JP4551635B2 - パイプライン処理システムおよび情報処理装置 - Google Patents

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    • H04N5/84Television signal recording using optical recording
    • H04N5/85Television signal recording using optical recording on discs or drums

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の一連の処理を並列に実行するパイプライン処理を行うシステムおよびそれを適用した情報処理装置に係り、特に、光ディスク装置等の情報記録再生装置に採用され、メモリを用いて記録情報のデコードおよびエンコード処理を行う情報処理回路(デコーダ/エンコーダ回路)のパイプライン処理システムおよびそれを用いた情報処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
DVD等の光ディスク装置に採用されるデコーダ/エンコーダ回路は、単一のバッファメモリを用いてデコーダパイプライン処理、およびエンコーダパイプライン処理が行われている。
【0003】
以下、DVDの光ディスク装置に採用されるデコーダ/エンコーダ回路におけるデコーダパイプライン処理、およびエンコーダパイプライン処理について図面に関連付けて説明する。
【0004】
まず、デコーダパイプライン処理について図1および図2に関連付けて説明する。図1は、一般的なデコーダ回路の構成例を示すブロック図、図2は図1の回路におけるデコーダパイプライン処理のメモリバッファに対するアクセス状況を示す図である。これらの図において、WRはライト(Write)動作を、RDはリード(Read)動作を示している。
このデコーダ回路10は、EFM(Eight to Fourteen Modulation)+復調回路11、ECC回路12、EDC回路13、ホストインタフェース回路(HOSTI/F)14、DRAM等からなるトラッキングバッファ15、およびバス16を有している。
【0005】
光ピックアップを通して光ディスクから読み出され、RFアンプにおいて所定の演算の結果得られたデータ列信号(RF信号)は、2値化されたクロック抽出が行われ、デジタルの2値化データ(RFデータ)としてEFM+復調回路11に供給される。
EFM+復調回路11において、RFデータ(BLK1)はEFM+復調され、トラッキングバッファ15に書き込まれる(EFM−WR)。
次に、トラッキングバッファ15に格納されたデータに対してECC回路12においてエラー訂正処理が行われた後、EDC回路13でEDCチェック処理、デスクランブル処理が行われる。
エラー訂正処理は、メモリからエラーのあったデータを読み出し、検出されたエラーと、読み出されたデータから正しいデータを算出し、正しいデータをメモリに書き込む処理である。
エラー訂正処理のメモリアクセスは、PI(inner−code parity)符号の読み出し(PI−RD)、PI符号のエラー訂正結果に応じてエラー訂正処理、PO(outer−code parity)符号の読み出し(PO−RD)、PO符号のエラー訂正結果に応じてエラー訂正処理が伴う。必要に応じて、PI訂正、PO訂正が繰り返し行われる。
また、EDCデータ読み出し処理とEDCデータ書き込み処理は、同一のトラッキングバッファ15に対して行われる。
EDCデータ読み出し処理では、実際には、EDCチェック前データの読み出し、およびデスクランブル前データの読み出しを同時に行う。また、EDCデータ書き込み処理は、実際には、デスクランブル後データの書き込み処理となる。
そして、ホスト装置からの転送要求に従って、EDCデータ書き込み処理後のデータが、ホストインタフェース回路14を介してホスト装置に転送される。
以上の処理が、図2に示すような形態でデータブロックBLK1、BLK2、BLK3と並列的にパイプライン処理される。
【0006】
次に、エンコーダパイプライン処理について図3および図4に関連付けて説明する。図3は、一般的なエンコーダ回路の構成例を示すブロック図、図4は図3の回路におけるエンコーダパイプライン処理のメモリバッファに対するアクセス状況を示す図である。これらの図において、WRはライト(Write)動作を、RDはリード(Read)動作を示している。
このエンコーダ回路20は、EFM+変調回路21、ECC回路22、EDC回路23、ホストインタフェース回路(HOSTI/F)24、DRAM等からなるトラッキングバッファ(TRCBF)25、およびバス26を有している。
【0007】
ホスト装置から転送されたユーザデータがホストインタフェース回路24に入力すると、トラッキングバッファ25に書き込まれる(HOST−WR)。ユーザデータの書き込みが終了すると、エンコード処理がスタートする。
EDC回路23によりトラッキングバッファ25からユーザデータが読み出され(EDC−RD)、スクランブル処理、EDCパリティ生成、ID生成、各種フィールド情報生成などが行われ、スクランブルされた、ユーザデータ、EDCパリティや、ID、各種フィールド情報がトラッキングバッファ25に書き込まれる(EDC−WR)。
トラッキングバッファ25に格納されたデータに対して、ECC回路22においてECCパリティ付加が行われる。このエンコード処理のメモリアクセスは、PI符号の読み出し(PI−RD)、PI符号のパリティ部書き換え処理、PO符号の読み出し(PO−RD)、PO符号のパリティ部書き換え処理が伴う。
そして、EFM変調回路21において、トラッキングバッファ25に格納されているデータに対する読み出し(EFM−RD)と、読み出されたデータに対するEFM+変調が行われる。EFM+変調が行われたデータは、2値信号として出力され、ディスクへの書き込み処理が行われる。
以上の処理が、図4に示すような形態でデータブロックBLK1、BLK2、BLK3と並列的にパイプライン処理される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したシステムにおいて、データの書き込みが正しく行われないパイプラインステージがある場合、他のパイプラインステージにおいては、メモリ内の情報が正しいとして扱うため、誤動作をすることがあった。
特に、一連のパイプライン処理が、繰り返し行われる場合に、データの書き込みが正しく行われない場合、書き込みが行われなかった部分に格納されているデータは、別の一連のパイプライン処理において書き込まれたデータとなる。このとき、そのデータが見かけ上、正しい構造をもっていると、データのチェック機能をもっていても、そのチェック機能が正しく機能しないことがあった。
【0009】
光ディスク装置においては、従来、EFM−WR時にPLLの乱れや、シンク保護の乱れなどを原因として、バッファリングされないデータがあると、当該部分のデータは、前回以前に格納されたデータとなる。
そのデータが、エラー訂正良好(OK)データであると、内符号のエラー訂正時に、エラー訂正良好(OK)となり、エラー訂正不能とならない。このため、外符号訂正時に消失訂正フラグを立てることができないため、エラー訂正能力が減退してしまう場合があった。
また、一般にホスト装置の転送要求に対する、転送の可否を、エラー訂正状況を検査せずに、EDCチェック状況を検査することによって行う場合がある。
このような場合、前記のバッファリング抜けがあると、当該部分のデータが、前回以前に格納されたデータかつ所望されないデータかつEDCチェック良好(OK)のデータとなり、誤ってホスト装置に転送される場合があった。
【0010】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、データの書き込みが正しく行われないパイプラインステージがあっても、誤動作をすることがなく、また、バッファリングされないデータがあっても、エラー訂正能力の減退することがなく、不正なチェックとなることがなく誤ったデータ転送を防止できるパイプライン処理システムおよびそれも適用した情報処理装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第1の観点は、複数のデータに対してパイプライン処理を施すパイプライン処理システムであって、パイプラインステージを構成し、上記複数のデータの各々に対してそれぞれ所定の処理を施す複数の処理回路と、少なくとも上記各パイプラインステージで必要とする大きさのデータを格納することが可能で、上記複数の処理回路のいずれかの処理回路によりアクセスされる複数のメモリを含むメモリ部と、上記メモリ部のメモリに上記処理回路の処理結果を格納する場合に、連続的に関連して処理される一連のパイプライン処理毎に設定された情報に基づいてアクセスする上記メモリごとに異なる暗号鍵で暗号化する複数の暗号化回路と、上記メモリに暗号化され格納されているデータを、所望の処理回路に読み出す際に、暗号化に用いられた設定情報に基づいてアクセスする上記メモリに対応した上記暗号鍵で復号化する複数の復号化回路と、上記複数の処理回路と上記メモリ部の複数のメモリとのデータ経路を、上記複数の処理回路のうち少なくとも一つの処理回路の処理状況より遷移するステート情報に応じて切り替え、パイプラインステージ間のデータの受け渡しを行うバス部とを有し、上記各メモリは、一組の上記暗号化回路および上記復号化回路を含む。
【0012】
本発明の第2の観点は、所定フォーマットのデータが記録された媒体から記録データを読み出し、入力データを所定フォーマットのデータとして上記媒体に記録する情報処理装置であって、パイプラインステージを構成し、上記各読み出しデータを復調する復調回路と、パイプラインステージを構成し、上記復調後のデータに対して所定のエラー処理を行うエラー処理回路と、パイプラインステージを構成し、上記各入力データに基づいて記録すべきデータを作成する記録データ作成回路と、パイプラインステージを構成し、上記作成した記録データを変調し、上記媒体への記録データとして出力する変調回路と、少なくとも上記各パイプラインステージで必要とする大きさのデータを格納することが可能で、上記復調回路、エラー処理回路、記録データ作成回路、および変調回路のいずれかの回路によりアクセスされる複数のメモリを含むメモリ部と、上記メモリ部のメモリに上記復調回路、エラー処理回路、記録データ作成回路の処理結果を格納する場合に、連続的に関連して処理される一連のパイプライン処理毎に設定された情報に基づいてアクセスする上記メモリごとに異なる暗号鍵で暗号化する複数の暗号化回路と、上記メモリに暗号化され格納されているデータを、上記変調回路または記録データ作成回路に読み出す際に、暗号化に用いられた設定情報に基づいてアクセスする上記メモリに対応した上記暗号鍵で復号化する複数の復号化回路と、上記復調回路およびエラー処理回路、または上記記録データ作成回路および変調回路と上記メモリ部の複数のメモリとのデータ経路を、上記復調回路およびエラー処理回路、または上記記録データ作成回路および変調回路のうち少なくとも一つの回路の処理状況より遷移するステート情報に応じて切り替え、パイプラインステージ間のデータの受け渡しを行うバス部とを有し、上記各メモリは、一組の上記暗号化回路および上記復号化回路を含む。
【0015】
好適には、上記メモリに暗号化され格納されているデータを、上記変調回路または記録データ作成回路に読み出す際に、暗号化に用いられた設定情報に基づいて復号化する復号化回路を有する。
【0016】
