JP4594839B2 - 磁気ランダムアクセスメモリ、磁気ランダムアクセスメモリの製造方法、及び、磁気ランダムアクセスメモリのデータ書き込み方法 - Google Patents
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Description
本発明の例に係わる磁気ランダムアクセスメモリは、互いに交差する複数の第1及び第2書き込み線と、前記複数の第1及び第2書き込み線の複数の交差部に配置される記憶素子としての複数の磁気抵抗効果素子とを備え、前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、第1及び第2強磁性層とこれらの間に配置される非磁性層とを備えた積層構造を有し、前記第1及び第2強磁性層の磁化の相対的角度によりトンネルコンダクタンスが変化し、前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、磁化容易軸方向に延在する延在部と、前記延在部の側面から前記磁化容易軸方向に対して垂直な磁化困難軸方向に突出する突出部とを有し、前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、2回回転対称性を有し、かつ、前記磁化容易軸方向に延びる中心線及び前記磁化困難軸方向に延びる中心線に対して非対称な平面形状を有し、前記第1及び第2強磁性層の異方性磁界の値は異なり、前記磁化困難軸方向の磁場のみが印加されるときの前記第1及び第2強磁性層の磁化の向きは反平行状態でなく、前記第1及び第2強磁性層の内、異方性磁界の大きな方の強磁性層の異方性磁界Hkと磁化Msと膜厚tと第1及び第2強磁性層のカップリングエネルギーJとによりhj=J/(Hk・Ms・t)で表されるパラメータhjと、前記第1及び第2強磁性層の内、異方性磁界の大きな方の強磁性層の膜厚tに対する異方性磁界の小さな方の強磁性層の膜厚t’の比p=t’/t とを用いたときに、hjとpとの関係は、12p 4 ≦hj≦40p 4 であり、前記非磁性層の厚さは、1nm以上、5nm以下であり、前記第1又は第2強磁性層の磁化方向を反転させるときに実際に使用する磁場強度の範囲内において、前記第1及び第2強磁性層の交換結合の強度は、前記磁化困難軸方向のアストロイド曲線が開く形となるように設定される。
本発明の例は、SAF(synthetic antiferromagnetic free layer)構造の記憶層を有する磁気抵抗効果素子に関し、SAF構造を構成する2つの強磁性層の交換結合の強度を調整することにより、書き込みマージンが大きく、誤書き込みが発生し難いアストロイド特性を実現するものである。
hj=2.1のSAF構造は、MTJのピンド層(pinned layer)に用いられるSAF構造に比べると非常に交換結合が弱い。トグル書込みのフリー層に用いられるSAF構造に比べても少し弱い。
hj≧12p4 式(1)
かつ hj≦580p4 式(2)
磁化容易軸方向の磁場と磁化困難軸方向の磁場を印加するときは、“0”−書き込み及び“1”−書き込み共に、小さな磁場でスイッチング磁場(switching field)を超えるため、容易にデータ書き込み、即ち、磁化反転を行うことができる。
hj≦40p4 式(3)
このように、本発明の例によれば、半選択セルのエネルギーバリアを高くできるため、熱安定性に優れた磁気抵抗効果素子を提供できる。
フリー層材料特性の安定性や再現性を考えると、pに適当な範囲がある。pが小さい場合は、薄い方の強磁性層が薄くなりすぎて連続膜になり難くなる問題や、上下の層との拡散で特性が不安定になる問題がある。
本発明の例による効果を最大限に発揮するには、記憶層の平面形状が、磁化容易軸方向に延びる中心線に対して非対称な形状であるとよい。
従来形としては、ここでは、十字形(従来形1)及び楕円形(従来形2)の2つを掲げている。
次に、最良と思われる実施の形態について説明する。
図18は、磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルアレイを示している。
メモリセルは、磁気抵抗効果素子MTJから構成される。磁気抵抗効果素子MTJは、アレイ状に配置される。磁気抵抗効果素子MTJの形状は、例えば、磁化容易軸方向に延びる中心線に対して非対称であり、磁化困難軸方向に延びる中心線に対して対称であるC形である。
次に、磁気抵抗効果素子の構造例について説明する。
構造例1は、平面形状がC形である磁気抵抗効果素子に関し、図14の平面形状に相当する。C形の角部は全て丸くなっている。
構造例2は、平面形状がS十字形である磁気抵抗効果素子に関し、図15又は図16の平面形状に相当する。
構造例3は、磁気抵抗効果素子の層構造に関する。
磁気抵抗効果素子MTJは、ワードラインWLiとビットラインBLjの交差部に配置される。磁気抵抗効果素子MTJは、例えば、反強磁性層/強磁性層(ピンド層)/絶縁層(トンネルバリア層)/強磁性層(フリー層)の積層構造から構成され、かつ、上部電極と下部電極によって挟み込まれている。
SAF構造フリー層の2つの強磁性層を構成する材料としては、本例では、NiFe が好ましいが、これに限られることはなく、例えば、Co9 Fe10, Fe, Co, Ni などの金属、これら金属を積層したもの、又は、これら金属の少なくとも1つを含む合金 (CoFeB, CoFeNi, NiFeZrなど)を使用することができる。
図24及び図25は、アストロイド特性の実験結果を示している。
この実験では、C形を有する3種類のサンプルを用意し、交換結合の強度によりアストロイド曲線がどのように変化するかを検証する。
ここで、図24及び図25の横軸Hxは、磁化容易軸方向の磁場強度を表し、縦軸Hyは、磁化困難軸方向の磁場強度を表している。
図26は、アストロイド特性のシミュレーション結果を示している。
磁気抵抗効果素子の形状(MTJ形状)は、同図(a)に示すように、サイズ0.5μm×0.29μmのC形とする。SAF:交換結合 弱は、サンプル1の条件に対応し、SAF:交換結合 強は、サンプル2の条件に対応し、単層は、サンプル3の条件に対応する。
ここで、図26の横軸Hxは、磁化容易軸方向の磁場強度を表し、縦軸Hyは、磁化困難軸方向の磁場強度を表している。
ドライバ/シンカーの回路例について説明する。
ワードラインドライバ/シンカー1,2は、例えば、図18におけるワードラインドライバ/シンカー1,2に対応する。
