JP4559040B2 - 直列接続されたoled構造体及び製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は一般に、直列接続された光デバイスに関し、より具体的には、直列接続された有機発光ダイオード(OLED)デバイスに関する。
有機発光ダイオード(OLED)のような有機電界発光デバイスは、現在、表示用途に用いられており、一般的な照明の用途に用いることが計画されている。OLEDデバイスは、例えばカソードと光透過型基板上に形成された光透過型アノードといった、2つの電極の間に配置された1つ又はそれ以上の発光層を含む。発光層は、アノードとカソードの両端に電圧を印加すると光を放出する。電圧供給源から電圧を印加すると、カソードからは有機層の中に電子が直接注入され、アノードからは有機層の中に正孔が直接注入される。電子と正孔は、これらが発光中心において再結合するまで、有機層の中を移動する。この再結合プロセスによって、光子、すなわち光が放出されることになる。
米国出願公開番号US−2002−0190661−A1 米国特許第5,294,870号 米国特許第5,247,190号 米国特許第5,708,130号 米国特許出願番号09/469,702 R.H.Friend、「Journal of Molecular Electronics」、37−46(1988年) Gerrit Klarner他の「Colorfast Blue Light Emitting Random Copolymers Derived from Di−n−hexylfluorene and Anthracene」、Adv.Mater.993−997(1998年) Junji Kido他の「Organic Electroluminescent Devices Based on Molecularly Doped Polymers」、Appl.Phys.Lett.761−763(1992年) Chung−Chih Wu他の「Efficient Organic Electroluminescent Devices Using Single−Layer Doped Polymer Thin Films with Bipolar Carrier Transport Abilities」、IEEE Trans.on Elec.Devices,1269−1281(1997年) A.W.Grice他の「High Brightness and Efficiency of Blue Light−Emitting Polymer Diodes」、Appl.Phys.Letters、629−631(1998年) Hiroyuki Suzuki他の「Near−ultraviolet Electroluminescence from Polysilanes」、Thin Solid Films、64−70(1998年)
大面積OLEDデバイスは、典型的には、単一の基板上に多くの個々のOLEDデバイスが組み合わされたもの、又は各々の基板上に多数の個々のOLEDデバイスを備えた基板が組み合わされたものである。大面積OLEDデバイスの用途は照明を含む。こうした用途のほとんどにおいては、交流(AC)電力が最も簡単に利用できる。しかしながら、OLEDは、電流/電圧特性を整流する特性を有し、そのため、通常は発光のための正しい極性をもつように配線された直流(DC)電力によって作動される。こうした用途においては、大面積OLEDを作動させるために、AC電力はDC電力に変換される。
多くの標識用途においては、標識又は表示システムは、光源と、該光源の上を覆って所望の絵柄又は文字を定めるカバーシートとを備える。カバーシートは、一部は不透明であり、一部は透明である。光源からの光は、カバーシートの透明領域を透過するが、不透明領域は透過しない。従って、典型的にカバーシートは所望の絵柄又は文字を定めることが必要となる。
OLEDデバイス・アレイの個々のOLEDデバイスをAC電源によって直接給電することができる、大面積OLEDのようなOLEDシステムを提供することが有利である。こうしたシステムは、ACからDCへの電力変換と調整を必要とせず、このためOLEDシステムのコストが低減される。
OLEDデバイス・アレイの個々のOLEDデバイスをDC電源によって直接給電することができる、大面積OLEDのようなOLEDシステムを提供することが有利である。
また、絵柄又は文字を定めるためのカバーシートを必要とせず、絵柄又は文字を定めるために多数の個々のOLEDデバイスだけが必要である、大面積OLEDのようなOLEDシステムを提供することが有利である。
本発明の一態様によれば、少なくとも1つのOLEDモジュールと、該少なくとも1つのOLEDモジュールに電気的に接続されて、該モジュールに電圧を供給する電源とを備える発光デバイスが提供される。
本発明の別の態様によれば、電気的に直列接続された複数の有機発光ダイオード(OLED)モジュールと、該複数のOLEDモジュールに電気的に接続され、且つ該モジュールに電圧を供給する電源とを備えた発光デバイスが提供される。
本発明の別の態様によれば、第1及び第2導電層にAC方形波形電圧を供給することを含む、上述の発光デバイスを動作させる方法が提供される。
本発明の別の態様によれば、基板を用意すること、電圧を印加すると光を放出するように構成された複数の直列OLED群を基板上に形成することを含む、発光デバイスを製造する方法が提供される。
本発明の別の態様によれば、基板を用意し、基板を覆うように第1導電性材料を形成し、第1電極材料の少なくとも一部を覆うように発光性材料を形成し、発光性材料の少なくとも一部を覆うように第2導電性材料を形成し、第1導電性材料と、発光性材料と、第2導電性材料とをパターン形成して、複数の有機発光ダイオード(OLED)モジュールを形成することを含む発光デバイスを製造する方法が提供され、該方法において、各OLEDモジュールは、パターン形成された第1導電性材料から形成された第1電極と、発光性材料から形成された発光層と、パターン形成された第2導電性材料から形成された第2電極とを有し、OLEDモジュールのそれぞれの第1及び第2電極は、OLEDモジュールに直列に電気的に接続される。
本発明の別の態様によれば、文字を表記するか又は絵柄を表示するように配置された複数のOLEDモジュールを備えたディスプレイが提供される。
本発明の別の態様によれば、基板を用意し、複数のOLEDモジュールを、文字を表記するか又は絵柄を表示するように配置することを含む、ディスプレイの製造方法が提供される。
本発明の他の特徴及び利点は、以下の実施形態についての詳細な説明及び付属の図面から明らかになるであろう。
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光デバイスを示す。図1の発光デバイス10は、複数のOLEDモジュール12を含む。図1では2つのOLEDモジュール12を示している。本発明の一実施形態においては、OLEDモジュールの数は2よりも多い。OLEDモジュール12は、互いに直列に接続されるように配置される。
個々のOLEDモジュール12の各々は、アノード14とカソード16とを有する。OLEDモジュール12は、図1に示すように、アノード14がカソード16に直列配置で電気的に接続される。これに関しては、それぞれのアノードとカソードは、典型的には図1に示すように相互接続配線18を介して電気的に接続される。
また発光デバイス10は、OLEDモジュール12に電圧を供給する電源20を含む。電源20は、第1導電線22及び第2導電線24を介して複数のOLEDモジュール12に電力を供給する。導電線22及び24は、複数のOLEDモジュール12のそれぞれの端アノード14とそれぞれの端カソード16とに電気的に接続される。
例示的な発光デバイスの構成は、本発明の譲受人に譲渡された特許出願である、ゼネラル・エレクトリック整理番号RD−27258−11(米国出願公開番号US−2002−0190661−A1)、A.Duggal他の「AC Powered OLED Device」において提供されており、該特許は引用により本明細書に全体が組み込まれる。
本発明の一実施形態においては、電源20はDC電源である。本発明の別の実施形態においては、電源20はAC電源である。
本発明の一実施形態においては、少なくとも2つのOLEDモジュール12が直列接続される。直列の各端のOLEDモジュール12は、片側のみが他のOLEDモジュール12に電気的に接続される。この場合には、導電線22及び24が、直列の両端に配置されたそれぞれのOLEDモジュールのアノード14とカソード16にそれぞれ接続される。従って、電源20は、複数のOLEDモジュール12の各々に電圧を供給する。
電源20と複数のOLEDモジュール12は、図1には基板26上に配置されるように示されている。しかしながら、複数のOLEDモジュール12と電源20は、単一の基板上に配置する必要はない。実際には、複数のOLEDモジュール12と電源20のいずれも基板26上に配置する必要はない。
図1は、直列構成で配置されるOLEDモジュール12の単一の群のみを備えた発光デバイス10を示す。しかしながら、本発明の第1実施形態はこれに限定されるものではない。本発明の一実施形態においては、第1実施形態の発光デバイス10は、OLEDモジュール12の1つよりも多い群を備え、各群におけるOLEDモジュール12は、直列構成で配置される。この場合には、各群は互いに並列構成で電気的に接続される。
図2は、本発明の第2実施形態を示す。第2実施形態の発光デバイス30は、図のように電源32に接続される。発光デバイス30は、基板34と、基板34上に設けられた複数のOLEDの直列の群36とを含む。本発明の一実施形態においては、基板34は透明なガラスからなる。
本発明の一実施形態においては、電源32はDC電源である。本発明の別の実施形態においては、電源20はAC電源である。
OLEDの直列の群36の各々は、複数の個々のOLEDモジュール38を備える。電源32からOLEDモジュール38に電圧が供給されると、OLEDモジュール38が光を放出する。
第1実施形態と同様に、第2実施形態におけるOLEDモジュール38の各々は、アノード42とカソード44を含む。特定の直列の群のOLEDモジュール38は、電気的に直列に、すなわち、1つのOLEDモジュール38のアノード42が隣接するOLEDモジュール38のカソード44に接続される。
図2は、特定の直列の群36における隣接するOLEDモジュール38のアノード42がカソード44に接続されることを示す。しかしながら、特定の直列の群36における隣接するOLEDモジュール38がこのように接続されることは、必要なことではない。本発明の一実施形態においては、直列の群36における特定のOLEDモジュール38は、別のOLEDモジュール38に接続され、このとき該別のOLEDモジュール38は、特定のOLEDモジュール38に対して近傍にある、すなわち最も近接しているというわけではない。しかしながら、どのような場合においても、特定の直列の群における全てのOLEDモジュール38は、電気的に直列に接続される。
第1実施形態と同様に、第2実施形態における電気的に直列に接続されたOLEDモジュール38のそれぞれのアノード42及びカソード44は、通常は相互接続配線46を介して接続される。
本発明の一実施形態においては、直列の群36に電力が供給され、これにより電源32から第1導電線48と第2導電線50を介して個々のOLEDモジュール38に電力が供給される。第1導電線48は、各OLEDの直列の群36の第1端に電気的に接続される。第2導電線50は、第1端とは反対側の各OLEDの直列の群36の第2端に電気的に接続される。各OLEDの直列の群36の第1端及び第2端は、反対の極性をもつという意味で互いに相対し、すなわち、一方の端はカソード44に電気的に接続され、他方の端はアノード42に電気的に接続される。この第1端及び第2端は、空間的な意味合いで互いに相対する必要性は無く、すなわち、第1端及び第2端は、物理的に最も遠くに離れているOLEDモジュール38に対応させる必要性はない。
図2は、電源32を発光デバイス30から分離したものとして示している。本発明の別の実施形態においては、電源32は、発光デバイス32の中に収容される。
本発明の別の実施形態においては、発光デバイス30はさらに、複数の回路素子52を備える。各回路素子52は、それぞれのOLEDモジュール38に電気的に並列に接続される。この場合には、各OLEDモジュール38は、対応する回路素子52をもたない。しかしながら、発光デバイス30が回路素子52を含む場合には、OLEDモジュール38の少なくとも幾つかは、対応する回路素子52を有する。
図2は、1つのOLEDモジュールに対して並列にされた回路素子52の各々を示す。本発明の別の実施形態においては、特定の回路素子52が、1つより多いOLEDモジュール38に対して並列にされる。