本発明によれば、たとえばメモリ部は、メモリとして各パイプラインステージで必要とする大きさのデータを格納することが可能な、1つまたは複数(たとえば2個)の第1のメモリおよび第2のメモリを少なくとも含み、データ再生時およびデータ記録時には、次の処理が行われる。
データ再生時には、処理回路の処理状況により遷移するステート情報に応じてバス部のデータ経路が形成される。そして、たとえば処理回路としての復調回路で復調後のデータが、暗号化回路により連続的に関連して処理される一連のパイプライン処理毎に設定された情報に基づいて暗号化された後、第1のメモリおよび第2のメモリに交互に書き込まれる。また、書き込みが行われていない第1のメモリまたは第2のメモリから記録データが、復号化回路で暗号化に用いられた設定情報に基づいて復号化され、ステート情報に応じて形成されるバス部のデータ経路を通して他の処理回路であるエラー回路に読み出され、たとえば誤り訂正をするデータが、暗号化回路により連続的に関連して処理される一連のパイプライン処理毎に設定された情報に基づいて暗号化された後、第1のメモリまたは第2のメモリに書き込まれる。そして、エラー訂正が終わったデータがたとえば第1および第2のメモリと異なる第3のメモリに格納される。
そして、パイプライン処理終了後のデータを格納する第3のメモリから、格納されたデータがシステムの要求に従って出力される。
【0017】
また、データ記録時には、ホスト装置から転送されるユーザデータが、パイプライン処理前のデータとして第3のメモリに書き込まれる。
そして、記録データ作成回路により第3のメモリに格納したユーザデータが読み出され、たとえば記録データ作成回路でスクランブルされた、ユーザデータ、EDCパリティや、ID、各種フィールド情報が、暗号化回路により連続的に関連して処理される一連のパイプライン処理毎に設定された情報に基づいて暗号化された後、ステート情報に応じて形成されるバス部のデータ経路を通して第1のメモリおよび第2のメモリに交互に書き込まれる。
そして、第1のメモリまたは第2のメモリに格納されているデータが復号化回路で暗号化に用いられた設定情報に基づいて復号化されて変調回路に読み出される。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図面に関連付けて詳細に説明する。
本実施形態においては、情報処理装置として、光ディスク記録再生装置、具体的には、DVDの記録再生システムを例に説明する。
【0019】
図5は、本発明に係るパイプライン処理システムを採用した情報処理装置としての光ディスク記録再生装置の一実施形態を示すブロック図である。
【0020】
本光ディスク記録再生装置100は、図5に示すように、光ディスク(以下、単にディスクという)101、スピンドルモータ102、光ピックアップ103、アクチュエータ104、スレッド機構105、RFアンプ106、サーボDSP(Digital Servo Processor)107、ドライバ回路108、レーザドライバ109、2値化回路110、クロック再生回路111、物理アドレス読み出し回路112、クロック生成回路113、書き込みパルス生成回路114、デコーダ/エンコーダ回路(DEC/ENC)115、システムコントローラ116、およびホスト装置117を有している。
【0021】
この光ディスク記録再生装置100は、光ディスク101から読み出したデータを、後述するように、デコーダ/エンコーダ回路115でデコードした後、ホストインタフェース回路を通して、パーソナルコンピュータ(PC)等のホスト装置117に転送することができる。
一方、ホスト装置117から、ホストインタフェース回路を通してデータを受け取り、後述するように、デコーダ/エンコーダ回路(DEC/ENC)115でエンコードした後、ディスク101に記録することができる。
なお、本実施形態では、一例としてホスト装置としてのPCとの接続を示すシステム構成を示しているが、PCではなく、映像再生器、チューナー、ゲーム器、電話器、ネットワーク機器、映像記録装置、カーナビゲーションシステムなど、データを扱うものなら、いずれにも応用できる。
【0022】
また、図6に示すように、データを再生するのみ、もしくは図7に示すように、記録するのみとするシステムも構成することが可能である。
図6の光ディスク再生装置100Aは、たとえば図5の回路から記録系に必要なレーザドライバ109、物理アドレス読み出し回路112、クロック生成回路113、書き込みパルス生成回路114が省略された構成をとる。また、デコーダ/エンコーダ回路115はデコード回路115Aのみの構成をとる。
図7の光ディスク記録装置100Bは、たとえば図5の回路から再生系に必要な2値化回路110、クロック再生回路111が省略された構成をとる。また、デコーダ/エンコーダ回路115はエンコーダ回路115Bのみの構成をとる。
【0023】
また、以下の説明は、一例に過ぎず、システムとしては、多くの態様が可能であり、本発明を以下の説明のシステムに限定するものではない。
【0024】
以下に、光ディスク記録再生装置100の各部の概要、および、DVDのデータフォーマット、本発明の特徴的な構成要素であるデコーダ/エンコーダ回路(DEC/ENC)115の具体的な構成、機能について図面に関連付けて順を追って説明する。
【0025】
ディスク101は、スピンドルモータ102により回転駆動される。ディスク101には、光ピックアップ103より、レーザ光が照射される。ディスク101は、照射されたレーザ光の光量の一部もしくは、全てを反射する。
光ピックアップ103は、レーザダイオード、このレーザダイオードから発せられるレーザ光をディスク101の信号記録面上に集束させる対物レンズ、光ディスク101からの反射光の進行方向を変える偏光ビームスプリッタ、この反射光を受光するフォトディテクタ等を有し、ドライバ回路108のドライブ信号S108aにより駆動されるアクチュエータ104、スレッド機構105により対物レンズの光軸方向あるいはディスク半径方向に移動制御される。
光ピックアップ103は、フォトディテクタで反射光を電気信号に変換し、RFアンプ106に出力する。
このとき、ディスク101上の構造、物性により、光ピックアップ103に入射する光量が異なるため、ディスク上の構造、物性を反映した信号が、RFアンプ106に伝えられる。
【0026】
アクチュエータ104は、ドライバ回路108のドライブ信号S108aにより駆動制御され、ディスク101の記録トラックに対してレーザ光スポットをディスク半径方向において移動させるトラッキングアクチュエータと、光ピックアップ103の対物レンズをその光軸方向において移動させるフォーカスアクチュエータとが内蔵されている。
スレッド機構105は、ドライバ回路108のドライブ信号S108aにより駆動制御されるスレッド送りモータを駆動源として、光ピックアップ103およびアクチュエータ104をディスク半径方向に移動させる。
【0027】
RFアンプ106は、光ピックアップ103より伝えられる複数の信号に対して演算を行い、トラッキングエラー信号TE、フォーカスエラー信号FEを生成してサーボDSP107に出力し、データ列信号(RF信号)に対して波形整形を行って信号S106として2値化回路110に出力する。
また、RFアンプ106は、ディスク101へのデータ記録時には、ディスク101の反射光に基づく物理アドレス読み出しのための信号を物理アドレス読み出し回路112に出力する。
【0028】
サーボDSP107は、RFアンプ106にて生成された、トラッキングエラー信号TE、フォーカスエラー信号FEを、フォーカスサーボ、トラッキングサーボ、スレッドサーボの制御に使用する。
サーボDSP107は、デジタルフィルタによりトラッキングエラー信号TE、フォーカスエラー信号FEに対してフィルタ処理を行い、制御信号S107をドライバ回路108に出力する。
【0029】
ドライバ回路108は、サーボDSP107による制御信号S107に応じて、駆動信号S108aを生成し、光ピックアップ103のアクチュエータ104に電流もしくは、電圧を与えて、フォーカス方向あるいは、トラック方向に光ピックアップを移動させ、また、スレッド105を移動させる。これにより、光スポットが、ディスク101上の読み取り位置にくるよう制御される。
【0030】
また、スピンドルモータ102の回転量は、抽出されたクロックの周波数や位相をモニタし、それらが一定値になるよう制御を行う。あるいは、スピンドルモータ102から出力される回転位置情報の周波数や位相をモニタし、それらが一定値になるよう、たとえばドライバ回路108の制御信号S108bにより制御を行う。
【0031】
レーザドライバ回路109は、たとえばディスク101へのデータ記録時に書き込みパルス生成回路114で生成された書き込みパルスに応じて所望のデータを記録するように光ピックアップ103のレーザダイオードを駆動する。
【0032】
2値化回路110は、RFアンプ106によるRF信号S106を2値化してクロック再生回路111に出力する。
クロック再生回路111は、PLL回路を含み、2値化回路110で2値化されたRF信号に基づいてクロックを抽出し、RF信号をデジタル信号としてデコーダ/エンコーダ回路115に出力する。
このように、RF信号は、2値化された後、クロック抽出が行われる。2値化、クロック抽出が終わった信号は、デジタル信号となり、デコーダ/エンコーダ回路115に供給され、EFM+復調が行われる。
この場合、パイプライン処理を行うデコーダ/エンコーダ回路115には、各パイプラインステージで必要とする大きさの一連のデータが1ブロック(BLK)単位として、たとえば複数のブロック(たとえばBLK1〜BLK3)が連続して供給される。
【0033】
物理アドレス読み出し回路112は、データ記録時にRFアンプ106から供給される信号に応じた記録すべき物理アドレスを書き込みパルス生成回路114に供給する。
クロック生成回路113は、データ記録時に、デコーダ/エンコーダ回路115でエンコードされ、EFM+変調されたデータに基づいてクロックを抽出し、書き込みパルス生成回路114に出力する。
書き込みパルス生成回路114は、クロック生成回路113によるクロックおよび物理アドレス読み出し回路112による物理アドレスに基づいて所望の書き込みパルスを生成し、レーザドライバ109に出力する。
レーザドライバ回路109では、この書き込みパルスに応じて光ピックアップ103のレーザダイオードが駆動され、所望のデータがディスク101の所望のトラックの所望の位置に記録される。
【0034】
デコーダ/エンコーダ回路115は、一連の連続するブロック単位のデータ(以下、ブロックデータ)が一つまたは複数連続して供給され、接続切り替えが可能な複数のメモリとトラッキングバッファを用いてデコーダパイプライン処理およびエンコーダパイプライン処理を行う。
デコーダ/エンコーダ回路115は、デコード処理の場合には、複数のメモリ(たとえば第1と第2の2つのメモリ)をステート情報ST0またはST1に応じて並列的にアクセスしてデコード処理を行い、処理後のデータをトラッキングメモリに格納した後、ホスト装置117からの要求に従って、トラッキングメモリに格納したデータをホスト装置117に転送する。
デコーダ/エンコーダ回路115は、エンコード処理の場合には、ホスト装置117からブロック単位で転送されるユーザデータをトラッキングバッファとしての第3のメモリに書き込んでエンコード処理を開始し、複数のメモリをステート情報ST0またはST1に応じて並列的にアクセスしてエンコード処理を行い、クロック生成回路113に出力する。
【0035】
