JP4584657B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態に係る半導体装置100の冗長用ヒューズ付近のパターン図である。図2は、図1のII−IIにおける平面図である。
半導体装置100は、P型半導体基板1と、フィールド絶縁膜2と、P+拡散層3と、ヒューズ4と、絶縁膜5と、導電膜7と、絶縁膜8及び保護膜9とを備えている。
ヒューズ4は、フィールド絶縁膜2上の所定領域に形成されている。ヒューズ4は、スパッタ法によるポリシリコン膜、あるいは、ポリシリコンと高融点シリサイド(タングステン、モリブデン、チタン等の高融点金属とシリコンとの共晶膜)との多層膜で形成されている。ヒューズ4は、内部回路のトランジスタ20に電気的に接続されている。ヒューズ4は、半導体装置100の電気的な不具合を修正するための冗長用ヒューズであり、電気試験工程で発見された電気的な不具合に応じて、図1のトリミングポイント11において絶縁膜5とともに、レーザ光線で切断加工(ヒューズブロー)される。
導電膜7は、第1層金属配線(1M)が形成される層に、タングステンWで形成される。導電膜7は、ヒューズ4の上方において絶縁膜5上に略矩形の島状に形成され、後述する開口部10を形成するために絶縁膜8及び保護膜9をエッチングする際にエッチングストッパ膜として機能する。導電膜7は、開口部10よりも一回り大きく形成されている。絶縁膜8及び保護膜9のエッチング後、開口部10内に残る導電膜7はエッチングにより除去される。この結果、導電膜7は、図1に示すように周縁部が環状に残った形状であり、図2に示すように開口部10内に断面を露出している。また、導電膜7は、開口部6内にも形成され、開口部6を通じてP+拡散層3に電気的に接続されている。
(a)上記では、P+拡散層3を導電膜7を取り囲むように形成したが、図3に示すように、導電膜7の周縁部の一部のみに重なるようにしても良い。図3の例では、P+拡散層3は、導電膜7の1の角部に重なるように形成されている。この場合も、上記同様に、P+拡散層3と導電膜7とは、絶縁膜5に形成された開口部6を介して電気的に接続される。
(c)上記では、絶縁膜5に形成された開口部6を介して導電膜7を直接P+拡散層3に接続したが、導電膜7が最終的に基板電位に接続されれば、導電膜7とP+拡散層3との接続形態はこれに限られない。例えば、導電膜7を金属配線やポリシリコン配線で引き出し、最終的に基板電位に接続する構成であれば、上記構成と同様の作用効果を奏する。
図4は、第2実施形態に係る半導体装置100の冗長用ヒューズ付近の平面図である。図5は、図4のV−Vにおける断面図である。
本実施形態では、開口部10内の絶縁膜5上において、複数のヒューズ4に亘って環状をなす導電膜71及び72を形成する。導電膜71及び72は、第1層金属配線(1M)が形成される層に、タングステンWで形成される。導電膜71の一端は、基板電位に電気的に接続されており、導電膜72の一端は、電源電位VDDに電気的に接続されている。ヒューズ4は、図4に示すように、トリミングポイント11でレーザによって切断される。
上記では、導電膜71及び72をW用いて構成したが、アルミニウム、アルミニウムを主成分とする合金膜(Al合金膜)等の金属、ポリシリコン、あるいは、ポリシリコンと高融点シリサイド(タングステン、モリブデン、チタン等の高融点金属とシリコンとの共晶膜)との多層膜を用いて構成しても良い。
2 フィールド絶縁膜
3 P+拡散層
4 ヒューズ
5,8 絶縁膜
6 開口部
7 導電膜
9 保護膜
10 開口部
20 内部回路のトランジスタ
71,72 導電膜
100 半導体装置
Claims (1)
- 半導体基板と、
前記半導体基板表面に形成されたフィールド絶縁膜である第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成されたヒューズと、
前記ヒューズを覆う第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜を覆うとともに、前記ヒューズの上方において開口部が形成された第3絶縁膜と、
前記開口部内で露出するように前記第2絶縁膜上に形成され、基板電位に接続された第1導電膜と、
前記開口部内で露出するように前記第2絶縁膜上に形成され、電源電位に接続された第2導電膜と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5863147A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH08279560A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-10-22 | Ricoh Co Ltd | トリミング用配線パタ−ン |
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---|---|---|---|---|
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JP3907279B2 (ja) * | 1997-08-26 | 2007-04-18 | 宮城沖電気株式会社 | 半導体装置の製造方法および検査方法 |
JP3049001B2 (ja) * | 1998-02-12 | 2000-06-05 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | ヒューズ装置およびその製造方法 |
US6498385B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-12-24 | International Business Machines Corporation | Post-fuse blow corrosion prevention structure for copper fuses |
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---|---|---|---|---|
JPS5863147A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH08279560A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-10-22 | Ricoh Co Ltd | トリミング用配線パタ−ン |
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