本発明の別の実施形態においては、回路素子52は、抵抗体、ダイオード、バリスタ、及びこれらの組合せからなる群から選択される。回路素子52は、それぞれのOLEDモジュール38の両端間電圧を修正する働きをする。本発明の別の実施形態においては、回路素子52は、OLEDモジュール38に対して適正な動作電圧を供給するために、それぞれのOLEDモジュール38の両端間電圧を低減する。
本発明の別の実施形態においては、回路素子52は、それぞれのOLEDモジュール38についてのフォールト・トレランスを与えるように働く。回路素子52は、ダイオード、バリスタ、抵抗体、及びこれらの組合せのいずれかからなる群から選択される。
本発明の別の実施形態においては、発光デバイス30の直列の群36は、第1導電線48に接続された該直列の群36の端が図2に示すように交互の極性をもつように配置される。この実施形態においては、第1導電線48は、1つの直列の群に、該直列の群36のOLEDモジュール38のカソード44を介して電気的に接続され、次の直列の群36は、該次の直列の群36のOLEDモジュール38のアノード42を介して第1導電線48に電気的に接続される。同様に、第2導電線50は、交互の極性をもつ直列の群36の端に接続される。本発明の一実施形態においては、電圧源32にDC電力が供給され、第1導電線48が電圧源32の正極側に接続され、第2導電線50が電圧源32の負極側に接続され、従って他のOLEDの直列の群36の間に配置されたOLEDの直列の群36は発光しない。本発明の別の実施形態においては、電圧源32にDC電力が供給され、第1導電線48が電圧源32の負極側に接続され、第2導電線50が電圧源32の正極側に接続され、従って中央部に配置されたOLEDの直列の群36の上下に配置されたOLEDの直列の群36は発光しない。
発光デバイス30にAC電力が供給され、直列の群36が交互の極性をもって接続されるように配置されたときには、1つの極性をもって接続された直列の群36の一部分が、AC波形の1/2サイクルの間に光を放出する。他の1/2サイクルの間には、反対の極性をもって接続された残りの直列の群36が光を放出する。従って、AC波形の両方の1/2サイクルの間に発光された光は、時間的な一様性を有する。
AC電力が使用され、さらに両方の1/2サイクルの間に放出される光が全体的に同一の強度を持つことが望まれる場合には、直列の群36のOLEDモジュール38の半数が1つの極性をもって接続され、該直列の群36のOLEDモジュール38のもう半数が別の極性をもって接続される。交互の1/2サイクルの間に放出される光が時間的に一様な強度をもつことを要求されない用途でAC電力を用いる場合には、1つの極性をもって接続されたOLEDモジュール38の部分が、反対の極性をもって接続された部分と同一のものにされる必要性はない。本発明の別の実施形態においては、OLEDモジュール38は、図5に示すように同一の極性をもって接続される。
図2は、互いに直近に隣接する直列の群36が反対の極性をもつように接続される本発明の実施形態を示す。この配置における発光デバイスは、一様な空間的強度をもつ光を発光する。本発明の別の実施形態においては、直列の群36は、直近に隣接する直列の群が同一の極性をもつように配置される。
図2は、群の中でOLEDモジュールが直線状に配置されたOLEDモジュール38の列を備える直列の群36の各々を示している。本発明の別の実施形態においては、直列の群36は、直線状以外の構成で配置されたOLEDモジュール38の群を備える。この実施形態においては、特定の直列の群36に対応するOLEDモジュール38の群は、OLEDモジュール38の1つより多い直線状で配置される。本発明の別の実施形態(図2には示されていない)においては、特定の直列の群36に対応するOLEDモジュール38の群は、OLEDモジュール38の一部のみが1つの特定の線状にあるように配置される。
図2は、4つのOLEDモジュール38を有する直列の群36の各々を示す。しかしながら、OLEDモジュール38の数は、4つに限定されるものではなく、OLEDモジュール38の実際の数は、当業者の判断に委ねられる。OLEDモジュール38の数は、OLEDモジュール38の最大需要電圧、及び動作に用いられるAC電圧波形のピーク時に電源32によって供給される最大電圧に依存することになる。例えば、120Vの電源32が使用され、各OLEDモジュール38が最大需要電圧10Vで同一の電流/電圧特性を有する場合には、12個のOLEDモジュール38が直列に接続される。或いは、それぞれのOLEDモジュール38への電圧を1/3だけ低下させるために回路素子52が用いられる場合には、各直列の群36に8個のOLEDモジュール38が用いられる。この場合には、回路素子52は、OLEDモジュール38に直列に配置される。回路素子52の詳細は、上記のとおりである。
図3は、発光デバイス60の特定の直列の群36のOLEDモジュール38が、言葉を表記するか又は絵柄を表示する標識の一部として配置される本発明の実施形態を示す。第2実施形態と同様に、図3の実施形態においては、発光デバイス60は、複数の直列の群36を含み、各直列の群36は、複数のOLEDモジュール38を含む。また、第2実施形態と同様に、図3の実施形態では、特定の直列の群におけるアノード42とカソード44を各々が有するOLEDモジュール38は、電気的に直列に、すなわちアノード42がカソード44に接続される。電源32からOLEDモジュール38に電圧が供給されたときに、OLEDモジュール38が発光する。
此処で用いられるように、図3の発光デバイス60及び図4の61は、ディスプレイ60とも呼ばれ、少なくとも1つのOLEDモジュール38が、文字、数字、絵柄、及びこれらの組合せのいずれかからなる群の少なくとも1つを表示するように配置される。
直列の群36に電力が供給され、これにより個々のOLEDモジュール38が(発光デバイス60とは分離した又は発光デバイスの一部の)電源32に接続される。電力は、第1導電線48と第2導電線50を介して供給される。第1導電線48は、各OLEDの直列の群36の第1端に電気的に接続される。第2導電線50は、第1端とは反対側の各OLEDの直列の群36の第2端に電気的に接続される。
OLEDモジュール38は、図3においては一緒になって文字「S」及び「T」を表記する。文字を表記する、数字を提示する、又は絵柄を表示するためにOLEDモジュール38をどのように配置するかは、当業者の判断に委ねられる。本発明の一実施形態においては、個々の文字、数字、又は絵柄は、1つより多い直列の群36を用いて提示され、本発明のより特定の実施形態においては、個々の文字、数字又は絵柄は、全て単一の直列の群36で提示される。本発明の別の実施形態においては、個々の文字、数字、又は絵柄は、単一の直列の群36の一部を用いて提示される。
図3は、文字を表記するか又は絵柄を表示するように配置されたOLEDモジュール38を示し、OLEDモジュール38は、接続されたOLEDモジュール38の直列の群36として配置される。或いは、別の実施形態(図3には示されていない)においては、OLEDモジュール38は、互いに対して平行に配置される。
図3の実施形態は、DC電源か又はAC電源のいずれによって給電されるのかにかかわらず、光源と、該光源からの光の一部を遮断して絵柄を表示するためのカバーシートとを備えたディスプレイ又は標識システムを上回る利点を与える。図3の実施形態においては、カバーシートは必要とされない。さらに、図3のシステムは、絵柄、数字、又は絵柄を表示するのに必要な数のOLEDモジュール38のみを含むことを必要とし、フル・アレイではない。従って、費用の節減を達成することができる。
図4は、図3のものと同様の本発明の別の実施形態を示す。しかしながら、図4の実施形態においては、単一のOLEDモジュール38が、当業者によって決められた文字、数字、又は所望の絵柄のような形状にされる。図3の実施形態と同様に、図4の実施形態の発光デバイス61は、複数の直列の群36を備え、各直列の群は、複数のOLEDモジュール38を備える。しかしながら、図4の実施形態においては、OLEDモジュール38の各々は、文字、数字、又は絵柄のような形状にされる。図4の実施形態においては、特定の直列の群36における各々がアノード42とカソード44を有するOLEDモジュール38は、電気的に直列に、すなわちアノード42がカソード44に接続される。電源32からOLEDモジュール38に電圧が供給されると、OLEDモジュール38が光を放出する。
直列の群36に電力が供給され、これにより(発光デバイスとは分離した又は発光デバイスの一部の)電源32から個々のOLEDモジュール38に電力が供給される。電力は、第1導電線48と第2導電線50とを介して供給される。第1導電線48は、各OLEDの直列の群36の第1端に電気的に接続される。第2導電線50は、第1端とは反対側の各OLEDの直列の群36の第2端に電気的に接続される。
図4における3つのOLEDの直列の群は、それぞれ「EAT」、「AT」及び「JOES」の言葉を表記する。所望の文字、数字、及び絵柄を表記するためにOLEDモジュールをどのように配置するかは、当業者の判断に委ねられる。
図4は、文字、数字、及び絵柄を表記するように配置されたOLEDモジュール38を示し、OLEDモジュール38は、接続されたOLEDモジュール38の直列の群36として配置される。本発明の別の実施形態においては、OLEDモジュール38は互いに平行に接続される。
図5は、本発明の別の実施形態を示す。図5の実施形態は、図5の発光デバイス70が変換回路52を含むことを除いては第2実施形態と同一のものである。図5に示された中央部の直列の群36は、上部及び下部の直列の群36と同じ極性構成で第1導電線48と第2導電線50との間に接続される。図5の実施形態の内容の他の部分は、第2実施形態(図2)と同じものであり、簡潔にするために此処での説明は省略する。
変換回路72が、電源32と第1導電線48及び第2導電線50との両方に接続される。AC電源を用いる実施形態においては、変換回路72は、電源32によって印加された電圧波形を、変換された電圧波形に変換するように働く。次いで、変換された電圧波形は、直列の群モジュール36に印加される。図6に示されるような変換回路72の例については後で説明する。
図9は、線間電圧のようなAC電源からの正弦波の電圧波形出力を示す。方形パルス波形が望まれる用途においては、変換回路は、正弦波の電圧波形をその1つが図10に示されているような方形パルス波形に変換するように働く。本発明の一実施形態においては、方形パルス波形は、OLEDモジュール38が特定の電圧において最高の効率で動作する用途に使用される。方形パルスの電圧の大きさは、その場合におけるほぼ最も高効率な電圧に設定される。従って、変換回路72は、変換された波形を与えるように働き、OLEDモジュールの両端において最適な電圧が印加されるようにする。
図10は、電圧が正である時間の長さが、電圧が負である時間の長さにほぼ等しい、すなわち、正電圧周期が負電圧周期と同じである方形波パルス波形を示す。しかしながら、本発明の別の実施形態においては、電圧が正である時間の長さよりも、電圧が負である時間の長さが長い電圧波形を有する。本発明の別の実施形態においては、電圧が正になる時間の長さよりも、電圧が負になる時間の長さが短い電圧波形が使用される。
図5を再び参照すると、本発明の一実施形態における変換回路72は、例えば、バック・ツー・バック型のツェナーダイオードを備える。図6は、バック・ツー・バック型のツェナーダイオード400及び402を備えた変換回路72の一例を示す。図6に示されるように、ツェナーダイオード400及び402は、反対の極性をもって電源32に接続される。ツェナーダイオード400及び402は、該ツェナーダイオード400及び402によって与えられる定格制限電圧が、最適動作電圧に近い電圧をOLEDモジュール38に与えるように選択される。ツェナーダイオード400及び402は、通常は制限電圧については厳密な許容差をもつようには製造されない。従って、バック・ツー・バック型のツェナーダイオード400及び402を備える変換回路72によって供給された電圧は、典型的に、「クリップされた」正弦波の波形(入力波形は正弦波状であると仮定する)であり、真の方形波ではない。しかしながら、「クリップされた」正弦波は、通常は多くの用途において十分なものであり、バック・ツー・バック型のツェナーダイオード400及び402変換回路は典型的にコスト効果が高い。
ツェナーダイオード変換回路72からの電圧波形出力の周波数は、入力波形と同じ周波数を有する。本発明の別の実施形態においては、変換回路72は、回路に入力されるサイクル周波数よりかなり高い周波数、すなわち>10kHzで動作する方形波パルスを与えるように構成される。選択された動作周波数は、発光デバイス70の応答時間によって定められる。
