JP4605735B2 - シーズ形グロープラグ - Google Patents
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Description
本発明は、制御機器とグロープラグとからなる自己着火式内燃機関のためのグローシステムにおいて用いられている、シーズ形グロープラグに関している。グロープラグは、例えばドイツ連邦共和国特許出願 DE-OS 28 02 625 明細書から公知である。そのようなシーズ形グロープラグは、管状の金属性ケーシングからなっており、そのケーシング外周にはねじが切られており、そのねじを用いて当該シーズ形グロープラグがシリンダにねじ込まれる。このシーズ形グロープラグのケーシングの燃焼室側端部では、ケーシングから突出するグローパイプが取り囲まれており、そのためこのグローパイプがエンジンに組込まれたシーズ形グロープラグのもとで燃焼室内に突出する。グローパイプ内には、加熱装置が設けられており、この加熱装置の燃焼室側は、アース接続のためにグローパイプの遮蔽された底部と接触し、燃焼室から離れた側は、コンタクトピンを介して供給電圧源と接触している。さらにセラミック製のグロープラグも公知であり、この場合は、燃焼室内に突出している部分がセラミックからなっている。公知のグローシステムでは、加熱装置に通電される電流が余熱時間制御機器によって制御機器内のスイッチ(リレー、パワートランジスタ)を介してオン・オフされている。
【0002】
発明の利点
請求項1の特徴部分に記載のシーズ形グロープラグは、公知の装置に対して次のような利点を有している。すなわちグロー電流のオン・オフのためのスイッチがシーズ形グロープラグのケーシング内に集積化されていることである。このスイッチは個々のプラグの電流のみを切換えるだけなので、比較的小型に構成できる。プラグのねじ山近傍への配置とそれに伴うシリンダヘッドとの良好な結合とによって始動前の冷えたエンジンのもとでのプラグの作動も、あるいは暖機フェーズにおける良好な冷却も保証される。比較的長いエンジンブレーキ動作中の中間余熱のもとでもプラグねじ山における温度はエンジンの冷却水を介して確実に制限される。
【0003】
従属請求項に記載されている手段によれば、本発明によるシーズ形グロープラグの別の有利な実施例および改善例が可能となる。シーズ形グロープラグに対する分厚い断面のハーネスに関するコストは大幅に削減される。パワースイッチングデバイスを用いるならば、集積回路製品(例えばスマート・パワー・チップ)が組み込め、このことも総体的に必要となる電気的な線路の数の低減につながる。別個の余熱時間制御機器は、場合によっては完全に省くこともあるいはコンパクトな構造形態にまとめることも可能である。シーズ形グロープラグのケーシング内へ起動制御部を集積化すれば、さらに余熱温度を直接現場から検出して評価することも可能となる。それにより、非常に迅速にかつ可及的に良好に作動条件の変化に反応することができる。結局余熱時間制御機器が余熱温度の制御を保証するならば、シーズ形グロープラグの中で制御巻線(これはその正の抵抗係数に基づいて余熱温度が許容不能な値にまで達することを防いでいる)を省略することが可能となる。さらなる利点は、スイッチング手段として半導体チップを用いることによって得られる。シーズ形グロープラグのケーシング内に組込むことによってこのチップは、外部の影響から十分に保護することができる。そのためシーズ形グロープラグ内への半導体スイッチの組込みの際には、トランジスタケースを省くことができ、これもコストの低減につながる。
【0004】
図面
本発明の実施例は図面に示されており、以下の明細書で詳細に説明される。これらの図面中、
図1は、本発明によるシーズ形グロープラグの第1の実施例を示したものであり、
図2は、第2の実施例を示したものであり、
図3は、第3の実施例を示したものであり、
図4は、第4の実施例を示したものであり、
図5は、第5の実施レオを示したものであり、
図6と図8は、本発明によるシーズ形グロープラグを備えたグローシステム全体の本発明による装置構成をブロック回路図で示したものであり、
図7と図9は、本発明によるシーズ形グロープラグのための電気的な等価回路図であり、
図10は、本発明によるシーズ形グロープラグの第6の実施例を示したものである。
【0005】
実施例の説明
