比べて格段に改善されていることが判る。
【0061】
(実施例2)
また、図5に示した半導体装置1’を用いて、直径150mmのGaAs基板上にエピタキシャル薄膜層を成長させた。GaAs基板は複数枚セットした。ここでは、水素をキャリアガスとし、原料としてTMG、TMAとAsH3 を用いて670℃でAl組成0.5のAlGaAs層をGaAs基板上に50nm成膜し、その後TMGとアルシンを供給し、GaAs層を成膜した。十分冷却した後反応装置7を窒素置換し、GaAs基板を取り出した。これらのGaAs基板についてフォトレジストで部分的に保護膜を形成し、クエン酸溶液を用いてGaAs層のみをエッチングした。その後フォトレジストをアセトンで除去し、触針式段差計を用いてGaAs層に相当する部分の段差測定を行った。その結果を図8に示す。図8では横軸は基板のエッジからセンターへ向けての距離となっている。図8から、面内均一性が良好に得られていることが判る。
【0062】
(実施例3)
使用した半導体製造装置は実施例2の場合と同一で、直径150mmのGaAs基板上に合計1050nmのGaAsおよびAlGaAsの積層構造を成長した後、13nmのIn組成0.15のInGaAs単一量子井戸層、合計152nmのGaAsおよびAlGaAs層の積層構造を成長した。冷却後、反応装置7を窒素置換し、GaAs基板を取り出した。作製した試料についてフォトルミネッセンススペクトルを測定した。その結果InGaAs量子井戸からの発光の中心波長は984nmであり、ピーク波長の面内標準偏差は0.75nmであった。
【0063】
(実施例4)
使用した半導体製造装置は実施例2の場合と同一で、直径150mmのGaAs基板上に650℃で原料としてTMG、TMIとホスフィンを用い、250nmのInGaP層を成膜した。その後TMGとアルシンを用いて24nmのGaAs層を成膜した。冷却した後反応装置7を窒素置換し、GaAs基板を取り出し、X線回折による格子定数測定を実施し、InGaP層のIn組成面内分布を評価した。その結果を図9に示す。図9から、In組成の面内均一性が良好に得られていることが判る。
【0064】
(実施例5)
実施例1に用いた装置により、2インチサファイア上のn型GaN上に、3nmのInGaNと15nmのGaNを5回繰り返した多重量子井戸、AlGaN層、p型GaN層を順次作製した。得られたエピタキシャル基板から発光ダイオードを作製し、基板の直径方向に20mA駆動時の光出力を測定した。その結果を図10に示す。図10から周辺部まで高い均一性の発光出力分布を有することが判る。
【0065】
【発明の効果】
本発明によれば、以上のように、導入部材を用いることにより、棒状又は円環状の如き適宜の中空部材に設けた吹出口より原料ガスを半導体基板に単位長さあたり均一な量で供給することができ、これらの吹出口から供給されるガス流に浸るように半導体基板を載置させて結晶成長させることで均一性の高い結晶成長が可能となる。導入部材は容易に冷却することが可能であり、従来の装置では不可能であった結晶成長部位付近まで、原料ガス供給口を近づけることができることとなるため、原料ガスを従来より新鮮な状態で結晶成長部位へ到達させることができ、結晶純度の向上及び原料効率の向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による半導体製造装置の実施の形態の一例を示す概略構成図。
【図2】 図1に示した導入部材の拡大斜視図。
【図3】 図2のA−A線断面図。
【図4】 図1に示した導入部材の変形例を示す斜視図。
【図5】 本発明による半導体製造装置の他の実施の形態を示す概略構成図。
【図6】 図5に示した導入部材の拡大斜視図。
【図7】 本発明の実施例によるウェーハの膜厚分布を参考例1及び比較例と共に示すグラフ。
【図8】 本発明の他の実施例によるウェーハの膜厚分布を示すグラフ。
【図9】 本発明の別の実施例によるウェーハの膜厚分布を示すグラフ。
【図10】 本発明のさらに別の実施例による発光ダイオードの発光出力分布を示すグラフ。
Claims (4)
- 原料ガス供給装置と、該原料ガス供給装置からの原料ガスを受け取り有機金属熱分解法により複数の半導体基板に薄膜結晶層を形成するための反応装置とを備えて成る半導体製造装置において、
前記複数の半導体基板は前記反応装置内に設けられたサセプタに略縦に取り付けられ、
前記原料ガス供給装置から受け取った原料ガスを前記複数の半導体基板の表面に供給するため前記反応装置内には中空円環状部材を有する導入部材が設けられており、
前記中該中空円環状部材には、前記原料ガス供給装置からの原料ガスを前記中空円環状部材の周方向に案内するための中空案内路と、該周方向と略直角な方向であって前記複数の半導体基板の各表面に沿う方向に前記原料ガスを該中空案内路から吹き出させるため該周方向に沿って間隔をあけて配設された複数の開口部とが設けられており、
前記複数の開口部からの前記原料ガスが前記複数の前記基板の各表面に沿って流れ、かつ前記複数の半導体基板が前記複数の開口部からの原料ガス流によって浸されるようになっていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記開口部が貫通孔の形態で設けられている請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記複数の開口部のそれぞれから吹き出した原料ガスにより形成されるガス流が前記半導体基板上で均一化されるような間隔で前記複数の開口部が設けられている請求項1記載の半導体製造装置。
- 請求項1乃至3記載の半導体製造装置のうちのいずれか1つの半導体製造装置により化合物半導体を製造することを特徴とする化合物半導体の製造方法。
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