図7は、本発明の別の実施形態を示す。図7の実施形態は、変換回路72が3つの導電線、すなわち2つの第1導電線48及び51と第2導電線50の出力を有することを除いては、図5の実施形態と同じである。従って、図5の実施形態の内容と同じ図7の実施形態の部分の説明は、此処では簡潔にするために省略する。
図8は、図7の発光デバイス70に使用される変換回路72の別の例を示す。図8は、典型的に、回路に入力されるサイクル周波数より高い周波数で動作する波形パルスを与える。変換回路72は、整流器及びフィルタデバイス410を含み、整流器及びフィルタデバイス410はAC電源32に接続される。変換回路72はまた、図8に示すようにノード416で互いに接続される2つのトランジスタ412及び414を含む。トランジスタ412はまた、整流器及びフィルタ410の一方の端に接続され、他方のトランジスタ414は、整流器及びフィルタ410の他方の端に接続される。変換回路72はまた、水晶発振器418を含み、水晶発振器418の一方の端は一方のトランジスタ412に接続され、水晶発振器418の他方の端は他方のトランジスタ414に接続される。水晶発振器418により、ライン48、50及び51を介してOLEDモジュール38に入力される波形の動作周波数が決定される。
変換回路72のトランジスタは、電界効果トランジスタ(FETs)、相補型FETs(すなわちNチャネル及びPチャネル型FETsが一緒にされたもの)、及びこれらの組合せからなる群から選択される。FETsを用いることによって、発光デバイス・パッケージを小型化できるようになる。また、相補型FETsを用いることにより、パッケージ寸法がさらに小さくなる。コスト効果のために入力線間電圧を最小限整流することによって、方形波パルスが必然的に変調されることになる。しかしながら、これが光出力に与える影響はごく僅かであると考えられる。
次に、本発明の発光デバイスを動作させる方法について説明する。最も簡単な形態において、図1の発光デバイス10は、OLEDモジュール12に電圧を印加することにより動作する。AC電源を用いる場合には、図2の10,30、図3の60、及び図4の61の発光デバイスのうちの1つに正弦波形の線間電圧が印加され、これにより該正弦波形が、図1の12、図2の38、図3の38、及び図4の38のOLEDモジュールにそれぞれ印加される。
本発明の別の実施形態においては、図1の10、図2の30、図3の60、及び図4の61の発光デバイスの1つに正弦波形以外のAC波形が印加される。本発明の特定の実施形態においては、図1の10、図2の30、図3の60、及び図4の61の発光デバイスの1つに方形パルス電圧波形が印加される。すなわち、図1の12、図2の38、図3の38、及び図4の38のOLEDモジュールにそれぞれ方形パルス電圧波形が印加される。
本発明の別の代替的な実施形態においては、正弦波のAC波形が、図5又は図7に示された発光デバイスに印加され、該正弦波のAC波形は、発光デバイス自体の上で別の波形に変換される。この場合には、方形パルス波形又は「クリップされた」正弦波形のようなデバイス変換された波形が、OLEDモジュール38に供給される。
図11及び図12は、本発明の別の実施形態の側面図及び平面図を示す。図11においては、発光デバイス300は基板301を含む。基板301は、通常は、ガラス基板か又は他の透明な基板である。第1のOLEDモジュール303と第2のOLEDモジュール305とは、互いに隣接して配置される。第1電極302と、相互接続部304と、第2電極306と、発光層308とが一緒になって、第1のOLEDモジュール303と第2のOLEDモジュール305とを形成する。相互接続部304は、第1のOLEDモジュール303の第1電極302と、第2のOLED305のそれぞれの第2電極(カソード)306との間の電気接続部を形成する。第1のOLEDモジュール303の第1電極(アノード)302は、基板301の第1部分320上に配置される。第2のOLEDモジュール305の第1電極(アノード)302は、基板301の第1部分320上に配置される。相互接続部304は、第1のOLEDモジュール303の第1電極302の一部と、基板301の第4部分326との上に配置される。相互接続部304は、第2のOLEDモジュール305の第1電極302の一部と基板301の第4部分326との上に配置される。発光層308は、基板301の第2部分322と、第1のOLEDモジュール303の第1電極302の一部と、第1のOLEDモジュール303の相互接続部304の一部とを覆うように配置される。第2電極306は、基板301の第3部分324と、第1のOLEDモジュール303の発光層308の一部と、第2のOLEDモジュール305の相互接続部304の一部との上に配置される。第1電極302は典型的に、発光層308からの光が第1電極302を透過できるように光学的に透明にされる。
本発明の一実施形態においては、第1のOLEDモジュール303及び第2のOLEDモジュール305は直列に接続される。本発明の別の実施形態においては、第1のOLEDモジュール303及び第2のOLEDモジュール305は、並列に接続される。
此処で用いられる「〜上に配置される」、「〜から配置される」、「〜に配置される」、「〜を覆うように配置される」、「〜の上に配置される」、「〜の間に配置される」等の用語は、図面に示された部材の相対的な位置を指すのに用いられ、組み立てられたデバイスにおける構造上の又は動作上の制限を含むものではない。
図12に見られるように、OLEDモジュール303、305の群は、直列に接続されて直列の群310を形成する。直列の群310の両端の電極は、それぞれ第1導電線312と第2導電線314とに電気的に接続される。2つの直列の群310は、第1導電線312に接続された直列の群の一方の電極が、該第1導電線312に接続された他方の直列の群の電極とは反対の極性をもつように配置されることが好ましい。第1導電線312及び第2導電線314は、外部電源に接続されるように構成される。
次に、本発明に係る図11の発光デバイスの製造方法を、図13に関連させて説明する。発光デバイス300は、複数のOLEDモジュール303、305を備える。複数のOLEDモジュール303、305はさらに、少なくとも第1のOLEDモジュール303と第2のOLEDモジュール305とを備える。図13の段階1において、この方法は、各OLEDモジュール38のそれぞれの第1電極302を、基板301のそれぞれの部分上に配置することを含む。段階2において、この方法はさらに、第1のOLEDモジュール303の第1電極302を、基板301の第1部分320上に配置することを含む。相互接続部304を、第1のOLEDモジュール303の第1電極302の一部と、基板301の第4部分326との上に配置する。段階3において、発光層308を、基板301の第2部分322と、第1電極302の一部と、相互接続部304の一部との上に配置する。段階4において、第2電極306を、基板301の第3部分324と、発光層308の一部と、第2のOLEDモジュール305の相互接続部304の一部とを覆うように配置する。第1のOLEDモジュール303に隣接して第2のOLEDモジュール305を配置する。
図14及び図15は、本発明の別の実施形態の側面図及び平面図を示す。図14においては、発光デバイス300は基板301を含む。第1のOLEDモジュール303の第1電極302は、第1のOLEDモジュール303の第1部分320上に配置される。発光層308は、基板301の第2部分322と第1のOLEDモジュール303の第1電極302の一部との上に配置される。第2電極306は、基板301の第3部分324と、発光層308の一部と、第2のOLEDモジュール305の第1電極302の一部とを覆うように配置される。第1のOLEDモジュール303及び第2のOLEDモジュール305は、互いに隣接して配置される。本発明の一実施形態においては、第1のOLEDモジュール303及び第2のOLEDモジュール305は直列に接続される。
図15に見られるように、第1のOLEDモジュール303及び第2のOLEDモジュール305の群は、直列に接続されて直列の群310を形成する。直列の群310の両端の電極は、それぞれ第1導電線312及び第2導電線314に電気的に接続される。本発明の一実施形態においては、2つの直列の群310は、第1導電線312に接続された直列の群の一方の電極が、該第1導電線312に接続された他方の直列の群の電極とは反対の極性をもつように配置される。本発明の一実施形態においては、第1導電線312及び第2導電線314は、外部電源(図15には示さず)に接続されるように構成される。
次に、本発明の別の実施形態に係る図14の発光デバイスの別の製造方法について、図16に関連させて説明する。発光デバイス300は、複数のOLEDモジュール303、305を備える。複数のOLEDモジュール303、305はさらに、少なくとも第1のOLEDモジュール303と第2のOLEDモジュール305を備える。この方法は、各OLEDモジュール38のそれぞれの第1電極302を、基板301のそれぞれの部分の上に配置することを含む。段階1において、この方法は、第1のOLEDモジュール303の第1電極302を、基板301の第1部分320上に配置することによって、第1のOLEDモジュール303を形成することを含む。段階2において、この方法はさらに、基板301の第2部分322と第1のOLEDモジュール303の第1電極302の一部との上に発光層308を配置することを含む。段階3において、この方法はさらに、基板301の第3部分324と、発光層308の一部と、第2のOLEDモジュール305の第1電極302の一部とを覆うように第2電極306を配置することを含む。第2のOLEDモジュール305は、第1のOLEDモジュール303に隣接して配置される。
図17及び図18は、本発明の別の実施形態の側面図及び平面図を示す。図17においては、発光デバイス300は基板301を含む。第1のOLEDモジュール303の第1電極302は、基板301の第1部分320上に配置される。発光層308は、第1のOLEDモジュール303の第1電極302の一部上に配置される。発光層308はさらに、第2のOLEDモジュール305の第1電極302の一部と基板301の第2部分322との上に配置される。第2電極306は、第1のOLEDモジュール303の発光層308の一部と、第2のOLEDモジュール305の発光層308の一部と、第1のOLEDモジュール303の第1電極302の一部との上に配置される。第1のOLEDモジュール303と第2のOLEDモジュール305とは、互いに隣接して配置される。本発明の一実施形態においては、第1のOLEDモジュール303及び第2のOLEDモジュール305は直列に接続される。
図18に見られるように、OLEDモジュール303、305の群は、直列に接続されて直列の群310を形成する。直列の群310の両端の電極は、それぞれ第1導電線312及び第2導電線314に電気的に接続される。本発明の一実施形態においては、2つの直列の群310は、第1導電線312に接続された直列の群310の一方の第1電極302が、該第1導電線312に接続された他方の直列の群310の第2電極306とは反対の極性をもつように配置される。第1導電線312及び第2導電線314は、外部電源(図18には示さず)に接続されるように構成される。
次に、本発明に係る図17の発光デバイスの別の製造方法を、図19に関連させて説明する。発光デバイス300は、複数のOLEDモジュール303、305を備える。複数のOLEDモジュール303、305はさらに、少なくとも第1のOLEDモジュール303と第2のOLEDモジュール305とを備える。この方法の第1段階は、各OLEDモジュール303、305のそれぞれの第1電極302を、基板301のそれぞれの部分上に配置することを含む。段階1において、この方法はさらに、第1のOLEDモジュール303の第1電極302を、基板301の第1部分320上に配置することを含む。この方法の第2段階において、第1のOLEDモジュール303の第1電極302の一部と、第2のOLEDモジュール305の第1電極302の一部と、基板301の第2部分322との上に発光層308が配置される。この方法の第3段階において、第1のOLEDモジュール303の発光層308の一部と、第2のOLEDモジュール305の発光層308の一部と、第1のOLEDモジュール303の第1電極302の一部との上に第2電極306が配置される。第2のOLEDモジュール305は、第1のOLEDモジュール303に隣接して配置される。