図1から図5には、それぞれ断面図で自己着火式内燃機関のためのシーズ形グロープラグが示されている。この場合基本構造は、図1から図5の全ての実施例において同じである。そのため基本的な構造に関しては一度だけ説明する。本発明による集積化されたスイッチングユニットの図1から図5において異なっている構成は、それぞれの図面に基づいて直接説明する。
【0006】
図1から図5によるシーズ形グロープラグの基本構造は、管状の金属性ケーシング10からなっている。この金属ケーシングの長手孔部内にグローパイプ11がその長手方向で密閉された部材と共に設けられている。このグローパイプ11は、燃焼室側端部で密閉されたグローチューブ12からなっており、その中では軸方向に加熱装置が延在している。この加熱装置は、燃焼室側に配置されているヒータコイル14と、燃焼室から離れている側に配置されている制御コイル15からなっている。公知の加熱コイルはここでは簡素化の理由から抵抗として示されている。この加熱装置は、絶縁材料16の中に埋込まれており、それによってグローチューブ12の壁面から絶縁されている。このようなシーズ形グロープラグの構造と作用形式は既に十分に、冒頭に述べたような従来技術から公知であるのでここでの詳細な説明は省く。機能的にはこのグローチューブ12は、ヒータコイル14と共に燃焼室内に突出している加熱素子を表わしている。ケーシング10は、絶縁材料16および制御コイル15と共に電気的なエネルギの燃焼室内への導入のための電気的導入部を表わしている。図1から図5においてはシーズ形グロープラグの同じ基本構造から出発しているので、同じ構成要素には同じ参照番号が付されている。
【0007】
図1による本発明によるシーズ形グロープラグの場合では、ケーシング10内に燃焼室とは離れている側にケーシングに入ったスイッチングユニット300が配設されている。このスイッチングユニット300内には、スイッチが設けられており、このスイッチによって加熱装置13を流れる電流通流のオン・オフが行われる。このスイッチングユニット300は、プラグコンタクト301を介してリード導体19に接続されている。それらを介して供給電圧とここには図示していない制御機器からの信号が供給される。この場合重要なのは、ケーシング10の内部では半導体回路の使用に適した温度に保たれることである。このことは、このケーシングが内燃機関のシリンダ壁部を通る循環系にさらされ、この種のシリンダが通常は冷却水によって冷却されていることによって得られる。つまりこのケーシングはこのようなシリンダの壁部に直接接触しているので、このケーシング自体もその内部と共に冷却されるからである。それにより、本発明によるスイッチのための半導体回路がこのケーシング領域ないしその内部空間に適用可能となる。
【0008】
制御コイル15のコンタクトは、燃焼室から離れた側で金属性の接続エレメント120によって行われる。図1では、この種の金属性接続要素120が、当該プラムの燃焼室とは離れている側で接続用リード導体19の方向に向けて平坦な領域を有している様子が示されている。この平坦領域の上に当該スイッチングユニット300が配置されている。このスイッチングユニットは、金属性の伝導層、例えばはんだや伝導性接着剤などを用いて接続エレメント120の平坦面に接続される。図1による例では、スイッチングユニット300が簡素にトランジスタからなっており、これはその下方側に金属性のドレイン端子と2つの接続コンタクト301を有し、この2つのコンタクトがトランジスタのソースとゲートに接続される。純粋なトランジスタの側からみれば、もちろん半導体スイッチ(トランジスタ)と"集積"回路とのあらゆる組合せも適用可能である。パックされている構成素子の利点は、この構成素子がグロープラグの製造の際に特に簡単に処置できることにある。
【0009】
図2には、第2の実施例が示されており、この第2の実施例では、前記スイッチングユニットが。カプセル化されていないシリコンチップ302で構成されている。このシリコンチップ302は、絶縁層304の上に設けられており、そのためこのシリコンチップの下方側が接続エレメント120の平坦領域に対して電気的に絶縁された状態になっている。リード導体19への接続は、ボンディングワイヤ303によって形成されている。このボンディングワイヤ303によってシリコンチップ302の表面と接続エレメント120との電気的な接続が同じように形成されている。ここで有利なのは、非カプセル形のシリコン素子が通常はパック形の構成素子に比べて安価で所要スペースも僅かしか必要とせず、さらにグロープラグのケーシング自体もシリコンチップ302のためのパッキングに十分なことである。
