JP6514991B2 - 電極構造の製造方法、センサ電極の製造方法、電極構造およびセンサ電極 - Google Patents

Description

本発明は、高精細なパターン形状の電極を容易に形成可能な電極構造の製造方法に関するものである。

血液等の生体試料中の特定成分について迅速かつ簡便に濃度等を測定する方法として、電気化学的検出手段によるバイオセンサが実用化されている。
酵素をセンシング素子に用いる電気化学バイオセンサでは、一般に、電極として作用極および対極を含む電極系と、酵素および電子伝達体（メディエータ）を含む反応部とを基本構成として備えている。このようなバイオセンサの一例として、電気化学的に血液中のグルコースを定量化するグルコースセンサがある。

例えば、グルコースセンサにおいては、当該反応部において、酵素が血液中のグルコースを選択的に酸化してグルコン酸を生成し、また同時に電子伝達体を還元して還元体を生じる。この還元体が電極系に伝達され、一定の電圧が印加されることにより還元体が再び酸化され、その際に電流が発生する。
このとき発生する電流の大きさは、血液中のグルコース濃度に依存することから、バイオセンサと接続する測定装置において測定された電流値から、血液中のグルコースを定量化することができる。

グルコースセンサ等に代表されるバイオセンサに用いられる電極の形成方法としては、特許文献１に記載されるように、金属蒸着膜を形成した後、フォトリソグラフィ法等により、電極以外の金属蒸着膜を除去する方法が用いられる。
なお、このような電極構造は、バイオセンサのみならず、ＳＡＷフィルタ、ガスセンサ、ｐＨセンサ等の様々な測定用センサに用いられている。

特開２０１０−２２９１３５号公報

しかしながら、金属蒸着膜をパターニングするためには、まず、金属蒸着膜上にパターン状のレジストを形成し、このレジストをマスクとしてエッチングする工程が必要になり、工程が煩雑となる。
また、金属蒸着膜のエッチングによるパターニングでは、高精細なパターン形状を形成しにくいといった問題がある。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高精細なパターン形状の電極を容易に形成可能な電極構造の製造方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、を有する電極層付基板を準備する準備工程と、上記電極層付基板の上記第１電極層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程と、上記パターン下地層の上記第２めっき下地層表面に、無電解めっき法により第２電極層を形成する無電解めっき工程と、を有し、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、上記パターン下地層の表面に配置された上記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されることを特徴とする電極構造の製造方法を提供する。

また、本発明は、絶縁性を有する基材上に、第１めっき下地層を形成する第１めっき下地層形成工程と、上記第１めっき下地層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程と、上記パターン下地層から露出した上記第１めっき下地層の表面、および上記パターン下地層の上記第２めっき下地層の表面に、無電解めっき法によりそれぞれ第１電極層、および第２電極層を形成する無電解めっき工程と、を有し、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、上記パターン下地層の表面に配置された上記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されることを特徴とする電極構造の製造方法を提供する。

本発明によれば、上記パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を用いて、第２電極層を無電解めっき法により形成することにより、高精細なパターン形状の第２電極層を容易に得ることができる。

本発明においては、上記絶縁層の厚みが、上記第２電極層の厚みより厚いことが好ましい。上記厚みが上述の範囲内であることにより、上記絶縁層は、第１電極層および第２電極層の短絡を安定的に抑制できるからである。

本発明においては、上記絶縁層の厚みが、０．２μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。上記厚みが上述の範囲内であることにより、上記電極構造は、出力電流が大きく高感度なセンサとして使用可能なものとなるからである。

本発明は、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、を有する電極層付基板を準備する準備工程と、上記電極層付基板の上記第１電極層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程と、上記パターン下地層の上記第２めっき下地層表面に、無電解めっき法により第２電極層を形成する無電解めっき工程と、を有し、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、上記パターン下地層の表面に配置された上記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されることを特徴とするセンサ電極の製造方法を提供する。

本発明は、絶縁性を有する基材上に、第１めっき下地層を形成する第１めっき下地層形成工程と、上記第１めっき下地層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程と、上記パターン下地層から露出した上記第１めっき下地層の表面、および上記パターン下地層の上記第２めっき下地層の表面に、無電解めっき法によりそれぞれ第１電極層、および第２電極層を形成する無電解めっき工程と、を有し、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、上記パターン下地層の表面に配置された上記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されることを特徴とするセンサ電極の製造方法を提供する。

本発明によれば、上記パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を用いて、第２電極層を無電解めっき法により形成することにより、高精細なパターン形状の第２電極層を容易に得ることができる。

本発明は、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、上記絶縁層の上記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および上記第２めっき下地層の上記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有する、パターン状の第２電極積層体と、を有し、上記第２電極積層体が形成されていない領域に露出した上記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、上記第２電極積層体の表面に配置された上記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されていることを特徴とする電極構造を提供する。

本発明は、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１めっき下地層と、上記第１めっき下地層の上記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、上記絶縁層の上記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および上記第２めっき下地層の上記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有する、パターン状の第２電極積層体と、上記第２電極積層体が形成されていない領域の上記第１めっき下地層の上記基材とは反対側の表面に形成された第１電極層と、を有し、上記第２電極積層体が形成されていない領域に露出した上記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、上記第２電極積層体の表面に配置された上記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されていることを特徴とする電極構造を提供する。

本発明によれば、パターン状の第２電極積層体を有することにより、上記電極構造は、絶縁層および第２めっき下地層を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程および上記第２めっき下地層の表面に無電解めっき法により上記第２電極層を形成する無電解めっき工程を用いて形成可能となる。
したがって、上記電極構造は、高精細なパターン形状の第２電極層を容易に形成可能なものとなる。

本発明は、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、上記絶縁層の上記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および上記第２めっき下地層の上記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有する、パターン状の第２電極積層体と、を有し、上記第２電極積層体が形成されていない領域に露出した上記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、上記第２電極積層体の表面に配置された上記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されることを特徴とするセンサ電極を提供する。

本発明は、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１めっき下地層と、上記第１めっき下地層の上記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、上記絶縁層の上記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および上記第２めっき下地層の上記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有する、パターン状の第２電極積層体と、上記第２電極積層体が形成されていない領域の上記第１めっき下地層の上記基材とは反対側の表面に形成された第１電極層と、を有し、上記第２電極積層体が形成されていない領域に露出した上記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、上記第２電極積層体の表面に配置された上記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されることを特徴とするセンサ電極を提供する。

本発明によれば、パターン状の第２電極積層体を有することにより、上記センサ電極は、絶縁層および第２めっき下地層を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程および上記第２めっき下地層の表面に無電解めっき法により上記第２電極層を形成する無電解めっき工程を用いて形成可能となる。
したがって、上記センサ電極は、高精細なパターン形状の第２電極層を容易に形成可能なものとなる。

本発明は、高精細なパターン形状の電極を容易に形成可能な電極構造の製造方法を提供できるといった効果を奏する。

本発明の電極構造の製造方法の一例を示す工程図である。 図１のＡ−Ａ線断面図である。 本発明におけるパターン下地層形成工程の一例を示す工程図である。 本発明におけるパターン下地層形成工程の他の例を示す工程図である。 本発明における第１電極層および第２電極層を説明する説明図である。 本発明における第１電極層および第２電極層を説明する説明図である。 本発明における第１電極層および第２電極層を説明する説明図である。 本発明の電極構造の製造方法の他の例を示す工程図である。 図８のＢ−Ｂ線断面図である。 本発明のセンサ電極の製造方法の一例を示す工程図である。 図１０のＣ−Ｃ線断面図である。 本発明のセンサ電極の製造方法の他の例を示す工程図である。 図１２のＤ−Ｄ線断面図である。 本発明のセンサ電極の一例を示す概略平面図および概略断面図である。

本発明は、電極構造の製造方法およびセンサ電極の製造方法ならびにこれらの製造方法により製造可能な電極構造およびセンサ電極に関するものである。
以下、本発明の電極構造の製造方法、センサ電極の製造方法、電極構造およびセンサ電極について詳細に説明する。

Ａ．電極構造の製造方法
まず、本発明の電極構造の製造方法について説明する。
本発明の電極構造の製造方法は、絶縁層および第２めっき下地層を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、上記パターン下地層の表面に配置された第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成される電極構造の製造方法であって、第１電極層を形成した後、第２電極層を形成する態様（第１実施態様）と、第１電極層および第２電極層を同時に形成する態様（第２実施態様）と、に大別することができる。
以下、本発明の電極構造の製造方法について各実施態様に分けて説明する。

Ｉ．第１実施態様
本発明の電極構造の製造方法の第１実施態様は、上述の電極構造の製造方法であって、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、を有する電極層付基板を準備する準備工程と、上記電極層付基板の上記第１電極層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程と、上記パターン下地層の上記第２めっき下地層表面に、無電解めっき法により第２電極層を形成する無電解めっき工程と、を有し、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、上記パターン下地層の表面に配置された上記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されることを特徴とするものである。

このような本態様の電極構造の製造方法について図を参照して説明する。図１は、本態様の電極構造の製造方法の一例を示す工程図であり、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。
図１および図２に例示するように、本態様の電極構造の製造方法は、絶縁性を有する基材１と、上記基材１の一方の表面に形成された第１電極層２と、を有する電極層付基板を準備し（図１（ａ）および図２（ａ））、上記電極層付基板の上記第１電極層２の表面に、絶縁層３と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層４と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層５を形成し（図１（ｂ）および図２（ｂ））、上記パターン下地層５の上記第２めっき下地層４表面に、無電解めっき法により第２電極層６を形成することにより、上記パターン下地層５から露出した上記第１電極層２により、第１電極１１ａを含む第１電極部１１が形成され、上記パターン下地層５の表面に配置された上記第２電極層６により、第２電極２１ａを含む第２電極部２１が形成された電極構造１０を得るものである（図１（ｃ）および図２（ｃ））。
なお、図１（ａ）および図２（ａ）が準備工程であり、図１（ｂ）および図２（ｂ）がパターン下地層形成工程であり、図１（ｃ）および図２（ｃ）が無電解めっき工程である。

図１および図２では、第１電極層２が、第１電極部１１に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部１３と、第１電極部１１および第１端子部１３を接続する第１配線部１２と、を含むものである。
上記第１電極１１ａは、上記第２電極２１ａと隣接して設けられるものであり、上記第２電極２１ａの櫛歯部２４ａ間の領域も含むものである。
また、図１および図２では、第２電極層６が、第２電極部２１に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部２３と、第２電極部２１および第２端子部２３を接続する第２配線部２２と、を含むものである。
上記第２電極２１ａは、２以上の櫛歯部２４ａとこれらの櫛歯部２４ａを連結する連結部２４ｂとを有する櫛形電極であり、絶縁層３および第２めっき下地層４を介して第１電極１１ａ上に形成されるものである。

本発明によれば、上記パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を用いて、第２電極層を無電解めっき法により形成することにより、高精細なパターン形状の第２電極層を容易に得ることができる。
また、上記第２電極層を形成する無電解めっき材料として貴金属材料を用いた場合には、貴金属材料を上記めっき下地層が形成された箇所のみに付着させて第２電極層を形成することができ、貴金属材料の使用量を低減することができる。
また、第１電極および第２電極は、絶縁層と介して積層配置されるものであるため、絶縁層の厚みを薄くすることで、第１電極および第２電極を容易に近接配置できる。このような近接配置された２つの上記電極を有することにより、高感度なセンサとして使用可能な電極構造を容易に得ることができる。例えば、上記第１電極および上記第２電極をそれぞれセンサ電極の第１作用極および第２作用極として用いた場合には、上記電極構造は、検出される電流値を効率的に増幅可能なセンサ電極として使用可能となる。

本態様の電極構造の製造方法は、準備工程、パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を有するものである。
以下、本態様の電極構造の製造方法の各工程について詳細に説明する。

１．準備工程
本態様における準備工程は、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、を有する電極層付基板を準備する工程である。