ビットラインドライバ/シンカー3,4は、例えば、図18におけるビットラインドライバ/シンカー3,4に対応する。
次に、本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子の製造方法について説明する。
第1例は、図14のC形を作る場合の例である。
第2例も、図14のC形を作る場合の例である。
第3例は、図15のS十字形を作る場合の例である。
第4例も、図15のS十字形を作る場合の例である。
延在部と突出部の両方の形状を精密に制御して作り込むプロセスである。
図38は、本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子に適用される情報書き込み方法のいくつかの例を示している。
メモリセルアレイ構造(図18)に関し、磁気抵抗効果素子MTJは、全て同じ方向を向いていることを前提とする。
本発明の例によれば、以下の効果を得ることができる。
Claims (8)
- 互いに交差する複数の第1及び第2書き込み線と、前記複数の第1及び第2書き込み線の複数の交差部に配置される記憶素子としての複数の磁気抵抗効果素子とを具備し、
前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、第1及び第2強磁性層とこれらの間に配置される非磁性層とを備えた積層構造を有し、前記第1及び第2強磁性層の磁化の相対的角度によりトンネルコンダクタンスが変化し、
前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、磁化困難軸方向の一端の中央部が窪み、かつ、磁化容易軸方向に延びる中心線に対して非対称な平面形状を有し、
前記第1及び第2強磁性層の異方性磁界の値は異なり、前記磁化困難軸方向の磁場のみが印加されるときの前記第1及び第2強磁性層の磁化の向きは反平行状態でなく、
前記第1及び第2強磁性層の内、異方性磁界の大きな方の強磁性層の異方性磁界Hkと磁化Msと膜厚tと第1及び第2強磁性層のカップリングエネルギーJとによりhj=J/(Hk・Ms・t)で表されるパラメータhjと、前記第1及び第2強磁性層の内、異方性磁界の大きな方の強磁性層の膜厚tに対する異方性磁界の小さな方の強磁性層の膜厚t’の比p=t’/t とを用いたときに、hjとpとの関係は、12p 4 ≦hj≦40p 4 であり、
前記非磁性層の厚さは、1nm以上、5nm以下であり、
前記第1又は第2強磁性層の磁化方向を反転させるときに実際に使用する磁場強度の範囲内において、前記第1及び第2強磁性層の交換結合の強度は、前記磁化困難軸方向のアストロイド曲線が開く形となるように設定される
ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。 - 互いに交差する複数の第1及び第2書き込み線と、前記複数の第1及び第2書き込み線の複数の交差部に配置される記憶素子としての複数の磁気抵抗効果素子とを具備し、
前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、第1及び第2強磁性層とこれらの間に配置される非磁性層とを備えた積層構造を有し、前記第1及び第2強磁性層の磁化の相対的角度によりトンネルコンダクタンスが変化し、
前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、磁化容易軸方向に延在する延在部と、前記延在部の側面から前記磁化容易軸方向に対して垂直な磁化困難軸方向に突出する突出部とを有し、
前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、2回回転対称性を有し、かつ、前記磁化容易軸方向に延びる中心線及び前記磁化困難軸方向に延びる中心線に対して非対称な平面形状を有し、
前記第1及び第2強磁性層の異方性磁界の値は異なり、前記磁化困難軸方向の磁場のみが印加されるときの前記第1及び第2強磁性層の磁化の向きは反平行状態でなく、
前記第1及び第2強磁性層の内、異方性磁界の大きな方の強磁性層の異方性磁界Hkと磁化Msと膜厚tと第1及び第2強磁性層のカップリングエネルギーJとによりhj=J/(Hk・Ms・t)で表されるパラメータhjと、前記第1及び第2強磁性層の内、異方性磁界の大きな方の強磁性層の膜厚tに対する異方性磁界の小さな方の強磁性層の膜厚t’の比p=t’/t とを用いたときに、hjとpとの関係は、12p 4 ≦hj≦40p 4 であり、
前記非磁性層の厚さは、1nm以上、5nm以下であり、
前記第1又は第2強磁性層の磁化方向を反転させるときに実際に使用する磁場強度の範囲内において、前記第1及び第2強磁性層の交換結合の強度は、前記磁化困難軸方向のアストロイド曲線が開く形となるように設定される
ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記複数の磁気抵抗効果素子の角部は全て丸くなっていることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1及び第2強磁性層は、それぞれ、Fe, Co, Niからなる群の金属のうちの1つ、これら金属を積層したもの、又は、これら金属の少なくとも1つを含む合金から構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記非磁性層は、Ru, Ir, Rh, Cuからなる群の金属のうちの1つ、又は、これら金属の少なくとも1つを含む合金から構成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法において、前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、
前記磁化容易軸方向に延びる中心線に対して非対称の台形からなる第1パターンを形成する工程と、
前記第1パターンに基づいて前記台形の底辺の中央部に窪みを有する第2パターンを形成する工程と、
前記第2パターンをハードマスクとして前記複数の磁気抵抗効果素子の各々のパターニングを行う工程と
により形成されることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法において、前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、