【0010】
図3には本発明によるグロープラグのさらに別の実施例が示されている。ここでの接続エレメント120は、既に図1のところで説明したように、制御コイル15とのコンタクトのための丸い部分と、後方に向けて平坦になっている部分とを有するように構成されており、この平坦な部分に図3に示されているようにケーシングなしの半導体チップ302が被着されている。リード導体19とのコンタクトは、ここでもボンディングワイヤ303によって行われており、これらは一方で半導体チップ302の表面に固定されており、それによってリード導体19との接続を形成できるようにしている。金属性の接続エレメント120との電気的なコンタクトは、次のようにして簡単に行われている。すなわち半導体チップ302の裏側を当該金属性接続エレメント120の後方に向けて平坦になっている領域上に直接被着させることによって行われている。この半導体チップ302は、パワートランジスタを含んでおり、このドレイン端子が半導体チップ302の裏側を形成している。
【0011】
図4の実施例と図3の実施例との違いは、リード導体19の終端部分が半導体チップ302の表面に直接固定できるように構成されている点である。このことは例えば次のようにして行われてもよい。すなわちリード導体19の終端部分を薄い薄板として構成し、それを相応の球状のはんだ305によって半導体チップ302の表面に直接はんだ付けできるようにしてもよい。
【0012】
図5では、完全に回転対称でかつ燃焼室から離れた側に全く平坦な側方を有している接続エレメント120が用いられている。この平坦な側方には、半導体チップ302が被着されており、それによってここでも半導体チップ302の下方側と接続エレメント120との間の電気的なコンタクトが形成されている。この半導体チップ302の表側も、球状のはんだ305がリード導体19とのコンタクトのために用いられている。
【0013】
図6には、制御機器60とグロープラグ61からなるグロシステムの全体がブロック回路図で示されている。この制御機器60はここではシーズ形グロープラグ61と、共通の線路19を用いて接続されている。さらにこれらのグロープラグは、さらなる線路19を介して給電端子200とも接続されてる。
【0014】
図7は、図6によるシーズ形グロープラグの等価回路図である。スイッチ70の一方の端子は給電端子200に接続されており、他方の側は、制御コイル15およびヒータコイル14と直列にアース端子201に接続されている。このスイッチ70は、相応の線路を介して起動制御回路73によって開閉されている。この場合起動制御回路73は、線路19を介して制御機器60から相応の信号を受取る。さらにこの起動制御回路73は、給電端子200からバッテリ電流を受取る。
【0015】
図6からもわかるように、全てのプラグは、線路19を介して制御機器60に接続されている。相応に形成されたビット列や周波数信号などを介して制御機器60からは、たとえこれらのプラグが共通のハーネスで接続されていてもこれらのグロープラグを個別の作動状態においてもしくは診断が望まれる時にはいつでも個別に起動制御できる。但しノーマルモードではグロープラグは通常は全て共通に起動制御される。
【0016】
図1から図7において説明したシーズ形グロープラグは、3つの電気的な端子を有しており、この場合アース端子201が通常はケーシング10によって実現されている。給電端子200は、電流の供給に使用され、この電流はスイッチ70を介して加熱のための電気的なエネルギを供給する。スイッチ70の切替状態は、結局第3の電気的な端子を介して決定される。通常は、市販のpチャネルまたはnチャネルパワーMOSFETがスイッチ70に対して使用可能である。起動制御回路73とスイッチ70は、半導体チップ上に集積化される。
【0017】
制御機器60とシーズ形グロープラグ61の間の接続線路19は、グロープラグ61から制御機器60への情報のフィードバックに対しても用いられる。制御回路73は、相応に多くの知識情報との交換が可能である。すなわち、起動制御回路73は、個々のシーズ形グロープラグからの所定の情報が制御機器60に戻されるように伝送される状態でなければならない。この機能は、例えば診断目的のためだけでも活動化可能でなければならない。すなわち特別な作動状態において、制御機器によって捉えられる機能に関する個々のシーズ形グロープラグ61の個々の問合せが行われる。