（１）電極層付基板
本工程により形成される電極層付基板は、上記基材および上記第１電極層を有するものである。

（ａ）基材
本工程における基材は、絶縁性を有するものである。
また、上記基材は、上記第１電極層、上記絶縁層、上記第２めっき下地層および上記第２電極層等を支持するものである。
ここで、絶縁性を有するとは、上記基材表面に離間して設けられた２つの電極同士の短絡を防ぐことが可能なものであればよい。上記基材の体積抵抗値としては、例えば、１×１０^１２Ω・ｍ以上とすることができる。なお、上記体積抵抗値は、ＪＩＳＫ９６１１に準じた測定方法により求めることができる。
このような基材としては、例えば、樹脂基材、紙、セラミック基材、ガラス基材、少なくとも表面が絶縁された半導体基材や金属基材等を用いることができる。上記基材は、剛性を有していてもよく、弾性を有していてもよい。中でも、上記基材は、弾性を有することが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン（ＰＳ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）, ポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ）等のフィルムを好適に用いることができる。
なお、基材は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよい。また、基材の透明性の有無は問わない。

上記基材は、上記めっき下地層の構成材料との濡れ性や密着性等を向上させることを目的として、上記基材表面に処理や修飾を施してもよい。例えば、上記処理および修飾としては、コロナ処理、ＵＶ処理、防曇処理、スルホン酸基や硫酸基を有する材料のコーティングによる修飾等を挙げることができる。

上記基材の形状、大きさ、厚さ等は、本態様の電極構造を使用する測定機器の接続部の形状等により、適宜設定することができる。

（ｂ）第１電極層
本工程により形成される第１電極層は、上記基材の一方の表面に形成されるものである。
また、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成されるものである。

（ｉ）第１電極層の構成材料
本工程により形成される第１電極層の構成材料としては、所望の導電性を有する第１電極層を形成可能なものであればよく、例えば、バイオセンサ等のセンサ電極等において作用極の形成に用いられる材料を用いることができる。
このような構成材料としては、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、非腐食性を有する貴金属材料（以下、単に貴金属材料と称する場合がある。）および上記貴金属材料以外のその他の金属材料等を用いることができる。
本工程においては、なかでも、上記第１電極層が上記貴金属材料を主成分として含むことが好ましい。
上記貴金属材料の上記第１電極層中の含有量としては、具体的には、９０質量％以上であることが好ましく、なかでも、９５質量％以上であることが好ましく、特に９９質量％以上であることが好ましい。上記含有量が上述の範囲内であることにより、上記第１電極層は、耐食性および導電性に優れるものとなるからである。

本工程において、非腐食性を有するとは、試料の測定時に、試料中の水分や、測定時に生成される過酸化水素等による腐食の少ないものであることをいうものである。
このような貴金属材料としては、例えば、金（Ａｕ)、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）を挙げることができる。これらの貴金属材料は、イオン化傾向が小さく電気化学的に安定であるため、水分や過酸化水素等により腐食されにくく、また、高い導電性を有するものであることから、本工程により形成される電極層の構成材料として好適である。本工程においては、なかでも、上記貴金属材料が、パラジウムであることが好ましい。パラジウムは、耐食性および導電性に優れるからである。また、上記貴金属材料がパラジウムであることにより、第１電極層は、安定な参照電極としても使用可能となるからである。

上記その他の金属材料としては、上記貴金属材料以外のものであればよく、例えば、銅、鉄、コバルト、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、セリウム、タンタル、錫等の金属、または、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の上記金属を含む合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の金属化合物等を用いることができる。中でも、ニッケルは、耐食性の観点から好適である。

（ｉｉ）第１電極部
上記第１電極部は、上記第１電極層の上記パターン下地層から露出した部位に形成されるものであり、第１電極を含むものである。
上記第１電極部は、本態様における電極構造をセンサとして用いるときに、試料と接するものである。

上記第１電極部に含まれる第１電極は、試料中の成分との間で電気化学反応を生じる部位である。
上記第１電極は、平面視上、上記第２電極と隣接して設けられるものである。
このような第１電極の平面視形状としては、後述する「４．第１電極および第２電極の平面視形状」の項で説明するので、ここでの説明は省略する。

（ｉｉｉ）第１電極層
上記第１電極層は、上記第１電極部を少なくとも有するものであるが、必要に応じてその他の構成を有するものであってもよい。
上記第１電極層は、例えば、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部、上記第１電極部および上記第１端子部を接続する第１配線部等を有するものとすることができる。
上記第１端子部が接続される測定装置については、本態様の製造方法により製造される電極構造の用途等により異なるものであるが、一般に電気化学測定に使用される装置を用いることができ、例えばポテンショスタット、電流増幅器、これらと同等の機能を持つ装置を挙げることができる。これらの装置は、例えば、上記電極構造で生じた電気信号を受信するための接続電極、演算部、電源、表示部および操作部等を備えるものを挙げることができる。
上記第１端子部および上記第１配線部の平面視形状については、一般的な配線基板に用いられるものと同様とすることができる。例えば、上記第１端子部の平面視形状としては円形状、長方形状、正方形状等の多角形状、円形状等とすることができる。

上記第１電極層の厚みは、所望の導電性を有する第１電極層を形成可能なものであれば良く、例えば０．００５μｍ以上１μｍ以下の範囲内であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．２０μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。上記厚みが上述の範囲内であることにより、上記第１電極層は、導電性に優れたものとなるからである。
なお、上記第１電極層の厚みは、具体的には、図２（ｃ）中のｅで示されるものである。

上記第１電極層の基材に対する形成箇所は、上記基材の一方の表面の全表面を覆うように形成されるものであっても良く、上記基材の一方の表面にパターン状に形成されるものであっても良い。

（２）電極層付基板の準備方法
本工程における電極層付基板の準備方法としては、上記基材の一方の表面に上記第１電極層を形成できる方法であればよい。
ここで、基材の全表面を覆うように第１電極層を形成する方法としては、一般的な成膜方法を用いることができ、例えば、めっき、ラミネート、金属蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、金属膜を接着層を介して貼り合わせる方法等の公知の成膜方法が挙げられる。
上記第１電極層を基材の一方の表面にパターン状に形成する方法としては、上記第１電極層を所望の厚みおよびパターン形状で形成できる方法であればよく、例えば、基材の一方の表面に上記第１電極層の構成材料を用いて形成された第１電極層形成膜を製膜し、次いでパターニングする方法が挙げられる。
上記第１電極層形成膜の成膜方法としては、上述の成膜方法を用いることができる。また、上記パターニング方法としては、フォトリソグラフィ法、レーザーアブレーション等の公知の方法が挙げられる。
また、パターン状の第１電極層の形成方法としては、第１電極層の形成箇所に開口部を有するマスク層または第１電極層の形成箇所に形成され第１電極層を密着可能な密着層を形成した後、上記第１電極層の構成材料を用いて形成された第１電極層形成膜を製膜する方法も用いることができる。
上記マスク層としては、フォトレジスト、印刷層、メタルマスク、水性インク層等を挙げることができる。また、上記密着層としてはめっき下地等を挙げることができる。
また、形成箇所のパターニング後に、第１電極層形成膜を製膜する方法としては、上述の成膜方法を用いることができる。
なお、上記形成方法がマスク層等を形成した後製膜する方法である場合には、必要に応じて、マスク層と共に不要な第１電極層形成膜を除去する処理を行っても良い。
めっき下地層を形成する方法おびよめっきにより第1電極層を形成する方法については、公知の方法を用いることができ、例えば、後述する「２．パターン下地層形成工程」および「３．無電解めっき工程」の項に記載の方法を用いることができる。

２．パターン下地層形成工程
本態様におけるパターン下地層形成工程は、上記電極層付基板の上記第１電極層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成する工程である。
なお、上記電極層付基板については、上記「１．準備工程」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
また、上記電極層付基板の上記第１電極層の表面に、パターン下地層を形成するとは、少なくとも上記第１電極層の一部を覆うようにパターン下地層が形成されることをいうものであり、平面視上第１電極層が形成されていない基材表面にもパターン下地層が形成されるものも含むものである。

（１）パターン下地層
本工程により形成されるパターン下地層は、上記絶縁層と、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたものである。

（ａ）絶縁層
上記絶縁層は、絶縁性を有するものである。
上記絶縁層は、上記基材の一方の表面に形成されるものである。

ここで、絶縁性を有するとは、上記第１電極層および上記第２電極層の間の短絡を防止できるものであれば特に限定されるものではなく、上記「１．準備工程」の「（１）電極層付基板」の「（ａ）基材」の項に記載の内容と同様とすることができる。
このような絶縁層の構成材料としては、所望の絶縁性を有する絶縁層を形成可能なものであれば特に限定されるものではなく、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂の硬化物を用いることができる。
本工程においては、なかでも、上記硬化性樹脂が光硬化性樹脂であることが好ましい。上記硬化性樹脂が光硬化性樹脂であることにより、上記第２めっき下地層の形成時に上記硬化性樹脂を含む絶縁層形成膜に対して光照射することにより絶縁層形成膜を硬化することができ、フォトリソグラフィ法によりパターン形状の絶縁層を容易に形成可能となると共に、上記基材等が熱による劣化の少ないものとなるからである。

上記熱硬化性樹脂としては、例えば、メラミン樹脂、ポリエステル−メラミン樹脂、エポキシ−メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型アクリル樹脂、熱硬化型ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリエステル樹脂等の樹脂を挙げることができる。

上記光硬化性樹脂としては、光照射により架橋等の反応により重合硬化するモノマー（単量体）、或いはプレポリマーやオリゴマーが用いられる。
上記モノマーとしては、例えば、ラジカル重合性モノマー、具体的には、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の各種（メタ）アクリレートが挙げられる。
また、上記プレポリマーまたはオリゴマーとしては、例えば、ラジカル重合性プレポリマー、具体的には、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、トリアジン（メタ）アクリレート、等の各種（メタ）アクリレートプレポリマー、トリメチロールプロパントリチオグリコレート、ペンタエリスリトールテトラチオグリコレート等のポリチオール系プレポリマー、不飽和ポリエステルプレポリマー等が挙げられる。
なお、（メタ）アクリレートは、アクリレート又はメタクリレートを示すものである。

上記絶縁層の厚みとしては、上記第１電極層および上記第２電極層の間の短絡を安定的に防止できるものであれば良い。
このような絶縁層の厚みは、上記第２電極層の厚みより厚いことが好ましい。上記厚みが上述の範囲内であることにより、上記絶縁層は、第１電極層および第２電極層の短絡を安定的に抑制できるからである。
上記絶縁層の厚みは、より具体的には、０．２μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましく、なかでも１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、特に、１μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。上記厚みが上述の範囲内であることにより、上記電極構造は、出力電流が大きく高感度なセンサとして使用可能なものとなるからである。

（ｂ）第２めっき下地層
本工程により形成される第２めっき下地層の構成材料は、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含むものである。
上記第２めっき下地層は、上記絶縁層の上記第１電極層と反対側の表面に形成されるものである。

（ｉ）無電解めっき用触媒核
本工程における無電解めっき用触媒核（以下、単に触媒核と称する場合がある。）は、上記第２電極層を無電解めっき法で形成可能なものである。

上記触媒核の構成材料としては、例えば、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、プラチナ（Ｐｔ）等の貴金属材料を挙げることができる。
本工程においては、なかでも、上記構成材料がパラジウムであることが好ましい。パラジウムは、無電解めっき法による第２電極層の形成が容易だからである。

上記触媒核の上記第２めっき下地層中の含有量としては、上記第２電極層を無電解めっき法で形成可能なものであればよく、例えば、０．０５質量％〜１０質量％の範囲内とすることができる。
上記触媒核は、触媒担持体の表面に担持させた状態で用いられるものであっても良い。
上記触媒担持体としては、触媒機能を妨げず、担持体の表面から触媒微粒子が容易に脱落しないようなものであれば特に制限はなく、例えば、微細アルミナゲル、シリカゲル等を用いることができる。担持させる方法としては、コロイドの表面吸着を利用する方法、メカノケミカル反応を利用した方法、蒸着やスパッタリング等の物理的方法等を挙げることができる。