デコーダ/エンコーダ回路115は、基本的には図5〜図7に示すように、EFM+復調器1151、EFM+変調器1152、エラー処理回路および記録データ作成回路としてのパリティ生成機能を有するエラー訂正器1153、ホストインタフェース回路1154、メモリ部1155、およびバス部1156を主構成要素として有している。
【0036】
EFM+復調器1151は、データ再生時に、クロック再生回路111により一連のデータブロックとして供給されるデジタルRF信号に対してEFM+復調を行い、復調後のデータをバス部1156を介してステート情報ST0,ST1に応じたメモリ部1155の複数のメモリ(本実施形態では後述するように2個の第1のメモリまたは第2のメモリ)のいずれかに書き込む。
【0037】
EFM+変調器1152は、ECCパリティ等が付加され、ステート情報ST0,ST1に応じてメモリ部1155の複数のメモリのいずれかに格納されているユーザデータ(作成された記録すべきデータ)を読み出し、読み出したデータに対するEFM+変調を行い、2値信号としてクロック生成回路113に出力する。
【0038】
本実施形態では、デコード処理時には、ステート情報ST0,ST1として、EFM+復調器1151およびエラー処理回路のうちの少なくとも一つの回路の処理状況より遷移する情報を用いている。
具体的には、EFM+復調器1151がEFM+復調後のデータを第1のメモリまたは第2のメモリに書き込んだときにステート0とステート1とに交互に遷移し、ステート0のときがステート情報ST0、ステート1のときがステート情報ST1となる。
エンコード処理時には、ステート情報ST0,ST1として、EFM+変調器1152および記録データ作成回路としてのエラー訂正器1153のうちの少なくとも一つの回路の処理状況より遷移する情報を用いている。
具体的には、EFM+変調器1152がEFM+変調のために記録すべきデータを第1のメモリまたは第2のメモリから読み出したときステート0とステート1とに交互に遷移し、ステート0のときがステート情報ST0、ステート1のときがステート情報ST1となる。
【0039】
ただし、ステート情報は回路の処理状況によるものに限定されるものではなく、たとえばタイマーにより所定時間毎にステート情報ST0,ST1を交互に出力するように構成することも可能であり、種々の態様が可能である。
また、ステート情報は、第1のメモリと第2のメモリの2つのメモリを対象としていたために2つ用いているが、メモリの数に応じて適宜変更される。
【0040】
エラー訂正器1153は、ECC回路およびEDC回路を含み、データ再生時には、ステート情報ST0,ST1に応じてメモリ部1155の複数のメモリのいずれかに書き込まれているEFM+復調後のデータをバス部1156を介して読み出し、EEC処理、EDC処理等の誤り訂正処理を、メモリ部1155の複数のメモリをステート情報ST0,ST1に応じてアクセスしながら行い、誤り訂正が終わったデータをバス部1156を介してメモリ部1155のトラッキングメモリに格納する。
また、エラー訂正器1153は、データ記録時には、メモリ部1155のトラッキングメモリからバス部1156を介してユーザデータを読み出し、スクランブル処理、EDCパリティ生成、ID生成、各種フィールド情報生成などを行い、スクランブルされた、ユーザデータ、EDCパリティや、ID、各種フィールド情報をメモリ部1155の複数のメモリにステート情報ST0,ST1に応じてブロック単位毎に交互に書き込む。
【0041】
ホストインタフェース回路1154は、データ再生時には、ホスト装置117からの要求に従って、メモリ部1155のトラッキングメモリに格納したデコード処理後のデータをホスト装置117に転送する。
ホストインタフェース回路1154は、データ記録時には、ホスト装置117からブロック単位で転送されるエンコード処理すべきユーザデータをメモリ部1155のトラッキングバッファにバス部1156を介して書き込む。
【0042】
メモリ部1155は、メモリとして各パイプラインステージで必要とする大きさのデータを格納することが可能な、たとえばSRAMからなる複数のメモリ(本実施形態では2個、第1のメモリおよび第2のメモリ)と、たとえばDRAMからなるバッファメモリとしてのメモリ(第3のメモリ)を含み、データ再生時およびデータ記録時には、次の処理が行われる。
メモリ部1155は、データ再生時には、ステート情報ST0,ST1に応じて形成されるバス部1156のデータ経路を通して供給される、EFM+復調器1151でEFM+復調後のブロック単位のデータを第1のメモリおよび第2のメモリに交互に書き込み、書き込みが行われていない第1のメモリまたは第2のメモリから記録データがステート情報ST0,ST1に応じて形成されるバス部1156のデータ経路を通してエラー訂正器1153に読み出され、誤り訂正をするデータ(EDC)を第1のメモリまたは第2のメモリに書き込み、誤り訂正が終わったデータを第3のメモリ(トラッキングメモリ)に格納する。
メモリ部1155は、データ記録時には、ホスト装置117からブロック単位(また、より小さなセクタ単位、1ブロック=16セクタ)で転送されるユーザデータを、バス部1156を介してトラッキングバッファとしての第3のメモリ(トラッキングメモリ)に書き込み、エンコード処理開始後、エラー訂正器1153により第3のメモリに格納したユーザデータが読み出され、エラー訂正器1153でスクランブルされた、ユーザデータ、EDCパリティや、ID、各種フィールド情報を、ステート情報ST0,ST1に応じて形成されるバス部1156のデータ経路を通して第1のメモリおよび第2のメモリにブロック単位毎に交互に書き込み、EFM+変調器1152により第1のメモリまたは第2のメモリに格納されているデータが読み出される。
【0043】
バス部1156は、EFM+復調器1151、EFM+変調器1152、エラー訂正器1153とメモリ部1155の第1のメモリと第2のメモリとのデータ転送経路をステート情報ST0,ST1に応じて切り替え、また、エラー訂正器1153とホストインタフェース回路1154とメモリ部1155のトラッキングバッファとのデータ転送経路を形成し、データ再生時のデコードパイプライン処理、およびデータ記録時のエンコードパイプライン処理を効率的に行わせる経路切り替え機能を有する。
【0044】
以下に、デコーダ/エンコーダ回路115におけるエラー訂正器1153、メモリ部1155、およびバス部1156のさらに具体的な構成および機能について説明する。
【0045】
図8は、データ再生時のデコード処理を行う場合のデコーダ/エンコーダ回路115におけるエラー訂正器1153、メモリ部1155、およびバス部1156の具体的な構成およびデータ経路を具体的に示す図である。
また、図9は、データ記録時のエンコード処理を行う場合のデコーダ/エンコーダ回路115におけるエラー訂正器1153、メモリ部1155、およびバス部1156の具体的な構成およびデータ経路を具体的に示す図である。
これらの図において、WRはライト(Write)動作を、RDはリード(Read)動作を示している。
【0046】
図8および図9のエラー訂正器1153は、ECC回路11531とEDC回路11532を含む。
図8および図9のメモリ部1155は、たとえばSRAMからなる第1のメモリ11551(メモリαということもある)、たとえばSRAMからなる第2のメモリ11552(メモリβということもある)、およびDRAMからなる第3のメモリ(トラッキングメモリ)11553を含む。
図8および図9のバス部1156は、EFM+復調器1151、EFM+変調器1152、エラー訂正器1153のECC回路11531、およびEDC回路11532とメモリ部1155の第1のメモリ11551と第2のメモリ11552とのデータ転送経路をステート情報ST0,ST1に応じて切り替える機能を含む第1バス(E−BUS)11561と、EDC回路11532およびホストインタフェース回路1154とメモリ部1155の第3のメモリ(トラッキングメモリ)11553とのデータ転送経路を形成する第2バス(T−BUS)11562を有する。
【0047】
ここで、以下の説明を分かりやすくするためにDVDのデータフォーマットの概要について、図10および図11に関連付けて説明する。
【0048】
図10は、DVDデータフォーマットを説明するための図であって、データフレーム構成を示す図である。
図11は、DVDデータフォーマットを説明するための図であって、ECCブロック構成を示す図である。
【0049】
図10に示すように、データフレームは、2048バイトのメインデータと、メインデータの先頭側に配置される4バイトのID(Identification Data)、2バイトのIED(ID Error Detectioncode)、6バイトのCPR MAI(Copyright Manegement Information)、並びにメインデータの後ろの4バイトのEDC(Error Detection Code)の計2064バイトからなる。
このような構成を有するデータフレームでは、EDC計算の後、2048のメインデータが付加される。これがスクランブルフレームとなる。
【0050】
ECCブロックは、連続する16個のスクランブルフレームに基づいて構成される。
すなわち、図11に示すように、ECCブロックは、情報フィールドとして16個のスクランブルフレームから形成される。
図11に示す172バイト×192ロウは172バイト×12ロウ×16スクランブルフレームと等価であり、172の各カラムに対して、リードソロモン(Reed−Solomon:RS)の16バイトの外符号パリティ(PO:outer−code parity)がそれぞれ付加される。そして、PO符号を含む208ロウの各々に10バイトの内符号パリティ(PI:inner−code parity)がそれぞれ付加される。
【0051】
ECC回路11531は、デコード処理時には、メモリ部1155の第1のメモリ11551および第2のメモリ11552に格納されたEFM+復調後のブロックデータのエラー訂正処理を行う。
デコード処理時のECC回路11531におけるエラー訂正処理のメモリアクセスは、PI符号の読み出し、PI符号のエラー訂正結果に応じてエラー訂正処理、PO符号の読み出し、PO符号のエラー訂正結果に応じてエラー訂正処理が伴う。必要に応じて、PI訂正、PO訂正が繰り返し行われる。
ECC回路11531は、エンコード処理時には、EDC回路11532によるいわゆるEDC処理後に第1のメモリ11551または第2のメモリ11552に格納されているデータに対してECCパリティ付加を行う。
エラー訂正処理は、メモリからエラーのあったデータを読み出し、検出されたエラーと、読み出されたデータから正しいデータを算出し、正しいデータをメモリに書き込む処理である。
エンコード処理のECC回路11531のメモリアクセスは、PI符号の読み出し、PI符号のパリティ部書き換え処理、PO符号の読み出し、PO符号のパリティ部書き換え処理が伴う。
なお、パリティ部書き換え処理には、2つの方法がある。第1の方法は、パリティ部をメモリから読み出し、正しいパリティを算出をし、パリティをメモリnに書き込む方法である。第2の方法は、パリティ部を読み出さずに、いきなり正しいパリティを書き込む方法である。
【0052】
図12は、本実施形態に係るECC回路の要部の第1の構成例を示すブロック図である。
【0053】
このECC回路11531Aは、ECCデコーダ(DEC)とECCエンコーダ(ENC)を共有しており、図12に示すように、符号データメモリ読み出し制御回路(RDCTL)115311、パリティ消失ポインタ発生器(PNTGEN)115312、セレクタ115313、RSデコーダ(RSDEC)115314、およびRSデコード結果メモリ書き込み制御回路(WRCTL)115315を有している。
