JP4582816B2 - 真空加熱装置 - Google Patents
真空加熱装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4582816B2 JP4582816B2 JP2008168683A JP2008168683A JP4582816B2 JP 4582816 B2 JP4582816 B2 JP 4582816B2 JP 2008168683 A JP2008168683 A JP 2008168683A JP 2008168683 A JP2008168683 A JP 2008168683A JP 4582816 B2 JP4582816 B2 JP 4582816B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- ring
- heating
- members
- heating apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Description
該真空容器を排気する排気手段と、
該第1及び第2の部材の開口部に配置し、かつ、該真空容器の内部に載置された基板を加熱する加熱手段と、を備える真空加熱装置において、
前記第1及び第2の部材間の接合面はOリングによって密封され、
前記第1の部材の接合面には、前記Oリングを埋め込む溝と、前記加熱手段と前記Oリングとの間の部分に形成された段差とが形成され、
前記第2の部材の接合面は、上記段差と嵌めあい、接合するように加工されていることを特徴とする。
図1は、本発明の一実施形態として、電子衝撃型の真空加熱装置を示す図である。図1に示すように、本実施形態の真空加熱装置1は、真空容器2と、真空容器2の内部に載置された基板5を加熱する加熱手段としてのヒータベース3と、真空容器2を排気する排気手段としてのターボ分子ポンプ17とを備えている。真空容器2は、本実施形態では、アルミニウム製である。
図4は、本発明の第2の実施形態の真空容器2の各フランジ11、12の部材同士の接合部分を拡大した断面図である。
図5は、本発明の第3の実施形態であり、真空容器2のフランジ11、12の部材同士の接合部分を拡大した断面図である。
2 真空容器
3 ヒータベース
4、17 ターボ分子ポンプ
5 基板
6 真空容器2の上部
7 真空容器2の中間部
8 真空容器2の下部
9 開口部
10 Oリング
11 フランジ
12 フランジ
16 遮光板
Claims (5)
- 開口部を有する第1及び第2の部材同士が接合されて構成された真空容器と、
該真空容器を排気する排気手段と、
該第1及び第2の部材の開口部に配置し、かつ、該真空容器の内部に載置された基板を加熱する加熱手段と、を備える真空加熱装置において、
前記第1及び第2の部材間の接合面はOリングによって密封され、
前記第1の部材の接合面には、前記Oリングを埋め込む溝と、前記加熱手段と前記Oリングとの間の部分に形成された段差とが形成され、
前記第2の部材の接合面は、上記段差と嵌めあい、接合するように加工されていることを特徴とする真空加熱装置。 - 前記第1及び第2の部材の接合面は、前記Oリングの内側の輻射率が、前記Oリングの外側の輻射率より高くなるような表面粗さに加工されていることを特徴とする請求項1記載の真空加熱装置。
- 前記Oリングの内側の前記第1及び第2の部材の接合面は、輻射率が0.3以上であることを特徴とする請求項2記載の真空加熱装置。
- 前記加熱手段が面する前記第1及び第2の部材の内周側に、遮光板を設けたことを特徴とする請求項1記載の真空加熱装置。
- 前記加熱手段は、フィラメントから熱電子が該フィラメントと前記真空容器間に印加された加速電圧により引き出され、ヒータに衝撃させることで発熱させる電子衝撃加熱方式であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の真空加熱装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008168683A JP4582816B2 (ja) | 2008-06-27 | 2008-06-27 | 真空加熱装置 |
US12/483,691 US8129663B2 (en) | 2008-06-27 | 2009-06-12 | Vacuum heating apparatus |
CN2009101486815A CN101615573B (zh) | 2008-06-27 | 2009-06-25 | 真空加热设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008168683A JP4582816B2 (ja) | 2008-06-27 | 2008-06-27 | 真空加熱装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010010448A JP2010010448A (ja) | 2010-01-14 |
JP4582816B2 true JP4582816B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=41446153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008168683A Active JP4582816B2 (ja) | 2008-06-27 | 2008-06-27 | 真空加熱装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8129663B2 (ja) |
JP (1) | JP4582816B2 (ja) |
CN (1) | CN101615573B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220081393A (ko) * | 2020-12-08 | 2022-06-16 | 세메스 주식회사 | 실링 부재 및 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5468784B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2014-04-09 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板加熱装置、加熱処理方法および半導体デバイスを製造する方法 |
JP2010205922A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Canon Anelva Corp | 基板熱処理装置及び基板の製造方法 |
JP2010251718A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Canon Anelva Corp | 加熱装置の温度制御方法及び記憶媒体 |
JP5395255B2 (ja) | 2010-03-24 | 2014-01-22 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電子デバイスの製造方法およびスパッタリング方法 |
JP6530377B2 (ja) | 2014-03-24 | 2019-06-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体基板の凹部の角部を丸める方法及び装置 |
JP6809917B2 (ja) * | 2017-01-31 | 2021-01-06 | 株式会社バルカー | 複合シール材 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03208334A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造装置 |
JPH04264716A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-21 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 熱処理装置 |
JPH10312966A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-11-24 | Toshiba Mach Co Ltd | 縦型気相成長装置 |