（ｉｉ）バインダ樹脂
本工程におけるバインダ樹脂は、上記触媒核を保持するものである。
このようなバインダ樹脂としては、上記触媒核を安定的に保持し分散可能なものであり、無電解めっき液に対する耐性があれば特に制限はないが、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂の硬化物を用いることができる。
本工程においては、なかでも、上記硬化性樹脂が光硬化性樹脂であることが好ましい。上記硬化性樹脂が光硬化性樹脂であることにより、上記第２めっき下地層の形成時に上記硬化性樹脂を含むめっき下地層形成膜に対して光照射することによりめっき下地層形成膜を効果することができ、フォトリソ法によりパターン形状の第２めっき下地層を容易に形成可能となると共に、上記基材等が熱による劣化の少ないものとなるからである。
なお、上記熱硬化性樹脂および上記光硬化性樹脂については、上記「（ａ）絶縁層」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

（ｉｉｉ）その他
本工程により形成される第２めっき下地層の厚みとしては、上記第２電極層を無電解めっき法により安定的に形成可能なものであればよく、例えば、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内とすることができ、なかでも、２０nｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。上記厚みが上述の範囲内であることにより、上記第２めっき下地層は、上記第２電極層を無電解めっき法により安定的に形成可能となるからである。

（２）パターン下地層の形成方法
本工程におけるパターン下地層の形成方法は、上記積層体を所望のパターン形状に形成可能な方法であればよい。
このようなパターン下地層の形成方法としては、例えば、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に、絶縁層形成膜と、第２めっき下地層形成膜と、をこの順で積層する積層工程と、上記絶縁層形成膜および上記第２めっき下地層形成膜の両者を、フォトリソグラフィ法によりパターン形状にパターニングするパターニング工程とを有する態様（第１ａ態様）と、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に、パターン形状の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、第２めっき下地層形成膜を、上記絶縁層の上記第１電極層とは反対側の表面に転写する転写工程とを有する態様（第１ｂ態様）と、を挙げることができる。
以下、上記形成方法について各態様に分けて説明する

（ａ）第１ａ態様
上記形成方法の第１ａ態様は、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に、絶縁層形成膜と、第２めっき下地層形成膜と、をこの順で積層する積層工程と、上記絶縁層形成膜および上記第２めっき下地層形成膜の両者を、フォトリソグラフィ法によりパターン形状にパターニングするパターニング工程とを有する態様である。
上記形成方法の第１ａ態様としては、例えば、図３に例示するように、上記基材１の一方の表面に第１電極層２が形成された電極層付基板を準備し（図３（ａ））、上記電極層付基板の上記第１電極層２の上記基材１とは反対側の表面に、絶縁層形成膜３ａと、第２めっき下地層形成膜４ａと、をこの順で積層し（図３（ｂ））、上記絶縁層形成膜３ａおよび上記第２めっき下地層形成膜４ａの両者に露光光Ｌを照射し（図３（ｃ））、現像することでパターン形状にパターニングすることにより、絶縁層３と第２めっき下地層４とを有する積層体がパターン形状に形成されたパターン下地層５を形成する方法を挙げることができる（図３（ｄ））。
なお、図３（ａ）が上記準備工程であり、図３（ｂ）が積層工程であり、図３（ｃ）および（ｄ）がパターニング工程である。

（ｉ）積層工程
本態様における積層工程は、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に、絶縁層形成膜と、第２めっき下地層形成膜と、をこの順で積層する工程である。

ａ．絶縁層形成膜
上記絶縁層形成膜は、上記絶縁層を形成可能なものである。
上記絶縁層形成膜は、上記パターニング工程においてフォトリソグラフィ法によりパターニング可能なものである。
このような絶縁層形成膜としては、例えば、光硬化性樹脂を含むものを用いることができる。また、この場合、上記絶縁層は、上記光硬化性樹脂の硬化物を含むものとなる。
なお、上記光硬化性樹脂としては、上記「（１）パターン下地層」の「（ａ）絶縁層」の項に記載の内容と同様とすることができる。

上記絶縁層形成膜を上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に形成する形成方法としては、一般的な成膜方法を用いることができ、上記絶縁層形成膜の構成材料を溶媒に分散または溶解させた絶縁層形成膜用組成物を上記第１電極層上に塗布する方法、フィルム状の絶縁層形成膜を形成し、上記絶縁層形成膜を上記第１電極層にラミネートする方法等を挙げることができる。上記形成方法は、必要に応じて、上記絶縁層形成膜用組成物を塗布した後に、溶媒を除去する乾燥処理を行うものであっても良い。
絶縁層形成膜用組成物を塗布する塗布方法としては、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面を覆うように絶縁層形成膜用組成物を塗布可能な方法であればよく、ダイコート法、ロールコート法等を挙げることができる。

ｂ．第２めっき下地層形成膜
上記第２めっき下地層形成膜は、上記第２めっき下地層を形成可能なものである。
上記第２めっき下地層形成膜は、上記パターニング工程においてフォトリソグラフィ法によりパターニング可能なものである。
このような第２めっき下地層形成膜としては、上記無電解めっき用触媒核および光硬化性樹脂を含むものを用いることができる。また、この場合、上記第２めっき下地層は、上記バインダ樹脂として上記光硬化性樹脂の硬化物を含むものとなる。
なお、上記無電解めっき用触媒核および上記光硬化性樹脂としては、上記「（１）パターン下地層」の「（ｂ）第２めっき下地層」の項に記載の内容と同様とすることができる。
また、上記第２めっき下地層形成膜は、必要に応じて、添加剤を含むものとすることができる。上記添加剤としては、上記絶縁層形成膜に用いられる添加剤と同様とすることができる。
上記第２めっき下地層形成膜の形成方法としては、一般的な成膜方法を用いることができ、上記絶縁層形成膜の形成方法と同様とすることができる。

ｃ．積層工程
本工程における絶縁層形成膜と第２めっき下地層形成膜と、をこの順で積層する積層方法としては、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に、絶縁層形成膜および第２めっき下地層形成膜がこの順で積層した積層体を形成可能な方法であれば特に限定されるものではなく、上記第１電極層上に、上記絶縁層形成膜を形成した後、上記絶縁層形成膜の上記第1電極層とは反対側の表面に、上記第２めっき下地層形成膜を形成する方法を挙げることができる。

（ｉｉ）パターニング工程
本態様におけるパターニング工程は、上記絶縁層形成膜および上記第２めっき下地層形成膜の両者を、フォトリソグラフィ法によりパターン形状にパターニングする工程である。
本工程におけるフォトリソグラフィ法としては、露光処理および現像処理により、上記絶縁層形成膜および上記第２めっき下地層形成膜の両者を、所望のパターン形状にパターニングできる方法であれば良く、一般的なフォトリソグラフィ法によるパターニング方法を用いることができる。上記フォトリソグラフィ法によるパターニング方法としては、例えば、上記絶縁層形成膜および上記第２めっき下地層形成膜を含む積層体に対してマスクを介してパターン形状に露光することで硬化し、上記絶縁層形成膜および上記第２めっき下地層形成膜の未硬化部分を現像により除去する方法を挙げることができる。
上記マスクとしては、フォトリソグラフィ法に一般的に使用されるものを用いることができ、例えば、光透過部および遮光部を有するマスクであって、上記第２電極層のパターン形状と同一のパターン形状の光透過部を有するフォトマスク等を用いることができる。
フォトリソグラフィ法による上記絶縁層形成膜および上記第２めっき下地層形成膜の露光方法および現像方法としては、一般的なフォトリソグラフィ法の露光方法および現像方法を用いることができる。

（ｂ）第１ｂ態様
上記形成方法の第１ｂ態様は、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に、パターン形状の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、第２めっき下地層形成膜を、上記絶縁層の上記第１電極層とは反対側の表面に転写する転写工程とを有する態様である。
上記形成方法の第１ｂ態様としては、例えば、図４に例示するように、上記基材１の一方の表面に第１電極層２が形成された電極層付基板を準備し（図４（ａ））、上記第１電極層２の上記基材１とは反対側の表面に、パターン形状の絶縁層３を形成し（図４（ｂ））、支持基材３１および支持基材３１の一方の表面に形成され、上記第２めっき下地層の構成材料を用いて形成された第２めっき下地層形成膜４ａを有するめっき下地層転写基板を準備し、上記めっき下地層転写基板の上記第２めっき下地層形成膜４ａを上記絶縁層３と接触Ｐ１させることにより、上記第２めっき下地層形成膜４ａを転写し（図４（ｃ））、次いで、めっき下地層転写基板を上記絶縁層３から剥離Ｐ２することで、第２めっき下地層４を形成する方法を挙げることができる（図４（ｄ））。
なお、図４（ａ）が上記準備工程であり、図４（ｂ）が絶縁層形成工程であり、図４（ｃ）および（ｄ）が転写工程である。

（ｉ）絶縁層形成工程
本態様における絶縁層形成工程は、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に、パターン形状の絶縁層を形成する工程である。
本工程において、上記絶縁層を形成する方法としては、所望のパターン形状の絶縁層を精度よく形成可能な方法であれば良く、例えば、上記絶縁層が硬化性樹脂の硬化物である場合には、上記硬化性樹脂を含む絶縁層形成膜を、印刷法によりパターン形状に形成し、次いで、パターン形状の上記絶縁層形成膜を硬化させる方法、上記絶縁層が光硬化性樹脂の硬化物を含む場合には、上記光硬化性樹脂を含む絶縁層形成膜を形成し、次いで、上記絶縁層形成膜をフォトリソグラフィ法によりパターン形状にパターニングする方法等を挙げることができる。

上記印刷法としては、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット法等を挙げることができる。
本工程においては、上記印刷法が、グラビアオフセット印刷法であることが好ましい。グラビアオフセット印刷法は、上記絶縁層形成膜を高精細に印刷することが容易だからである。

印刷法により形成されたパターン形状の上記絶縁層形成膜の硬化方法としては、絶縁層形成膜に含まれる上記硬化性樹脂が光硬化性樹脂である場合には、光照射を行う方法を用いられ、上記硬化性樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、加熱する方法を用いることができる。また、光照射の方法および加熱する方法については、一般的な光硬化性樹脂および熱硬化性樹脂の硬化方法と同様とすることができる。

なお、上記絶縁層形成膜、上記絶縁層形成膜の形成方法および上記絶縁層形成膜をフォトリソグラフィ法によりパターン形状にパターニングする方法については、上記「（ａ）第１ａ態様」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

（ｉｉ）転写工程
本態様における転写工程は、第２めっき下地層形成膜を、上記絶縁層の上記第１電極層とは反対側の表面に転写する工程である。
本工程における第２めっき下地層形成膜を、上記絶縁層の上記第１電極層とは反対側の表面に転写する方法としては、上記絶縁層の上記第１電極層とは反対側の表面に所望の厚みの第２めっき下地層を形成可能な方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、支持基材および支持基材の一方の表面に形成され、上記第２めっき下地層の構成材料を用いて形成された第２めっき下地層形成膜を有するめっき下地層転写基板を準備し、上記めっき下地層転写基板の上記第２めっき下地層形成膜をパターン状の上記絶縁層と接触させた後、めっき下地層転写基板を上記絶縁層から剥離する方法を挙げることができる。

上記支持基材としては、上記第２めっき下地層形成膜を安定的に支持することができるものであればよく、絶縁性を有するものであっても、導電性を有するものであっても良い。絶縁性を有する支持基材としては、具体的には、上記「１．準備工程」の「（１）電極層付基板」の「（ａ）基材」の項に記載の基材と同様とすることができる。

上記第２めっき下地層形成膜は、支持基材の一方の表面に形成され、上記第２めっき下地層を形成可能なものである。また、上記第２めっき下地層形成膜は、上記絶縁層の上記第１電極層とは反対側の表面に転写可能なものである。
このような第２めっき下地層形成膜としては、上記無電解めっき用触媒核および上記バインダ樹脂を含み、さらにこれらを分散または溶解する溶媒を含むものを用いることができる。
なお、上記無電解めっき用触媒核および上記バインダ樹脂の構成材料および含有量等については上記「（１）パターン下地層」の「（ｂ）第２めっき下地層」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

上記溶媒については、上記無電解めっき用触媒核および上記バインダ樹脂を安定的に分散または溶解できるものであればよく、これらの構成材料等に応じて適宜設定されるものである。
また、上記第２めっき下地層形成膜の固形分の濃度については、本工程により絶縁層の表面に転写される第２めっき下地層形成膜の厚み等に応じて適宜設定されるものである。