【0054】
ECC回路11531AがECCデコーダとして機能する場合には、ENC/DEC切り替え信号SWがたとえばデータ「0」に設定されてセレクタ115313に供給される。これにより、セレクタ115313は、符号データメモリ読み出し制御回路115311の出力を選択してRSデコーダ115314に供給する構成となる。
そして、エラー訂正時には、符号データメモリ読み出し制御回路115311が、メモリ部1155に対してアドレスADRを出力して、データDTを読み出す。これにより、符号データDDTと消失ポインタDPNTが読み出され、セレクタ115313に出力される。
そして、読み出された符号データDDTと消失ポインタDPNTがRSデコーダ115314に入力される。
RSデコーダ115314は、入力された符号に含まれるエラーのエラー位置EDPとエラーデータEDTをRSデコード結果メモリ書き込み制御回路115315に出力する。
RSデコード結果メモリ書き込み制御回路115315は、メモリ部1155に対してエラー位置のデータのアドレスADRを出力して、データDTを読み出し、エラーデータEDTによってエラー訂正を行った後、メモリ部1155に書き込む。
【0055】
ECC回路11531AがECCエンコーダとして機能する場合には、ENC/DEC 切り替え信号SWがたとえばデータ「1」に設定されてセレクタ115313に供給される。これにより、セレクタ115313は、パリティ消失ポインタ発生器(PNTGEN)115312で生成されたパリティ消失ポインタPDPNTの出力を選択してRSデコーダ115314に供給する構成となる。
なお、パリティ消失ポインタ発生器115312が出力する消失ポインタは、パリティ部でだけ‘1’となる。
そして、エンコード処理のパリティ付加時には、符号データメモリ読み出し制御回路115311が、メモリ部1155に対してアドレスADRを出力して、データDTを読み出す。これにより、符号データDDTが読み出され、消失ポインタDPNTがセレクタ115313に出力される。
そして、読み出された符号データDDTとパリティ消失ポインタPDPNTがRSデコーダ115314に入力される。
RSデコーダ115314は、入力された符号に含まれるエラー位置EDPとエラーデータEDTに基づいてパリティPRTYをRSデコード結果メモリ書き込み制御回路115315に出力する。
RSデコード結果メモリ書き込み制御回路115315は、メモリ部1155に対してパリティを付加すべきデータのアドレスADRと付加すべきパリティデータを出力して、メモリ部1155に書き込む。
【0056】
図13は、本実施形態に係るECC回路の要部の第2の構成例を示すブロック図である。
【0057】
このECC回路11531Bは、ECCデコーダ(DEC)とECCエンコーダ(ENC)を共有せず、別系統として構成されている。
図12の回路と異なる点は、パリティ消失ポインタ発生器(PNTGEN)115312、セレクタ115313を設けず、デコーダ、エンコーダ用の2つの符号データメモリ読み出し制御回路(RDCTLD)115311D、符号データメモリ読み出し制御回路(RDCTLE)115311E、RSデコーダ(RSDEC)115314D、RSエンコーダ(RSENC)114314E、RSデコード結果メモリ書き込み制御回路(WRCTL)115315、およびパリティ書き込み制御回路(PWRCTL)115316を有することにある。
【0058】
ECC回路11531BがECCデコーダとして機能する場合には、符号データメモリ読み出し制御回路115311Dが、メモリ部1155に対してアドレスADRを出力して、データDTを読み出す。
そして、読み出された符号データDDTと消失ポインタDPNTがRSデコーダ115314Dに入力される。
RSデコーダ115314Dは、入力された符号に含まれるエラーのエラー位置EDPとエラーデータEDTをRSデコード結果メモリ書き込み制御回路115315に出力する。
RSデコード結果メモリ書き込み制御回路115315は、メモリ部1155に対してエラー位置のデータのアドレスADRを出力して、データDTを読み出し、エラーデータEDTによってエラー訂正を行った後、メモリ部1155に書き込む。
【0059】
ECC回路11531BがECCエンコーダとして機能する場合には、符号データメモリ読み出し制御回路115311Eが、メモリ部1155に対してアドレスADRを出力して、データDTを読み出す。
そして、読み出された符号データDDTは、RSエンコーダ115314Eに入力される。
RSエンコーダ115314Eは、入力された符号に基づいてパリティPRTYを生成し、パリティ書き込み制御回路115316に出力する。
パリティ書き込み制御回路115316は、メモリ部1155に対してパリティを付加すべきデータのアドレスADRと付加すべきパリティデータを出力して、メモリ部1155に書き込む。
【0060】
ECC回路1153は、図12および図13の回路のいずれによっても構成することが可能である。
ただし、図13の回路は、図12の回路に比べて回路要素が多く回路が大きくなるおそれがあることから、図12の回路の方が回路規模の削減、システムの低コスト化の観点から望ましい。
すなわち、図12の回路は、エラー訂正復号器に対する小さな変更で、エラー訂正符号器を構成できる。その結果、エラー訂正符号器/復号器、そのものを共有するだけでなく、その周辺回路として符号データ読み出し制御回路やパリティ書き込み制御回路も、符号化時/復号化時で共有でき、回路規模を小さくでき、システムを低コストに実現できる。
【0061】
EDC回路11532(図8参照)は、デコード処理時には、エラー訂正処理後のデータに対してEDCチェック処理、デスクランブル処理を行い、デスクランブル処理後のデータをメモリ部1155のトラッキングバッファ(第3のメモリ)11553に書き込む。
【0062】
図14は、本実施形態に係るEDC回路のデコード処理系の要部構成を示すブロック図である。
デコード処理系11532Dは、図14に示すように、EDCチェック処理を行うEDCチェッカ(EDC checker)115321およびデスクランブル処理を行うデスクランブラ(descrambler)115322を有する。
【0063】
EDCチェッカ115321によるEDCチェック処理とデスクランブラ115322によるデスクランブル処理は、同時に実行される。これは、2つの処理でデータ読み出し順が似通っているために可能となるのである。
デスクランブル処理は、ある鍵情報(Key)を用いてスクランブルされているデータを、スクランブルに用いた鍵情報(Key)を用いてデスクランブルするものである。デスクランブルされたデータは、もとのメモリに書き戻すことなく、メモリ部1155のトラッキングバッファ(第3のメモリ)11553に書き込まれる。
このため、デコード処理系11532Dにおいては、メモリ部1155の第1のメモリ(メモリα)11551または第2のメモリ(メモリβ)11552からのEDCデータ読み出し処理(EDC−RD)と、トラッキングバッファ11553へのEDCデータ書き込み処理(EDC−WR)は同時に実行される。トラッキングバッファ11553に書き込まれたデータは、デコード処理が終了したデータである。
【0064】
EDC回路11532は、エンコード処理時には、メモリ部1155のトラッキングバッファ11553よりユーザデータが読み出し、スクランブル処理、EDCパリティ生成、ID生成、各種フィールド情報生成などを行い、スクランブルされた、ユーザデータ、EDCパリティや、ID、各種フィールド情報をメモリ部1155の第1のメモリ(メモリα)11551または第2のメモリ(メモリβ)11552に書き込む。
【0065】
図15は、本実施形態に係るEDC回路のエンコード処理系の要部構成を示すブロック図である。
エンコード処理系11532Eは、図15に示すように、各種のフィールド情報を生成するフィールド情報生成回路(FIGEN)115323、ID生成回路(IDGEN)115324、IED生成回路(IEDGEN)115325、EDCパリティ生成回路(EDCPRGEN)115326、およびスクランブル処理を行うスクランブラ(scrambler)115327を有する。
【0066】
EDCパリティ生成回路115326によるEDCパリティ生成とスクランブラ115327によるスクランブル処理は同時に実行される。これは、2つの処理でデータ読み出し順が似通っているため可能である。
スクランブル処理は、ある鍵情報(Key)を用いてデータをスクランブルするものである。スクランブルされたデータは、もとのメモリに書き戻すことなく、メモリ部1155の第1のメモリ11551または第2のメモリ11552に書き込まれる。
このため、トラッキングバッファ11553からのEDCデータ読み出し処理(EDC−RE)と、メモリ部1155の第1のメモリ(メモリα)11551または第2のメモリ(メモリβ)11552へのEDCデータ書き込み処理(EDC−WR)は同時に実行される。
【0067】
メモリ部1155は、上述したように、SRAMからなる第1のメモリ11551(メモリα)、SRAMからなる第2のメモリ11552(メモリβ)、およびDRAMからなる第3のメモリ(トラッキングメモリ)11553を有するが、これらの容量は、たとえば次のように設定される。
第1のメモリ11551と第2のメモリ11552は、各パイプラインステージで必要とする大きさのデータを格納することが可能な容量、具体的には、少なくとも1ECCブロック分を格納可能な容量に設定される。
第3のメモリ(トラッキングメモリ)11553は、ECCブロックのN倍の容量に設定される。
なお、トラッキングバッファ11553は、リングバッファを構成し、ホスト装置117からの転送要求頻度ゆらぎに対する緩衝器の役割を果たす。あるいは、先読み処理にともない、ある種のキャッシュメモリとなる。
【0068】
また、本実施形態では、第1のメモリ11551および第2のメモリ11552にデータを格納するときには、所定の鍵で暗号化して格納し、データを読み出すときは、暗号化時の鍵を用いて復号するように構成している。
そのために、たとえば図16に示すように、第1のメモリ11551Aに鍵KEY−αで格納データを暗号化してメモリαに格納する暗号器115511とメモリαに格納されたデータを読み出し鍵KEY−αで復号する復号器115512を設ける。
【0069】
図17は、この暗号器および復号器を内蔵する第1のメモリ11551Aおよび第2のメモリ11552Aを採用したデコーダ/エンコーダ回路115の構成例を示すブロック図である。
【0070】
図17において、第1のメモリ11551Aおよび第2のメモリ11552Aの構成以外は図8の構成と同様である。
図17に示すように、第1のメモリ11551Aに鍵KEY−αで格納データを暗号化してメモリαに格納する暗号器(暗号化回路)115511αとメモリαに格納されたデータを読み出し鍵KEY−αで復号する復号器(復号化回路)115512αを設けている。
同様に、第2のメモリ11552Aに鍵KEY−βで格納データを暗号化してメモリβに格納する暗号器(暗号化回路)115511βとメモリβに格納されたデータを読み出し鍵KEY−βで復号する復号器(復号化回路)115512βを設けている。
【0071】