本発明の別の方法の実施形態においては、図20の段階1に示されるように、第1導電性材料340が基板301を覆うように蒸着される。本発明の方法の一実施形態においては、段階2に示されるように、第1導電性材料340がパターン形成されて複数の第1電極302が形成される。本発明の別のより特定の実施形態において、基板301の第1部分320上に第1導電性材料が配置されて、複数の第1電極302が形成される。本発明の別の特定の実施形態においては、第3段階において、複数の第1電極302と基板301の一部とを覆うように第1導電性相互接続材料380が配置される。段階4において、第1導電性相互接続材料380がパターン形成されて、複数の相互接続部304が形成される。
図20の段階5において、相互接続部304と、基板301の一部と、第1電極302の一部との上に発光性材料350が配置される。段階6において、発光性材料350がパターン形成されて、発光層308が形成される。本発明の一実施形態においては、発光層308は、基板301の第2部分322と、第1電極302の一部と、相互接続部304の一部との上に配置される。本発明の一実施形態においては、発光層を第1導電性電極302と電気的に接触する状態で配置するシャドウマスクを通して発光性材料350を蒸着することによって、発光層308が形成される。本発明の別の実施形態においては、例えばスピン・オン工程により、基板301を覆うように発光性材料350を蒸着させることによって発光層308が形成される。本発明の一実施形態においては、蒸着された発光性材料350を適切なエッチング剤でエッチングすることによって発光層308が形成される。本発明の一実施形態においては、発光層308は、蒸着された発光性材料350の選択部分のレーザ・アブレーションによって形成される。
図20の段階7においては、基板301の第3部分342と、発光層308と、相互接続部304の一部とを覆うように第2電極材料360が配置される。段階8において、第2電極材料360がパターン形成されて、複数の第2電極306が形成される。本発明の方法の一実施形態においては、第2電極306が基板301の第3部分324を覆うように配置され、該第2電極306は、発光層308の一部と隣接する第2のOLEDモジュール305の相互接続部304の一部との上に配置される。
本発明の別の方法の実施形態が図21に提供され、此処では段階1において、第1導電性材料340が基板301を覆うように蒸着され、段階2において、第1導電性材料340がパターン形成されて、複数の第1電極302が形成される。図21の段階1及び段階2は、上述の図20の段階1及び段階2と同様である。本発明の別の特定の実施形態においては、段階3において、図21の発光性材料350が、複数の第1電極302と、基板301の第2部分322と、基板301の第3部分324とを覆うように配置される。段階4において、発光性材料350がパターン形成されて、発光層308が形成される。本発明の一実施形態においては、発光層308は、それぞれの第1電極302の一部と基板301の第2部分322との上に配置される。
図21の段階5においては、第2電極材料360は、基板301の第3部分324と、発光層308の一部と、第1電極302の一部とを覆うように配置される。段階6において、第2電極材料360がパターン形成されて、複数の第2電極306が形成される。本発明の1つの方法の実施形態においては、基板301の第3部分324と、発光層308の一部と、隣接する第2のOLEDモジュール305の第1電極320の一部との上に図14の第2電極306が配置される。
本発明の一実施形態においては、図21の第1導電性電極材料340と複数の第1電極302とは、酸化スズ・インジウム(ITO)、酸化スズ、ニッケル又は金のような少なくとも1つの導電性透明材料を含む。本発明の一実施形態においては、図20の第1導電性相互接続部材料380は、銅、アルミニウム、チタン、及びこれらの組合せのいずれかからなる群から選択される。本発明の別の実施形態においては、第1導電性相互接続部材料380及び第1電極302は、例えば、バイエル・コーポレーションから入手可能なポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸塩(PEDT/PSS)といった有機導電体からなり、スピンコーティングのような従来の方法によって塗布される。
本発明の別の実施形態においては、基板上に選択的に第1導電性材料340を蒸着することによって、第1導電性電極302が形成される。本発明のさらに特定の実施形態においては、第1導電性材料340がブランケット蒸着され、次いでマスクされ、エッチングされて、第1導電性電極302がパターン形成される。例えば、第1導電性材料340は、スパッタリングによって蒸着される。本発明の別の実施形態においては、第1導電性電極302を覆うように、及び該電極と接触するように、第1導電性相互接続部材料380を蒸着させることによって、相互接続部304が形成される。次いで、第1導電性相互接続部材料380がマスクされ、エッチングされて、相互接続部304が形成される。
本発明の特定の実施形態においては、第1電極302と相互接続部304は、同じ材料から形成され、これらは通常、最初に単一層を蒸着させ、次いで単一のマスク及びエッチング工程を行って、第1電極302と相互接続部304とが組み合わされたものを形成することによって形成される。
別の実施形態においては、発光層308は、発光性材料350を、インクジェット印刷などによって、基板301を覆い且つ第1電極302と電気的に接触するように選択的に蒸着することによって形成される。
発光層308が形成された後に、第2電極306が形成される。本発明の一実施形態においては、シャドウマスクを通して第2導電性材料360を蒸着することによって第2電極306が形成される。本発明の一実施形態においては、第2導電性材料360は、カルシウム、金、インジウム、マンガン、スズ、鉛、アルミニウム、銀、マグネシウム、マグネシウム/銀合金、及びこれらの組合せからなる群から選択される。本発明の一実施形態においては、第2導電性材料360をブランケット蒸着することによって、第2電極306が形成される。次いで、第2電極306を成形するために、第2導電性材料360がエッチングによってパターン形成される。
例えば、アルミニウム又は銅のような導電性材料を蒸着させ、該導電性材料をパターン形成して、線を形成することによって、第1導電線312及び第2導電線314が形成される。或いは、第1導電線312及び第2導電線314は、めっき工程又はマスクを通した蒸発などによる選択的な蒸着によって形成される。
I.OLEDモジュールの構成部品
本発明の図22のOLEDモジュール100は、OLEDデバイスのような、どのようなタイプの有機発光デバイスも含む。「光」という用語は、可視光並びにUV放射及びIR放射を含む。OLEDモジュール100は、2つの電極、例えば第1電極(カソード)120と第2電極(アノード)130との間に配置された発光層110を含む。発光層110は、電圧源「V」から第2電極130と第1電極120間に電圧が印加されると、光を放出する。OLEDモジュール100は典型的には、図22に示されるように、PET(MYLAR(商標))及びポリカーボネート等のようなガラス又は透明プラスチックといったデバイス基板125を含む。此処で用いられる「OLEDモジュール」という用語は、通常は、少なくとも発光層110と、第1電極120と、第2電極130とを含む組合せのことをいう。本発明の一実施形態においては、OLEDモジュール100はさらに、デバイス基板301を含む。本発明の一実施形態においては、OLEDモジュール100はさらに、デバイス基板301とデバイスの電気接触部とを含む。本発明の一実施形態においては、OLEDモジュール100はさらに、デバイス基板301と、電気接触部と、光輝性層135とを含む。光輝性層135については後述する。
A.電極
第2電極130と第1電極120が、電荷キャリア、すなわち正孔と電子を発光層110に注入し、そこで正孔と電子が再結合して、励起された分子又は励起子を生成し、該分子又は励起子が崩壊するときに光を放出する。分子によって放出される光の色は、分子又は励起子の励起状態と基底状態との間のエネルギー差に依存する。印加される電圧は、典型的には約3−10ボルトであるが、本発明の別の実施形態においては、印加される電圧は最大30ボルトまで或いはそれ以上とされ、外部量子効率(注入電子1個当りのフォトン放出数の割合)は0.01%から5%の間であるが、10%、20%、30%又はそれ以上とすることができる。発光層110は、典型的には約50−500ナノメートルの厚さを有し、電極120、130の各々は、典型的には約100−1000ナノメートルの厚さを有する。
第1電極120は、通常は、比較的低い電圧でカソードから電子が放出されるようにする低い仕事関数値を有する材料を含む。本発明の一実施形態においては、第1電極120は、カルシウム、金、インジウム、マンガン、スズ、鉛、アルミニウム、銀、マグネシウム、マグネシウム/銀合金、及びこれらの組合せのいずれかからなる群から選択される。本発明の別の実施形態においては、第1電極120は、電子の注入を増加させるために、2つの層を含む。本発明の特定の一実施形態においては、第1電極120は、LiFの薄い内層の後に厚めのアルミニウムの外層をもつもの、LiFの薄い内層の後に厚めの銀の外層をもつもの、カルシウムの薄い内層の後に厚めのアルミニウムの外層をもつもの、カルシウムの薄い内層の後に厚めの銀の外層をもつもの、及びこれらの組合せからなる群から選択される。
第2電極130は、通常は、高い仕事関数値を有する材料を含む。第2電極130は、通常は、発光層100で生じた光がOLEDモジュール100の外に伝搬するように、透明なものにされる。本発明の一実施形態においては、第2電極130は、酸化スズ・インジウム(ITO)、酸化スズ、ニッケル、金、及びこれらの組合せからなる群から選択される。電極120、130は、例えば蒸発やスパッタリングのような通常の蒸着技術によって形成される。
B.有機発光層
本発明の例示的な実施形態と組み合わせて種々の発光層110が用いられる。図22に示された一実施形態によれば、発光層110は単一層を含む。本発明の特定の一実施形態においては、発光層110は共役ポリマーを含む。共役ポリマーは発光性である。本発明の一実施形態においては、共役ポリマーは、電子輸送分子と発光性材料とがドープされた正孔輸送ポリマーを含む。本発明の別の実施形態においては、共役ポリマーは、正孔輸送分子と発光性材料とがドープされた不活性ポリマーを含む。本発明の別の実施形態においては、発光層110は、他の発光性分子がドープされた発光性の小さい有機分子のアモルファス・フィルムを含む。
図23−図26に示された本発明の他の実施形態によれば、発光層110は、正孔注入、正孔輸送、電子注入、電子輸送、及び発光の機能を果たす2つ又はそれ以上のサブ層を含む。発光層110は、機能性デバイスとするために、少なくとも発光機能を果たすことが要求される。しかしながら、付加的なサブ層によって、通常は、正孔と電子が再結合して光を生じる効率が増加する。従って、発光層110は、例えば、正孔注入サブ層、正孔輸送サブ層、発光サブ層、及び電子注入サブ層を含む1から4つまでのサブ層を含む。本発明の一実施形態においては、1つ又はそれ以上のサブ層は、正孔注入、正孔輸送、電子注入、電子輸送、及び発光のような、2つ又はそれ以上の機能を達成する材料を含む。
次に、図22に示すように、発光層110が単一層を含む実施形態について説明する。一実施形態によれば、発光層110は、共役ポリマーを含む。共役ポリマーという用語は、ポリマー骨格に沿って非局在化されたπ電子系を含むポリマーのことをいう。非局在化されたπ電子系は、ポリマーに半導体特性を与え、ポリマー鎖に沿って高い移動度を有する正及び負の電荷キャリアを支持する能力を与える。ポリマーフィルムは、電極間に電界が供給されたときに、ポリマーに電荷キャリアを注入し、該ポリマーから放射線を放出させる、十分に低い濃度の外部電荷キャリアを有する。共役ポリマーは、例えば、R.H.Friend、「Journal of Molecular Electronics」、37−46(1988年)において説明されている。
電圧を印加すると光を放出する共役ポリマーの一例は、PPV(ポリ(p−フェニレンビニレン)である。PPVは、約500−690ナノメートルのスペクトル範囲の光を放出し、クラッキングに起因した熱及び応力に対する良好な抵抗性をもつ。好適なPPVフィルムは、典型的には約100−1000ナノメートルの厚さを有する。PPVフィルムは、PPV前駆体のメタノール溶液を基板上にスピンコーティングし、真空オーブン中で加熱することによって形成される。