上記第２めっき下地層形成膜は、無電解めっき用触媒核、バインダ樹脂および溶媒を含むものであるが、必要に応じて添加剤を含むものであっても良い。上記添加剤としては、上記「（ａ）第１ａ態様」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

上記第２めっき下地層形成膜を上記絶縁層と接触させる際の圧力、接触時間、接触する上記第２めっき下地層形成膜の温度等については、絶縁層の表面に転写される第２めっき下地層形成膜の厚み等に応じて適宜設定されるものである。

本工程は、上記絶縁層の上記第１電極層とは反対側の表面に転写された第２めっき下地層形成膜に含まれる溶媒を除去する乾燥処理を行うものであっても良い。

（３）パターン下地層のパターン形状
本工程により形成されるパターン下地層は、上記積層体がパターン状に形成されているものである。
ここで、パターン状に形成されるとは、上記無電解めっき工程により、所望のパターン形状の第２電極層を形成可能なものであればよく、上記第２電極層のパターン形状と同一のパターン形状に形成されるものとすることができる。
また、上記第２電極層のパターン形状と同一のパターン形状に形成されるとは、上記パターン下地層および上記第２電極層の平面視上のパターン形状が完全に同一であるものに限定されず、上記無電解めっき工程で上記第２めっき下地層の表面に上記第２電極層を形成する際に、上記第２めっき下地層の側面にも第２電極層が形成されること等により生じる誤差を有するものも含むものである。上記第２電極層のパターン形状と同一のパターン形状のパターン下地層であるとは、より具体的には、上記第２電極層の平面視面積に対する上記第２電極層および上記パターン下地層に含まれる絶縁層が平面視上重なる面積の割合（平面視上重なる面積／第２電極層の平面視面積×１００（単位％））と、上記第２電極層の平面視面積に対する上記第２電極層および上記パターン下地層に含まれる第２めっき下地層が平面視上重なる面積の割合と、が、それぞれ、８０％〜１００％の範囲内であるものとすることができる。

本態様においては、上記第２めっき下地層の平面視面積に対する上記第２めっき下地層および上記絶縁層が平面視上重なる面積の割合（平面視上重なる面積／第２めっき下地層の平面視面積×１００（単位％））と、上記絶縁層の平面視面積に対する上記第２めっき下地層および上記絶縁層が平面視上重なる面積の割合（平面視上重なる面積／絶縁層の平面視面積×１００（単位％））と、が、それぞれ、８０％〜１００％の範囲内であることが好ましく、なかでも、９０％〜１００％の範囲内であることが好ましく、特に、１００％であることが好ましい。上記割合が上述の範囲内であることにより、上記パターン下地層の形成が容易となるからである。

また、上記第２電極層のパターン形状は、上記第２電極層が有する構成によって異なるものであり、上記第２電極層が第２電極を含む第２電極部を有する場合には、上記第２電極部を含む平面視形状とすることができる。また、上記第２電極層が、上記第２電極部、第２端子部および第２配線部を有する場合には、これらの平面視形状を含むものとすることができる。
なお、上記第２電極部に含まれる第２電極の平面視形状としては、後述する「４．第１電極および第２電極の平面視形状」の項で説明するので、ここでの説明は省略する。
また、上記第２端子部および第２配線部の平面視形状については、後述する「３．無電解めっき工程」の「（１）第２電極層」の項で説明するので、ここでの説明は省略する。

３．無電解めっき工程
本態様における無電解めっき工程は、上記パターン下地層の上記第２めっき下地層表面に、無電解めっき法により第２電極層を形成する工程である。

（１）第２電極層
本工程により形成される第２電極層は、上記パターン下地層の表面に配置されるものである。
上記パターン下地層の表面に配置された第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されるものである。

（ａ）第２電極層の構成材料
本工程により形成される第２電極層の構成材料としては、上記第２めっき下地層表面に無電解めっき法により第２電極層を形成可能なものであればよく、一般的な無電解めっき材料を用いることができる。
上記無電解めっき材料としては、所望の耐食性および導電性を有するものであれば良く、例えば、非腐食性を有する貴金属材料および貴金属材料以外の他の金属材料を用いることができる。
本工程においては、なかでも、上記無電解めっき材料が上記貴金属材料を含むことが好ましく、特に、上記無電解めっき材料が上記貴金属材料を主成分として含むことが好ましい。
上記貴金属材料、その他の金属材料および上記貴金属材料の上記第２電極層中の含有量としては、具体的には、上記「１．準備工程」の「（１）電極層付基板」の「（ｂ）第１電極層」の項に記載の貴金属材料、その他の金属材料および上記第１電極層中の含有量と同様とすることができる。

（ｂ）第２電極部
本工程における第２電極部は、上記第２電極を含むものである。
上記第２電極部は、本態様における電極構造をセンサとして用いるときに、試料と接するものである。

上記第２電極は、試料中の成分との間で電気化学反応を生じる部位である。
このような第２電極の平面視形状としては、本態様の電極構造の種類および用途等に応じて異なるものであるが、例えば、櫛形形状、櫛型形状以外の形状等とすることができる。
このような第２電極の平面視形状としては、後述する「４．第１電極および第２電極の平面視形状」の項で説明するので、ここでの説明は省略する。

（ｃ）第２電極層
上記第２電極層は、上記第２電極部を少なくとも有するものであるが、必要に応じて、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部、上記第２電極部および上記第２端子部を接続する第２配線部を有するものであっても良い。
このような第２端子部および第２配線部については、一般的な配線基板に用いられるものと同様とすることができ、上記「１．準備工程」の「（１）電極層付基板」の「（ｂ）第１電極層」の項に記載の第１端子部および第１配線部と同様とすることができる。

本工程により形成される第２電極層の厚みとしては、所望の導電性を有する第２電極層とすることができるものであればよく、例えば、上記「１．準備工程」の「（１）電極層付基板」の「（ｂ）第１電極層」の項に記載の第１電極層の厚みと同様とすることができる。
なお、上記第２電極層の厚みは、具体的には、図２（ｃ）中のｆで示されるものである。

（２）無電解めっき法により第２電極層を形成する方法
本工程における上記第２めっき下地層の表面に、無電解めっき法により上記第２電極層を形成する方法としては、所望の厚みの第２電極層を形成可能な方法であればよく、上記第２電極層を構成可能な無電解めっき液を上記パターン下地層形成工程により形成された第２めっき下地層と接触させる方法を用いることができる。

上記無電解めっき液としては、所望の厚みの第２電極層を形成可能なものであればよく、当該技術分野において公知のものを用いることができる。
上記無電解めっき液としては、上記第２電極層が後述する無電解めっき材料を含む場合には、例えば、無電解めっき材料イオンの供給源としての無電解めっき材料化合物、無電解めっき材料イオンの錯化剤、還元剤及びｐＨ調整剤を含み、必要に応じて各種添加剤を含むものを挙げることができる。
上記第２電極層が無電解めっき材料として、非腐食性の貴金属材料であるパラジウムを含む場合、無電解めっき材料化合物として塩化パラジウム、酢酸パラジウム等のパラジウム化合物を含むことができる。また、上記錯化剤としてエチレンジアミン四酢酸などのアミン化合物を用いることができ、上記還元剤として次亜リン酸や亜リン酸等のリン含有化合物またはホウ素含有化合等を用いることができる。
なお、無電解めっき法により第２電極層を形成した場合には、通常、第２電極層は、上記無電解めっき材料と還元剤との合金を含む。このため、上記第２電極層における無電解めっき材料の含有量が所望のものとなるように、上記還元剤の濃度、ｐＨ、めっき温度等を調整することが好ましい。

上記無電解めっき液を第２めっき下地層と接触させる際の温度条件、めっき時間については、用いる無電解めっき液の種類および第２電極層の厚み等に応じて適宜設定されるものである。

（３）めっき被膜層
本工程は、上記パターン下地層の上記第２めっき下地層表面に、無電解めっき法により第２電極層を形成する工程であるが、これと同時に、上記第１電極層の表面にめっき被膜層を形成するものであってもよい。
なお、上記めっき被膜層の構成材料およびその厚みについては、上記第２電極層と同様とすることができる。

４．第１電極および第２電極の平面視形状
本態様における第１電極は、上記パターン下地層から露出した第１電極層により形成されるものであり、上記第２電極は、上記パターン下地層の表面に形成された上記第２電極層により、形成されるものである。

上記第２電極の平面視形状は、上述のように本態様の電極構造の種類および用途等に応じて異なるものであるが、例えば、櫛形形状、櫛型形状以外の形状等とすることができる。

上記櫛形形状としては、既に説明した図１および図２に示すように、少なくとも２以上の櫛歯部と、これらの櫛歯部を連結する連結部と、を有するものとすることができる。
本態様によれば、上記第２電極の平面視形状が櫛形形状であることにより、上記第１電極および上記第２電極間の境界の長さを長いものとすることが容易である。したがって、上記第２電極の平面視形状が櫛形形状であることにより、本態様の製造方法は、高感度なセンサとなる電極構造を容易に得ることができる。

上記櫛歯部の幅としては、所望の感度のセンサとすることができるものであれば特に限定されるものではないが、０．５μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましく、なかでも、５μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。上記幅が上述の範囲内である場合、上記第２電極層を形成するためのパターン下地層の形成が容易だからである。
なお、上記櫛歯部の幅は、具体的には、図１（ｃ）中のａで示されるものである。

上記櫛歯部の長さとしては、本態様の製造方法により製造される電極構造の用途等に応じて異なるものであるが、２００μｍ〜５０００μｍの範囲内とすることができる。
上記櫛歯部の本数としては、本態様の製造方法により製造される電極構造の用途等に応じて異なるものであるが、１つの櫛形電極当たりに、２本〜２００本の範囲内とすることができる。
隣接する上記櫛歯部間の幅としては、本態様の製造方法により製造される電極構造の用途等に応じて異なるものであるが、０．５μｍ〜２０μｍの範囲内とすることができる。
上記連結部の幅としては、本態様の製造方法により製造される電極構造の用途等に応じて異なるものであるが、１０μｍ〜５０００μｍの範囲内とすることができる。
なお、上記櫛歯部の長さ、隣接する上記櫛歯部間の幅、および上記連結部の幅は、具体的には、図１（ｃ）中のｂ、ｃ、ｄで示されるものである。また、既に説明した図１（ｃ）では、１つの櫛形電極当たりの櫛歯部の本数が４本である例を示すものである。

上記櫛型形状以外の形状としては、例えば、図５、図６および図７に示すように、渦巻形状、同心円形状およびつづら折り形状等を挙げることができる。
図６は、同心円形状の同心円電極として、直径の異なる複数の円形状の電極２６ａを有し、円形状の電極２６ａ同士が接続配線部２６ｂによって接続される例を示すものである。
また、図６は、円形状の電極２６ａに切欠き部２６ｃが形成される例を示すものであるが、円形状の電極は切欠き部が形成されないものであっても良い。
なお、図５〜図７中の符号については、図１および図２のものと同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。

本態様によれば、上記第２電極の平面視形状が渦巻形状、同心円形状またはつづら折り形状等であることにより、上記第１電極および上記第２電極間の境界の長さを長いものとすることが容易である。したがって、上記第２電極の平面視形状が渦巻形状等であることにより、本態様の製造方法は、高感度なセンサとなる電極構造を容易に得ることができる。

上記渦巻電極、上記同心円電極に含まれる円形状の電極、およびつづら折り電極の幅については、所望の感度のセンサとすることができるものであれば特に限定されるものではないが、上記櫛歯部の幅と同様とすることができる。
なお、上記渦巻電極、上記円形状の電極、およびつづら折り電極の幅は、具体的には、図５〜図７中のｇで示されるものである。
幅方向に隣接する渦巻電極間、円形状の電極間およびつづら折り電極間の幅については、所望の感度のセンサとすることができるものであれば特に限定されるものではないが、隣接する上記櫛歯部間の幅と同様とすることができる。
また、上記幅方向に隣接する渦巻電極間、円形状の電極間およびつづら折り電極間の幅は、具体的には、図５〜図７中のｈで示されるものである。