なお、図17は、デコード処理時に、メモリ格納データを暗号化する様子を示しており、図17ではメモリスイッチを含む第1バス11561と、メモリの間に暗号器/ 復号器を配置しているが、メモリスイッチを含む第1バス11561と各パイプラインを構成する回路、EFM復調器1151、ECC回路11531、EDC回路11532との間に配置することも可能である。
【0072】
暗号器115511α(β)は、たとえば図18に示すように、入力データに対して鍵KEY−α(β)を排他的論理和ゲートEXORで排他的論理和をとってデータを暗号化し、メモリα(β)に格納する。
【0073】
復号器115512α(β)は、たとえば図19に示すように、格納データに対して鍵KEY−α(β)を排他的論理和ゲートEXORで排他的論理和をとってデータ復号する。
【0074】
メモリ格納データの暗号化についてさらに説明する。
【0075】
図20は、デコーダパイプライン処理と鍵情報の関係を示す図である。
この例では、鍵情報としてkey1,Key2,Key3を用いている。
図20のデコーダパイプライン処理は、EFM復調データ書き込み処理(EFM−WR)→ECC処理(PI−RD,PO−RD)→EDCデータ読み出し処理(EDC−RD)の順に進むが、これらは同一の鍵情報を用いて処理される。パイプライン処理実行中に、異なる鍵情報を用いて格納されたデータに対しては、正しくデータが読み出されない。
これにより、EFM復調データ書き込み処理(EFM−WR)時にバッファリングが行われないデータがあると、前回以前のEFM復調データ書き込み処理(EFM−WR)で格納されたデータが読み出される。
しかしながら、それは異なる鍵情報を用いて格納されたデータであるので、読み出し値は不正となる。したがって、エラー訂正不能となる。
【0076】
一般に、エラー訂正が、積符号で構成されている場合、内符号(PI)の訂正不能情報を消失フラグとして、外符号(PO)の訂正が行われる。
そのような方法を取った場合にメモリ格納データの暗号化を行わない場合、次のような不都合が考えられる。
EFM復調データ書き込み処理(EFM−WR)時にPLLの乱れや、シンク保護の乱れなどを原因として、バッファリングされないデータがあると、当該部分のデータは、前回以前に格納されたデータとなる。
そのデータが、エラー訂正良好(OK)データであると、内符号のエラー訂正時に、エラー訂正良好となり、エラー訂正不能とならない。このため、外符号訂正時に消失訂正フラグを立てることができないため、エラー訂正能力が減退してしまう。
【0077】
また、一般にホスト装置117のデータ転送要求に対する、転送の可否を、エラー訂正状況を検査せずに、EDCチェック状況を検査することによって行う場合がある。
このような場合、前記のバッファリング抜けがあると、当該部分のデータが、前回以前に格納されたデータかつ所望されないデータかつEDCチェック良好(OK)のデータとなり、誤って、ホスト装置117に転送される場合がある。
以上のようなケースは、メモリ格納データを一連のパイプライン処理固有の鍵情報にて暗号化することにより防止することができる。
【0078】
メモリ格納データの暗号化/復号化は、鍵が正しければ、メモリの読み書きは正しく行われるが、鍵が誤っていると、もともと格納されているデータに対する鍵と、あらたな読み書き時のデータに対する鍵が異なってしまい、メモリアクセスしても誤った結果となる。
これにより、誤ったデータをホスト装置117へ送ることや、エラー訂正能力の減退を防止することができる。
【0079】
バス部1156は上述したように、EFM+復調器1151、EFM+変調器1152、エラー訂正器1153とメモリ部1155の第1のメモリと第2のメモリとのデータ転送経路をステート情報ST0,ST1に応じて切り替える機能を有する。
【0080】
デコード処理時には、図21に示すように、初期状態でステート(State)0となる。
ステート0における復調データ書き込み処理(EFM−WR)が終了するとステート1になる。
そして、ステート1における復調データ書き込み処理(EFM−WR)が終了するとステート0になる。
このように、EFM復調データ書き込み処理(EFM−WR)の終了毎に、ステート0とステート1が順次に切り替わる。
【0081】
図22は、デコード処理時に、ステート情報ST0がアクティブで供給された場合のバス部によるメモリ部の第1〜第3のメモリとパイプライン処理回路であるEFM+復調器1151、ECC回路11531、EDC回路11532、およびホストインタフェース回路1154との接続状態を示す図である。
また、図23は、デコード処理時に、ステート情報ST1がアクティブで供給された場合のバス部によるメモリ部の第1〜第3のメモリとパイプライン処理回路であるEFM+復調器1151、ECC回路11531、EDC回路11532、およびホストインタフェース回路1154との接続状態を示す図である。
【0082】
ステート0時には、図22に示すように、バス部1156の第1バス11561により、EFM+復調器1151から第1のメモリ(メモリα)11551への書き込むべきEFM+復調データのデータ転送経路が形成され、一方ECC回路11531とEDC回路11532と第2のメモリ(メモリβ)11552との間に、PI符号の読み出し処理(PI−RD)、PO符号の読み出し処理(PO−RD)およびEDCデータ読み出し処理(EDC−RD)の各データの転送経路が形成される。
また、PIエラー訂正のための読み出し/書き込み処理、また、POエラー訂正のための読み出し/書き込み処理の転送経路も形成される。
また、ステート0時には、図22に示すように、バス部1156の第2バス11562により、EDC回路11532から第3のメモリ(トラッキングバッファ)11553へのEDCデータ書き込み処理(EDC−WR:実際には、スクランブル済データの書き込み処理)のデータ転送経路、並びに、第3のメモリ(トラッキングバッファ)11553からホストインタフェース回路1154へのデータ転送経路が形成される。
【0083】
ステート1時には、図23に示すように、バス部1156の第1バス11561により、EFM+復調器1151から第2のメモリ(メモリβ)11552への書き込むべきEFM+復調データのデータ転送経路が形成され、一方ECC回路11531とEDC回路11532と第1のメモリ(メモリα)11551との間に、PI符号の読み出し処理(PI−RD)、PO符号の読み出し処理(PO−RD)およびEDCデータ読み出し処理(EDC−RD)の各データの転送経路が形成される。
また、PIエラー訂正のための読み出し/書き込み処理、また、POエラー訂正のための読み出し/書き込み処理の転送経路も形成される。 また、ステート1時には、図23に示すように、ステート0時と同様に、バス部1156の第2バス11562により、EDC回路11532から第3のメモリ(トラッキングバッファ)11553へのEDCデータ書き込み処理(EDC−WR:実際には、スクランブル済データの書き込み処理)のデータ転送経路、並びに、第3のメモリ(トラッキングバッファ)11553からホストインタフェース回路1154へのデータ転送経路が形成される。
【0084】
エンコード処理時にも、図24に示すように、初期状態でステート(State)0となる。
ステートにおけるEFM+変調前データ読み出し処理(EFM−RD)が終了するとステート1になる。
そして、ステート1におけるEFM+変調前データ読み出し処理(EFM−RD)が終了するとステート0になる。
このように、EFM+変調前データ読み出し処理(EFM−RD)の終了毎に、ステート0とステート1が順次に切り替わる。
【0085】
図25は、エンコード処理時に、ステート情報ST0がアクティブで供給された場合のバス部によるメモリ部の第1〜第3のメモリとパイプライン処理回路であるEFM+変調器1152、ECC回路11531、EDC回路11532、およびホストインタフェース回路1154との接続状態を示す図である。
また、図26は、エンコード処理時に、ステート情報ST1がアクティブで供給された場合のバス部によるメモリ部の第1〜第3のメモリとパイプライン処理回路であるEFM+変調器1152、ECC回路11531、EDC回路11532、およびホストインタフェース回路1154との接続状態を示す図である。
【0086】
ステート0時には、図25に示すように、バス部1156の第1バス11561により、EFM+変調器1152に第1のメモリ(メモリα)11551から読み出すべきデータの転送経路が形成され、ECC回路11531とEDC回路11532と第2のメモリ(メモリβ)11552との間に、PI符号の読み出し処理(PI−RD)、PO符号の読み出し処理(PO−RD)およびEDCデータ書き込み処理(EDC−WR)の各データの転送経路が形成される。
また、ステート0時には、図25に示すように、バス部1156の第2バス11562により、EDC回路11532に第3のメモリ(トラッキングバッファ)11553からのEDCデータ読み出し処理(EDC−RD)のデータ転送経路、並びに、ホストインタフェース回路1154から第3のメモリ(トラッキングバッファ)11553へのデータ転送経路が形成される。
【0087】
ステート1時には、図26に示すように、バス部1156の第1バス11561により、EFM+変調器1152に第2のメモリ(メモリβ)11552から読み出すべきデータの転送経路が形成され、ECC回路11531とEDC回路11532と第1のメモリ(メモリα)11551との間に、PI符号の読み出し処理(PI−RD)、PO符号の読み出し処理(PO−RD)およびEDCデータ書き込み処理(EDC−WR)の各データの転送経路が形成される。
また、ステート1時には、図26に示すように、バス部1156の第2バス11562により、EDC回路11532に第3のメモリ(トラッキングバッファ)11553からのEDCデータ読み出し処理(EDC−RD)のデータ転送経路、並びに、ホストインタフェース回路1154から第3のメモリ(トラッキングバッファ)11553へのデータ転送経路が形成される。
【0088】
図27は、本実施形態に係るバス部の第1バスの具体的な構成例を示す回路図である。
図28は、本実施形態に係るバス部の第1バスの「MEM−STATE」時のステート0とステート1との状態遷移を示す図であり、図29は、本実施形態に係るバス部の第1バスの「ECCPHASE」時のステート0とステート1との状態遷移を示す図である。
また、図30(A)〜(H)は、図27の回路のデコード処理時のタイミングチャートであり、図31(A)〜(H)は、図27の回路のエンコード処理時のタイミングチャートである。
【0089】
バス部1156の第1バス11561は、図27に示すように、セレクタ201〜215を有している。
【0090】
セレクタ202は、信号ENCMODEのレベルに応じてEFM復調器1151のアドレスデータEFMD ADDかEFM変調器1152のアドレスデータEFMM ADDのいずれかを選択してアドレスデータEFM ADDとしてセレクタ208および211に出力する。
【0091】
セレクタ204は、信号ECCPHASEのレベルに応じてECC回路11531の書き込みデータECC WDATAかEDC回路11532の書き込みデータECC WDATAのいずれかを選択して書き込みデータECCP WDATAとしてセレクタ207および210に出力する。
セレクタ205は、信号ECCPHASEのレベルに応じてECC回路11531のアドレスデータECC ADDかEDC回路11532のアドレスデータEDC ADDのいずれかを選択してアドレスデータECCP ADDとしてセレクタ208および211に出力する。
