JP4590527B2 - 薄膜電極基板の作製方法 - Google Patents

薄膜電極基板の作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4590527B2
JP4590527B2 JP2005040013A JP2005040013A JP4590527B2 JP 4590527 B2 JP4590527 B2 JP 4590527B2 JP 2005040013 A JP2005040013 A JP 2005040013A JP 2005040013 A JP2005040013 A JP 2005040013A JP 4590527 B2 JP4590527 B2 JP 4590527B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
silver
platinum
substrate
glass substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005040013A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006226797A (ja
Inventor
滋 外山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Health Sciences Foundation
Original Assignee
Japan Health Sciences Foundation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Health Sciences Foundation filed Critical Japan Health Sciences Foundation
Priority to JP2005040013A priority Critical patent/JP4590527B2/ja
Publication of JP2006226797A publication Critical patent/JP2006226797A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4590527B2 publication Critical patent/JP4590527B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

本発明は、化学センサなどのマイクロデバイスに用いる電極基板の作製方法に関する。
化学センサは、化学成分を選択的に検出し、その濃度に応じた電気信号を出力するデバイスである。化学センサは様々な種類に分類されるが、このうちバイオセンサやイオンセンサに分類されるものは溶液に直接に接するものである。これらのセンサは基本構造として、対象物質に特異的な感受性膜を電極の上に形成する場合が多い。電極材料としては、イオンセンサの様に電位検出型の場合は電位を安定させるために銀電極もしくは表面を塩化銀化した銀電極が用いられ、酵素センサの様に電流検出型の場合は酵素産物の触媒反応を利用するために白金電極が用いられることが多い。また、金電極の場合はメルカプチド結合を介して酵素や抗体をその表面に結合できるため、センサ用電極として多用されている。最近の傾向として、臨床検査や環境計測用センサを目指して、複数のセンサを単一の基板上に集積化したものが盛んに研究開発されている。様々なセンサを同一基板上に形成するためには、センサ用の電極として金や白金電極と銀電極とが同一基板上に形成される必要がある。
このような電極用の基板としては、加工のしやすさ、基板の透明性、非導電性などの理由からガラスが用いられることが多い。ここで、他の材質の基板でも問題になることであるが、ガラス基板の場合も様々な電極材料との密着性が問題となる。特に金の場合はガラスとの密着強度があまり無いが、クロムやチタンを間に挟む事によって著しく密着性が向上することが良く知られている。
特開平5−343396号公報 特開平7−66141号公報 特開平7−273280号公報 特開平7−300684号公報 特開平7−316826号公報 特開平9−87860号公報 特開平9−139361号公報 特開平9−141779号公報 特開平11−50270号公報 特表2000−505151号公報