上記第１電極は、平面視上、上記第２電極と隣接して設けられるものである。したがって、第１電極は、第１電極および第２電極間の境界を有するように形成されるものである。
このような第１電極の平面視形状は、本態様における電極構造を高感度なセンサとして使用可能とする観点から、平面視上、第１電極および第２電極間の境界の長さが長くなる形状であることが好ましく、なかでも、第１電極が平面視上第２電極をその内部に含む形状であることが好ましい。第１電極および第２電極間の境界の長さを長いものとすることができるからである。
なお、既に説明した図１（ｃ）および図５〜図７は、第１電極１１ａが平面視上第２電極２１ａをその内部に含む形状である例を示すものである。

上記第１電極は、上記パターン下地層から露出した第１電極層により形成されるものであり、上記第１電極が、平面視上第２電極をその内部に含む形状である場合、上記第１電極の平面視形状は、上記第２電極の平面視形状とは反転形状の平面視形状を含むものとなる。
例えば、上記第２電極の平面視形状が櫛形形状である場合には、既に説明した図１（ｃ）に示すように、上記第１電極の平面視形状は、連結部からの櫛歯部の形成方向が上記第２電極における連結部からの櫛歯部の形成方向と逆方向である櫛形形状を含む形状となる。
上記第２電極の平面視形状が渦巻形状である場合には、既に説明した図５に示すように、上記第１電極の平面視形状は、渦巻の方向が逆回転方向の渦巻形状を含む形状となる。
上記第２電極の平面視形状が同心円形状である場合には、既に説明した図６に示すように、上記第１電極の平面視形状は、第２電極に含まれる円形状の電極間に配置される円形状の電極を含む形状となる。

５．その他
本態様の電極構造の製造方法は、準備工程、パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を有するものであるが、必要に応じてその他の工程を有するものであっても良い。
上記その他の工程としては、例えば、後述する「Ｃ．電極構造」の項に記載の保護絶縁層を形成する保護絶縁層形成工程等を挙げることができる。

本態様の製造方法により製造される電極構造の用途としては、様々な測定に使用されるセンサ用電極として用いることができ、具体的には、ｐＨ測定用センサ、ガスセンサ、ＳＡＷフィルタの用途の電極、グルコースセンサ、コレステロールセンサ、アルコールセンサ、スクロールセンサ、乳酸センサ、フルクトースセンサ、エンドトキシンセンサ等のバイオセンサ用途の電極等を挙げることができる。
例えば、上記電極構造をエンドトキシンセンサとして使用する方法としては、上記第１電極および第２電極をそれぞれ第１作用極および第２作用極として使用し、別途用意した参照電極および対極と共に、エンドトキシンの濃度を測定する方法を挙げることができる。

また、上記電極構造を用いて測定される試料としては、例えば血液、唾液、尿等の生体試料や、環境検査、食品検査の製品、廃液等を挙げることができる。

ＩＩ．第２実施態様
本発明の電極構造の製造方法の第２実施態様は、上述の電極構造の製造方法であって、絶縁性を有する基材上に、第１めっき下地層を形成する第１めっき下地層形成工程と、上記第１めっき下地層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程と、上記パターン下地層から露出した上記第１めっき下地層の表面、および上記パターン下地層の上記第２めっき下地層の表面に、無電解めっき法によりそれぞれ第１電極層、および第２電極層を形成する無電解めっき工程と、を有し、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、上記パターン下地層の表面に配置された上記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されることを特徴とするものである。

このような本態様の電極構造の製造方法について図を参照して説明する。図８は、本態様の電極構造の製造方法の一例を示す工程図であり、図９は図８のＢ−Ｂ線断面図である。
図８および図９に例示するように、本態様の電極構造の製造方法は、絶縁性を有する基材１上に、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第１めっき下地層４ｂを形成し（図８（ａ）および図９（ａ））、上記第１めっき下地層４ｂの表面に、絶縁層３と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層４と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層５を形成し（図８（ｂ）および図９（ｂ））、上記パターン下地層５から露出した上記第１めっき下地層４ｂの表面、および上記パターン下地層５の上記第２めっき下地層４の表面に、無電解めっき法によりそれぞれ第１電極層２、および第２電極層６を形成することにより、上記パターン下地層５から露出した上記第１電極層２により、第１電極１１ａを含む第１電極部１１が形成され、上記パターン下地層５の表面に配置された上記第２電極層６により、第２電極２１ａを含む第２電極部２１が形成された電極構造１０を得ることができる（図８（ｃ）および図９（ｃ））。
なお、図８（ａ）および図９（ａ）が第１めっき下地層形成工程であり、図８（ｂ）および図９（ｂ）がパターン下地層形成工程であり、図８（ｃ）および図９（ｃ）が無電解めっき工程である。
また、図８および図９中の符号については、図１および図２のものと同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。

本態様によれば、上記パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を用いて、第２電極層を無電解めっき法により形成することにより、高精細なパターン形状の第２電極層を容易に得ることができる。
本態様の製造方法は、上記第１電極層および上記第２電極層を形成する無電解めっき材料として貴金属材料を用いた場合には、貴金属材料の使用量を低減することができる。
本態様の製造方法は、上記第１電極および第２電極を近接配置することが可能であり、高感度なセンサとして使用可能な電極構造を容易に得ることができる。

本態様の電極構造の製造方法は、第１めっき下地層形成工程、パターン下地層形成工程および無電解めっき工程を有するものである。
以下、本態様の電極構造の製造方法の各工程について詳細に説明する。

１．第１めっき下地層形成工程
本態様における第１めっき下地層形成工程は、絶縁性を有する基材上に、第１めっき下地層を形成する工程である。

（１）第１めっき下地層
本工程により形成される第１めっき下地層は、上記基材の一方の表面に形成されるものである。
上記第１めっき下地層は、上記無電解めっき工程を行うことにより、上記第１電極層を形成可能なものである。
このような第１めっき下地層としては、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む触媒核層、金属薄膜等を挙げることができる。

上記触媒核層としては、上記無電解めっき工程を行うことにより、上記第１電極層を形成可能なものであり、かつ、上記パターン下地層形成工程においてフォトリソグラフィ法を用いて絶縁層形成膜、めっき下地層形成膜をパターニングする際に、絶縁層形成膜およびめっき下地層形成膜の未硬化部分と共に現像されないものであればよい。
このような触媒核層としては、上記「Ｉ．第１実施態様」の「２．パターン下地層形成工程」の「（１）パターン下地層」の「（ｂ）第２めっき下地層」の項に記載の第２めっき下地層と同様とすることができる。

上記金属薄膜の構成材料としては、上記無電解めっき工程を行うことにより、上記第１電極層を形成可能なものであり、かつ、上記パターン下地層形成工程において、現像されないものであればよい。
このような金属薄膜の構成材料としては、上記「Ｉ．第１実施態様」の「３．無電解めっき工程」の無電解めっき材料と同様とすることができる。
上記金属薄膜の厚みとしては、上記無電解めっき工程を行うことにより、上記第１電極層を形成可能なものであればよく、２０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内とすることができる。

上記第１めっき下地層の基材に対する形成箇所は、第１電極層の形成箇所に応じて適宜設定されるものであり、上記基材の一方の表面の全表面を覆うように形成されるものであっても良く、上記基材の一方の表面にパターン状に形成されるものであっても良い。

（２）第１めっき下地層の形成方法
本工程における第１めっき下地層の形成方法は、上記基材の一方の表面に、第１めっき下地層を形成可能な方法であれば良い。

上記形成方法としては、上記第１めっき下地層の種類によって異なるものであるが、上記第１めっき下地層が上記触媒核層である場合には、上記「Ｉ．第１実施態様」の「２．パターン下地層形成工程」の「（２）パターン下地層の形成方法」の「（ａ）第１ａ態様」に記載の第２めっき下地層の形成方法と同様とすることができる。
上記第１めっき下地層が上記金属薄膜である場合には、上記形成方法は、所望の厚みの金属薄膜を形成可能な方法であれば良く、上記「Ｉ．第１実施態様」の「１．準備工程」の「（２）電極層付基板の準備方法」の項に記載の内容と同様とすることができる。

２．パターン下地層形成工程
本態様におけるパターン下地層形成工程は、上記第１めっき下地層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成する工程である。
なお、本工程は、上記パターン下地層が上記第１めっき下地層の上記基材とは反対側の表面に形成されること以外は、上記「Ｉ．第１実施態様」の「２．パターン下地層形成工程」に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

３．無電解めっき工程
本態様における無電解めっき工程は、上記パターン下地層から露出した上記第１めっき下地層の表面、および上記パターン下地層の上記第２めっき下地層の表面に、無電解めっき法によりそれぞれ第１電極層、および第２電極層を形成する工程である。
なお、本工程により形成される第２電極層と、上記第１電極層および上記第２電極層を無電解めっき法により形成する方法と、については、上記「Ｉ．第１実施態様」の「３．無電解めっき工程」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明を省略する。

本工程により形成される第１電極層は、上記パターン下地層から露出した上記第１めっき下地層の表面に、無電解めっき法により形成されるものである。
また、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成されるものである。

本工程により形成される第１電極層の構成材料および厚み等については、本工程により上記第１電極層と同時に形成される第２電極層の構成材料および厚み等と同様とすることができる。
また、本工程により形成される第１電極層に含まれる第１電極部およびその他の構成等については、上記「Ｉ．第１実施態様」の「１．準備工程」に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

４．第１電極および第２電極の平面視形状
本態様における第１電極は、上記パターン下地層から露出した第１電極層により形成されるものであり、上記第２電極は、上記パターン下地層の表面に形成された上記第２電極層により、形成されるものである。
このような第１電極および第２電極の平面視形状については、上記「Ｉ．第１実施態様」の「４．第１電極および第２電極の平面視形状」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

５．その他
本態様の電極構造の製造方法は、第１めっき下地層形成工程、パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を有するものであるが、必要に応じてその他の工程を有するものであっても良い。
上記その他の工程としては、上記「Ｉ．第１実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができる。

本態様の製造方法により製造される電極構造の用途および測定される試料等については、上記「Ｉ．第１実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができる。

Ｂ．センサ電極の製造方法
次に、本発明のセンサ電極の製造方法について説明する。
本発明のセンサ電極の製造方法は、絶縁層および第２めっき下地層を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、上記パターン下地層の表面に配置された第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されるセンサ電極の製造方法であって、第１電極層を形成した後、第２電極層を形成する態様（第３実施態様）と、第１電極層および第２電極層を同時に形成する態様（第４実施態様）と、に大別することができる。
以下、本発明のセンサ電極の製造方法について各実施態様に分けて説明する。

Ｉ．第３実施態様
本発明のセンサ電極の製造方法の第３実施態様は、上述のセンサ電極の製造方法であって、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、を有する電極層付基板を準備する準備工程と、上記電極層付基板の上記第１電極層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程と、上記パターン下地層の上記第２めっき下地層表面に、無電解めっき法により第２電極層を形成する無電解めっき工程と、を有し、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、上記パターン下地層の表面に配置された上記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されることを特徴とするものである。

このような本態様のセンサ電極の製造方法について図を参照して説明する。図１０は、本態様のセンサ電極の製造方法の一例を示す工程図であり、図１１は図１０のＣ−Ｃ線断面図である。
図１０および図１１に例示するように、本態様のセンサ電極の製造方法は、絶縁性を有する基材１と、上記基材１の一方の表面に形成された第１電極層２と、を有する電極層付基板を準備し（図１０（ａ）および図１１（ａ））、上記電極層付基板の上記第１電極層２の表面に、絶縁層３と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層４と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層５を形成し（図１０（ｂ）および図１１（ｂ））、上記パターン下地層５の上記第２めっき下地層４表面に、無電解めっき法により第２電極層６を形成することにより、上記パターン下地層５から露出した上記第１電極層２により、第１作用極３１ａ、参照電極３１ｂおよび対極３１ｃを含む第１電極部１１と、上記第１電極部１１に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部１３と、が形成され、上記パターン下地層５の表面に配置された上記第２電極層６により、第２作用極４１ａを含む第２電極部２１と、上記第２電極部２１に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部２３と、が形成されたセンサ電極３０を得ることができる（図１０（ｃ）および図１１（ｃ））。
なお、図１０（ａ）および図１１（ａ）が準備工程であり、図１０（ｂ）および図１１（ｂ）がパターン下地層形成工程であり、図１０（ｃ）および図１１（ｃ）が無電解めっき工程である。
また、図１０および図１１中の符号については、図１および図２のものと同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。