【0018】
図8には制御機器60とシーズ形グロープラグ61とのさらなる接続回路例が示されている。このケースでは、シーズ形グロープラグ61は、唯1つの端子だけを有しており、その端子を用いてそれらが線路19を介して制御機器60に接続されている。制御機器60は、線路19を介してグロープラグ61の作動に必要な作動エネルギを提供する。切替のための制御信号は、付加的に線路19上で変調される。この場合スイッチ70も評価回路73も接続線路に接続される。それにより線路19には常にシーズ形グロープラグの作動に十分な電圧レベルが印加される。この場合付加的な電圧パルスによって起動制御回路73は、ここにおいてスイッチ70が操作されるべきことを識別する。このことは例えばビット列または周波数信号によって評価回路73から識別されるように行われてもよい。簡単な例によれば、通常の電圧レベルに比較的高い周波数の信号が重畳される。これが起動制御回路73によって識別され、スイッチ70の閉成が促される。
【0019】
図9には、さらに別の有利な実施例が示されており、この実施例では線路19を介して端子200からは作動電圧がそして制御機器60からは制御信号が供給されている。回路ユニット73は、ここでは制御機器から60制御信号を受取り、給電電圧を端子200から受取る。スイッチ70は、ここでは給電電圧端子200と、ヒータコイル14と、アース端子201に直列に配置されている。これまでの実施例との相違は、制御コイルの使用が省かれていることでありここではヒータコイル14のみが設けられている。制御コイルの機能は、所定の加熱周期に従ってヒータコイル14を流れる電流通流の制限にある。このことは制御コイルに対して、その抵抗値が温度の上昇と共に高まる材料を選定することによって行われる。インテリジェンス起動制御回路73の本来の加熱素子近傍への直接の配置によっては、制御コイルの機能がこの起動制御回路73によって受け継がれる。その際半導体チップ上には、シーズ形グロープラグの温度を測定する温度測定素子が配設可能である。半導体チップの箇所におけるシーズ形グロープラグの温度は、グロープラグ先端の温度に依存する。そのため半導体チップにおいて測定された温度によってグロープラグ先端の温度が推論可能である。シーズ形グロープラグの温度のさらなる検出の可能性は、加熱パイプの温度の測定にある。加熱パイプの温度は、加熱抵抗が温度依存性の抵抗を有している場合に測定可能である。それにより加熱素子の抵抗の測定によってグロープラグの温度が検出できる。さらに加熱素子の領域に配設可能なその他の温度感応形の測定素子が設けられてもよい。その際に起動制御回路は、測定された温度に依存してヒータコイル14を流れる電流通流を制限できるように構成される。このことは、例えばパルス変調によって行われてもよい。すなわち起動制御回路73が温度経過に依存してスイッチ70を開閉し、所望の温度にヒータコイル14を設定調整する。この手段によれば、グロープラグの構造が決定的に簡素化できる。温度測定の代わりに、加熱コイルを流れる通流電流、加熱コイルを流れる通流電流と時間との積分、加熱コイルの抵抗またはその他の間接的な手法によってグロープラグの温度を推論してもよい。これらの手法は技術的には同等である。
【0020】
図10には、本発明によるシーズ形グロープラグのさらなる構成例が示されており、この場合この図10ではいわゆるセラミック製のシーズ形グロープラグが示されている。この種のセラミック製シーズ形グロープラグでは、グローパイプ11が第1と第2の伝導性セラミック層501,502からなっている。これらの層の間には絶縁性のセラミック層503が配設されている。グローパイプ11の先端では、これらの第1及び第2の伝導性セラミック層501,502が先細の先端領域504と相互に接続されている。それによりセラミック伝導層501から先細の先端領域504を介して第2のセラミック伝導層502への通電が可能となる。このグローパイプ11も燃焼室から離れた側でケーシング10によって支持されている。図10において識別されるように、第1のセラミック伝導層501はケーシング10内をさらに右方向に延在し、その右側領域においてチップ302が被着されている。このチップはボンディングワイヤ303によってリード導体19と接続されている。