化学センサに用いる電極は、溶液に長時間接触していても基板に強固に密着して剥離しないことが重要である。特に応用としてフロー型の検出システムに化学センサを組み込む場合に、流速が早くても電極が基板より剥離することがあってはならない。そして、電極端子がハンダ付けの際に加熱によって剥離せず、かつハンダ付け後もリード線を介して加わる引っ張り力に十分に耐えうるだけの基板密着性を有することが要求されている。しかしながら、従来からガラスに対して十分な密着性を有する銀薄膜を形成することが困難であり、また、工業的にセンサ用の電極基板を作製する場合には、加工プロセスがより単純であることが課題とされている。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであ、金電極又は白金電極、および銀電極が混在した薄膜電極基板の作製方法であって、それらの電極と基板との密着性が優れ、また、より工程が短縮された薄膜電極基板の作製方法を提供することにある。
本発明者らは、鋭意検討の結果、上記の課題を解決するに至った。すなわち、上記の課題の中で密着性の問題は、金や白金が銀とガラスの両者に高い密着性を示すことを利用して、銀の下層に金の層あるいは白金の層を形成する工程を含むことによって解決される。さらに、白金とガラスとの間はそれ自身が高い密着性を有するが、チタンの層をガラスと白金との間に形成する工程を含むことにより、一層の密着性の向上が実現できる。
また、加工プロセスの問題については、金や白金上に形成された銀がガラス上に形成された銀よりも高い耐酸性を有することを利用して、銀を保護するためのマスクを用いることなく、金や白金パターンを有するガラス基板上の全面に形成された銀薄膜のうち、金や白金層の上のみに銀を残すことが可能である。また、このようにして金や白金上に残された銀も、電解質中で電流を流すことにより、一繋がりのパターン単位で選択的に除去することが可能である。
以上のように本発明によれば、基板に強固に密着した金および/または白金薄膜電極と銀薄膜電極を同時にガラス基板上に形成することができ、かつ銀のパターン形成の際に銀の保護マスクを形成する必要の無い加工工程の簡単な薄膜電極基板を作製できる。
(ガラス基板上に白金薄膜電極を作製する方法)
図1および図2は、本発明により形成された薄膜電極基板の構造を説明した図である。本実施例では縦が26mm、横が18mm、厚さが1.0から1.5mmのガラス板上に白金電極と銀電極が形成されている。基板上の各電極の面積は2から4mm2である。基板の端にはリード線接続用の端子が設けられており、各電極はそれぞれ対応する端子まで基板上のパターンで接続されている。
図3はこの基板を作製する際の工程を示した図である。本実施例では、まずガラス基板としてスライドガラス(松浪硝子工業株式会社製、S-1127およびS-1225の材質の異なる二種類)を使用し、この上に白金のパターンを形成した。その方法は以下の通りである。基板のカット、基板の洗浄、クロムの電子ビーム蒸着(厚さ200nm)、スピンコーティングによるレジスト塗布(東京応化工業株式会社製TPR201、スピンコーティングの条件は500rpmで4秒の後、3000rpmで20秒)、レジストのプレベーク(80℃で30分間)、露光(365nm、30秒)、現像(東京応化工業株式会社製専用現像液に5分間浸漬後水洗)、レジストのポストベーク(110℃、30分間)、クロムのエッチング(エッチング液:1M
NaOHを含む0.1M K3[Fe(CN6)]溶液)、レジストの除去(アセトンによる拭き取り後、洗浄)などの工程を経て、基板上に目的とする白金パターンに対するネガパターンを厚さ200nmのクロムにて形成した。次いで、厚さ30nmの白金の電子ビーム蒸着を行い、さらにクロムをエッチング(エッチング液は上記と同様のもの)することによるいわゆるリフトオフ法にて白金のパターンを形成した。なお、一部の基板については白金の蒸着前に、厚さ20nmのチタンの電子ビーム蒸着を行った。
この様にして作製した白金薄膜の基板への密着性については、セロテープ(登録商標)を貼り付けた後、引き剥がすことによって評価した。その結果、あらかじめチタンを蒸着した上に白金層を形成したものは、テープの接着引き剥がしによって全く剥がれることがなかった。また、白金のみを形成した場合は、蒸着レートが高いと(2Å/sec)1回のテープの接着引き剥がし動作によってほぼ剥がれたものの、十分に蒸着レートが低い(0.1Å/sec)場合は、十回以上のテープの接着引き剥がしを繰り返すことによってようやく剥離した。なお、白金薄膜の剥離性に関して、ガラス基板の種類による有意な差は見いだされなかった。