発光特性を保ったままで、PPVに種々の修飾が行われる。一実施形態においては、PPVのフェニレン環は、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、及びこれらの組合せから各々独立して選択された1つ又はそれ以上の置換基をもつ。別の実施形態においては、PPVから誘導された他の共役ポリマーが、本発明の例示的な実施形態に関連して用いられる。本発明の特定の一実施形態においては、PPV誘導体の1つは、フェニレン環を縮合環系に置き換えること、例えばフェニレン環をアントラセンか又はナフタレン環系に置き換えることによって誘導されたポリマーを含む。本発明の別の特定の一実施形態においては、別のPPV誘導体は代替的な環系を含み、該代替的な環系も、フェニレン環について上述したタイプの1つ又はそれ以上の置換基をもち、フェニレン環をフラン環のような複素環系に置き換えることによって誘導されたポリマーを含む。本発明の別の代替的な一実施形態においては、別のPPV誘導体は、フェニレン環について上述したタイプの1つ又はそれ以上の置換基をもつフラン環を有し、各フェニレン又は他の環系に関連するビニレン部分の数を増加させることによって誘導されたポリマーを含む。上記の誘導体は、異なるエネルギーギャップを有し、1つ又はそれ以上の所望の色範囲の光を放出する発光層110を製造する際の融通性をもたらす。発光性共役ポリマーについてのさらなる情報は、米国特許第5,247,190号に記載されており、これは引用により本明細書に組み込まれる。
好適な共役ポリマーの他の例は、2,7−置換−9−置換フルオレン、及び9−置換フルオレンオリゴマー及びポリマーのようなポリフルオレンを含む。ポリフルオレンは、通常は、良好な熱及び化学安定性と、固体での高い蛍光量子収量を有する。本発明の一実施形態においては、フルオレン、オリゴマー及びポリマーは、第9位において、1)1つ又はそれ以上の硫黄、窒素、酸素、リン、又はケイ素ヘテロ原子を含む2つの炭化水素部分、2)フルオレン環上に9つの炭素をもつように形成されたC5-20環構造、及び3)1つ又はそれ以上の硫黄、窒素又は酸素のへテロ原子を含む9つの炭素をもつように形成されたC4-20環構造に置換されるか、又はヒドロカルビリデン(hydrocarbylidene)部分に置換される。一実施形態によれば、フルオレンは、第2位、及び第7位において、架橋又は連鎖延長可能な部分でさらに置換されるアリル部分か、又はトリアルキルシロキシ部分で置換される。本発明の別の実施形態においては、フルオレンポリマー及びオリゴマーは、第2位及び第7位において置換される。フルオレンオリゴマー及びポリマーのモノマー単位は、互いに第2位及び第7位において結合される。本発明の一実施形態においては、2,7−アリル−9置換フルオレンオリゴマー及びポリマーはさらに、互いに反応して2,7’−アリル端部分に架橋又は連鎖延長可能な任意選択的な部分を生じさせて連鎖延長又は架橋させることによって、より高い分子量のポリマーを生成する。
上述のフルオレン及びフルオレンオリゴマー又はポリマーは、一般的な有機溶媒中で容易に溶ける。これらは、スピンコーティング、スプレー・コーティング、浸漬コーティング、及びローラ・コーティングのような従来の技術によって、薄膜又はコーティング状に加工可能である。こうしたフィルムは、硬化させると、一般的な有機溶媒に対する耐性及び高い耐熱性を呈する。こうしたポリフルオレンについてのさらなる情報は、米国特許第5,708,130号に記載されており、これは引用により本明細書に組み込まれる。
本発明の別の実施形態においては、他の好適なポリフルオレンは、青色の電界発光を呈するポリ(フルオレン−コ−アントラセン)のようなポリ(フルオレン)コポリマーを含む。これらのコポリマーは、2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−ヘキシルフルオレン(DHF)のようなポリフルオレン・サブユニットと、9,10−ジブロモアントラセン(ANT)のような別のサブユニットを含む。DHF及びANTから、対応するニ臭化アリルのニッケル媒介共重合によって、高分子量のコポリマーが調製される。最終的なポリマーの分子量は、重合の異なる段階でエンドキャッピング試薬である2−ブロモフルオレンを添加することによって制御される。コポリマーは、400℃を上回る分解温度において熱的に安定であり、テトラヒドロフラン(THF)、クロロホルム、キシレン又はクロロベンゼンのような一般的な有機溶媒に溶ける。これらは、約455nmの波長をもつ青色光を放出する。こうしたポリフルオレンについてのさらなる情報は、Gerrit Klarner他の「Colorfast Blue Light Emitting Random Copolymers Derived from Di−n−hexylfluorene and Anthracene」、Adv.Mater.993−997(1998年)に記載されており、これは引用により本明細書に組み込まれる。本発明の特定の実施形態においては、青色発光ポリフルオレンは、ポリ(9,9−ジ−n−ヘキシルフルオリン−2,7−diyl)であり、約415nmから460nmまでの間の広い2つの発光ピークを有するものが用いられる。
図22に示すような単一層モジュール200の別の実施形態によれば、発光層110は、分子的にドープされたポリマーを含む。分子的にドープされたポリマーは、典型的には、不活性ポリマー・バインダの中に分子拡散される電荷輸送分子の2成分固体溶液を含む。電荷輸送分子は、正孔と電子が、ドープされたポリマーの中を移動して再結合する能力を高める。不活性ポリマーは、利用可能なドーパント材料としての多くの代替物と、ホストポリマー・バインダの機械的特性を与える。
分子的にドープされたポリマーの一例は、正孔輸送分子であるN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルスフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)と、発光性材料であるトリス(8−キノリノラト)−アルミニウム(III)(Alq)とを分子的にドープしたポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)を含む。TDPは、10-3cm2/ボルト秒の高い正孔ドリフト移動度を有し、Alqは、発光特性に加えて電子輸送特性をもつ発光金属錯体である。
ドープ濃度は、典型的には約50%であり、TDP対Alqのモル比は、例えば約0.4から1.0まで変化する。本発明の一実施形態においては、ドープされたPMMAフィルムは、好適な量のTPD、Alq、及びPMMAを含有するジクロロエタン溶液を混合し、該溶液を所望の基板上、例えば酸化スズ・インジウム(ITO)電極に浸漬コーティングすることによって調製される。ドープされたPMMA層の厚さは、典型的には約100ナノメートルである。電圧を印加することによって活性化されると、緑色発光が生じる。こうしたドープポリマーについてのさらなる情報は、Junji Kido他の「Organic Electroluminescent Devices Based on Molecularly Doped Polymers」、Appl.Phys.Lett.761−763(1992年)に記載されており、これは引用により本明細書に組み込まれる。
図23に示された本発明のOLEDモジュール200の別の実施形態によれば、発光層110は2つのサブ層を含む。第1サブ層111は、正孔輸送、電子輸送、及び発光特性を与え、第1電極120に隣接して配置される。第2サブ層112は、正孔注入サブ層として働き、第2電極130に隣接して配置される。第1サブ層111は、電子輸送分子と、例えば染料又はポリマーのような発光性材料とがドープされた正孔輸送ポリマーを含む。本発明の一実施形態においては、正孔輸送ポリマーは、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(PVK)を含む。本発明の別の実施形態においては、電子輸送分子は、2−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)を含む。発光性材料は、典型的には発光色を変える発光中心として機能する小さい分子又はポリマーを含む。本発明の一実施形態においては、発光性材料は、有機染料クマリン460(青色)、クマリン6(緑色)、ナイルレッド、及びこれらの組合せからなる群から選択される。本発明の一実施形態においては、これらのブレンドの薄膜は、異なる量のPVK、電子輸送分子、及び発光性材料を含有するクロロホルム溶液をスピンコーティングすることによって形成される。例えば、好適な混合物は、100重量パーセントのPVKと、40重量パーセントのPBDと、0.2〜1.0重量パーセントの有機染料とを含む。
第2サブ層112は、正孔注入サブ層として働き、本発明の一実施形態においては、例えば、Bayer Corporationから入手可能なポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸塩(PEDT/PSS)を含み、これはスピンコーティングなどの従来の方法によって塗布される。電子輸送分子と発光性材料とがドープされた正孔輸送ポリマーについてのさらなる情報は、Chung−Chih Wu他の「Efficient Organic Electroluminescent Devices Using Single−Layer Doped Polymer Thin Films with Bipolar Carrier Transport Abilities」、IEEE Trans.on Elec.Devices,1269−1281(1997年)に記載されており、これは引用により本明細書に組み込まれる。
図24に示された本発明のOLEDモジュール100の別の実施形態によれば、発光層110は、発光サブ層113と正孔輸送サブ層114とを含む。本発明の一実施形態においては、正孔輸送サブ層114は、容易に及び可逆的に酸化可能な芳香族アミンを含む。こうした発光サブ層及び正孔輸送サブ層の一例は、A.W.Grice他の「High Brightness and Efficiency of Blue Light−Emitting Polymer Diodes」、Appl.Phys.Letters、629−631(1998年)に記載されており、これは引用により本明細書に組み込まれる。この文献に記載されたデバイスは、ITO電極とカルシウム電極との間に挟み込まれた2つのポリマー層を含む。ITOに隣接するポリマー層は、正孔輸送層であり、ポリマー性のトリフェニルジアミン誘導体(ポリ−TPD)を含む。カルシウム電極に隣接する青色発光ポリマー層は、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)である。
図25に示された本発明のOLEDモジュール100の別の実施形態によれば、発光層110は、発光特性及び正孔輸送特性をもつ第1サブ層115と、電子注入特性をもつ第2サブ層116とを含む。第1サブ層115はポリシランを含み、第2サブ層はオキサジアゾール化合物を含む。この構造体は、紫外(UV)線を生成する。
ポリシランは、種々のアルキル及び/又はアリル側基で置換された線状ケイ素(Si)骨格ポリマーである。π−共役ポリマーとは対照的に、ポリシランは、ポリマー骨格鎖に沿って非局在化されたσ−共役電子をもつ準一次元材料である。一次元の直接ギャップ特性により、ポリシランは、紫外領域において高い量子効率をもつ鋭い光ルミネセンスを呈する。好適なポリシランの例は、ポリ(ジ−n−ブチルシラン)(PDBS)、ポリ(ジ−n−ペンチルシラン)(PDPS)、ポリ(ジ−n−ヘキシルシラン)(PDHS)、ポリ(メチル−フェニルシラン)(PMPS)、及びポリ[−ビス(p−ブチルフェニル)シラン](PBPS)を含む。本発明の一実施形態においては、ポリシラン・サブ層115は、トルエン溶液からのスピンコーティングによって塗布される。本発明の別の実施形態においては、電子注入サブ層116は、2,5−ビス(4−ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(BBD)を含む。UV放射ポリシラン発光層についてのさらなる情報は、Hiroyuki Suzuki他の「Near−ultraviolet Electroluminescence from Polysilanes」、Thin Solid Films、64−70(1998年)に記載されており、これは引用により本明細書に組み込まれる。
図26に示された本発明のOLEDモジュール100の別の実施形態によれば、発光層100は、正孔注入サブ層117と、正孔輸送サブ層118と、発光サブ層119と、電子注入サブ層121とを含む。正孔注入サブ層117及び正孔輸送サブ層118は、正孔を再結合領域に効率的に与える。電子注入サブ層121は、電子を再結合領域に効率的に与える。