セレクタ206は、信号ECCPHASEのレベルに応じてECC回路11531のデータECC XWAかEDC回路11532のデータEDC XWRのいずれかを選択してデータEDC XWRとしてセレクタ209および212に出力する。
【0092】
セレクタ207は、信号MEM STATEのレベルに応じてEFM復調器1151による書き込みデータEFMD WDATAかセレクタ204による書き込みデータECCP WDATAかのいずれかを選択して、書き込みデータA WDATAとして第1のメモリ(メモリα)11551に出力する。
セレクタ208は、信号MEM STATEのレベルに応じてセレクタ202によるアドレスデータEFM ADDかセレクタ205によるアドレスデータECCP ADDかのいずれかを選択して、アドレスデータA ADDとして第1のメモリ(メモリα)11551に出力する。
セレクタ209は、信号MEM STATEのレベルに応じてEFM復調器1151によるデータEFM XWRかセレクタ206によるアドレスデータECCP XWRかのいずれかを選択して、データA XWRとして第1のメモリ(メモリα)11551に出力する。
【0093】
セレクタ210は、信号MEM STATEのレベルに応じてEFM復調器1151による書き込みデータEFMD WDATAかセレクタ204による書き込みデータECCP WDATAかのいずれかを選択して、書き込みデータB WDATAとして第2のメモリ(メモリβ)11552に出力する。
セレクタ211は、信号MEM STATEのレベルに応じてセレクタ202によるアドレスデータEFM ADDかセレクタ205によるアドレスデータECCP ADDかのいずれかを選択して、アドレスデータB ADDとして第2のメモリ(メモリβ)11552に出力する。
セレクタ212は、信号MEM STATEのレベルに応じてEFM復調器1151によるデータEFMD XWRかセレクタ206によるアドレスデータECCP XWRかのいずれかを選択して、データB XWRとして第2のメモリ(メモリα)11552に出力する。
【0094】
セレクタ207〜209は、たとえば信号MEM STATEがデータ「0」(ローレベル)で供給されている場合には、入力「0」に供給されているデータ、すなわち、EFM復調器1151,セレクタ202の出力データを選択して第1のメモリ(メモリα)11551に出力する。
セレクタ207〜209は、たとえば信号MEM STATEがデータ「1」(ハイレベル)で供給されている場合には、入力「1」に供給されているデータ、すなわち、セレクタ204〜206の出力データを選択して第1のメモリ(メモリα)11551に出力する。
セレクタ210〜212は、たとえば信号MEM STATEがデータ「0」(ローレベル)で供給されている場合には、入力「0」に供給されているデータ、すなわち、EFM復調器1151,セレクタ202の出力データを選択して第2のメモリ(メモリβ)11552に出力する。
セレクタ207〜209は、たとえば信号MEM STATEがデータ「1」(ハイレベル)で供給されている場合には、入力「1」に供給されているデータ、すなわち、セレクタ204〜206の出力データを選択して第2のメモリ(メモリβ)11551に出力する。
【0095】
セレクタ207〜209は入力「0」がEFM復調器1151,セレクタ202の出力に接続され、入力「1」がセレクタ204〜206の出力に接続されている。
これに対して、セレクタ210〜212は入力「1」がEFM復調器1151,セレクタ202の出力に接続され、入力「0」がセレクタ204〜206の出力に接続されている。
したがって、第1のメモリ11551に対してEFMデータが書き込まれているときは、第2のメモリ11552に対してECCまたはEDCに関するデータが書き込まれ、第1のメモリ11551に対してECCまたはEDCに関するデータが書き込まれているときは、第2のメモリ11552に対してEFMデータが書き込まれる。
【0096】
セレクタ213は、信号MEM STATEのレベルに応じて第1のメモリ11551の読み出しデータA RDATAか第2のメモリ11552の読み出しデータB RDATAかのいずれかを選択して、データEFMD RDATAとしてEFM復調器1152に出力する。
セレクタ214は、信号MEM STATEのレベルに応じて第1のメモリ11551の読み出しデータA RDATAか第2のメモリ11552の読み出しデータB RDATAかのいずれかを選択して、データECC WDATAとしてECC回路11531に出力する。
セレクタ215は、信号MEM STATEのレベルに応じて第1のメモリ11551の読み出しデータA RDATAか第2のメモリ11552の読み出しデータB RDATAかのいずれかを選択して、データEDC RDATAとしてEDC回路11532に出力する。
【0097】
セレクタ213の入力「0」は第1のメモリ11551の読み出しデータA DATAの供給ラインに接続され、入力「1」は第2のメモリ11552の読み出しデータB DATAの供給ラインに接続されている。
これに対して、セレクタ214,215の入力「0」は第2のメモリ11552の読み出しデータB DATAの供給ラインに接続され、入力「1」は第1のメモリ11551の読み出しデータA DATAの供給ラインに接続されている。
したがって、第1のメモリ11551の読み出しデータA DATAがEFM変調器1152に供給されているときは、第2のメモリ11552の読み出しデータB DATAがECC回路11531、EDC回路11532に供給され、第1のメモリ11551の読み出しデータA DATAがECC回路11531、EDC回路11532に供給されているときは、第2のメモリ11552の読み出しデータB DATAがEFM変調器1152に供給される。
【0098】
図32は、本実施形態に係るバス部の第2バスの具体的な構成例を示す回路図である。
【0099】
この第2のバス11562は、図32に示すように、バスアービタ(BSABTR)301、データセレクタ(DTSEL)302、アドレスセレクタ(ADSEL)303、およびメモリアクセスシーケンサ(MACSQR)304を有している。
【0100】
バスアービタ301は、バスの調停を行う。EDC回路11532およびホストインタフェース回路1154からのリクエストEDC REQ,HOST REQに応じて、いずれか1つの回路に対してバスアクセス権を与えるとともに、ACKを返す。
このとき、バスアービタ301は、データセレクタ302およびアドレスセレクタ303に信号BUSSLを出力して、EDC回路11532およびホストインタフェース回路1154のうちのいずれの回路からの書き込みデータEDC WDATAまたはHOST WDATA、およびアドレスデータEDC ADDまたはHOST ADDを選択させる。これにより、データセレクタ302から選択データDATAが、アドレスセレクタ303から選択アドレスADDがメモリアクセスシーケンサ304に供給される。
バス調停が終わると、バスアービタ301は、メモリアクセスシーケンサ304を信号M AOS STTにより起動する。
メモリアクセスシーケンサ304は、信号CS,RAS,CAS,WE,ADDおよびデータを出力して第3のメモリであるトラッキングバッファ11563に対してメモリアクセスを行う。
また、トラッキングバッファ11563からの読み出しデータは、メモリアクセスシーケンサ304、EDC回路11532、またはホストインタフェース回路1154に入力される。
【0101】
以下に、上記構成を有する光ディスク記録再生装置100(図5参照)の動作を、デコーダ/エンコーダ回路115のデコーダパイプライン処理およびエンコーダパイプライン処理を中心に、図面に関連付けて説明する。
【0102】
まず、図33に関連付けてデコーダパイプライン処理について説明する。
【0103】
光ピックアップ103によりディスク101から読み出され電気信号に変換されたデータは、RFアンプ106に入力される。
RFアンプ106においては、光ピックアップ103より伝えられる複数の信号に対して演算が行われ、トラッキングエラー信号TE、フォーカスエラー信号FEが生成されてサーボDSP107に出力され、データ列信号(RF信号)S106に対して波形整形が行われて2値化回路110に出力される。
サーボDSP107では、RFアンプ106にて生成された、トラッキングエラー信号TE、フォーカスエラー信号FEを、フォーカスサーボ、トラッキングサーボ、スレッドサーボの制御が行われる。
【0104】
2値化回路110では、RFアンプ106によるRF信号S106が2値化され、さらにクロック再生回路111において、2値化回路110で2値化されたRF信号に基づいてクロックが抽出され、RF信号がデジタル信号としてデコーダ/エンコーダ回路115に入力される。
この場合、パイプライン処理を行うデコーダ/エンコーダ回路115には、各パイプラインステージで必要とする大きさの一連のデータが1ブロック(BLK)単位として、たとえば複数のブロック(たとえばBLK1〜BLK3)が連続して供給される。
【0105】
このとき、初期状態であることから、デコーダ/エンコーダ回路115のバス部1156には、ステート情報ST0がアクティブで供給され、バス部1156はステート0状態にある。したがって、デコーダ/エンコーダ回路115の接続経路は、図22に示すように形成されている。
【0106】
そして、図33に示すように、フェーズ0(Phase0)では、2値化回路110により2値化されたRFデータ(BLK1)が、EFM復調回路1151に入力されると、EFM+復調され、メモリα(第1のメモリ)に書き込まれる。
EFM+復調データの書き込みが終了すると、ステート1に状態遷移し、デコーダ/エンコーダ回路115の接続経路は、図23に示すように形成される。
【0107】
フェーズ1(Phase1)では、EFM+復調データがメモリβ(第1のメモリ)に書き込まれる。
一方、メモリαに格納されたデータに対して、エラー訂正処理が行われた後、EDCチェック処理、デスクランブル処理が行われる。
エラー訂正処理のメモリアクセスは、PI符号の読み出し、PI符号のエラー訂正結果に応じてエラー訂正処理、PO符号の読み出し、PO符号のエラー訂正結果に応じてエラー訂正処理が伴う。必要に応じて、PI訂正、PO訂正が繰り返し行われる。EDC チェック処理とデスクランブル処理は、同時に実行される。これは、2つの処理でデータ読み出し順が似通っているため可能である。
デスクランブル処理されたデータは、もとのメモリに書き戻すことなく、トラッキングバッファ(第3のメモリ)11553に書き込まれる。
このため、メモリαからのEDCデータ読み出し処理と、トラッキングバッファへのEDCデータ書き込み処理は同時に実行される。トラッキングバッファに書き込まれたデータは、デコード処理が終了したデータである。
そして、ホスト装置117からの転送要求に従って、ホストインタフェース回路1154を通して、ホスト装置117に転送される。
上述したように、トラッキングバッファ11553は、リングバッファを構成し、Hostからの転送要求頻度ゆらぎに対する緩衝器の役割を果たす。あるいは、先読み処理にともない、ある種のキャッシュメモリとなる。
【0108】
EDCチェックのためのデータ読み出しは、1 ECCブロック分のEFM+データの書き込み終了以前に終了する。1 ECCブロック分のEFM+データの書き込みが終了すると、バス部1156の状態が再度ステート0に遷移する。
したがって、デコーダ/エンコーダ回路115の接続経路は、図22に示すように形成される。
【0109】