本態様によれば、上記パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を用いて、第２電極層を無電解めっき法により形成することにより、高精細なパターン形状の第２電極層を容易に得ることができる。
本態様の製造方法は、上記第２電極層を形成する無電解めっき材料として貴金属材料を用いた場合には、貴金属材料の使用量を低減することができる。
本態様の製造方法は、上記第１作用極および第２作用極を近接配置することが可能であり、検出される電流値を効率的に増幅可能なセンサ電極を容易に得ることができる。

本態様の電極構造の製造方法は、準備工程、パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を有するものである。
以下、本態様の電極構造の製造方法の各工程について詳細に説明する。
なお、パターン下地層形成工程については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。

１．準備工程
本態様における準備工程は、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、を有する電極層付基板を準備する工程である。
なお、本工程に用いられる基材および電極層付基板の準備方法については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の項に記載の方法と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

本工程により形成される第１電極層は、上記基材の一方の表面に形成されるものである。
また、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成されるものである。
なお、上記第１電極層の構成材料、第１電極層の厚み、第１端子部、第１端子部および第１電極部を接続する第１配線部等については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

（１）第１作用極
本工程における第１作用極は、上記第２作用極と共に用いられるものである。第１作用極および第２作用極は、それぞれ酸化還元物質の還元体を酸化するための電極と、同じ酸化還元物質の酸化体を還元するための電極として用いられる。そして、第１作用極および第２作用極が近接配置されることで、酸化還元物質の酸化および還元を高頻度で繰り返すことができ、検出される電流値の増幅を図ることができるものである。

このような第１作用極については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の項に記載の第１電極と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

（２）参照電極および対極
本工程における参照電極は、第１作用極および第２作用極の電位を決定する際の基準となる電極である。
また、対極は、第１作用極および第２作用極における電気化学反応が，電気的中性の原理の影響のために滞ることを防ぐために用いられる電極である。
なお、参照電極および対極は、両電極の機能を有する１つの電極である共通電極であっても良い。また、共通電極の測定装置との接続方法としては、上記共通電極を測定装置の参照電極用端子および対極用端子の両方と接続する方法を用いることができる。

上記参照電極および上記対極の平面視形状としては、センサ電極に一般的に用いられるものと同様とすることができる。

本工程における電極部に含まれる第１作用極および第２作用極のそれぞれと、参照電極および対極のそれぞれとの間の距離は、ショートを起こさない距離であればよい。このような各電極間の距離は、本態様の製造方法により製造されるセンサ電極の大きさに応じて適宜設定することができる。

２．無電解めっき工程
本態様における無電解めっき工程は、上記パターン下地層の上記第２めっき下地層表面に、無電解めっき法により第２電極層を形成する工程である。
本工程により形成される第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されるものである。
上記第２作用極については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の項に記載の第２電極と同様とすることができる。
また、上記第２端子部、上記第２作用極および上記第２端子部を接続する第２配線部、上記第２電極層を無電解めっき法により形成する方法等については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の「３．無電解めっき工程」の項に記載の内容と同様とすることができる。

３．第１作用極および第２作用極の平面視形状
本態様における第１作用極は、上記パターン下地層から露出した第１電極層により形成されるものであり、上記第２作用極は、上記パターン下地層の表面に形成された上記第２電極層により、形成されるものである。
このような第１作用極および第２作用極の平面視形状については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の「４．第１電極および第２電極の平面視形状」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

４．その他
本態様のセンサ電極の製造方法は、準備工程、パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を有するものであるが、必要に応じてその他の工程を有するものであっても良い。
上記その他の工程としては、例えば、後述する「Ｄ．センサ電極」の項に記載の、絶縁層、スペーサ、カバー層、および反応部を形成する工程を有するものとすることができる。

本態様の製造方法により製造されるセンサ電極の用途としては、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の項に記載のバイオセンサ用途と同様とすることができる。

ＩＩ．第４実施態様
本発明のセンサ電極の製造方法の第４実施態様は、上述のセンサ電極の製造方法であって、絶縁性を有する基材上に、第１めっき下地層を形成する第１めっき下地層形成工程と、上記第１めっき下地層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程と、上記パターン下地層から露出した上記第１めっき下地層の表面、および上記パターン下地層の上記第２めっき下地層の表面に、無電解めっき法によりそれぞれ第１電極層、および第２電極層を形成する無電解めっき工程と、を有し、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、上記パターン下地層の表面に配置された上記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されることを特徴とするものである。

このような本態様のセンサ電極の製造方法について図を参照して説明する。図１２は、本態様のセンサ電極の製造方法の一例を示す工程図であり、図１３は図１２のＤ−Ｄ線断面図である。
図１２および図１３に例示するように、本態様のセンサ電極の製造方法は、絶縁性を有する基材１上に、第１めっき下地層４ｂを形成し（図１２（ａ）および図１３（ａ））、上記第１めっき下地層４ｂの表面に、絶縁層３と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、上記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層４と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層５を形成し（図１２（ｂ）および図１３（ｂ））、上記パターン下地層から露出した上記第１めっき下地層４ｂの表面、および上記パターン下地層５の上記第２めっき下地層４の表面に、無電解めっき法によりそれぞれ第１電極層２、および第２電極層６を形成することにより、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、上記パターン下地層の表面に配置された上記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されたセンサ電極を得ることができる（図１２（ｃ）および図１３（ｃ））。
なお、図１２（ａ）および図１３（ａ）が第１めっき下地層形成工程であり、図１２（ｂ）および図１３（ｂ）がパターン下地層形成工程であり、図１２（ｃ）および図１３（ｃ）が、無電解めっき工程である。
また、図１２および図１３中の符号については、図１０および図１１のものと同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。

本態様によれば、上記パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を用いることにより、高精細なパターン形状の第２電極層を容易に得ることができる。
本態様の製造方法は、上記第１電極層および上記第２電極層を形成する無電解めっき材料として貴金属材料を用いた場合には、貴金属材料の使用量を低減することができる。
本態様の製造方法は、上記第１作用極および第２作用極を近接配置することが可能であり、検出される電流値を効率的に増幅可能なセンサ電極を容易に得ることができる。

本態様のセンサ電極の製造方法は、第１めっき下地層形成工程、パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を有するものである。
以下、本態様のセンサ電極の製造方法の各工程について詳細に説明する。
なお、第１めっき下地層形成工程およびパターン下地層形成工程については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「ＩＩ．第２実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明を省略する。

１．無電解めっき工程
本態様における無電解めっき工程は、上記パターン下地層から露出した上記第１めっき下地層の表面、および上記パターン下地層の上記第２めっき下地層の表面に、無電解めっき法によりそれぞれ第１電極層、および第２電極層を形成する工程である。
なお、本工程により形成される第２電極層と、上記第１電極層および上記第２電極層を無電解めっき法により形成する方法と、については、上記「Ｉ．第３実施態様」の「２．無電解めっき工程」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明を省略する。

本工程により形成される第１電極層は、上記パターン下地層から露出した上記第１めっき下地層の表面に、無電解めっき法により形成されるものである。
また、上記パターン下地層から露出した上記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成されるものである。

本工程により形成される第１電極層の構成材料および厚み等については、本工程により上記第１電極層と同時に形成される第２電極層の構成材料および厚み等と同様とすることができる。
また、本工程により形成される第１電極層に含まれる第１電極部およびその他の構成等については、上記「Ｉ．第３実施態様」の「１．準備工程」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明を省略する。

２．第１作用極および第２作用極の平面視形状
本態様における第１作用極は、上記パターン下地層から露出した第１電極層により形成されるものであり、上記第２作用極は、上記パターン下地層の表面に形成された上記第２電極層により、形成されるものである。
このような第１作用極および第２作用極の平面視形状については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の「４．第１電極および第２電極の平面視形状」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

３．その他
本態様のセンサ電極の製造方法は、第１めっき下地層形成工程、パターン下地層形成工程および上記無電解めっき工程を有するものであるが、必要に応じてその他の工程を有するものであっても良い。
上記その他の工程としては、例えば、後述する「Ｄ．センサ電極」の項に記載の、絶縁層、スペーサ、カバー層、および反応部を形成する工程を有するものとすることができる。

本態様の製造方法により製造されるセンサ電極の用途としては、上記「Ｉ．第３実施態様」の項に記載のバイオセンサ用途と同様とすることができる。

Ｃ．電極構造
次に、本発明の電極構造について説明する。
本発明の電極構造は、絶縁層、第２めっき下地層および第２電極層を有するパターン状の第２電極積層体が形成されていない領域に露出した第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、上記第２電極積層体の表面に配置された上記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されている電極構造であって、上記第２電極積層体が、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に形成される態様（第５実施態様）と、上記第２電極積層体が、上記第１電極層と同一平面上に形成される態様（第６実施態様）と、に大別することができる。
以下、本発明の電極構造について、各実施態様に分けて説明する。

Ｉ．第５実施態様
本発明の電極構造の第５実施態様は、上述の電極構造であって、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、上記絶縁層の上記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および上記第２めっき下地層の上記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有する、パターン状の第２電極積層体と、を有し、上記第２電極積層体が形成されていない領域に露出した上記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、上記第２電極積層体の表面に配置された上記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されていることを特徴とするものである。

このような電極構造については、例えば、既に説明した図１（ｃ）および図２（ｃ）に記載ものを挙げることができる。

本態様によれば、パターン状の第２電極積層体を有することにより、上記電極構造は、絶縁層および第２めっき下地層を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程および上記第２めっき下地層の表面に無電解めっき法により上記第２電極層を形成する無電解めっき工程を用いて形成可能となる。したがって、上記電極構造は、高精細なパターン形状の第２電極層を容易に形成可能なものとなる。
本態様の電極構造は、上記第２電極層を形成する無電解めっき材料として貴金属材料を用いた場合には、貴金属材料の使用量の少ないものとなる。
本態様の電極構造は、上記第１電極および第２電極を近接配置することが可能であり、高感度なセンサとして使用可能となる。

本態様の電極構造は、基材、第１電極層、および第２電極積層体を有するものである。
なお、本態様の電極構造における基材、第１電極層、第１電極および第２電極の平面視形状については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。

１．第２電極積層体
本発明における第２電極積層体は、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、上記絶縁層の上記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および上記第２めっき下地層の上記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有するものである。
また、上記第２電極積層体は、パターン状であるものである。

ここで、第２電極積層体がパターン状であるとは、上記絶縁層および上記第２めっき下地層を有する積層体がパターン状に形成され、かつ、所望のパターン形状の第２電極層が形成されていることをいうものであり、例えば、上記積層体が、上記第２電極層のパターン形状と同一のパターン形状に形成されているものとすることができる。
なお、上記第２電極層のパターン形状と同一のパターン形状に形成されること、上記第２電極層のパターン形状等については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「２．パターン下地層形成工程」の「（３）パターン下地層のパターン形状」の項に記載の内容と同様とすることができる。

このような第２電極積層体を構成する絶縁層、第２めっき下地層および第２電極層については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。

２．その他の構成
本態様の電極構造は、基材、第１電極層、および第２電極積層体を有するものであるが、必要に応じてその他の構成を有するものであっても良い。
上記その他の構成としては、上記第１配線部および第２配線部（以下、両者をまとめて配線部と称する場合がある。）を覆う保護絶縁層等を挙げることができる。

本態様における保護絶縁層は、少なくとも上記配線部の表面を覆うものである。
具体的には、上記保護絶縁層は、配線部の表面を覆うことにより、配線部の腐食を防ぐとともに、ショートを防ぐものである。

保護絶縁層の材料としては、一般的に絶縁層の材料として用いられる光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂等を用いることができる。上記光硬化性樹脂および上記熱硬化性樹脂としては、具体的には、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の「１．準備工程」の「（１）電極層付基板」の「（ａ）基材」の項に記載の内容と同様とすることができる。

