JP4569231B2 - 磁気メモリ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
ここで、本実施形態による磁気メモリ1の変形例について説明する。図37及び図38は、それぞれ本変形例に係る磁気ヨーク51及び52の形状を示す断面図である。まず、図37を参照すると、磁気ヨーク51は、一対の対向ヨーク51b、一対のピラーヨーク51c、及びビームヨーク51dを含んで構成されている。このうち、一対のピラーヨーク51c及びビームヨーク51dの構成及び形状は、既述した磁気ヨーク5の一対のピラーヨーク5c及びビームヨーク5dの構成及び形状(図6参照)と同様である。一対の対向ヨーク51bは、その端面51aがTMR素子4の側面4aのうち第1磁性層41の側面と接している。磁気ヨーク51はこのような形状であってもよく、書き込み電流によって磁気ヨーク51内部に生成される磁界を第1磁性層41へ更に効率よく提供することができる。
Claims (4)
- m行n列(m、nは2以上の整数)からなる2次元状に配列された複数の記憶領域を備える磁気メモリであって、
磁性材料層、半導体層、及び前記磁性材料層と前記半導体層との間に設けられた配線層を備え、
前記磁性材料層は、
外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み前記複数の記憶領域それぞれに設けられた磁気抵抗効果素子と、
前記複数の記憶領域それぞれに設けられ、書き込み電流によって前記感磁層に前記外部磁界を提供する書き込み配線と、
前記複数の記憶領域それぞれに設けられて前記磁気抵抗効果素子に電気的に接続され、前記磁気抵抗効果素子に読み出し電流を流す読み出し配線と、
を含み、
前記半導体層は、
前記複数の記憶領域それぞれにおいて、前記書き込み配線における前記書き込み電流の導通を制御する半導体書き込みスイッチ手段を構成する第1の半導体領域と、
前記複数の記憶領域それぞれにおいて、前記読み出し配線における前記読み出し電流の導通を制御する半導体読み出しスイッチ手段を構成する第2の半導体領域と、
を含み、
前記配線層は、
前記複数の記憶領域の各列に対応して設けられ、対応する列の前記記憶領域それぞれが有する前記書き込み配線に電気的に接続された第1の配線と、
前記複数の記憶領域の各行に対応して設けられ、対応する行の前記記憶領域それぞれが有する前記半導体書き込みスイッチ手段の制御端子に電気的に接続された第2の配線であって、前記半導体読み出しスイッチ手段の制御端子にも電気的に接続された第2の配線と、
を含むことを特徴とする、磁気メモリ。 - 前記磁性材料層と前記半導体層との間に設けられ、前記磁気抵抗効果素子に含まれる元素の前記半導体層への拡散を防ぐための拡散防止層を更に備えることを特徴とする、請求項1に記載の磁気メモリ。
- 前記拡散防止層は、Ti及びRuのうち少なくとも一方の元素を含むことを特徴とする、請求項2に記載の磁気メモリ。
- m行n列(m、nは2以上の整数)からなる2次元状に配列された複数の記憶領域を備える磁気メモリを製造する方法であって、
半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層上に配線層を形成する配線層形成工程と、
前記配線層上に磁性材料層を形成する磁性材料層形成工程と
を備え、
前記半導体層形成工程は、
前記複数の記憶領域それぞれにおいて、半導体書き込みスイッチ手段を構成する第1の半導体領域を前記半導体層に形成する工程と、
前記複数の記憶領域それぞれにおいて、半導体読み出しスイッチ手段を構成する第2の半導体領域を前記半導体層に形成する工程と、
を含み、
前記配線層形成工程は、
前記複数の記憶領域の各列に対応する第1の配線と、
前記複数の記憶領域の各行に対応して設けられ、対応する行の前記記憶領域それぞれが有する前記半導体書き込みスイッチ手段の制御端子に電気的に接続された第2の配線であって、前記半導体読み出しスイッチ手段の制御端子にも電気的に接続された第2の配線と、
を前記配線層に形成する工程を含み、
前記磁性材料層形成工程は、
前記複数の記憶領域それぞれに設けられ、外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含む磁気抵抗効果素子と、
前記複数の記憶領域それぞれに設けられるとともに前記第1の配線に電気的に接続され、書き込み電流によって前記感磁層に前記外部磁界を提供する書き込み配線と、
前記複数の記憶領域それぞれに設けられるとともに前記第2の配線に電気的に接続され、前記磁気抵抗効果素子に読み出し電流を流す読み出し配線と、
を前記磁性材料層に形成する工程を含む、
ことを特徴とする、磁気メモリの製造方法。
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