前記磁化容易軸方向に延びる中心線に対して非対称の台形からなる第1パターンを形成する工程と、
前記第1パターンに基づいて前記台形の幅を狭めると共に前記台形の底辺の中央部に窪みを有する第2パターンを形成する工程と、
前記第2パターンをハードマスクとして前記複数の磁気抵抗効果素子の各々のパターニングを行う工程と
により形成されることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の磁気ランダムアクセスメモリのデータ書き込み方法において、
前記複数の磁気抵抗効果素子の内、データ書き込みの対象となる選択された磁気抵抗効果素子に対して、前記磁化困難軸方向の磁界印加を終了した後に、前記磁化容易軸方向の磁界印加を終了する
ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリのデータ書き込み方法。
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Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3684225B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2005-08-17 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ |
KR100727486B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2007-06-13 | 삼성전자주식회사 | 자기 기억 소자 및 그 형성 방법 |
JP4599425B2 (ja) | 2008-03-27 | 2010-12-15 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
JP2009252878A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Renesas Technology Corp | 磁気記憶装置 |
US8536669B2 (en) * | 2009-01-13 | 2013-09-17 | Qualcomm Incorporated | Magnetic element with storage layer materials |
JP5537554B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
US8184411B2 (en) * | 2009-10-26 | 2012-05-22 | Headway Technologies, Inc. | MTJ incorporating CoFe/Ni multilayer film with perpendicular magnetic anisotropy for MRAM application |
US20110156012A1 (en) * | 2009-11-12 | 2011-06-30 | Sony Corporation | Double layer hardmask for organic devices |
US8422287B2 (en) | 2010-09-09 | 2013-04-16 | Magic Technologies, Inc. | Pulse field assisted spin momentum transfer MRAM design |
EP2546836A1 (en) * | 2011-07-12 | 2013-01-16 | Crocus Technology S.A. | Magnetic random access memory cell with improved dispersion of the switching field |
KR20150102302A (ko) | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 및 그 제조 방법 |
KR20150036985A (ko) | 2013-09-30 | 2015-04-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 및 그 제조 방법 |
US10490741B2 (en) | 2013-06-05 | 2019-11-26 | SK Hynix Inc. | Electronic device and method for fabricating the same |
KR20160073782A (ko) | 2014-12-17 | 2016-06-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 및 그 제조 방법 |
KR20160122915A (ko) | 2015-04-14 | 2016-10-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
KR20140142929A (ko) | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법, 이 반도체 장치를 포함하는 마이크로 프로세서, 프로세서, 시스템, 데이터 저장 시스템 및 메모리 시스템 |
US9865806B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-01-09 | SK Hynix Inc. | Electronic device and method for fabricating the same |
US20170069835A1 (en) * | 2015-09-09 | 2017-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetoresistive memory device |
US9659586B1 (en) | 2015-11-12 | 2017-05-23 | Seagate Technology Llc | Reader with free layer experiencing opposite phase-shifted media torques |