保護絶縁層の膜厚としては、配線部を絶縁できる程度の膜厚であればよく、例えば３μｍ以上５０μｍ以下の範囲内とすることができる。

保護絶縁層の形成位置としては、少なくとも配線部の表面であるが、第１電極部および第２電極部（以下、両者をまとめて電極部と称する場合がある。）と第１端子部および第２端子部（以下、両者をまとめて端子部と称する場合がある。）とを覆わなければよく、例えば、上記電極部および端子部を除いた配線部の表面を含む基材上に形成してもよい。

保護絶縁層の形成方法としては、所定のパターン形状に絶縁層を形成することができる方法であればよく、保護絶縁層の材料等に応じて適宜選択される。上記形成方法としては、具体的には、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の「２．パターン下地層形成工程」の「（２）パターン下地層の形成方法」の「（ｂ）第１ｂ態様」に記載の絶縁層の形成方法と同様とすることができる。

３．その他
本態様の電極構造の用途としては、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

ＩＩ．第６実施態様
本発明の電極構造の第６実施態様は、上述の電極構造であって、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１めっき下地層と、上記第１めっき下地層の上記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、上記絶縁層の上記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および上記第２めっき下地層の上記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有する、パターン状の第２電極積層体と、上記第２電極積層体が形成されていない領域の上記第１めっき下地層の上記基材とは反対側の表面に形成された第１電極層と、を有し、上記第２電極積層体が形成されていない領域に露出した上記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、上記第２電極積層体の表面に配置された上記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されていることを特徴とするものである。

このような電極構造については、例えば、既に説明した図８（ｃ）および図９（ｃ）に記載ものを挙げることができる。

本態様によれば、パターン状の第２電極積層体を有することにより、上記電極構造は、絶縁層および第２めっき下地層を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程および上記第２めっき下地層の表面に無電解めっき法により上記第２電極層を形成する無電解めっき工程を用いて形成可能となる。したがって、上記電極構造は、高精細なパターン形状の第２電極層を容易に形成可能なものとなる。
本態様の電極構造は、上記第１電極層および上記第２電極層を形成する無電解めっき材料として貴金属材料を用いた場合には、貴金属材料の使用量の少ないものとなる。
本態様の電極構造は、上記第１電極および第２電極を近接配置することが可能であり、高感度なセンサとして使用可能となる。

本態様の電極構造は、基材、第１めっき下地層、第１電極層および第２電極積層体を有するものである。
なお、本態様の電極構造の基材、第１めっき下地層、第１電極層、第１電極および第２電極の平面視形状等については、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「ＩＩ．第２実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
また、上記第２電極積層体については、上記第１めっき下地層の上記基材とは反対側の表面に形成されていること以外は、上記「Ｉ．第５実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

１．その他の構成
本態様の電極構造は、基材、第１めっき下地層、第１電極層および第２電極積層体を有するものであるが、必要に応じてその他の構成を有するものであっても良い。
上記その他の構成としては、上記配線部を覆う保護絶縁層等を挙げることができる。
このような保護絶縁層については、上記「Ｉ．第５実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができる。

２．その他
本発明の電極構造の用途としては、上記「Ｉ．第５実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

Ｄ．センサ電極
次に、本発明のセンサ電極について説明する。
本発明のセンサ電極は、絶縁層、第２めっき下地層および第２電極層を有するパターン状の第２電極積層体が形成されていない領域に露出した第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、上記第２電極積層体の表面に配置された上記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されるセンサ電極であって、上記第２電極積層体が、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に形成される態様（第７実施態様）と、上記第２電極積層体が、上記第１電極層と同一平面上に形成される態様（第８実施態様）と、に大別することができる。
以下、本発明のセンサ電極について、各実施態様に分けて説明する。

Ｉ．第７実施態様
本発明のセンサ電極の第７実施態様は、上述のセンサ電極であって、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、上記絶縁層の上記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および上記第２めっき下地層の上記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有する、パターン状の第２電極積層体と、を有し、上記第２電極積層体が形成されていない領域に露出した上記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、上記第２電極積層体の表面に配置された上記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されることを特徴とするものである。

このようなセンサ電極については、例えば、既に説明した図１０（ｃ）および図１１（ｃ）に記載ものを挙げることができる。

本態様によれば、パターン状の第２電極積層体を有することにより、上記センサ電極は、絶縁層および第２めっき下地層を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程および上記第２めっき下地層の表面に無電解めっき法により上記第２電極層を形成する無電解めっき工程を用いて形成可能となる。したがって、上記センサ電極は、高精細なパターン形状の第２電極層を容易に形成可能なものとなる。
本態様のセンサ電極は、上記第２電極層を形成する無電解めっき材料として貴金属材料を用いた場合には、貴金属材料の使用量の少ないものとなる。
本態様のセンサ電極は、上記第１作用極および第２作用極を近接配置することが可能であり、検出される電流値を効率的に増幅可能なものとなる。

本態様のセンサ電極は、基材、第１電極層および第２電極積層体を有するものである。
なお、本態様のセンサ電極の基材、第１電極層、第１作用極および第２作用極の平面視形状等については、上記「Ｂ．センサ電極の製造方法」の「Ｉ．第３実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。

１．第２電極積層体
本発明における第２電極積層体は、上記第１電極層の上記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、上記絶縁層の上記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および上記第２めっき下地層の上記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有するものである。
また、上記第２電極積層体は、パターン状であるものである。

このような第２電極積層体を構成する絶縁層、第２めっき下地層および第２電極層については、上記「Ｂ．センサ電極の製造方法」の「Ｉ．第３実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
上記パターン状であることについては、上記「Ｃ．電極構造」の「Ｉ．第５実施態様」の「１．第２電極積層体」の項に記載の内容と同様とすることができる。

２．その他の構成
本態様のセンサ電極は、基材、第１電極層および第２電極積層体を有するものであるが、必要に応じてその他の構成を有するものであっても良い。
このようなその他の構成としては、上記配線部の上記基材とは反対側を覆う絶縁層、上記第２電極層の上記基材とは反対側の表面に形成され、上記第１電極部に含まれる第１作用極、参照電極および対極と、上記第２電極部に含まれる第２作用極の４つの電極と平面視上重なる試料供給路を有するスペーサ、上記基材の一方の表面に、上記試料供給路と平面視上重なるように配置され、酵素を含む反応部、上記スペーサの上記基材とは反対側に、上記スペーサの試料供給路を覆うように形成されるカバー層等を挙げることができる。
図１４は、本態様のセンサ電極の他の例を示す概略平面図および断面図であり、図１４（ａ）および（ｂ）が概略平面図であり、図１４（ｃ）は、図１４（ａ）および（ｂ）のＥ−Ｅ線断面図である。
図１４に例示するように、本態様のセンサ電極３０は、上記第１配線部１２および上記第２配線部２２の上記基材１とは反対側を覆う保護絶縁層５１と、上記第２電極層５の上記基材１とは反対側の表面に形成され、上記第１電極部１１に含まれる第１作用極３１ａ、参照電極３１ｂおよび対極３１ｃと上記第２電極部２１に含まれる第２作用極４１ａとの４つの電極と平面視上重なる試料供給路５２ａを有するスペーサ５２と、上記試料供給路５２ａ内に配置され、酵素を含む反応部５３と、上記スペーサ５２の試料供給路５２ａを覆うように形成されるカバー層５４と、を有するものである。
なお、図１４（ａ）では、説明の容易のため、スペーサ、カバー層および反応部の記載を省略するものであり、図１４（ｂ）では、説明の容易のため、カバー層の記載を省略するものである。
また、図１４中の符号については、図１０および図１１のものと同一のものである。

（１）保護絶縁層
本態様における保護絶縁層は、少なくとも上記配線部の表面を覆うものである。

保護絶縁層の形成位置としては、少なくとも配線部の表面であるが、電極部および端子部を覆わなければよく、例えば、上記電極部および端子部を除いた配線部の表面を含む基材上に形成してもよい。

保護絶縁層の材料、膜厚および形成方法については、上記「Ｃ．電極構造」の項に記載の保護絶縁層の内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。

（２）スペーサ
本態様に用いられるスペーサは、上記第２電極層の上記基材とは反対側の表面に形成され、上記第１電極部に含まれる第１作用極、参照電極および対極と上記第２電極部に含まれる第２作用極の４つの電極と平面視上重なる試料供給路を有するものである。
具体的には、スペーサは、本態様のセンサ電極において、基材とカバー層との間に間隙を設け、外部からセンサ電極へ試料供給を行うための流路を設けるものである。
また、上記第１電極部に含まれる第１作用極、参照電極および対極と上記第２電極部に含まれる第２作用極の４つの電極と平面視上重なるとは、上記試料供給路を平面視した際に、上記第１作用極、第２作用極、参照電極および対極の４つの電極のそれぞれの一部が少なくとも上記試料供給路として用いられる同一開口内に配置されることをいうものである。

スペーサの材料としては、所定の厚みを有するスペーサを形成可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えば光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂等を用いることができる。光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂を用いる場合には、安価にスペーサを形成することができる。また、スペーサとして樹脂基材を用いることもでき、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン（ＰＳ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂、ポリエステル樹脂等の樹脂基材を用いることが可能である。

スペーサの厚さは、試料供給路の高さとなることから、１５μｍ以上５００μｍ以下の範囲内であることが好ましい。

スペーサには、少なくとも１つの試料供給路が形成されている。試料供給路は、外部から供給される試料を作用極に導く部位である。

試料供給路の幅は０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の範囲内とすることができる。

また、試料供給路の平面視形状については、上記第１電極部に含まれる第１作用極、参照電極および対極と上記第２電極部に含まれる第２作用極の４つの電極と所望の面積で露出することが可能な形状であれば、特に限定されるものではない。上記平面視形状は、例えば、既に説明した図８に例示するように、第１作用極、第２作用極、参照電極および対極の４つの電極のそれぞれの一部を横断する帯形状とすることができる。

スペーサの形成方法としては、所定のパターン状にスペーサを形成することができる方法であればよく、スペーサの材料等に応じて適宜選択される。例えば、スペーサの材料が光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂である場合には、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の「２．パターン下地層形成工程」の「（２）パターン下地層の形成方法」の「（ｂ）第１ｂ態様」に記載の絶縁層の形成方法と同様とすることができる。
また、スペーサとして樹脂基材を用いる場合には、樹脂基材に打ち抜き加工等により試料供給路等を形成した後、接着層を介してスペーサを貼付する方法が挙げられる。

（３）カバー層
本態様におけるカバー層は、上記スペーサの上記基材とは反対側に、上記スペーサの試料供給路を覆うように形成されるものである。
具体的には、上記カバー層は、本態様のセンサ電極における蓋材として機能するものである。

カバー層には、例えば、樹脂基材、セラミック基材、ガラス基材、半導体基材、金属基材等を用いることができる。カバー層は、剛性を有していてもよく、弾性を有していてもよい。中でも、上記カバー層は、電気絶縁性および弾性を有することが好ましく、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン（ＰＳ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂、ポリエステル樹脂等のフィルムを好適に用いることができる。

カバー層は透明であってもよく不透明であってもよいが、中でも透明であることが好ましい。透明カバー層の場合には、センサ電極の使用時に試料の導入を目視することができる。

カバー層の形状としては、上記第１電極層および上記第２電極層が形成された基材に応じて適宜選択されるものである。例えば、カバー層は、端子部が露出するように切欠部を有していてもよい。

カバー層の配置位置としては、スペーサ上の少なくとも試料供給路を覆う位置であればよく、端子部以外の領域にカバー層が設けられていてもよく、基材全面にカバー層が設けられていてもよい。

カバー層の配置方法としては、カバー層の構成等に応じて適宜選択される。例えば、接着層を介してカバー層とスペーサまたは基材とを貼付することができる。

（４）反応部
本態様における反応部は、上記基材の一方の表面に、上記試料供給路と平面視上重なるように配置され、酵素を含むものである。
上記反応部は、基質特異的な物質の変化移動に伴う、化学ポテンシャル、熱あるいは光学的な変化を電気信号へ変換する部分である。