このチップ302にも縦形トランジスタが配設されており、これがチップ302の上側からチップ302の下側への通電を可能にしている。それによりこのチップ302を介して電流が第1の伝導層501に給電可能となる。ここではセラミック層全体の表面が、薄いガラス層で覆われており、シリコンチップ302の下方領域とコンタクト領域505(これは第2のセラミック伝導層502とケーシング10の間の電気的なコンタクトを形成している)だけが除外されている。セラミック製シーズ形グロープラグの製造に利用される技術に基づいてこのプラグは、特にシリコンチップの収容に適している。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明によるシーズ形グロープラグの第1の実施例を示した図である。
【図2】 本発明の第2実施例を示した図である。
【図3】 本発明の第3実施例を示した図である。
【図4】 本発明の第4実施例を示した図である。
【図5】 本発明の第5実施例を示した図である。
【図6】 本発明によるシーズ形グロープラグを備えたグローシステム全体の本発明による装置構成をブロック回路図で示したものである。
【図7】 本発明によるシーズ形グロープラグのための電気的な等価回路図である。
【図8】 本発明によるシーズ形グロープラグを備えたグローシステム全体の本発明による装置構成をブロック回路図で示したものである。
【図9】 本発明によるシーズ形グロープラグのための電気的な等価回路図である。
【図10】 本発明によるシーズ形グロープラグの第6の実施例を示したものである。
Claims (9)
- 自己着火式内燃機関のためのシーズ形グロープラグであって、
内燃機関の燃焼室内へ突出している電気的な加熱装置と、
ケーシング(10)とを有し、
前記加熱装置は、燃焼室側に配置されているヒータコイル(14)と燃焼室から離れている側に配置されている制御コイル(15)からなっており、
前記ケーシング(10)によって前記加熱装置のための加熱電流が開口部を通って燃焼室内に導入され、さらに、
ケーシング(10)の領域に、スイッチ(70)を備えたスイッチングユニット(300)が設けられており、前記スイッチの開閉によって加熱電流が制御可能である、シーズ形グロープラグにおいて、
前記制御コイル(15)のコンタクト接続が、燃焼室から離れている側において金属性接続要素(120)によって行われており、該金属性接続要素(120)は燃焼室から離れている側において平坦な領域を有しており、該平坦な領域に前記スイッチングユニット(300)が配設されていることを特徴とする、シーズ形グロープラグ。 - 前記ケーシング(10)の領域において、前記スイッチングユニット(300)のための起動制御回路(73)が設けられており、該起動制御回路(73)によって前記スイッチ(70)の開閉のための信号が形成される、請求項1記載のシーズ形グロープラグ。
- 2つのリード導体(19)が設けられており、第1のリード導体(19)は、加熱電流のための供給電圧源に対する端子に接続可能であり、第2のリード導体(19)は、前記起動制御回路(73)に接続されており、さらに該第2のリード導体(19)を介して前記起動制御回路(73)のための制御信号が印加可能である、請求項2記載のシーズ形グロープラグ。
- 前記一方のリード導体(19)に対して入力側が設けられており、該入力側はスイッチ(70)と起動制御回路(73)に接続されており、該入力側を介して作動電圧と同時に起動制御回路(73)のための制御信号も印加可能である、請求項2記載のシーズ形グロープラグ。
- 前記起動制御回路(73)は、加熱素子の温度を検出するための手段を含んでおり、該手段の信号に依存して加熱電流が制御される、請求項2から4いずれか1項記載のシーズ形グロープラグ。
- 前記加熱装置は、金属性もしくはセラミック製のグローパイプ(11)として構成されている、請求項1から5いずれか1項記載のシーズ形グロープラグ。
- 前記グローパイプ(11)は、ケーシング(10)を用いて燃焼室の開口部に固定可能である、請求項6記載のシーズ形グロープラグ。
- 前記スイッチ(70)と起動制御回路(73)は、1つのチップに集積化されている、請求項7記載のシーズ形グロープラグ。
- 前記チップは、包装なしでケーシング(10)内に設けられている、請求項8記載のシーズ形グロープラグ。
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