フェーズ2(Phase2)では、メモリαに対してEFM+復調データの書き込みが行われ、メモリβに対してECC復号処理、EDCチェック処理、デスクランブル処理などが行われる。
【0110】
フェーズ3(Phase3)では、必要とされるEFMデータの書き込みがすでに終了しているため、EFM+復調データの書き込みは行われず、メモリαに対するECC復号処理、EDCチェック処理、デスクランブル処理などが行われる。
【0111】
ここで、メモリアクセス状況を、本実施形態に係る回路と、従来の図1の回路とを比較する。
図34は、本実施形態に係る回路のメモリアクセス状況を示す図であり、図35は図1の回路のメモリアクセス状況を示す図である。
いずれも、PI, POそれぞれを2回繰り返して訂正を行ったときの様子を示している。
【0112】
図35に示す従来回路では、EFM−WR,ECC PI−RD、ECC PO−RD,ECC PI2−RD、ECC PO2−RD、ECC PI−RD&WR、ECC PO−RD&WR、ECC PI2−RD&WR、ECC PO2−RD&WR、EDC−RD、EDC−WR、HOST−WR、HOST−RD、EFM−WR等のアクセスが、単一のメモリに対して発生している。
これに対し、図34に示す本実施形態に係る回路においては、3つのメモリに分散して、メモリアクセスが行われるため、メモリアクセスのボトルネックが緩和される。
図34においては、メモリαに対しEFM−WRアクセスが発生し、メモリβに対してECC PI−RD、ECC PO−RD、ECC PI2−RD、ECC PO2−RD、ECC PI−RD&WR、ECC PO−RD&WR、ECC PI2−RD&WR、ECC PO2−RD&WR、EDC−RDのアクセスが発生し、トラッキングバッファに対してEDC−WR、HOST−RDのアクセスが発生している。
【0113】
一般にメモリに対して時間的に重複するアクセスがあると、メモリへのアクセス権の調停が必要となる。その場合、アクセス権調停に伴うオーバヘッドが発生してしまう。
図35では全てのアクセスが単一のメモリに集中するので、このオーバーヘッドが大きくなる。
一方、図34では、重複するメモリアクセスが少なく、オーバヘッドも小さい。図34について、メモリアクセスを確認すると、メモリαに対するアクセスはEFM−WRのみで調停を必要としない。トラッキングバッファに対しては、EDC−WRとHOST−RDのアクセスのみであり、連続アクセス回数を大きくでき、オーバヘッドを小さくできる。メモリβに対しては、ECC処理と、EDC処理があるが、両処理は順次行われるので同時に行われるのでアクセス権の調停は必要ない。
ECCについては、符号読み出しと、エラー訂正処理とは時間的に重複するが、エラー訂正処理(Read&Write)アクセスは少ないので、やはりオーバーヘッドは小さい。また、各符号に対するアクセスがあるが、これらは時間的にほとんど、重複しないので、やはりオーバーヘッドは小さい。
トラッキングバッファへは、デコード処理終了データが書き込まれる。ホストインタフェース回路1154は、ホスト装置117からの転送要求に従い、デコード処理終了データをホスト装置117に転送する。
【0114】
次に、図5を参照しつつ図36に関連付けてエンコーダパイプライン処理について説明する。
【0115】
フェーズ0(Phase0)では、ホスト装置117よりホストインタフェース回路1154にユーザデータが入力されると、第2バス11562を通してトラッキングバッファ11553にユーザデータが書き込まれる。
ユーザデータ以外のアドレス情報やパリティ情報が入力されることもあるが、その場合はアドレス生成やパリティ生成動作が省略される。
ユーザデータの書き込みが終了すると、エンコード処理がスタートする。
【0116】
このとき、初期状態であることから、デコーダ/エンコーダ回路115のバス部1156には、ステート情報ST0がアクティブで供給され、バス部1156はステート0状態にある。したがって、デコーダ/エンコーダ回路115の接続経路は、図25に示すように形成されている。
【0117】
フェーズ1(Phase1)では、トラッキングバッファ11553より、ユーザデータが読み出され、EDC回路11532においてスクランブル処理、EDCパリティ生成、ID生成、各種フィールド情報生成などが行われ、スクランブルされた、ユーザデータ、EDCパリティや、ID、各種フィールド情報がメモリαに書き込まれる。EDCパリティ生成、スクランブル処理は同時に実行される。
これは、2つの処理でデータ読み出し順が似通っているため可能である。スクランブル処理されたデータは、もとのメモリに書き戻すことなく、トラッキングバッファに書き込まれる。
このため、トラッキングバッファからのEDCデータ読み出し処理と、メモリα(第1のメモリ)へのEDCデータ書き込み処理は同時に実行される。メモリαに格納されたデータに対して、ECCパリティ付加が行われる。エンコード処理のメモリアクセスは、PI符号の読み出し、PI符号のパリティ部書き換え処理、PO符号の読み出し、PO符号のパリティ部書き換え処理が伴う。
【0118】
フェーズ2(Phase2)では、メモリαに格納されているデータに対する読み出しと、読み出されたデータに対するEFM+変調が行われる。EFM+変調が行われたデータは、2値信号として出力され、ディスクへの書き込み処理が行われる。
EFM+変調のための読み出しが終了されると、ステート1に状態遷移し、デコーダ/エンコーダ回路115の接続経路は、図26に示すように形成される。
【0119】
一方、メモリβ(第2のメモリ)に対しては、スクランブルされた、ユーザデータ、EDCパリティや、ID、各種フィールド情報の書き込み処理、およびECCパリティ付加処理などが行われる。
【0120】
フェーズ3(Phase3)では、メモリαに対しては、スクランブルされた、ユーザデータ、EDCパリティや、ID、各種フィールド情報の書き込み処理、およびECCパリティ付加処理などが行われる。
一方、メモリβに格納されたデータに対するEFM+復調のためのデータ読み出しが行われる。
【0121】
フェーズ4(Phase4)では、トラッキングバッファに残っているデータがないので、ECCパリティ付加処理等は行わない。
一方、メモリαに格納されたデータに対するEFM+復調のためのデータ読み出しが行われる。
【0122】
ここで、メモリアクセス状況を、本実施形態に係る回路と、従来の図3の回路とを比較する。
図37は、本実施形態に係る回路のメモリアクセス状況を示す図であり、図38は図3の回路のメモリアクセス状況を示す図である。
いずれも、エンコード処理を行ったときの様子を示している。
【0123】
図38の従来回路では、EFM−RD、EDC−WR、ECC PI−RD、ECC PO−RD、ECC PI−RD&WR、ECC PO−RD&WR、HOST−WR、EDC−RD、EFM−RD等のアクセスが、単一のメモリに対して発生している。
【0124】
これに対し、図37の本実施形態に係る回路においては、3つのメモリに分散して、メモリアクセスが行われるため、メモリアクセスのボトルネックが緩和される。
図37においては、メモリαに対しEFM−RDアクセスが発生し、メモリβに対してEDC−WR、ECC PI−RD、ECC PO−RD、ECC PI−RD&WR、ECC PO−RD&WR、のアクセスが発生し、トラッキングバッファ11553に対してHOST−WR、EDC−RDのアクセスが発生している。
【0125】
一般にメモリに対して時間的に重複するアクセスがあると、メモリへのアクセス権の調停が必要となる。その場合、アクセス権調停に伴うオーバヘッドが発生してしまう。
図38では全てのアクセスが単一のメモリに集中するので、このオーバーヘッドが大きくなる。
【0126】
一方、図37では、重複するメモリアクセスが少なく、オーバヘッドも小さい。図37について、メモリアクセスを確認すると、メモリαに対するアクセスはEFM−RDのみで調停を必要としない。トラッキングバッファ11553に対しては、EDC−RDとHOST−WRのアクセスのみであり、連続アクセス回数を大きくでき、オーバヘッドを小さくできる。メモリβに対しては、EDC処理と、ECC処理があるが、両処理は順次行われるのでアクセス権の調停は必要ない。ECCについては、符号読み出しと、パリティ書き換え処理とは時間的に重複するが、パリティ書き換え処理(Read&Write)アクセスは少ないので、やはりオーバーヘッドは小さい。また、各符号に対するアクセスがあるが、これらは時間的にほとんど、重複しないので、やはりオーバーヘッドは小さい。
【0127】
以上説明したように、本実施形態によれば、データ再生時には、ステート情報ST0,ST1に応じて形成されるバス部1156のデータ経路を通して供給される、EFM復調器1151でEFM+復調後のブロック単位のデータを第1のメモリおよび第2のメモリに交互に書き込み、書き込みが行われていない第1のメモリまたは第2のメモリから記録データがステート情報ST0,ST1に応じて形成されるバス部1156のデータ経路を通してエラー訂正器1153に読み出され、誤り訂正中のデータ(EDC)を第1のメモリまたは第2のメモリに書き込み、誤り訂正が終わったデータを第3のメモリ(トラッキングメモリ)に格納し、データ記録時には、ホスト装置117からブロック単位で転送されるユーザデータを、バス部1156を介してトラッキングバッファとしての第3のメモリ(トラッキングメモリ)に書き込み、エンコード処理開始後、エラー訂正器1153により第3のメモリに格納したユーザデータが読み出され、エラー訂正器1153でスクランブルされた、ユーザデータ、EDCパリティや、ID、各種フィールド情報を、ステート情報ST0,ST1に応じて形成されるバス部1156のデータ経路を通して第1のメモリおよび第2のメモリにブロック単位毎に交互に書き込み、EFM変調器1152により第1のメモリまたは第2のメモリに格納されているデータが読み出されるように構成した。このように構成したことにより、以下の効果を得ることができる。
【0128】
すなわち、パイプライン処理を行う際に、各パイプラインステージでメモリを共有するため、データの受け渡しのためのメモリアクセスが無い。また、パイプライン処理を行う際に、ある時刻においては、各パイプラインステージでメモリを占有するため、1つのメモリに対するメモリアクセスが少ない。
したがって、高速動作が可能であり、また、低消費電力化が可能である。
また、システムの出力段に、緩衝器となるメモリを持つため、システムへのデータ要求が無いときでも、パイプライン動作が中断することが無く、高速動作が可能である。
さらにまた、システムに必要な緩衝器となるメモリのサイズが用途による変化要求に対して、同緩衝メモリにアクセスする部分のみを置換することにより、容易に対処できる。
【0129】
また、本実施形態によれば、パリティ消失ポインタ発生器(PNTGEN)115312、セレクタ115313を設けてECCデコーダ(DEC)とECCエンコーダ(ENC)を共有させていることから、エラー訂正復号器に対する小さな変更で、エラー訂正符号器を構成できる。
その結果、エラー訂正符号器/復号器、そのものを共有するだけでなく、その周辺回路として符号データ読み出し制御回路やパリティ書き込み制御回路も、符号化時/復号化時で共有でき、回路規模を小さくでき、システムを低コストに実現できる利点がある。
【0130】
また、本実施形態では、第1のメモリ11551および第2のメモリ11552にデータを格納するときには、所定の鍵で暗号化して格納し、データを読み出すときは、暗号化時の鍵を用いて復号するように構成していることから、データの書き込みが正しく行われないパイプラインステージがあっても、書き込みが行われなかった部分のデータは、他のパイプラインステージにおいて、誤ったデータとなるので、誤動作をすることがない。