本態様のセンサ電極を、グルコース濃度を測定するグルコースセンサとして用いる場合には、上記酵素としては、グルコースオキシダーゼ（ＧＯＤ）、グルコースデヒドロゲナーゼ（ＧＤＨ）を用いることができる。
本態様のセンサ電極を、コレステロールセンサ、アルコールセンサ、スクロールセンサ、乳酸センサ、フルクトースセンサに用いる場合には、上記酵素としては、コレステロールエステラーゼ、コレステロールオキシダーゼ、アルコールオキシダーゼ、乳酸オキシダーゼ、フルクトースデヒドロゲナーゼ、キサンチンオキシダーゼ、アミノ酸オキシダーゼ等の反応系に合ったものを適宜用いることができる。
上記反応部は、これらの酵素と共に、酸化還元物質として、フェリシアン化カリウム、フェロセン誘導体、キノン誘導体、オスミューム誘導体等を含むものであってもよい。

本態様のセンサ電極を、エンドトキシン濃度を測定するエンドトキシンセンサとして用いる場合には、上記酵素として、少なくともＣ因子を含むものを用いることができ、なかでも、さらにＢ因子および凝固酵素前駆体を含むものを好ましく用いることができる。
上記反応部は、上記酵素と共に、酸化還元物質が結合したペプチド化合物を含むものとすることができる。
また、上記酸化還元物質としては、パラメトキシアニリン（ｐＭＡ）等を含む下記一般式（１）で示す化合物、色素、パラアミノフェノール（ｐＡＰ）等を挙げることができる。
上記色素としては、具体的には、例えば、２、４−ジニトロアニリン（ＤＮＰ）、ｐ−ニトロアニリン（ｐＮＡ）、７−メトキシクマリン−４−酢酸（ＭＣＡ）、Ｄａｎｓｙｌ色素等を挙げることができる。

（式（１）中、Ｒは、−Ｏ−Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１または−Ｓ−Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１であり、ｎは１から４までの整数である。）

本態様においては、上記一般式（１）で示した化合物がｐＭＡであることが好ましい。上記一般式（１）で示した化合物のアルキル鎖が短い程、水溶性が高くなり、かつ、活性化したＣ因子または上記活性型凝固酵素が、上記ペプチド化合物に含まれるオリゴペプチドのペプチド配列を認識しやすくなる。このため、酸化還元物質としてオリゴペプチドに結合している上記一般式（１）で示す化合物がｐＭＡであることにより、上記ペプチド化合物は、上記活性化したＣ因子等との反応性が高まるからである。

本態様においては、上記酸化還元物質が、ｐＭＡまたはｐＡＰであることが好ましい。ペプチド化合物から遊離したｐＭＡおよびｐＡＰと、ペプチド化合物に結合したｐＭＡおよびｐＡＰとは、酸化還元電位が異なっており、その差が比較的大きい。このため、ペプチド化合物から遊離したｐＭＡまたはｐＡＰの濃度が極微量であっても、エンドトキシンの濃度を高い精度で検出することができるからである。

上記酸化還元物質が結合したペプチド化合物としては、酸化還元物資と、酸化還元物質が結合しているオリゴペプチドと、を有するものであればよく、オリゴペプチドの一端に酸化還元物質が結合し、他端にペプチドの保護基が結合したものを用いることができる。
上記オリゴペプチドとしては、Ｃ因子または凝固酵素前駆体の作用によって酸化還元物質を遊離することができるものであれば特に限定されるものではない。凝固酵素前駆体の作用によって上記酸化還元物質を遊離可能なオリゴペプチドとしては、例えば、Ｌｅｕ−Ｇｌｙ−Ａｒｇ、Ｔｈｒ−Ｇｌｙ−Ａｒｇ等のトリペプチド等を挙げることができる。

上記反応部の配置箇所は、上記基材の一方の表面に、上記試料供給路と平面視上重なるように配置されるものである。
本態様においては、なかでも、上記配置箇所が、上記第１電極部と平面視上重なる箇所であることが好ましく、上記第１電極部と接する箇所であることが好ましい。上記形成箇所は、上記反応部と試料との混合、測定が容易だからである。

反応部の形成方法としては、所望の位置に反応部を配置できる方法であれば特に限定されない。例えば、試料供給路において露出される上記電極部上に上記酵素を含む溶液を塗布した後、乾燥させ溶媒成分を除去して形成することができる。
酵素を含む溶液の塗布方法としては、例えばディスペンサー法を用いることができる。
反応部を形成する場合、酵素は４０℃以上で長時間放置すると活性を失うため、溶媒の乾燥は４０℃以下で行い、乾燥後は速やかに室温に戻すことが好ましい。

２．その他
本態様のセンサ電極の用途としては、上記「Ａ．電極構造の製造方法」の「Ｉ．第１実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

ＩＩ．第８実施態様
本発明のセンサ電極の第８実施態様は、上述のセンサ電極であって、絶縁性を有する基材と、上記基材の一方の表面に形成された第１めっき下地層と、上記第１めっき下地層の上記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、上記絶縁層の上記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および上記第２めっき下地層の上記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有する、パターン状の第２電極積層体と、上記第２電極積層体が形成されていない領域の上記第１めっき下地層の上記基材とは反対側の表面に形成された第１電極層と、を有し、上記第２電極積層体が形成されていない領域に露出した上記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、上記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、上記第２電極積層体の表面に配置された上記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、上記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されることを特徴とするものである。

このようなセンサ電極については、例えば、既に説明した図１２（ｃ）および図１３（ｃ）に記載ものを挙げることができる。

本態様によれば、パターン状の第２電極積層体を有することにより、上記センサ電極は、絶縁層および第２めっき下地層を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程および上記第２めっき下地層の表面に無電解めっき法により上記第２電極層を形成する無電解めっき工程を用いて形成可能となる。したがって、上記センサ電極は、高精細なパターン形状の第２電極層を容易に形成可能なものとなる。
本態様のセンサ電極は、上記第１電極層および上記第２電極層を形成する無電解めっき材料として貴金属材料を用いた場合には、貴金属材料の使用量の少ないものとなる。
本態様のセンサ電極は、上記第１作用極および第２作用極を近接配置することが可能であり、検出される電流値を効率的に増幅可能なものとなる。

本態様のセンサ電極は、基材、第１めっき下地層、第１電極層および第２電極積層体を有するものである。
なお、本態様のセンサ電極の上記構成、第１作用極および第２作用極の平面視形状等については、上記「Ｂ．センサ電極の製造方法」の「ＩＩ．第４実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
また、上記第２電極積層体については、上記第１めっき下地層の上記基材とは反対側の表面に形成されていること以外は、上記「Ｉ．第７実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。

１．その他の構成
本態様のセンサ電極は、基材、第１めっき下地層、第１電極層および第２電極積層体を有するものであるが、必要に応じてその他の構成を有するものであっても良い。
このようなその他の構成としては、上記「Ｉ．第７実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができる。

２．その他
本態様のセンサ電極の用途としては、上記「Ｉ．第７実施態様」の項に記載の内容と同様とすることができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

１ … 基材
２ … 第１電極層
３ … 絶縁層
４ … 第２めっき下地層
４ｂ … 第１めっき下地層
５ … パターン下地層
６ … 第２電極層
１０ … 電極構造
１１ … 第１電極部
１１ａ … 第１電極
１２ … 第１配線部
１３ … 第１端子部
２１ … 第２電極部
２１ａ … 第２電極
２２ … 第２配線部
２３ … 第２端子部
３０ … センサ電極
３１ａ … 第１作用極
３１ｂ … 参照電極
３１ｃ … 対極
４１ａ … 第２作用極
５１ … 保護絶縁層
５２ … スペーサ
５３ … 反応部
５４ … カバー層

Claims (10)

1. 絶縁性を有する基材と、前記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、を有する電極層付基板を準備する準備工程と、
   前記電極層付基板の前記第１電極層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、前記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程と、
   前記パターン下地層の前記第２めっき下地層表面に、無電解めっき法により第２電極層を形成する無電解めっき工程と、を有し、
   前記パターン下地層から露出した前記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、前記パターン下地層の表面に配置された前記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されることを特徴とする電極構造の製造方法。
2. 絶縁性を有する基材上に、第１めっき下地層を形成する第１めっき下地層形成工程と、
   前記第１めっき下地層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、前記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程と、
   前記パターン下地層から露出した前記第１めっき下地層の表面、および前記パターン下地層の前記第２めっき下地層の表面に、無電解めっき法によりそれぞれ第１電極層、および第２電極層を形成する無電解めっき工程と、を有し、
   前記パターン下地層から露出した前記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、前記パターン下地層の表面に配置された前記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されることを特徴とする電極構造の製造方法。
3. 前記絶縁層の厚みが、前記第２電極層の厚みより厚いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電極構造の製造方法。
4. 前記絶縁層の厚みが、０．２μｍ〜２０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載の電極構造の製造方法。
5. 絶縁性を有する基材と、前記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、を有する電極層付基板を準備する準備工程と、
   前記電極層付基板の前記第１電極層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、前記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程と、
   前記パターン下地層の前記第２めっき下地層表面に、無電解めっき法により第２電極層を形成する無電解めっき工程と、を有し、
   前記パターン下地層から露出した前記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、前記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、前記パターン下地層の表面に配置された前記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、前記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されることを特徴とするセンサ電極の製造方法。
6. 絶縁性を有する基材上に、第１めっき下地層を形成する第１めっき下地層形成工程と、
   前記第１めっき下地層の表面に、絶縁層と、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含み、前記絶縁層の表面に形成された第２めっき下地層と、を有する積層体がパターン状に形成されたパターン下地層を形成するパターン下地層形成工程と、
   前記パターン下地層から露出した前記第１めっき下地層の表面、および前記パターン下地層の前記第２めっき下地層の表面に、無電解めっき法によりそれぞれ第１電極層、および第２電極層を形成する無電解めっき工程と、を有し、
   前記パターン下地層から露出した前記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、前記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、前記パターン下地層の表面に配置された前記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、前記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されることを特徴とするセンサ電極の製造方法。
7. 絶縁性を有する基材と、
   前記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、
   前記第１電極層の前記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、前記絶縁層の前記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および前記第２めっき下地層の前記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有する、パターン状の第２電極積層体と、を有し、
   前記第２電極積層体が形成されていない領域に露出した前記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、前記第２電極積層体の表面に配置された前記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されていることを特徴とする電極構造。
8. 絶縁性を有する基材と、
   前記基材の一方の表面に形成された第１めっき下地層と、
   前記第１めっき下地層の前記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、前記絶縁層の前記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および前記第２めっき下地層の前記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有する、パターン状の第２電極積層体と、
   前記第２電極積層体が形成されていない領域の前記第１めっき下地層の前記基材とは反対側の表面に形成された第１電極層と、を有し、
   前記第２電極積層体が形成されていない領域に露出した前記第１電極層により、第１電極を含む第１電極部が形成され、前記第２電極積層体の表面に配置された前記第２電極層により、第２電極を含む第２電極部が形成されていることを特徴とする電極構造。
9. 絶縁性を有する基材と、
   前記基材の一方の表面に形成された第１電極層と、
   前記第１電極層の前記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、前記絶縁層の前記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および前記第２めっき下地層の前記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有する、パターン状の第２電極積層体と、を有し、
   前記第２電極積層体が形成されていない領域に露出した前記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、前記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、前記第２電極積層体の表面に配置された前記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、前記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されることを特徴とするセンサ電極。
10. 絶縁性を有する基材と、
    前記基材の一方の表面に形成された第１めっき下地層と、
    前記第１めっき下地層の前記基材とは反対側の表面に形成された絶縁層、前記絶縁層の前記基材とは反対側の表面に形成され、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含む第２めっき下地層、および前記第２めっき下地層の前記絶縁層とは反対側の表面に形成された第２電極層を有する、パターン状の第２電極積層体と、
    前記第２電極積層体が形成されていない領域の前記第１めっき下地層の前記基材とは反対側の表面に形成された第１電極層と、を有し、
    前記第２電極積層体が形成されていない領域に露出した前記第１電極層により、第１作用極、参照電極および対極を含む第１電極部と、前記第１電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第１端子部と、が形成され、前記第２電極積層体の表面に配置された前記第２電極層により、第２作用極を含む第２電極部と、前記第２電極部に接続され、測定装置との接続に用いられる第２端子部と、が形成されることを特徴とするセンサ電極。