(白金薄膜電極及び銀薄膜電極を作製する方法)
実施例1で作製した白金パターン化基板をもとに、以下に説明するごとく銀薄膜電極と白金薄膜電極とが同時に形成された基板を作製した。まず、白金パターン化基板を洗浄した後、厚さ200nmの銀を電子ビーム蒸着した。この基板を容積比12%硝酸溶液に浸漬し、30分間振盪させことにより、ガラス直上の銀の除去処理を行った。ここで、硝酸の濃度が容積比25%を越えると白金上の銀が溶解する。一方で、容積比が3%以下になるとガラス上の銀を除去することが困難である。
次に、この基板上に設けた端子部分にリード線をハンダ付けした。ハンダ(錫60%、鉛40%)は銀と白金の両者に強固に密着しており、ハンダ付けの際の熱やリード線に引っ張り力が加わっても端子部分の薄膜がガラス基板より剥がれることは無い。その後、この基板を12%希硝酸溶液に端子部のみが液面より上に出るように浸漬し、表面の銀を除去する電極を陽極、除去しない電極を陰極とし、1.0Vの定電圧を両極間に100秒間印加することによって陽極側の銀を除去し、目的とする電極基板を完成させた。このとき、陰極側の銀は溶解されることはなく、また陽極側は銀のみが溶解され白金やチタンが溶解されることはない。
この様にして作製した薄膜電極基板に対し、セロテープ(登録商標)を用いた密着性試験を実施したところ、下層がチタンと白金からなる基板については銀およびその下層の白金とチタンを含めて全く剥離されることはなかった。また、下層が白金のみからなる場合も、白金の形成時の蒸着レートが十分に低いもの(0.1Å/sec)については、容易に剥離することはなかった。なお、銀薄膜の剥離性に関して、ガラス基板の種類による有意な差は見いだされなかった。
(金薄膜電極及び銀薄膜電極を作製する方法)
図4の作製工程図を用いて説明する。まず、縦が18mm、横が18mm、厚さが0.15mm(松浪硝子工業株式会社製カバーグラス)のガラス板を使用し、このガラス板上の一部を他のガラス板でマスクしつつ、厚さ2nmのクロムを電子ビーム蒸着し、続けて厚さ40nmの金を蒸着することによって、金のパターンを形成した。次いで、マスクとして使用していたガラス板の位置をずらして下層のガラス板上の金層の一部のみをマスクしつつ、厚さ100nm銀のを電子ビーム蒸着した。その後、この基板を容積比9%硝酸溶液に浸漬し、90分間振盪させることによりガラス直上の銀の除去処理を行った。ここで、ガラス直上の銀は振盪開始後約3分で完全に除去されたが、金層および金の上に形成された銀は90分後でも全く変化が見られなかった。
この様にして作製した薄膜電極基板に対し、セロテープ(登録商標)を用いた密着性試験を実施したところ、いかなる金属薄層も全く剥離されることはなかった。
金電極又は白金電極、および銀電極が混在した薄膜電極基板の作製方法であって、それらの電極と基板との密着性が優れ、また、より工程が短縮された薄膜電極基板の作製方法を提供することができる。
実施例1に係る薄膜電極基板を側面方向から見た場合の説明図。 実施例1に係る薄膜電極基板を正面方向から見た場合の説明図。 実施例1及び2に係る薄膜電極基板の作製工程を示す説明図。ただし、本図はチタン、白金、銀の積層や除去過程を示すものであり、電極の数や配置は実際のものとは異なる。図3(A)はガラス基板上にチタンと白金からなる薄膜パターンが形成された状態を示す図である。図3(B)は、図3(A)の基板の上に一面に銀薄膜が電子ビーム蒸着された状態を示す図である。図3(C)は、図3(B)の基板の上のガラス直上の銀のみが除去された後の状態を示す図である。図3(D)は、図3(C)の基板において特定の独立したパターン上の銀のみが除去された後の状態を示す図である。 実施例3に係る薄膜電極基板の作製工程を示す説明図。図4(A)はガラス基板上にクロムと金からなる薄膜パターンが形成された状態を示す図である。図4(B)は、図4(A)の基板の上に銀薄膜が電子ビーム蒸着された状態を示す図である。図4(C)は、図4(B)の基板の上のガラス直上の銀のみが除去された後の状態を示す図である。図4(D)は、図4(C)の基板において銀が除去された後の状態を示す図である。
符号の説明
1 ガラス基板
2 チタン
3 白金
4 銀
5 銀電極
6 白金電極
7 端子
8 ガラス基板
9 クロム
10 金
11 銀