本発明の一実施形態においては、正孔注入サブ層117は、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、及びこれらの組合せからなる群から選択されたポルフィリン化合物を含む。本発明の別の実施形態においては、正孔輸送サブ層118は、正孔輸送芳香族第3アミンを含む。本発明の特定の一実施形態においては、芳香族第3アミンは、少なくともその1つが芳香族環の一部である炭素原子とのみ結合した、少なくとも1つの三価窒素原子を含有する化合物である。本発明の別の特定の実施形態においては、発光サブ層119は、例えば、ビス(R−8−キノリノラト)−(フェノレート)アルミニウム(III)キレートのような青色波長において発光する混合配位子アルミニウムキレートを含み、ここでRは、アルミニウム原子への2つより多い8−キノリノラト配位子の付着を妨げるように選択された8−キノリノラト環核の環置換基である。本発明の別の特定の実施形態においては、電子注入サブ層121は、金属オキシノイド電荷受容化合物を含む。本発明の特定の一実施形態においては、金属オキシノイド電荷受容化合物は、アルミニウムのトリスキレートである。こうした4層材料及びデバイスについてのさらなる情報は、米国特許第5,294,870号に記載されており、これは引用により本明細書に組み込まれる。
当業者であれば、発光層110の上記の例を利用して、照明用途に基づく1つ又はそれ以上の所望の色の光を発光するOLEDを設計することができるであろう。上記の情報に基づいて、当業者は紫外光、青色光、緑色光、赤色光、及びこれらの組合せからなる群から選択される色の光を発光するOLEDモジュール100を設計することができるであろう。
C.シール部材及び接触部
図27及び図28を参照すると、本発明の別の実施形態に係る発光デバイスのOLEDモジュール200が示されている。OLEDモジュール200は、発光層110と、第2電極130と、光を透過する第1電極120とを備える。また、OLEDモジュール200は、光を透過する基板125を含む。図22におけるものと対応する図27及び図28の要素(例えば第2電極130、第1電極120、発光層100)は、図22に関連して上述されたのと同じ材料から形成される。電圧を印加すると、図26の発光層110において光(矢印101で表す)が生じ、第2電極130及び基板125を通って伝搬する。
第1電極120に隣接するのは、典型的にはガラスを含む、酸素及び水に対する障壁を与えるシール部材150である。本発明の一実施形態においては、例えばエポキシ、金属、又はガラスフリットを含むシーラント152と協働するシール部材150は、第1電極120、第2電極130、及び発光層110の中に水及び酸素が侵入することを防ぐ、ほぼ密封の障壁をもたらす。
シール部材150に隣接して形成されるのは、第1電気接触部162及び第2電気接触部164であり、それぞれが第2電極130及び第1電極120への電気接続部を形成する。図28により明確に示されるように、第1デバイス電気接触部162は、第2電極130のタブ領域132において第2電極130に電気的に接続される。タブ領域132は、シール部材150の周囲を越えた位置にある。第2電気接触部164は、第1電極120の第2タブ領域124において第1電極120に電気的に接続される。タブ領域124は、シール部材150の周囲を越えた位置にある。発光層110(図28には示さず)は、通常は、第2電極130と第1電極120との重なり領域を少なくとも占め、本発明の一実施形態においては、これらの電極を越えて延びる。
図27を再び参照すると、電気接触部162、164は、典型的には共通の平面を占める各接触面163、165を有する。これらのデバイス接触面163、165は、図27に関連させて後でさらに説明するように、1つ又はそれ以上のOLEDモジュール200の基板125上への取り付けを容易にする。
電気接触部162、164の有利な特徴を、発光層110の中を通る仮想面に関連付けて説明する。通常平坦である仮想面は、OLEDモジュール200を第1側と第2側とに分ける。第2電極130は第1側に配置され、第1電極120は第2側に配置される。第1側を通って光が放出され、電気接触部162、164は第2側まで延びる。例えば、第1電気接触部162は、OLEDモジュール200の第1側の第2電極130から第2側まで延びる。第2電気接触部164は、OLEDモジュール200の第2側の第1電極120から第2側の別の位置まで延びる。従って、OLEDモジュール200は、共通の平坦面163、165上で両方の電気接触部162、164を接触させることによって電力供給されるように構成され、これは、OLEDモジュール200の発光が生じる側とは反対側にある。通常は、表面163,165によって定められた平坦面は、発光層110及び基板125に対して平行である。この構成によって、多数のOLEDモジュール200を、基板125上で互いに隣接させて(「タイル状にして」)容易に取り付けることができるようになる。
図28に示すように、基板125は、OLEDモジュール200の面積を定める。第1及び第2電気接触部162、164は、基板125の面積内のある面積を占める。従って、隣接する発光デバイス基板125間におけるどのような電気的コネクタも無く、及びこれらの間に小さい分離距離を備えて、2つのOLEDデバイスが互いに直接に隣接して配置される。本発明の一実施形態においては、分離距離は2センチメートル(cm)より小さい。本発明の別の特定の実施形態においては、分離距離は、1cm、0.5cm、0.25cm、及びこれらの組合せからなる群から選択される。本発明の別の特定の実施形態においては、分離距離は、0.1cmより大きい。
D.光輝性層
図27に示されるように、本発明の別の特定の実施形態においては、OLEDモジュール200は光輝層135を含む。光輝性層135は、発光層110からの光を吸収し、通常はより長い波長をもつ光を放出する光輝性材料を含む。別の特定の実施形態においては、光輝性材料は無機蛍光体を含む。別の特定の実施形態においては、光輝性材料は、有機染料のような有機光輝性材料を含む。用いられる蛍光体材料の例は、ガーネット構造状に結晶化された、セリウムドープのY3Al512(YAG)格子に基づく蛍光体を含む。特定の蛍光体の例は、(Y1-x-yGdxCey3Al512(YAG:Gd,Ce)、(Y1-xCex3Al512(YAG:Ce)、(Y1-xCex3(Al1-yGay512(YAG:Ga,Ce)、及び(Y1-x-yGdxCey3(Al5-zGaz512(YAG:Gd,Ga,Ce)、及び(Gd1-xCex)Sc2Al312(GSAG)である。YAG蛍光体は、通常は(Y1-X-YGdXCeY3(Al1-ZGaZ512で表わされ、ここで、
x+y≦1;0≦x≦1;0≦y≦1;及び0≦z≦1
である。発光バンドのピーク位置は、上述の蛍光体において大きく変わる。ガーネット組成に応じて、Ce3+発光は、発光効率における大きな損失無しに、緑色(〜540nm;YAG:Ga,Ce)から赤色(〜600nm;YAG:Gd,Ce)まで調整される。
青色光又はUV光を放出する発光層のような発光層と組み合わせる適切な蛍光体材料又は蛍光体材料のブレンドは、広範囲の色温度に対応する白色領域を生じる。本発明の別の特定の実施形態においては、従来の蛍光灯の色、CRI及び明るさに非常に近い、大面積白色光エレクトロルミネセントパネル(すなわち、1平方メートルより大きい寸法をもつ)の形態の光源が、こうした蛍光体及び有機発光デバイスを用いて製造される。
本発明の特定の一実施形態においては、有機青色発光ポリマー層110は、ポリ(9,9−ジ−n−ヘキシルフルオレン−2,7−diyl)であり、蛍光体材料は、青色光を吸収して黄色光を放出する(YAG:Ce)であり、これらが組み合わされた光は、人間の目には白色に見える。本発明の別の特定の実施形態においては、第2電極材料はITOであり、第1電極材料はLiF/Al二重層である。成分の相対的な重さは、色温度が6050Kのとき、白色光が(照明用途に望まれるような)黒体軌跡上にあるように選択される。期待される演色評価数(CRI)は、>70と計算され、好ましくは74である。色温度は、蛍光体の厚さと組成を変えることによって、黒体軌跡上で3500Kから6500kまでの間で変わるように調整される。このOLEDモジュール200は、1.2%のエネルギー効率(入力電気ワット当りの出力放射ワット)を有する。本発明の一実施形態においては、OLEDモジュール200の効率は、出力カプラを付加することによって改善される。
本発明の別の特定の実施形態においては、1つより多い蛍光体材料が互いに組み合わされて、異なる色(すなわち白色又は他の色)、色温度、及び演色評価数を得るために発光層110に使用される。使用される他の蛍光体は、1999年12月22日付のAnil Duggal及びAlok Srivastavaの「Luminescent Display and Method of Making」と題する米国特許出願番号09/469,702に記載されており、これは引用により本明細書に組み込まれる。好適な赤色発光無機蛍光体の一例は、SrB47:Sm2+であり、ここでコロンの後のSm2+は活性体である。この蛍光体は、600nmより短い可視波長の光を最も吸収し、650nmより長波長の深紅色の線として光を放出する。好適な緑色発光無機蛍光体の一例は、SrGa24:Eu2+である。この蛍光体は、500nmを下回る波長の光を吸収し、535ナノメートルにおいて最大発光を有する。好適な青色発光無機蛍光体の一例は、BaMg2Al1627:Eu2+である。BaMg2Al1627:Eu2+は、430nmを下回る波長の光を最も吸収し、450nmにおいて最大発光を有する。光輝性層に通常用いられる有機染料の例は、クマリン460(青色)、クマリン6(緑色)、及びナイルレッドを含む。
光輝性層135に蛍光体又は染料を用いずに発光デバイスから白色光を生成する別の方法は、別々にアドレス指定可能な色ピクセルを備え、色を調整して白色光を放出するフルカラー・ディスプレイを用いることである。この手法により、色調整が可能となるが、潜在的に複雑さとコストが増大することになる。さらに、別々にアドレス指定可能な色ピクセルを用いる代わりに、異なる色を発する種々の染料分子及び/又はポリマーのブレンドをOLEDモジュール200の活性領域に入れて白色光を得る手法もある。この手法は、製造が簡単で低コストであるという利点を有する。しかしながら、デバイス中で異なる有機成分が別様に経時変化し、時間と共にカラーシフトが起こることになる。これとは対照的に、光輝性層135における蛍光体の使用は、異なる有機分子及びポリマー成分の種々の経時変化に起因するカラーシフトがデバイスに生じないため有利である。
本発明の一実施形態においては、基板125上に別個の光輝性層135が存在し、図27に示すように、発光性材料135上に出力カプラ145が形成される。従って、出力カプラ145は、特に出力カプラ145がガラス材料を含む場合には、発光性材料135を保護するためのシール層として用いられる。出力カプラ145の屈折率は、発光層135の屈折率と一致することが好ましい。
本発明の別の実施形態においては、OLEDモジュール200はまた、効果的な色混合と明るさの均一性のために、TiO2又はSiO2のような散乱粒子を含む散乱層を任意選択的に含む。
II.OLEDモジュール及び発光デバイスの製造方法
図29は、本発明の例示的な実施形態に係る図27及び28のOLEDモジュール200を形成する方法を示す。図29に示されるように、段階1において、基板125は、薄い酸化インジウム・スズ(ITO)でスパッタ被覆され、次いで例えば図28に示されたパターンでパターン形成されて、第2電極130が形成される。段階2において、発光層110(上述の種々の実施形態においては、図22−26に示されるように1つ又はそれ以上のサブ層を含む)が、例えばスピンコーティング又はインクジェット処理によって蒸着される。段階3において、第1電極120が、例えばアルミニウムでオーバーコートされたフッ化リチウムの薄層を含む反射構造体として蒸着される。本発明の一実施形態においては、第1電極120は、ステンシルマスクを通した蒸発によって蒸着される。次に、段階4において、シール部材150がシーラント152に適用されて、ほぼ密封された障壁が形成される。本発明の一実施形態においては、シール部材150はガラスを含む。
段階5において、シール部材150を超えて延びる発光層110が、溶剤又はドライエッチング法によって除去される。次いで、段階6において、デバイス電気接触部162、164が有機発光デバイス200の反射側に取り付けられる。本発明の一実施形態においては、デバイス電気接触部162、164は、アルミニウム、銀、及びこれらの組合せのような金属を含む。電気接触部162、164は、有機発光デバイスへの外部接触を可能にし、さらに、第2電極130、第1電極120、及び発光層110に対するほぼ密封されたシールを与える。段階7において、任意選択的に、図27及び図28に関連して上述したような発光層135が、デバイス基板125に塗布される。任意選択的に、後続する段階において散乱粒子の層が塗布される。図29に示された段階は、もちろん、OLEDモジュール200の製造方法の単なる例であって、これに限定することを意図しているものではない。
