JP4592575B2 - 不揮発性半導体メモリとその製造方法 - Google Patents
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Description
(2)又は、本発明は、ソース・ドレイン領域に不純物を注入できる不揮発性半導体メモリを提供することにある。
(2)また、本発明は、半導体基板上に第1絶縁膜を形成し、前記第1絶縁膜表面に開口部を有するように、前記第1絶縁膜及び前記半導体基板に互いに平行な複数のトレンチを形成し、前記トレンチの壁面に沿って第2絶縁膜を形成し、前記半導体基板及び前記第2絶縁膜上に浮遊ゲート電極を形成し、前記浮遊ゲート電極を前記第1絶縁膜の表面が露出するまで除去し、前記第2絶縁膜を介して2つの前記浮遊ゲート電極に挟まれる前記半導体基板をチャネル領域とし、前記チャネル領域上の前記第1絶縁膜上と、前記浮遊ゲート電極上に前記複数のトレンチに交差する互いに平行な複数の制御ゲート電極を形成し、前記第1絶縁膜と前記制御ゲート電極をマスクにして前記半導体基板内に前記チャネル領域を挟むソース・ドレイン領域を形成し、前記ソース・ドレイン領域、前記浮遊ゲート電極、前記制御ゲート電極によりメモリセルを構成する、不揮発性半導体メモリの製造方法にある。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る不揮発性半導体メモリの構造を示している。図1(A)、図1(B)と図1(D)は、それぞれ、図1(C)に示す上面図における、AA’、BB’とDD’の断面図である。半導体基板20に2つ以上の素子分離領域であるトレンチ36、36、・・・が形成され、トレンチ36内部に第1絶縁膜32を介して浮遊ゲート電極30が形成され、半導体基板20およびトレンチ36の表面に第2絶縁膜26を介して制御ゲート電極28が形成され、半導体基板20に複数のソース・ドレイン領域22、22、・・・が形成されている。トレンチ36は、半導体基板20内の溝である。第1絶縁膜32は、トレンチ36の壁面に形成され、トンネル電流を流すことができる。浮遊ゲート電極30は、半導体基板20に対して第1絶縁膜32を介してトレンチ36内に形成される。以下に、半導体基板20をp型とし、ソース・ドレイン領域22をn型とする不揮発性半導体メモリを例として説明するが、本発明は、p型とn型を逆にしてもよく、又は、半導体基板に島領域を形成し、その中に半導体メモリを形成してもよい。また、以下に、NAND型不揮発性半導体メモリを例として説明するが、本発明は、トレンチ36内に第1絶縁膜32を介して浮遊ゲート電極30が形成される不揮発性半導体メモリであれば、種々の公知の構成の不揮発性半導体メモリにも適用できる。なお、領域34は、STI(Shallow Trench Isolation)であり、トレンチにより半導体メモリ領域を分離するものである。
浮遊ゲート電極30は、図1では、トレンチ36の中央でビットラインBLに対して左右対称の構造に配置してある。しかし、浮遊ゲート電極30は、少なくとも一面でチャネル領域24に隣接し、ゲート電流に影響を付与でき、半導体基板20間でトンネル電流を流せる構造であれば、任意の構造を取ることができる。例えば、浮遊ゲート電極30は、トレンチ36内で隣接するチャネル領域24の一方側に偏った構造を取ることもできる。
個々のメモリセル38への書き込みは、例えば以下の方法で行うことができる。先ず、書き込みは、特定のメモリセル38の浮遊ゲート電極30に電子を注入して行う。図3は、特定の浮遊ゲート電極FG11への書き込む際の電圧条件を示す。ワードラインWL1に書き込み用WL電圧VPRGを印加する。書き込み用WL電圧VPRGは、比較的高電圧であり、例えば20Vとする。他のワードラインWL0、WL2、WL3には、メモリセル38のトランジスタを導通させる導通電圧VPASSを印加する。それと共に、図3(C)に示すように、浮遊ゲート電極FG11の一側面のビットラインBL1、BL0に0V、他側面のビットラインBL2、BL3に書き込み用BL電圧VPPを印加する。
図6には、全部のメモリセルの一括消去の電圧条件を示している。全てのビットラインBL0〜BL3のソース・ドレイン領域を開放し(Vopenとし)、全てのワードラインWL0〜WL3を接地して、全てのメモリセルの制御ゲート電極28を接地し、半導体基板に正の電圧Vsubを印加する。この基板に印加する電圧Vsubは、例えば20Vとする。これにより、全ての浮遊ゲート電極30に書き込まれていた電子を半導体基板20に引き抜くことができる。図7は、全部のメモリセルの一括消去の印加電圧シーケンスを示す。まず、各ビットラインBLに接続するソース電圧VS0〜VS3とドレイン電圧VD0〜VD3を開放する(Vopenとする)。次ぎに、ソース側の選択ゲートに電圧VSGS0〜VSGS3と、ドレイン側の選択ゲートに電圧VDSG0〜VSGS3とを印加する。全てのワードラインWL0〜WL3は、0Vとする。次ぎに、半導体基板20に正の電圧VSUBを印加する。これにより、浮遊ゲート電極30に蓄積していた電子が、トンネル電流(負の電流)として半導体基板20に取り出される。
