JP4562750B2 - 供給電圧変換装置 - Google Patents
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Description
図1を参照すると、従来の供給電圧変換装置は、電圧比較部11、電流シンク部12及び電圧出力部13を含んで構成される。電圧比較部11は差動増幅機の回路構造を有する複数のMOSFET111乃至114で構成され、外部から入力される基準電圧Vrefと供給電圧変換装置の出力側電圧を比較する。電流シンク部12はMOSFET121で具現されることができ、上記電圧比較部11にシンク電流を提供する。また、電圧出力部13は上記電圧比較部11の電圧比較結果によって動作するMOSFET131とレジストR1,R2からなる。
電源電圧を変換して基準電圧を提供する基準電圧生成部と、
上記基準電圧がゲート端から入力される第1MOSFETと、上記第1MOSFETのドレイン端にソース端が連結されドレイン端から電源電圧が印加される第2MOSFETと、上記第2MOSFETのゲート端にゲート端が連結されドレイン端から電源電圧が印加されゲート端とソース端が電気的に連結された第3MOSFETと、上記第3MOSFETのソース端にドレイン端が連結され上記第1MOSFETのソース端にソース端が連結された第4MOSFETとを含み、上記基準電圧と上記第4MOSFETのゲート端の電圧を比較する電圧比較部と、
上記第1MOSFETと第4MOSFETのソース端に電流シンクのため連結された第1電流シンク手段及び上記第1MOSFETと第4MOSFETのソース端に電流シンクのため連結され上記第4MOSFETのゲート端の電圧によって動作する第2電流シンク手段を含む電流シンク部と、
上記第1MOSFETのドレイン端にゲート端が連結され電源電圧がドレイン端から印加され上記第4MOSFETのゲート端にソース端が連結された第5MOSFETを含み、上記第5MOSFETのソース端の電圧を出力電圧に提供する電圧出力部と、
を含む供給電圧変換装置を提供する。
22、32 電圧比較部
23、33 電流シンク部
24、34 電圧出力部
Claims (8)
- 電源電圧を変換して基準電圧を提供する基準電圧生成部と、
前記基準電圧がゲート端から入力される第1MOSFETと、前記第1MOSFETのドレイン端にソース端が連結されドレイン端から電源電圧が印加される第2MOSFETと、前記第2MOSFETのゲート端にゲート端が連結されドレイン端から電源電圧が印加されゲート端とソース端が電気的に連結された第3MOSFETと、前記第3MOSFETのソース端にドレイン端が連結され前記第1MOSFETのソース端にソース端が連結された第4MOSFETとを含み、前記基準電圧と前記第4MOSFETのゲート端の電圧を比較する電圧比較部と、
前記第1MOSFETと第4MOSFETのソース端に電流シンクのため連結された第1電流シンク手段及び前記第1MOSFETと第4MOSFETのソース端に電流シンクのため連結され前記第4MOSFETのゲート端の電圧によって動作する第2電流シンク手段を含む電流シンク部と、
前記第1MOSFETのドレイン端にゲート端が連結され電源電圧がドレイン端から印加され前記第4MOSFETのゲート端にソース端が連結された第5MOSFETを含み、前記第5MOSFETのソース端電圧を出力電圧に提供する電圧出力部と、
を含む供給電圧変換装置。 - 前記基準電圧生成部は、
ドレイン端とソース端が相互連結された直列連結構造を有する複数のMOSFETを含むMOSFETアレイを含み、
前記各々のMOSFETアレイの一端に位置したMOSFETのドレイン端には前記電源電圧が印加され、他端に位置したMOSFETのソース端は接地され、
前記基準電圧は前記MOSFETアレイ内に含まれたMOSFETにより所定の比に分圧された電圧であることを特徴とする請求項1に記載の供給電圧変換装置。 - 前記第1電流シンク手段は、
前記MOSFETアレイに含まれた一つのMOSFETのソース端にゲート端が連結され、前記第1MOSFETと第4MOSFETのソース端にドレイン端が連結され、ソース端が接地されたMOSFETを含むことを特徴とする請求項2に記載の供給電圧変換装置。 - 前記基準電圧生成部は、
ドレイン端とソース端が相互連結された直列連結構造を有する複数のMOSFETを含む第1MOSFETステージ−前記第1MOSFETステージの一端に位置したMOSFETのドレイン端に前記電源電圧が印加される−と、
ドレイン端とソース端が相互連結された直列連結構造を有し、前記第1MOSFETステージに含まれたMOSFETのゲート端と各々1:1対応してゲート端が連結され、ゲート端とドレイン端が電気的に連結された複数のMOSFETを含む第2MOSFETステージ−前記第2MOSFETステージの一端に位置したMOSFETのドレイン端に前記電源電圧が印加される−と、
前記第1MOSFETステージの他端に位置したMOSFETのソース端にドレイン端が連結されドレイン端とゲート端が電気的に連結されソース端が接地された第1ミラーMOSFETと、前記第2MOSFETステージの他端に位置したMOSFETのソース端にドレイン端が連結され前記第1ミラーMOSFETのゲート端にゲート端が連結されソース端が接地された第2ミラーMOSFETを含み、前記第1MOSFETステージに流れる電流の大きさを前記第1,2ミラーMOSFETの幅比によって変換した大きさを有する電流が第2MOSFETステージに流れるようミラーリングする電流ミラーステージを含み、
前記基準電圧は前記第2MOSFETステージ内に含まれたMOSFETにより所定の比に分圧された電圧であることを特徴とする請求項1に記載の供給電圧変換装置。 - 前記第1電流シンク手段は、
前記第1ミラーMOSFETのゲート端にゲート端が連結され、前記第1MOSFETと第4MOSFETのソース端にドレイン端が連結され、ソース端が接地された第1シンクMOSFETを含み、前記第1MOSFETステージに流れる電流の大きさを前記第1ミラーMOSFETと第1シンクMOSFETの幅比によって変換した大きさを有する電流が第1シンク手段に流れるようミラーリングすることを特徴とする請求項4に記載の供給電圧変換装置。 - 前記第2電流シンク手段は、
前記第4MOSFETのゲート端に連結され前記第4MOSFETのゲート端の電圧をインバーティングするインバータと、
前記第1MOSFETと第4MOSFETのソース端にドレイン端が連結され、ソース端が接地され、前記インバーティングされた電圧がゲート端から印加されるMOSFETを含むことを特徴とする請求項1に記載の供給電圧変換装置。 - 前記電圧比較部は、
前記第1MOSFETのドレイン端にドレイン端が連結され、前記第4MOSFETのドレイン端にソース端が連結され、ゲート端に電源電圧が印加される複数のMOSFETをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の供給電圧変換装置。 - 前記電圧出力部は、
前記第4MOSFETのゲート端にドレイン端が連結され、ゲート端とソース端が接地されほぼ無限大の抵抗値を有するMOSFETをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の供給電圧変換装置。
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