Claims (4)

  1. ガラス基板上の一部に金の層又は白金の層を形成する工程と、
    前記ガラス基板上の全面に銀層を形成する工程と、
    前記ガラス基板を銀のエッチング液に浸漬し、ガラス直上の銀を除去し、前記金の層又は白金の層の上にのみ銀の層を残す工程と、
    からなる薄膜電極基板の作製方法。
  2. ガラス基板上の一部にチタンの層又はクロムの層を形成する工程と、
    前記チタンの層又はクロムの層の上にのみ金の層又は白金の層を形成する工程と、
    前記ガラス基板上の全面に銀層を形成する工程と、
    前記ガラス基板を銀のエッチング液に浸漬し、ガラス直上の銀を除去し、前記金の層又は白金の層の上にのみ銀の層を残す工程と、
    からなる薄膜電極基板の作製方法。
  3. ガラス基板上に複数の金の層又は白金の層を形成する工程と、
    前記ガラス基板上の全面に銀層を形成する工程と、
    前記ガラス基板を銀のエッチング液に浸漬し、ガラス直上の銀を除去し、前記金の層又は白金の層の上にのみ銀の層を残して複数の積層部を形成する工程と、
    前記積層部にリード線を電気的に接続する工程と、
    前記リード線との接続部分が液面より上に出るように前記ガラス基板の前記積層部を電解質溶液に浸漬する工程と、
    いずれか一つの積層部を陽極、他のいずれか一つの積層部を陰極として、電流をながし、前記陽極とした積層部の表層の銀を溶解して下層の前記金の層又は白金の層を表面に露出させる工程と、
    からなる薄膜電極基板の作製方法。
  4. ガラス基板上に複数のチタンの層又はクロムの層を形成する工程と、
    前記チタンの層又はクロムの層の上にのみ金の層又は白金の層を形成する工程と、
    前記ガラス基板上の全面に銀層を形成する工程と、
    前記ガラス基板を銀のエッチング液に浸漬し、ガラス直上の銀を除去し、前記金の層又は白金の層の上にのみ銀の層を残して複数の積層部を形成する工程と、
    前記積層部にリード線を電気的に接続する工程と、
    前記リード線との接続部分が液面より上に出るように前記ガラス基板の前記積層部を電解質溶液に浸漬する工程と、
    いずれか一つの積層部を陽極、他のいずれか一つの積層部を陰極として、電流をながし、前記陽極とした積層部の表層の銀を溶解して下層の前記金の層又は白金の層を表面に露出させる工程と、
    からなる薄膜電極基板の作製方法。
JP2005040013A 2005-02-17 2005-02-17 薄膜電極基板の作製方法 Active JP4590527B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005040013A JP4590527B2 (ja) 2005-02-17 2005-02-17 薄膜電極基板の作製方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005040013A JP4590527B2 (ja) 2005-02-17 2005-02-17 薄膜電極基板の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006226797A JP2006226797A (ja) 2006-08-31
JP4590527B2 true JP4590527B2 (ja) 2010-12-01