図8は、メモリセル38の読み出しの電圧条件を示している。読み出したい浮遊ゲート電極30をビットラインBLとワードラインWLで選択する。読み出したい浮遊ゲート電極30がFG11の場合、ビットラインBL1のソース側には0Vを付与し、ドレイン側には、読み出し用電圧VRDを印加する。ビットラインBL2のソース側には0Vを付与し、ドレイン側には、VPDを印加する。その他のビットラインBL0とBL3については、ソース側とドレイン側とも、0Vを付与する。ワードラインWL1にはVCGRを印加する。他のワードラインWL0、WL2〜WL3にはVPASSを印加する。このように2本のビットラインBLと1本のワードラインWLでメモリセル38を選択する。一例として、VRD、VPD、VCGRの電圧は、それぞれ、5V、5V、10Vである。これらの電圧条件により、FG11の状態をBL1の電流の変化で検出できる。すなわち、FG10がどのような状態であっても、VRD、VPD、VCGRに十分に高い電位を与えることによって、BL1のチャネルを導通状態にすることができる。
本発明の実施の形態の不揮発性半導体メモリの製造方法は、半導体装置一般の公知の製造方法の技術を適用できる。図10と図11には、メモリセル38の製造方法の一例を示している。先ず、図10(A)のように半導体基板20表面にSiNやSiONやその他高誘電体材料などの第2絶縁膜26を形成した後、半導体基板20中に浮遊ゲート電極を配置するためのトレンチ36を形成する。次に、図10(B)のようにトレンチ36内の表面を含めて半導体基板20の表面に酸化膜などの絶縁膜46を形成する。この絶縁膜46の一部は、第1絶縁膜32として利用される。第1絶縁膜32は、特にトレンチ36の壁面に薄く形成し、半導体基板20と後で形成される浮遊ゲート電極間でトンネル電流が流れるようにする。第1絶縁膜の表面にn+ポリシリコンなどの導電材料48を形成する。この導電材料48は、一部浮遊ゲート電極30として使用される。次に、図10(C)のように半導体基板20の表面を平坦化するために、例えばCMPで第2絶縁膜26が露出する程度に表面上の導電材料48や絶縁膜46を除去する。
図12は、本発明の第2実施形態を示す。半導体基板20の表面領域にトレンチ36が形成され、トレンチ36の内部に第1絶縁膜32を介して浮遊ゲート電極30が形成される。半導体基板20およびトレンチ36の表面に第1絶縁膜32よりも誘電率の高いHigh−K膜の第2絶縁膜26を介して制御ゲート28が形成される。第1絶縁膜32よりも誘電率の高い第2絶縁膜26を設けることにより、チャネル領域24を狭くしても、制御ゲート電極28のチャネル領域24に対する電気的な支配力を維持可能である。
図13は、本発明の第3実施形態を示す。埋め込み絶縁膜領域BOXを有する半導体基板20の表面領域に複数のトレンチ36が形成され、トレンチ36の内部に第1絶縁膜32を介して浮遊ゲート電極30が形成され、半導体基板20およびトレンチ36の表面に第2絶縁膜26を介して制御ゲート電極28が形成される。半導体基板領域に埋め込み絶縁膜領域BOXを設けることにより、ソース・ドレイン領域22の間隔を狭め、チャネル領域24を短くしても、所謂短チャネル効果抑制により、制御ゲート電極28および浮遊ゲート電極30のチャネル領域24に対する電気的な支配力を維持可能である。
図14に本発明の第3実施の形態を示す。第3実施形態は、第2と第3の実施形態を組み合わせたものである。埋め込み絶縁膜領域BOXを有する半導体基板表面領域に複数のトレンチ36が形成され、トレンチ36の内部に第1絶縁膜32を介して浮遊ゲート電極30が形成され、半導体基板20およびトレンチ36の表面に第1絶縁膜32よりも誘電率の高いHigh−K膜の第2絶縁膜26を介して制御ゲート電極28が形成される。第1絶縁膜32よりも誘電率の高い第2絶縁膜26を設け、半導体基板20に埋め込み絶縁膜領域BOXを設ける。このことにより、チャネル領域24を狭くしても、制御ゲート電極28のチャネル領域24に対する電気的な支配力を維持可能である。また、ソース・ドレイン領域22の間隔を狭め、チャネル領域24を短くしても、所謂短チャネル効果抑制により、制御ゲート電極28および浮遊ゲート電極30のチャネル領域24に対する電気的な支配力を維持可能である。