KR20170074255A (ko) | 2015-12-21 | 2017-06-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
KR102325051B1 (ko) | 2017-03-28 | 2021-11-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
WO2019073333A1 (ja) * | 2017-10-13 | 2019-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、電子部品、及び電子機器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002280637A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ、携帯端末装置、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
JP2003078112A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-14 | Sony Corp | 強磁性膜を用いた磁気デバイス及び磁気記録媒体並びに強誘電性膜を用いたデバイス |
JP2004152449A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Toshiba Corp | 磁気メモリ |
JP2004319786A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Sony Corp | 磁気記憶素子 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6104633A (en) | 1998-02-10 | 2000-08-15 | International Business Machines Corporation | Intentional asymmetry imposed during fabrication and/or access of magnetic tunnel junction devices |
US6005800A (en) | 1998-11-23 | 1999-12-21 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory array with paired asymmetric memory cells for improved write margin |
US6501678B1 (en) * | 1999-06-18 | 2002-12-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic systems with irreversible characteristics and a method of manufacturing and repairing and operating such systems |
JP3661652B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-15 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 |
CN100412984C (zh) * | 2002-02-22 | 2008-08-20 | 株式会社东芝 | 磁随机存取存储器 |
US6798691B1 (en) | 2002-03-07 | 2004-09-28 | Silicon Magnetic Systems | Asymmetric dot shape for increasing select-unselect margin in MRAM devices |
JP2003332537A (ja) | 2002-05-13 | 2003-11-21 | Nec Corp | 磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ |
JP3808802B2 (ja) | 2002-06-20 | 2006-08-16 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP4343006B2 (ja) | 2003-06-27 | 2009-10-14 | 株式会社東芝 | 磁気素子、磁気情報再生用ヘッド及び磁気情報再生装置 |
KR100541558B1 (ko) * | 2004-04-19 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 양 단들에 구부러진 팁들을 구비하는 자기터널 접합구조체들, 이들을 채택하는 자기램 셀들 및 이들의 형성에사용되는 포토 마스크들 |
US7599156B2 (en) * | 2004-10-08 | 2009-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element having specially shaped ferromagnetic layer |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002280637A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ、携帯端末装置、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
JP2003078112A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-14 | Sony Corp | 強磁性膜を用いた磁気デバイス及び磁気記録媒体並びに強誘電性膜を用いたデバイス |
JP2004152449A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Toshiba Corp | 磁気メモリ |
JP2004319786A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Sony Corp | 磁気記憶素子 |
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