また、光ディスク装置において、EFM−WR時にPLLの乱れや、シンク保護の乱れなどを原因として、バッファリングされないデータがあっても、エラー訂正能力の減退がない。
また、光ディスク装置において、EFM−WR時にPLLの乱れや、シンク保護の乱れなどを原因として、バッファリングされないデータがあっても、不正にEDCチェックが良好(OK)となり、誤ってホスト装置117にデータが出力されることがないという利点がある。
【0131】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のよれば、データの書き込みが正しく行われないパイプラインステージがあっても、書き込みが行われなかった部分のデータは、他のパイプラインステージにおいて、誤ったデータとなるので、誤動作をすることがない。
また、光ディスク装置において、EFM−WR時にPLLの乱れや、シンク保護の乱れなどを原因として、バッファリングされないデータがあっても、エラー訂正能力の減退がない。
また、光ディスク装置において、EFM−WR時にPLLの乱れや、シンク保護の乱れなどを原因として、バッファリングされないデータがあっても、不正にEDCチェックが良好(OK)となり、誤ってホスト装置にデータが出力されることがないという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般的なデコーダ回路の構成例を示すブロック図である。
【図2】図1の回路におけるデコーダパイプライン処理のメモリバッファに対するアクセス状況を示す図である。
【図3】一般的なエンコーダ回路の構成例を示すブロック図である。
【図4】図3の回路におけるエンコーダパイプライン処理のメモリバッファに対するアクセス状況を示す図である。
【図5】本発明に係るパイプライン処理システムを採用したDVDの光ディスク記録再生装置の一実施形態を示すブロック図である。
【図6】本発明に係るパイプライン処理システムを採用したDVDの光ディスク再生装置の一実施形態を示すブロック図である。
【図7】本発明に係るパイプライン処理システムを採用したDVDの光ディスク記録装置の一実施形態を示すブロック図である。
【図8】データ再生時のデコード処理を行う場合の本実施形態に係るデコーダ/エンコーダ回路におけるエラー訂正器、メモリ部、およびバス部の具体的な構成およびデータ経路を具体的に示す図である。
【図9】データ記録時のエンコード処理を行う場合の本実施形態に係るデコーダ/エンコーダ回路におけるエラー訂正器、メモリ部、およびバス部の具体的な構成およびデータ経路を具体的に示す図である。
【図10】DVDデータフォーマットを説明するための図であって、データフレーム構成を示す図である。
【図11】DVDデータフォーマットを説明するための図であって、ECCブロック構成を示す図である。
【図12】本実施形態に係るECC回路の要部の第1の構成例を示すブロック図である。
【図13】本実施形態に係るECC回路の要部の第2の構成例を示すブロック図である。
【図14】本実施形態に係るEDC回路のデコード処理系の要部構成を示すブロック図である。
【図15】本実施形態に係るEDC回路のエンコード処理系の要部構成を示すブロック図である。
【図16】本実施形態に係る第1のメモリおよび第2のメモリにデータを格納するときに、所定の鍵で暗号化して格納し、データを読み出すときは、暗号化時の鍵を用いて復号するようにしたメモリ構成例を示す図である。
【図17】本実施形態に係る暗号器および復号器を内蔵する第1のメモリおよび第2のメモリを採用したデコーダ/エンコーダ回路の構成例を示すブロック図である。
【図18】本実施形態に係る暗号器の構成例を示す図である。
【図19】本実施形態に係る復号器の構成例を示す図である。
【図20】本実施形態に係る第1のメモリおよび第2のメモリにデータを格納するときに、所定の鍵で暗号化して格納する場合のデコーダパイプライン処理と鍵情報の関係を示す図である。
【図21】デコード処理時におけるステート0とステート1とが交互に切り替わり遷移条状態を説明するための図である。
【図22】デコード処理時に、ステート情報ST0がアクティブで供給された場合のバス部によるメモリ部の第1〜第3のメモリとパイプライン処理回路であるEFM復調器、ECC回路、EDC回路、およびホストインタフェース回路との接続状態を示す図である。
【図23】デコード処理時に、ステート情報ST1がアクティブで供給された場合のバス部によるメモリ部の第1〜第3のメモリとパイプライン処理回路であるEFM復調器、ECC回路、EDC回路、およびホストインタフェース回路との接続状態を示す図である。
【図24】エンコード処理時におけるステート0とステート1とが交互に切り替わり遷移条状態を説明するための図である。
【図25】エンコード処理時に、ステート情報ST0がアクティブで供給された場合のバス部によるメモリ部の第1〜第3のメモリとパイプライン処理回路であるEFM復調器、ECC回路、EDC回路、およびホストインタフェース回路との接続状態を示す図である。
【図26】エンコード処理時に、ステート情報ST1がアクティブで供給された場合のバス部によるメモリ部の第1〜第3のメモリとパイプライン処理回路であるEFM復調器、ECC回路、EDC回路、およびホストインタフェース回路との接続状態を示す図である。
【図27】本実施形態に係るバス部の第1バスの具体的な構成例を示す回路図であ。
【図28】本実施形態に係るバス部の第1バスの「MEM−STATE」時のステート0とステート1との状態遷移を示す図である。
【図29】本実施形態に係るバス部の第1バスの「ECCPHASE」時のステート0とステート1との状態遷移を示す図である。
【図30】図27の回路のデコード処理時のタイミングチャートである。
【図31】図27の回路のエンコード処理時のタイミングチャートである。
【図32】本実施形態に係るバス部の第2バスの具体的な構成例を示す回路図であ。
【図33】デコーダパイプライン処理を説明するための図である。
【図34】本実施形態に係る回路のデコード時のメモリアクセス状況を示す図である。
【図35】図1の回路のメモリアクセス状況を示す図である。
【図36】エンコーダパイプライン処理を説明するための図である。
【図37】本実施形態に係る回路のエンコード時のメモリアクセス状況を示す図である。
【図38】図3の回路のメモリアクセス状況を示す図である。
【符号の説明】
100…光ディスク記録再生装置、100A…光ディスク再生装置、100B…光ディスク記録装置、101…光ディスク、102…スピンドルモータ、103…光ピックアップ、104…アクチュエータ、105…スレッド機構、106…RFアンプ、107…サーボDSP、108…ドライバ回路、109…レーザドライバ、110…2値化回路、111…クロック再生回路、112…物理アドレス読み出し回路、113…クロック生成回路、114…書き込みパルス生成回路、115…デコーダ/エンコーダ回路、115A…デコーダ回路、115B…エンコーダ回路、1151…EFM復調器、1152…EFM変調器、1153…エラー訂正器、11553…ECC回路、11532…EDC回路、1154…ホストインタフェース回路、1155…メモリ部、11551…第1のメモリ(メモリα)、11552…第2のメモリ(メモリβ)、11553…第3のメモリ(トラッキングメモリ)、1156…バス部1156、116…システムコントローラ、117…ホスト装置。

Claims (4)

  1. 複数のデータに対してパイプライン処理を施すパイプライン処理システムであって、
    パイプラインステージを構成し、上記複数のデータの各々に対してそれぞれ所定の処理を施す複数の処理回路と、
    少なくとも上記各パイプラインステージで必要とする大きさのデータを格納することが可能で、上記複数の処理回路のいずれかの処理回路によりアクセスされる複数のメモリを含むメモリ部と、
    上記メモリ部のメモリに上記処理回路の処理結果を格納する場合に、連続的に関連して処理される一連のパイプライン処理毎に設定された情報に基づいてアクセスする上記メモリごとに異なる暗号鍵で暗号化する複数の暗号化回路と、
    上記メモリに暗号化され格納されているデータを、所望の処理回路に読み出す際に、暗号化に用いられた設定情報に基づいてアクセスする上記メモリに対応した上記暗号鍵で復号化する複数の復号化回路と、
    上記複数の処理回路と上記メモリ部の複数のメモリとのデータ経路を、上記複数の処理回路のうち少なくとも一つの処理回路の処理状況より遷移するステート情報に応じて切り替え、パイプラインステージ間のデータの受け渡しを行うバス部と
    を有し、
    上記各メモリは、
    一組の上記暗号化回路および上記復号化回路を含む
    パイプライン処理システム。
  2. パイプライン処理終了後のデータを格納するメモリから、格納されたデータをシステムの要求に従って出力し、システムへの要求に従って、パイプライン処理開始前のデータを上記メモリ部の所定のメモリに格納する回路を有する
    請求項1記載のパイプライン処理システム。
  3. 所定フォーマットのデータが記録された媒体から記録データを読み出し、入力データを所定フォーマットのデータとして上記媒体に記録する情報処理装置であって、
    パイプラインステージを構成し、上記各読み出しデータを復調する復調回路と、
    パイプラインステージを構成し、上記復調後のデータに対して所定のエラー処理を行うエラー処理回路と、
    パイプラインステージを構成し、上記各入力データに基づいて記録すべきデータを作成する記録データ作成回路と、
    パイプラインステージを構成し、上記作成した記録データを変調し、上記媒体への記録データとして出力する変調回路と、
    少なくとも上記各パイプラインステージで必要とする大きさのデータを格納することが可能で、上記復調回路、エラー処理回路、記録データ作成回路、および変調回路のいずれかの回路によりアクセスされる複数のメモリを含むメモリ部と、
    上記メモリ部のメモリに上記復調回路、エラー処理回路、記録データ作成回路の処理結果を格納する場合に、連続的に関連して処理される一連のパイプライン処理毎に設定された情報に基づいてアクセスする上記メモリごとに異なる暗号鍵で暗号化する複数の暗号化回路と、
    上記メモリに暗号化され格納されているデータを、上記変調回路または記録データ作成回路に読み出す際に、暗号化に用いられた設定情報に基づいてアクセスする上記メモリに対応した上記暗号鍵で復号化する複数の復号化回路と、
    上記復調回路およびエラー処理回路、または上記記録データ作成回路および変調回路と上記メモリ部の複数のメモリとのデータ経路を、上記復調回路およびエラー処理回路、または上記記録データ作成回路および変調回路のうち少なくとも一つの回路の処理状況より遷移するステート情報に応じて切り替え、パイプラインステージ間のデータの受け渡しを行うバス部と
    を有し、
    上記各メモリは、
    一組の上記暗号化回路および上記復号化回路を含む
    を有する情報処理装置。
  4. パイプライン処理終了後のデータを格納するメモリから、格納されたデータをシステムの要求に従って出力し、システムへの要求に従って、パイプライン処理開始前のデータを上記メモリ部の所定のメモリに格納するインタフェース回路を有する請求項記載の情報処理装置。
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