本発明の一実施形態においては、OLEDモジュール200が完成された後に、基板125に出力カプラ145が取り付けられる。本発明の別の実施形態においては、基板125を覆うように発光層135が配置され、発光層135を覆うように出力カプラ145が形成される。
図30は、取り付け基板160上に1つ又はそれ以上のOLEDモジュール200を取り付けて、本発明の別の実施形態に係る図1の発光デバイス10を形成する方法を示す。図30の段階1は、基板160を示す。本発明の一実施形態においては、基板160は、FR4又はGETEKのような通常の印刷回路基板、Kapton E(商標)及びKapton H(商標)ポリイミド(Kaptonは、E.I.Du Pont de Nemours&Co.の商標)のようなフレキシブルポリマー・フィルム、Apical AVポリイミド(Apicalは、カネガフジ・ケミカル・カンパニーの商標)、Upilexポリイミド(Upilexは、UBEインダストリーズ、Ltdの商標)、及びこれらの組合せのいずれかからなる群から選択される。特定の方法の一実施形態においては、自立型のKapton(商標)ポリイミドが剛体のフレーム(図30には示されていない)上に取り付けられ、該剛体のフレームは、処理中に、及び必要に応じて最終用途のために可撓性フィルムを堅固に支持する。典型的には低い温度で接着することができる材料を含む接着剤が、剛性フレームに塗布される。好適な接着剤の例は、ULTEMポリエーテルイミド(ULTEM(商標)は、ゼネラル・エレクトリック社の商標)と、MULTIPOSIT(商標)XP−9500熱硬化性エポキシ(MULTIPOSITは、マサチューセッツ州Marlborough所在のShipley Company Inc.の商標)のような材料を含む。
段階2において、一実施形態によれば図30に示すように、基板160に別の接着剤161が塗布される。本発明の一実施形態においては、接着剤161は有機接着剤である。本発明の特定の一実施形態においては、接着剤161は、ULTEM(商標)、SPIE(シロキサンポリイミドエポキシ)、ポリイミドとエポキシとのブレンド、シアノアクリレート、及びこれらの組合せからなる群から選択される。
段階3において、1つ又はそれ以上のOLEDモジュール200が接着剤161上に置かれ、該接着剤が硬化されて、OLEDモジュール200が取り付け基板160に接合される。
本発明の一実施形態においては、個々のOLEDモジュール200は、文字、数字、絵柄、及びこれらの組合せからなる群のうちの少なくとも1つを表示するようにタイル状に配置される。図3は、OLEDモジュール38が文字を表記すように配置された実施形態を示す。図4は、各OLEDモジュール38自体が文字状にされた実施形態を示す。
図30の段階4において、レーザアブレーション又は反応性イオンエッチングを用いて、例えば取り付け基板160及び接着剤161を貫通して電気的接続部162、164のそれぞれのデバイス接触面163、165に至る、バイア169が形成される。段階5において、バイアホール169内に第1及び第2取り付け電気接続部172,174が形成されるか或いは挿入されて、電気接触部162、164とそれぞれ接触する。
本発明の一実施形態においては、取り付け電気接触部172、174は、パターン形成された金属層として形成される。本発明のさらに特定の実施形態においては、パターン形成された金属層は、スパッタリング、無電界めっき技術、電気めっき技術と組み合わされたスパッタリング、電気めっきと組み合わされた無電界めっき技術、及びこれらの組合せのいずれかからなる群の方法によって形成される。本発明の一実施形態においては、パターン形成された金属層は、フォトレジスト及びエッチング工程でパターン形成される。一実施形態における相互接続部の金属被覆は、例えば、1000オングストローム(Å)のスパッタ・チタンの薄い接着層を、3000Åのスパッタ銅の薄層によって覆い、電気めっき銅の層で4ミクロンの厚さまで被覆したものを含む。本発明のさらに特定の実施形態においては、電気めっきされた銅の上に1000Åのチタンのバッファ層が塗布される。本発明のさらに特定の実施形態においては、取り付け電気接触部172、174は、シャドウマスクを用いた蒸発によって塗布される。本発明の別のより具体的な実施形態においては、取り付け電気的接続部172、174は、スクリーン印刷によって塗布される。
本発明の一実施形態においては、段階6において、図30に示すように、OLEDモジュール200への出力カプラ145が少なくとも1つのOLEDモジュール200に取り付けられる。本発明の別の実施形態においては、段階6では、OLEDモジュール200の少なくとも1つに散乱層が塗布される(図30には示されていない)。本発明のさらに別の特定の実施形態においては、SPIE(シロキサンポリイミドエポキシ)のような非導電性材料が、隣接するOLEDモジュール200間のギャップ175に挿入される。図の簡単化のため、図30にはOLEDモジュール200が2つだけ示されているが、この方法は、多くの個々のOLEDモジュール200を含む大面積光源の組み立ての際にも有用である。
本発明の幾つかの実施形態では、OLEDモジュール200が基板160上で互いに極めて近接して配置される。本発明の別の実施形態においては、個々のOLEDモジュール200の間に広い間隔が定められる。本発明の一実施形態においては、散乱層は、隣接するOLEDモジュール200にブリッジしないように配置された。
また、取り付け基板160が可撓性の、曲げられた、又は非平面状であるように設計される場合には、OLEDモジュール200間に間隔が生じる。この取り付け基板160は、例えば既存の建築構造に適合する所望のいずれかの形状に形成される。本発明の一実施形態においては、OLEDモジュール200は、集合的に基板160の形状に従うような寸法にされる。従って、可撓性の、曲げられた、又は非平面状の基板160と、適切なサイズにされたOLEDモジュール200との組合せによって、多くの所望の形状、例えば円筒形、球形等の発光面を有する光源が形成される。本発明の一実施形態においては、取り付け基板160上のOLEDモジュール200の間隔は、基板160が隣接するOLEDモジュール200との間で直角をなすように設計される。この場合には、隣接するOLEDモジュール200の発光面は互いに、垂直な発光面を有するコーナー部を形成する。
第1取り付け電気接触部172及び第2取り付け電気接触部174が取り付けられた後に、これらは図31の適切なAC電源32に接続される。また図31は、それぞれ3つのモジュール200を有する2つの直列の群210に配置された6つのOLEDモジュール200についての接続レイアウトの例を示す。2つの直列の群210の各々のOLEDモジュール200は、直列配置で電気的に接続される。直列の群210の1つにおいては、第1導電層又はライン182は、第1のOLEDモジュール200の第1取り付け電気接触部172に電気的に接続される。図31に示すように、第1のOLEDモジュール200の第2取り付け電気接触部174は、中間のOLEDモジュール200の第1取り付け電気接触部172に接続され、中間のOLEDモジュール200の第2取り付け電気接触部174は、最後のOLEDモジュール200の第1取り付け電気接触部172に接続される。第2ライン184が、最後のOLEDモジュール200の第2取り付け電気接続部174に接続されて、直列接続が完成する。本発明の一実施形態においては、2つの直列の群210の他方は、反対の極性をもって接続される。本発明の一実施形態においては、AC電圧を印加すると、1つの直列の群210の複数のOLEDモジュール200が1/2サイクルだけ動作し、次いで、他方の直列の群210のOLEDモジュール200が次の1/2サイクルの間に動作する。本発明の一実施形態においては、例えば図31に示すような接続構造体には、個々のOLEDモジュール200に効果的に電力を運ぶために、銅のような高導電性の材料を使用する。
実施例
本発明の特定の一方法に従って、OLEDモジュール303、305を含む図21の発光デバイス300を製造した。発光デバイス300は、3平方インチ(1インチは2.54cm)であり、9つの直列の群310からなるものであった。3つの直列の群310は、5つのOLEDモジュール303、305(0.46×0.46インチ)からなり、6つの直列の群310は、12個のOLEDモジュール303、305(0.21×0.21インチ)からなるものであった。2つの隣接するOLEDモジュール303、305についてのデバイス製造手順の概略を、図21に示す。
発光デバイス300は以下のようにして製造した。図20の段階1に示すように、第1導電性材料340を基板301上に蒸着させた。酸化スズ・インジウムを第1導電性材料340として、ガラスを基板301として用いた。本発明の特定の一実施形態においては、酸化スズ・インジウム340で覆われたガラス基板301(15オーム−平方)は、Applied Films Corporationから入手した。段階2に示すように、第1導電性材料340をパターン形成して、複数の第1電極302を形成した。特定の方法の一実施形態においては、硝酸と塩酸との水性溶液を用いて、第1導電性材料340の一部をエッチング除去し、正方形の第1電極302の列を形成した。本発明のさらに別の特定の実施形態においては、第1導電性材料を基板301の第1部分320上に配置して、複数の第1電極302を形成する。
第1導電性材料340を含まない領域は、長さ0.015インチ(1インチは2.54cm)であった。次いで、第1電極302を備えた基板301を、洗浄剤で洗浄し、高圧の水ですすぎ、酸素プラズマの中に5分間入れた。本発明の別の特定の実施形態においては、段階3において、図21の発光性材料350を、複数の第1電極302、基板301の第2部分322、及び基板301の第3部分324の上に配置する。本発明の別の特定の実施形態においては、図21の発光性材料350は、Bayer Corporation 70nm SCB11からのポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸塩(PEDT/PSS)のおよそ70nmの層と、Cambridge Display Technologiesから入手した青色発光ポリマーとを含む。本発明の特定の一実施形態においては、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸塩(PEDT/PSS)のおよそ70nmの層を、第1電極302と基板301との上にスピンコーティングした。本発明の特定の一実施形態においては、溶剤としてキシレンを用いてPEDT/PSS層の上に青色発光ポリマーをスピンコーティングした。
段階4において、個々のOLEDモジュール303及び305の間の直列接続を可能にするために、発光性材料350をパターン形成して、発光層308を形成した。本発明の一実施形態においては、基板301のそれぞれの第1電極302の一部と第2部分322との上に発光層308を配置した。本発明の特定の一実施形態においては、放射波長248nmのKrFエキシマレーザを用いるシャドウマスクを通した選択的レーザアブレーションによって、発光性材料350の一部(長さ0.015インチ)を除去した。レーザパルスエネルギーは、下にあるITO層は無傷のままで、ポリマー層が確実にきれいに除去されるように選択した。
段階5において、第2電極材料360は、基板301の第3部分324と、発光層308の一部と、第1電極302の一部とを覆うように配置した。本発明の特定の一実施形態においては、第2電極材料360は、フッ化ナトリウムのおよそ0.4nmの層と、その後の約100nmのアルミニウム層とを含む。本発明の特定の一実施形態においては、第2電極材料360がシャドウマスクを通してOLEDデバイス300上に蒸発されて、第2電極306が形成された。第2電極306を蒸着させた後に、基板301(第1電極302、発光層308、及び第2電極306を含む)を、ロードロックを通して窒素充填グローブボックスの中に移動させた。本発明の特定の一実施形態においては、カプセル封入を形成するために、OLEDデバイス300の第2のOLEDモジュール305の第2電極側に、ガラス片をエポキシで取り付けた。結果として得られたOLEDデバイスは、9つの直列の群310(図21には示されていない)からなるものであった。3つの直列の群310は、各々1.38cm2である5個のOLEDモジュール303からなり、6つの直列の群310は、各々0.303cm2の12個のOLEDモジュールからなるものであり、これらの全てが、正方形パターンで青色光を放出した。