Family

ID=36988310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005040013A Active JP4590527B2 (ja) 2005-02-17 2005-02-17 薄膜電極基板の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4590527B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012242249A (ja) * 2011-05-20 2012-12-10 Oji Keisoku Kiki Kk 電気化学測定用電極素子
TW201337258A (zh) * 2012-03-15 2013-09-16 Jiang Hui Ping 感測試片及其製作方法
JP5957260B2 (ja) * 2012-03-29 2016-07-27 太平洋セメント株式会社 腐食センサ、腐食センサの製造方法および腐食検出方法
JP6909351B2 (ja) * 2018-02-23 2021-07-28 京セラ株式会社 センサ基板
CN114632559B (zh) * 2022-01-26 2023-03-31 浙江大学 基于电阻抗检测的片上微槽阵列数字pcr芯片及制作方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04125462A (ja) * 1990-09-17 1992-04-24 Fujitsu Ltd 酸素電極
JPH04213048A (ja) * 1990-12-06 1992-08-04 Fujitsu Ltd 小型ガラス電極とその製造方法
JPH0510916A (ja) * 1991-07-05 1993-01-19 Fujitsu Ltd 小型ガラス電極
JPH0587766A (ja) * 1991-03-20 1993-04-06 Fujitsu Ltd スクリーン印刷用電解質組成物およびそれを用いた小型酸素電極およびその製造方法
JPH0599883A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Fujitsu Ltd 小型ガラス電極
JPH08281617A (ja) * 1995-04-14 1996-10-29 Dainippon Printing Co Ltd コンクリート化粧板の製造方法
JPH10253573A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Fuji Elelctrochem Co Ltd 銀・塩化銀参照電極およびその製造方法
JPH11281609A (ja) * 1998-03-31 1999-10-15 Nec Corp 電流検出型センサ素子およびその製造方法
JP2000146896A (ja) * 1998-09-03 2000-05-26 Nec Corp 参照電極およびそれを用いたバイオセンサ、測定器
JP2001051308A (ja) * 1999-05-28 2001-02-23 Sony Corp 電気光学素子及びその製造方法、及び撮像装置
JP2002257782A (ja) * 2001-03-05 2002-09-11 Nec Corp 電気化学センサ測定装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04125462A (ja) * 1990-09-17 1992-04-24 Fujitsu Ltd 酸素電極
JPH04213048A (ja) * 1990-12-06 1992-08-04 Fujitsu Ltd 小型ガラス電極とその製造方法
JPH0587766A (ja) * 1991-03-20 1993-04-06 Fujitsu Ltd スクリーン印刷用電解質組成物およびそれを用いた小型酸素電極およびその製造方法
JPH0510916A (ja) * 1991-07-05 1993-01-19 Fujitsu Ltd 小型ガラス電極
JPH0599883A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Fujitsu Ltd 小型ガラス電極
JPH08281617A (ja) * 1995-04-14 1996-10-29 Dainippon Printing Co Ltd コンクリート化粧板の製造方法
JPH10253573A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Fuji Elelctrochem Co Ltd 銀・塩化銀参照電極およびその製造方法
JPH11281609A (ja) * 1998-03-31 1999-10-15 Nec Corp 電流検出型センサ素子およびその製造方法
JP2000146896A (ja) * 1998-09-03 2000-05-26 Nec Corp 参照電極およびそれを用いたバイオセンサ、測定器
JP2001051308A (ja) * 1999-05-28 2001-02-23 Sony Corp 電気光学素子及びその製造方法、及び撮像装置
JP2002257782A (ja) * 2001-03-05 2002-09-11 Nec Corp 電気化学センサ測定装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006226797A (ja) 2006-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100874743B1 (ko) 프린트 배선 기판, 그 제조 방법 및 반도체 장치
TWI384917B (zh) 印刷配線基板,其製造方法及電路裝置
JP2005210058A (ja) プリント配線基板、その製造方法および回路装置
JP4590527B2 (ja) 薄膜電極基板の作製方法
MX2009000033A (es) Metodo para manufacturar una tira de prueba de diagnostico.
JP4695675B2 (ja) プリント配線基板の製造方法
JP4008388B2 (ja) 半導体キャリア用フィルムおよびそれを用いた半導体装置、液晶モジュール
JP2008524871A (ja) フレキシブル回路およびその製造方法
US8039755B2 (en) Method for manufacturing a printed circuit board element as well as a printed circuit board element
CN101720567B (zh) 印刷布线基板的制造方法及由该制造方法所得的印刷布线基板
JP4982899B2 (ja) 微小電極およびその製造方法
JP3003615B2 (ja) 銀・塩化銀参照電極およびその製造方法
JPH09292361A (ja) 参照電極の製造方法
JPH04356937A (ja) 誘電体基板上の導体間の電流誘起電気化学的デンドライト形成を防止するための組成及びコーティング
JP2006066889A (ja) プリント配線基板、その製造方法および半導体装置
JP4709813B2 (ja) プリント配線基板、回路装置およびプリント配線基板の製造方法
JP3280407B2 (ja) 透明電極材料の劣化防止方法
JP4439681B2 (ja) 配線基板用検査板の製造方法
JP3055289B2 (ja) 透明電極材料の劣化防止方法
JP2000216201A (ja) 半導体装置用テ―プキャリア
JP6514991B2 (ja) 電極構造の製造方法、センサ電極の製造方法、電極構造およびセンサ電極
JP5394649B2 (ja) 半導体キャリア用フィルムおよびそれを用いた半導体装置、液晶モジュール
JP4850887B2 (ja) 半導体装置の使用方法
JP2007173872A (ja) 半導体キャリア用フィルムおよびそれを用いた半導体装置、液晶モジュール
JP2003234380A (ja) 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100216

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100401

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100414

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100402

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100518

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100601

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350