22・・ソース・ドレイン領域
24・・チャネル領域
26・・第2絶縁膜
28・・制御ゲート電極
30・・浮遊ゲート電極
32・・第1絶縁膜
34・・STI
36・・トレンチ
38・・メモリセル
40・・セレクタ
41・・駆動検出回路
42・・ソース側選択ゲート
44・・ドレイン側選択ゲート
46・・絶縁膜
48・・導電材料
50・・フォトレジスト層
52・・埋設絶縁膜
54・・被覆層
BL・・ビットライン
WL・・ワードライン
BOX・埋め込み絶縁膜領域
High-K・高誘電率膜
Claims (10)
- 半導体基板と、
前記半導体基板表面から前記半導体基板の厚さ方向に形成され、前記半導体基板表面に開口部を有するトレンチと、
前記トレンチの壁面に沿って形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上で、かつ前記トレンチ内に形成された浮遊ゲート電極と、
前記半導体基板、前記第1絶縁膜、及び前記浮遊ゲート電極上に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成された制御ゲート電極と、を備える不揮発性半導体メモリであって、
前記半導体基板は、前記半導体基板内に形成された一対のソース・ドレイン領域と、
前記一対のソース・ドレイン領域間に形成されたチャネル領域と、を更に備え、
前記一対のソース・ドレイン領域、前記チャネル領域、前記浮遊ゲート電極、及び前記制御ゲート電極はメモリセルを構成し、
前記メモリセルが行列状に複数配置され、
複数の列選択ラインと前記列選択ラインと交差する複数の行選択ラインを備え、
前記列選択ライン方向において、
前記トレンチ、前記第1絶縁膜、及び前記浮遊ゲート電極は、2つの前記チャネル領域によって挟まれ、
前記制御ゲート電極は、前記第1絶縁膜上及び前記第2絶縁膜上に位置し、
前記行選択ライン方向において、
前記チャネル領域は、前記一対のソース・ドレイン領域に挟まれ、
前記制御ゲート電極は、前記チャネル領域上及び前記第2絶縁膜上に位置する不揮発性半導体メモリ。 - 請求項1に記載の不揮発性半導体メモリにおいて、
隣接する前記メモリセルの前記一対のソース・ドレイン領域は、2つの前記メモリセルに共通に使用され、NAND型メモリを構成する、不揮発性半導体メモリ。 - 請求項1に記載の不揮発性半導体メモリにおいて、
隣接する2つの前記行選択ラインと前記列選択ラインにより前記メモリセルを選択する、不揮発性半導体メモリ。 - 請求項3に記載の不揮発性半導体メモリにおいて、
隣接する2つの前記行選択ライン間に電位差を付与し、前記列選択ラインと前記半導体基板間に電位差を付与して、選択した前記メモリセルに情報を書き込む、不揮発性半導体メモリ。 - 請求項3に記載の不揮発性半導体メモリにおいて、
前記半導体基板と前記列選択ライン間に電位差を付与して、前記メモリセルの情報を消去する、不揮発性半導体メモリ。 - 請求項3に記載の不揮発性半導体メモリにおいて、
隣接する前記行選択ラインに各々電位を付与し、前記列選択ラインに電位を付与して、前記行選択ラインに流れる電流により、選択した前記メモリセルの記憶状態を読み出す、不揮発性半導体メモリ。 - 請求項1に記載の不揮発性半導体メモリにおいて、
前記第2絶縁膜は、前記第1絶縁膜より高い誘電率を有する、不揮発性半導体メモリ。 - 請求項1に記載の不揮発性半導体メモリにおいて、
前記半導体基板は埋め込み絶縁膜領域を有する、不揮発性半導体メモリ。 - 請求項1に記載の不揮発性半導体メモリにおいて、
前記第2絶縁膜は、前記第1絶縁膜より高い誘電率を有すると共に、前記半導体基板は埋め込み絶縁膜領域を有する、不揮発性半導体メモリ。 - 半導体基板上に第1絶縁膜を形成し、
前記第1絶縁膜表面に開口部を有するように、前記第1絶縁膜及び前記半導体基板に互いに平行な複数のトレンチを形成し、
前記トレンチの壁面に沿って第2絶縁膜を形成し、
前記半導体基板及び前記第2絶縁膜上に浮遊ゲート電極を形成し、
前記浮遊ゲート電極を前記第1絶縁膜の表面が露出するまで除去し、
前記第2絶縁膜を介して2つの前記浮遊ゲート電極に挟まれる前記半導体基板をチャネル領域とし、前記チャネル領域上の前記第1絶縁膜上と、前記浮遊ゲート電極上に前記複数のトレンチに交差する互いに平行な複数の制御ゲート電極を形成し、
前記第1絶縁膜と前記制御ゲート電極をマスクにして前記半導体基板内に前記チャネル領域を挟むソース・ドレイン領域を形成し、
前記ソース・ドレイン領域、前記浮遊ゲート電極、前記制御ゲート電極によりメモリセルを構成する、不揮発性半導体メモリの製造方法。
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