5個のOLEDモジュール303を含む直列の群310の1つと、12個のOLEDモジュール303を含む直列の群310の1つの発光及び効率を、積分球状の適切な直列の群にDC電圧を印加することによって試験した。図32は、5つのモジュールの直列の群310と12個のモジュールの直列の群310各々の1つについてのルミナンスで表わされる明るさ(cd/平方メートル)対電圧を示す。与えられたルミナンスに対して、動作電圧は12個のモジュールを含む直列の群については期待値よりも高い点に留意されたい。図33は、同じ2つの直列の群310についての1ワット当りのルーメンで表わされる効率対電圧を示す。
本発明の別の実施形態においては、この方法は、光輝性材料をOLEDデバイス300の上に置いて、下にあるOLEDとは異なる色を得ることを含む。これは、白色光を得るために、上述の青色発光OLEDデバイス300の上に蛍光体層を塗布することによって明らかになった。具体的には、3つの光輝性材料、すなわちペリレンオレンジと、ペリレンレッドと、ガドリニウム及びセリウムドープのイットリウム・アルミニウム・ガーネットとを、不活性ポリマー・マトリクス中に分散させて、それぞれ別々のテープ層としてデバイスの上に塗布した。これは以下のようにして行った。本発明の特定の一実施形態においては、テープの第1層は、16グラムの30%PMMAブチルアセテート溶液中で溶解された、約0.8mlの1.0mg/mlペリレンオレンジのアセトン溶液を含んでいた。ペリレンオレンジ染料が完全に溶解してから、結果として得られた混合物をドクターブレードによって広げて、厚さ約437.mのフィルムにし、周囲条件下で1時間乾燥させた。
本発明の特定の一実施形態においては、第2テープは、16グラムの30%PMMAのブチルアセテート溶液中で溶解された、約2.1mlの1.0mg/mlペリレンレッドのアセトン溶液を含んでいた。ペリレンレッド染料が完全に溶解してから、結果として得られた混合物をドクターブレードによって広げて、厚さ358.mのフィルムにし、周囲条件下で1時間乾燥させた。本発明の特定の一実施形態においては、1.27gのYAG:Ce(20%Gd)粉末を、10gのDow Silgaurd Siliconの中に混合することによって第3テープを調製した。この混合物を真空デシケータの中に40分間入れて気泡を除去し、次に813.mに設定されたドクターブレードによって広げてフィルムにし、オーブン中で60℃で1時間硬化させた。上記のテープを、屈折率整合両面テープ(3Mブランド)を用いることによって、上記の順番で貼付した。OLEDデバイスの上部に配置される光輝性材料を備えた5つのモジュール群を含む3つの統合された直列の群を並列に接続し、結果として得られた出力光は白色であった。図34は、OLEDデバイスの上部に配置される光輝性材料を備えた5つのモジュール群についての、結果として得られたルミナンスで表わされる明るさ(cd/平方メートル)対電圧を示す。
本発明を詳細に説明し図示したが、これは説明を意図する単なる例示であって、これに限定することを意図しているものではないことが明白に理解されるであろう。明らかに、上記の教示に照らして、本発明の多くの修正及び変形が可能である。従って、本発明の精神及び範囲は、特許請求範囲の請求項によってのみ限定されるものである。
本発明の第1実施形態に係る発光デバイスの図。 本発明の第2実施形態に係る発光デバイスの図。 本発明の別の実施形態に係る発光デバイスの図。 本発明の別の実施形態に係る発光デバイスの図。 本発明の別の実施形態に係る発光デバイスの図。 図5の実施形態に用いる変換回路を含む図。 本発明の別の実施形態に係る発光デバイスの図。 図7の実施形態に用いる変換回路を含む図。 AC電源からの正弦波形の電圧波形出力を示す図。 AC電源からの方形パルス波形の電圧波形出力を示す図。 本発明の別の実施形態に係る発光デバイスの側面図。 本発明の別の実施形態に係る発光デバイスの平面図。 本発明の別の実施形態に係る図11のOLEDモジュールの製造方法を示す図。 本発明の別の実施形態に係る発光デバイスの側面図。 本発明の別の実施形態に係る発光デバイスの平面図。 本発明の別の実施形態に係る図14のOLEDモジュールの製造方法を示す図。 本発明の別の実施形態に係る発光デバイスの側面図。 本発明の別の実施形態に係る発光デバイスの平面図。 本発明の別の実施形態に係る図17のOLEDモジュールの製造方法を示す図。 本発明の一実施形態に係る図11のOLEDモジュールの製造方法を示す図。 本発明の別の実施形態に係る図20のOLEDモジュールの製造方法を示す図。 2つ又はそれ以上のサブ層が形成された発光層の例を示す図。 2つ又はそれ以上のサブ層が形成された発光層の例を示す図。 2つ又はそれ以上のサブ層が形成された発光層の例を示す図。 2つ又はそれ以上のサブ層が形成された発光層の例を示す図。 2つ又はそれ以上のサブ層が形成された発光層の例を示す図。 本発明の別の実施形態に係る発光デバイスのOLEDモジュールの側面図。 図31のOLEDモジュールの底面図。 本発明の別の実施形態に係る図31のOLEDモジュールの製造方法を示す図。 複数のOLEDモジュールをマウント基板上にマウントして、本発明の別の実施形態に係る発光デバイスを製造する方法を示す図。 本発明の別の実施形態に係る発光デバイスの複数のOLEDモジュールへの電気接続部の図。 直列の5個のモジュール群と、直列の12個のモジュール群の各々についての電圧に対する輝度で表わされる明るさを示すグラフ。 直列の5個のモジュール群と、直列の12個のモジュール群の各々についての電圧に対するワット当りの輝度で表わされる効率を示すグラフ。 OLEDデバイスの上部に配置された光輝性材料を備えた5個のモジュール群についての、電圧に対する結果として得られた輝度(cd/平方メートル)で表わされる明るさを示すグラフ。
符号の説明
32 電源
34 基板
36 OLEDの直列の群
38 OLEDモジュール
42 アノード
44 カソード
48 第1導電線
50 第2導電線
52 回路素子

Claims (17)

  1. 基板(34,301)と、
    前記基板上に設けられた有機発光ダイオード(OLED)の複数の直列の群(36)と
    を含む発光デバイス(300)であって、前記OLEDの直列の群の各々は、複数のOLEDモジュール(38)を含み、前記OLEDの直列の群の各々におけるOLEDモジュールは、電気的に直列に接続され、前記OLEDモジュールは、電圧を印加すると光を放出するように構成されており、前記複数のOLEDモジュール(38)がさらに、少なくとも第1及び第2のOLEDモジュール(303,305)を含み、第1及び第2のOLEDモジュール(303,305)の各々が、前記基板(301)のそれぞれの一部の上に配置されたそれぞれの第1電極(302)を含み、前記第1のOLEDモジュール(303)が、
    前記基板(301)の第1部分(320)上に配置された前記第1のOLEDモジュール(303)の前記第1電極(302)と、
    前記第1のOLEDモジュール(303)の第1電極(302)の一部と、前記基板(301)の第4部分(326)との上に配置された相互接続部(304)と、
    前記基板(301)の第2部分(322)と、前記第1電極(302)の一部と、前記相互接続部(304)の一部との上に配置された発光層(308)と、
    前記基板(301)の第3部分(324)を覆うように配置され、前記発光層(308)の一部の上に配置され、前記第2のOLEDモジュール(305)の相互接続部(304)の一部の上に配置された第2電極(306)と、
    を含み、前記第2のOLEDモジュール(305)は、前記第1のOLEDモジュール(303)に隣接して配置されている、発光デバイス。
  2. 前記第1のOLEDモジュール(303)の基板(301)の第1部分(320)が、前記基板(301)の第2部分(322)に隣接して配置され、前記基板(301)の第2部分(322)が、前記基板(301)の第3部分(324)に隣接して配置され、前記基板(301)の第3部分(324)が、前記基板(301)の第4部分(326)に隣接して配置され、前記基板(301)の第4部分(326)が、前記第2のOLEDモジュール(305)の基板(301)の第1部分(320)に隣接して配置されている、請求項1に記載の発光デバイス。
  3. 前記基板上に設けられ、各OLEDの直列の群の第1端に電気的に接続された少なくとも1つの第1導電線(48,51)と、
    前記基板上に設けられ、前記第1端とは反対側の各OLEDの直列の群の第2端に電気的に接続された第2導電線(50)と、
    をさらに含む、請求項1又は請求項2に記載の発光デバイス。
  4. 正弦波形を有する電圧を変換された電圧波形に変換して、前記変換された電圧波形を前記少なくとも1つの第1及び第2導電線(48,51,50)に印加する変換回路(72)をさらに含む、請求項3に記載の発光デバイス。
  5. 前記変換回路(72)は、バック・ツー・バック型ツェナーダイオード(400,402)を含み、前記変換された電圧波形はクリップされた正弦波である、請求項4に記載の発光デバイス。
  6. 前記変換回路(72)は、前記正弦波形の周波数とは異なる変換された電圧波形の動作周波数を与える発振器(418)を含む、請求項4に記載の発光デバイス。
  7. 前記変換された電圧波形は、方形パルス波形である、請求項6に記載の発光デバイス。
  8. 前記変換された電圧波形は、0kHzより大きい周波数を有する、請求項6に記載の発光デバイス。
  9. 前記第1及び第2導電線(48,51,50)に電気的に接続されてこれら導電線に直流(DC)電圧を供給するDC電源(32)をさらに含む、請求項3に記載の発光デバイス。
  10. 前記OLEDモジュール(38)の各々が、それぞれアノード(42)とカソード(44)とを含み、前記OLEDの直列の群(36)の各々のOLEDモジュールがアノードからカソードに直列接続される、請求項3に記載の発光デバイス。
  11. OLEDの前記複数の直列の群(36)は、標識の一部として配置される、請求項3に記載の発光デバイス。
  12. 前記直列の群(36)は、前記直列の群(36)の第1端が互いに対して交互の極性をもつように配置される、請求項3に記載の発光デバイス。
  13. 前記第2電極(306)が透明である、請求項1乃至請求項12のいずれか1項に記載の発光デバイス。
  14. 前記第2電極(306)が酸化インジウム・スズを含む、請求項13に記載の発光デバイス。
  15. 前記第1電極(302)と相互接続部(304)が同じ材料から形成されされている、請求項1乃至請求項14のいずれか1項に記載の発光デバイス。
  16. 請求項1に記載の発光デバイス(300)を製造する方法であって、当該方法が、
    前記各OLEDモジュール(38)のそれぞれの第1電極(302)を前記基板(301)のそれぞれの一部の上に配置すること、
    を含んでおり、前記第1のOLEDモジュール(303)を形成することが、
    前記第1のOLEDモジュール(303)の第1電極(302)を前記基板(301)の第1部分(320)上に配置し、
    前記第1のOLEDモジュール(303)の第1電極(302)の一部と、前記基板(301)の第4部分(326)との上に相互接続部(304)を配置し、
    前記基板(301)の第2部分(322)と、前記第1電極(302)の一部と、前記相互接続部(304)の一部との上に発光層(308)を配置し、
    前記基板(301)の第3部分(324)と、前記発光層(308)の一部と、前記第2のOLEDモジュール(305)の前記相互接続部(304)の一部とを覆うように第2電極(306)を配置すること、
    を含み、前記第2のOLEDモジュール(305)を、前記第1のOLEDモジュール(303)に隣接して配置する、方法。
  17. 前記第1のOLEDモジュール(303)の基板(301)の第1部分(320)は、前記基板(301)の第2部分(322)に隣接して配置され、前記基板(301)の第2部分(322)は、前記基板(301)の第3部分(324)に隣接して配置され、前記基板(301)の第3部分(324)は、前記基板(301)の第4部分(326)に隣接して配置され、前記基板(301)の第4部分(326)は、前記第2のOLEDモジュール(305)の基板(301)の第1部分(320)に隣接して配置される、請求項16に記載の方法。
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