JP2002270518A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2007280905A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Sukegawa Electric Co Ltd | 背面電子衝撃加熱装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5484484A (en) * | 1993-07-03 | 1996-01-16 | Tokyo Electron Kabushiki | Thermal processing method and apparatus therefor |
JPH07280099A (ja) | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 真空装置 |
JPH10335251A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JP2912913B1 (ja) | 1998-06-03 | 1999-06-28 | 助川電気工業株式会社 | 板体加熱装置 |
JP2912613B1 (ja) | 1998-06-17 | 1999-06-28 | 助川電気工業株式会社 | 板体加熱装置 |
JP2912616B1 (ja) | 1998-07-17 | 1999-06-28 | 助川電気工業株式会社 | 板体加熱装置 |
KR100460150B1 (ko) | 1999-12-18 | 2004-12-04 | 주성엔지니어링(주) | 반도체소자 제조장치 및 그 작동방법 |
JP4617364B2 (ja) | 2008-02-29 | 2011-01-26 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板加熱装置及び処理方法 |
-
2008
- 2008-06-27 JP JP2008168683A patent/JP4582816B2/ja active Active
-
2009
- 2009-06-12 US US12/483,691 patent/US8129663B2/en active Active
- 2009-06-25 CN CN2009101486815A patent/CN101615573B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03208334A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造装置 |
JPH04264716A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-21 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 熱処理装置 |
JPH10312966A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-11-24 | Toshiba Mach Co Ltd | 縦型気相成長装置 |
JP2002270518A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2007280905A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Sukegawa Electric Co Ltd | 背面電子衝撃加熱装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220081393A (ko) * | 2020-12-08 | 2022-06-16 | 세메스 주식회사 | 실링 부재 및 기판 처리 장치 |
KR102662732B1 (ko) | 2020-12-08 | 2024-05-08 | 세메스 주식회사 | 실링 부재 및 기판 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010010448A (ja) | 2010-01-14 |
CN101615573A (zh) | 2009-12-30 |
CN101615573B (zh) | 2011-11-02 |
US20090321412A1 (en) | 2009-12-31 |
US8129663B2 (en) | 2012-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4582816B2 (ja) | 真空加熱装置 | |
JP5190451B2 (ja) | 炭化ケイ素基板を有する半導体デバイスのアニール方法 | |
US7772098B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP4617364B2 (ja) | 基板加熱装置及び処理方法 | |
JP6530377B2 (ja) | 半導体基板の凹部の角部を丸める方法及び装置 | |
KR101204160B1 (ko) | 진공 처리 장치 | |
WO2006043530A1 (ja) | 基板加熱処理装置及び基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイ | |
JP2008166729A (ja) | 基板加熱処理装置及び半導体製造方法 | |
JP2018518060A (ja) | 半導体処理に使用される機器部品を修理する方法 | |
WO2011016392A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
EP2400528B1 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
JP7512641B2 (ja) | 接合基板の製造方法 | |
US8669540B2 (en) | System and method for gas leak control in a substrate holder | |
JP4554378B2 (ja) | 窒化膜の形成方法、半導体装置の製造方法及びキャパシタの製造方法 | |
JP5656400B2 (ja) | 真空熱処理装置および半導体デバイスの製造方法 | |
JPH10335252A (ja) | 反応炉 | |
JP5988299B2 (ja) | 半導体装置製造方法 | |
US10388495B2 (en) | Photocathode assembly of vacuum photoelectronic device with a semi-transparent photocathode based on nitride gallium compounds | |
JP6472016B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2003309167A (ja) | 基板保持装置 | |
JPH04295078A (ja) | 窒化珪素焼結体の表面改質方法及び焼結体の接合方法 | |
EP1120813B1 (en) | Reactor for manufacturing of a semiconductor device | |
JP2009016532A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2849772B2 (ja) | 封止装置及び封止方法 | |
JP2009038262A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091030 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100729 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100830 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4582816 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |