JP4533393B2 - 給湯装置 - Google Patents

Description

この発明は、給湯装置に関するものである。

ヒートポンプ給湯機の貯湯槽容積全体に高温水を貯湯するために、圧縮機、放熱器、減圧装置、蒸発器を順次接続した冷媒回路と、貯湯槽、循環ポンプ、放熱器と熱交換関係を有する給湯熱交換器を順次接続した給湯回路と、圧縮機の吐出冷媒温度が設定温度Ａとなるように減圧装置の弁開度を制御する冷媒制御手段と、給湯熱交換器出口の湯温が設定温度Ｂとなるように給湯回路の水循環流量を制御する水量制御手段と、運転中に給湯熱交換器入口の水温が設定温度Ｃに達したことを検出して、設定温度Ａを変更する設定温度制御手段を備え、沸き上げ完了直前の湯水混合層域の水が高温水となるまで運転を継続し、貯湯槽下部まで高温水を貯湯する。すなわち、貯湯槽容積全体に高温水を貯湯するヒートポンプ給湯機が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

また、流水スイッチを設けずに過負荷運転、空運転を防止することができる給湯装置を提供するために、自給式ポンプによって水を熱交換機に送り、この熱交換機で湯を沸かす給湯装置において、給湯装置の制御部は、自給式ポンプのブラシレスＤＣモータの回転速度Ｐｇと駆動電流Ｉｓに基づいて、通常運転、空運転、または、過負荷運転かを判断し、空運転または過負荷運転の場合には燃焼装置を消火して、自給式ポンプを停止させる給湯装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００２−３４０４００号公報 特開２００３−１１４０５２号公報

従来の給湯装置は、ブラシレスＤＣモータを駆動するパワー回路の温度を検出していない、あるいはブラシレスＤＣモータのパワー回路の温度検出精度が低いために温度保護レベルを予め低く設定してポンプ最大出力に対して余裕を持たせて動作させていた。そのため、ポンプが大型化する。

また、ポンプ負荷増加に伴うパワー回路の急な温度上昇による回路破壊などの課題もあった。

また、インバータ回路はノイズを多く発生させるため、特に回路配線が長い場合には、ノイズの影響を受けて誤動作する、あるいは誤動作による回路破壊などの課題もあった。

また、回路面積増加に伴う基板面積増加及び基板コストアップ、回路搭載ポンプの大型化という課題があった。

この発明は、上記のよう課題を解決するためになされたもので、パワー回路の温度検出精度向上によるポンプ搭載回路の破壊を防止し、ポンプ出力拡大を図ることができる給湯装置を提供することを目的とする。

この発明に係る給湯装置は、冷媒と水、または水同士とが熱交換を行う熱交換器と、水を貯留するタンクと、水を循環させるポンプとを備え、ポンプは、水の吸水口及び吐出口を有する第２のケーシングと、羽根車とを備えるポンプ部と、電磁鋼板を積層して形成される鉄心と、この鉄心のスロットにインシュレータを介して挿入される巻線と、駆動回路が実装された回路基板と、略釜形状の第１のケーシングとを備え、モールド樹脂にて成型されたステータ部と、略中心部に軸受を備え、磁石部が設けられるロータ部とを具備し、駆動回路は、ステータ部とロータ部とで構成されるブラシレスＤＣモータを駆動する回路であり、且つパワー回路と、このパワー回路の温度を検出する温度検出回路とを備えたことを特徴とする。

この発明に係る給湯装置は、駆動回路に搭載するパワー回路の温度検出精度向上によるポンプ性能向上という効果がある。また、ポンプ負荷増加に伴うパワー回路の急な温度上昇による回路破壊を防止することができる。

実施の形態１．
図１乃至図５は実施の形態１を示す図で、図１は給湯装置１００の構成図、図２はポンプ２の断面図、図３は回路基板１３の構成図、図４はパワー回路３２を内蔵するパッケージ６０の外観斜視図、図５は温度検出回路４０及びその近傍の構造図である。

図１に示すように、給湯装置１００は、図示しない圧縮機、熱交換器３等で構成され、冷媒９が流れる冷媒回路５と、タンク１、ポンプ２、熱交換器３等で構成され、水８が流れる水回路４と、水回路４の水温度を検出する水温検出手段６と、水温設定指令信号と水温検出手段６からの水温情報を入力し、速度指令信号をポンプ２に出力する水量制御部７とを備える。

図２を用いてポンプ２の構成を説明する。図２に示すように、ポンプ２は、ステータ部１７と、ロータ部２１と、ポンプ部２６と、軸２７とを備える。軸２７は固定されていて、その周囲をロータ部２１が回転する。

先ず、ステータ部１７の構成を説明する。ステータ部１７は、複数の所定の形状に打ち抜いた電磁鋼板を積層して形成される略ドーナッツ形状の鉄心１０と、この鉄心１０のスロット（図示せず）にインシュレータ１２（絶縁部材）を介して挿入される巻線１１と、リード線１４を接続した回路基板１３と、略釜形状の第１のケーシング１５とを備える。回路基板１３は、ステータ部１７の一方の軸方向端部（反ポンプ部２６側）付近に配置される。略釜形状の第１のケーシング１５の凹部に、ロータ部２１が収まる。また、第１のケーシング１５の凹部の略中央部に、軸２７が嵌る軸孔１５ａを形成されている。尚、軸２７は回転しないように、軸孔１５ａに嵌合している。そのために、軸孔１５ａに嵌合する軸２７の円形の一部を切り欠いている。軸２７のポンプ部２６側端部も同じ形状にしている（長手方向が中央部に対して対称）。これは、ポンプ２の組立性を向上させるためである。軸孔１５ａも軸２７とほぼ同形状で、軸２７の径より一回り大きい径となっている。

ステータ部１７は、巻線１１を巻いた鉄心１０と、回路基板１３と、第１のケーシング１５とをモールド樹脂１６を用いて一体に成型される。ステータ部１７の外郭はモールド樹脂１６にて形成されている。

ロータ部２１は、略中心部に軸受１８を備える。軸受１８の外側に、樹脂製のホイール１９が配置される。さらに、ホイール１９の外側に、磁石部２０が設けられる。磁石部２０は、フェライト等の磁性粉末と樹脂を混練して成形し、着磁されている。

ステータ部１７と、ロータ部２１とで、例えば、ブラシレスＤＣモータを構成する。

ポンプ部２６は、吸水口２２、吐出口２３を有する第２のケーシング２４と、羽根車２５とを備える。水回路４は、吸水口２２と吐出口２３とに接続される。

軸２７は、ロータ部２１の軸受１８とワッシャー２８との穴部を貫通する。そして、軸２７は、両端を第１のケーシング１５及び第２のケーシング２４で挟み込んで固定される。羽根車２５を固定したロータ部２１は、軸２７の周囲に回転自在に配置される。尚、軸２７のポンプ部２６側端部も、ワッシャー２８を介して第２のケーシング２４の軸孔２４ａに嵌合する。

第１のケーシング１５と第２のケーシング２４とで囲まれる空間は水回路４の水（湯）で満たされる。そのため、ロータ部２１、羽根車２５、軸２７、ワッシャー２８はポンプ２を流れる水（湯）に触れる構造となっている。ポンプ２は、ポンプ２内部を流れる水がブラシレスＤＣモータのロータ部２１に接するキャンド方式である。

図３により、回路基板１３の構成を説明する。回路基板１３は、直流電源入力部３３、インバータ出力部３５を備え、コンデンサ３４、パワー回路３２、制御回路４６から構成される。これらの要素を搭載した回路基板１３は、ブラシレスＤＣモータを駆動する駆動回路を構成する。

パワー回路３２は、トランジスタ３０とダイオード３１とを並列接続し、更にこれらを直列接続したアームを複数備える。直流電源入力部３３にコンデンサ３４及びパワー回路３２が接続されている。インバータ出力部３５は、パワー回路３２から出力され、巻線１１に接続されている。ブラシレスＤＣモータは３相のため３本の巻線１１からなる。ここでトランジスタ３０は、ＩＧＢＴ、ＭＯＳ−ＦＥＴ等である。

制御回路４６は、位置検出回路３８、温度検出回路４０、波形生成回路４２、プリドライバ回路４４を備える。制御電源３６は、制御回路４６の各回路に電力を供給する。速度指令信号３７は、ロータ部２１の回転速度を指令するもので、波形生成回路４２に入力される。

位置検出回路３８により、磁石部２０における磁極位置を検出し、検出した位置情報を位置検出信号３９として波形生成回路４２へ出力する。位置検出回路３８は、ホールＩＣとその出力信号を増幅する回路、あるいはホールＩＣ及び増幅回路を同一パッケージに実装したホールＩＣなどである。

温度検出回路４０は、トランジスタ３０及びダイオード３１の温度を検出する。温度検出回路４０から波形生成回路４２に温度検出信号４１が出力される。

波形生成回路４２は、速度指令信号３７、位置検出回路３８からの位置検出信号３９、温度検出回路４０からの温度検出信号４１に基づいて、インバータ波形を生成する。波形生成回路４２は、インバータ駆動するためのＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号４３を出力する。

波形生成回路４２は、ＰＷＭ信号４３をプリドライバ回路４４に出力する。プリドライバ回路４４は、パワー回路３２のトランジスタ３０を駆動する駆動信号４５を出力する。

図４に示すように、パッケージ６０は、タブ４８、パッケージ樹脂４９、リード５０を備える。リード５０は、直流電源入力部３３及びコンデンサ３４、制御回路４６、インバータ出力部３５に接続されている。

図５において、温度検出回路４０内の温度検出素子５１は、パワー回路３２近傍の回路基板１３上に実装される。温度検出素子５１とパワー回路３２とは、第１の封止樹脂５２、第１の封止樹脂５２の外側に形成されるモールド樹脂１６にて封止されている。

温度検出素子５１は、サーミスタや温度係数を持つ半導体などでもよい。温度検出素子５１とパワー回路３２との間の熱抵抗を低くしてパワー回路３２の温度検出精度を高めるため、第１の封止樹脂５２の熱伝導率を、モールド樹脂１６の熱伝導率よりも高くしている。また、第１のケーシング１５は、水８に接している。

次に動作について説明する。
図１に示すように、タンク１内の水８は、ポンプ２にて水回路４内を流れ、冷媒回路５内を流れる圧縮機搭載熱源機からの高温高圧の冷媒９と熱交換器３において熱交換が行われる。水量制御部７は、水温検出手段６からの水温情報と水温設定指令信号とを比較し、設定された水温となるようポンプ２に速度指令信号３７を出力し水８の流量を制御する。

回路基板１３は、商用電源の交流１００Ｖ又は２００Ｖを整流して得られる１４０Ｖ又は２８０Ｖの直流が直流電源入力部３３に入力される。また、低圧、例えば１５Ｖの直流が制御電源３６に入力される。

波形生成回路４２は、位置検出信号３９に応じて３相の各巻線への通電タイミングを設定するとともに速度指令信号３７の入力に応じたＰＷＭ信号４３を出力し、そのＰＷＭ信号４３によりプリドライバ回路４４はパワー回路３２内のトランジスタ３０を駆動する。

インバータ出力部３５は巻線１１に電圧を印加することにより、巻線１１に電流が流れ、トルクが発生してロータ部２１と一体化した羽根車２５が回転する。このとき水回路４の水８は、吸水口２２より流入、羽根車２５を通り吐出口２３から流出し、回転数に応じた流量制御が行われる。

ポンプ２による水８の流量制御が行われると、パワー回路３２に電流が流れ、トランジスタ３０の導通損及びスイッチング損、ダイオード３１の導通損などにより、パワー回路３２は発熱する。このとき温度検出素子５１は、パワー回路３２のパッケージ樹脂４９と第１の封止樹脂５２を介してトランジスタ３０及びダイオード３１の温度を検出する。

モールド樹脂１６に比べて第１の封止樹脂５２は高い熱伝導率の樹脂材料を用いているため、第１の封止樹脂５２がなくモールド樹脂１６のみ場合に比べて、パワー回路３２と温度検出素子５１間の熱抵抗を低くすることができるので、より精度の高い温度検出が可能となる。

ポンプ２の急な過負荷運転によるパワー回路３２の温度上昇においても、パワー回路３２の温度を精度よく検出できるので、温度検出信号４１を基に波形生成回路４２にてインバータ出力を低下するようＰＷＭ信号４３を出力し、パワー回路３２の熱破壊を起こすことなく、水８の流量を低下させて動作させることができる。

以上のように、モールド樹脂１６より熱伝導率の高い第１の封止樹脂５２を用いてパワー回路３２と温度検出素子５１とを封止し両者間の熱抵抗を低くしているので、パワー回路３２の温度をより高い精度で検出することが可能となり、温度保護レベルを予め高く設定してポンプ２の出力を拡大したり、ポンプ２の過負荷運転などによるパワー回路の温度上昇に伴う熱破壊を防止することができ、信頼性の高い給湯装置１００を提供できる。

実施の形態２．
以上の実施の形態１では、モールド樹脂１６より熱伝導率の高い第１の封止樹脂５２を用いてパワー回路３２と温度検出素子５１とを封止するようにしたものであるが、次に水８の温度上昇や、ポンプ２の負荷の急な増加による温度検出回路４０とパワー回路３２との温度差が大きく生じる場合でも、パワー回路３２の熱破壊や、ポンプ２の出力低下を防止する実施の形態を述べる。

図６は実施の形態２を示す図で、温度検出回路４０及びその近傍の構造図である。

図において、温度検出素子５１は、パワー回路３２近傍の回路基板１３上に実装され、温度検出素子５１とパワー回路３２とは第１の封止樹脂５２、第１の封止樹脂５２の外側の第２の封止樹脂５３、第２の封止樹脂５３の外側のモールド樹脂１６にて封止されている。これらの樹脂の熱伝導率は、高い順に、第１の封止樹脂５２、モールド樹脂１６、第２の封止樹脂５３である。このとき第１のケーシング１５は水８に接している。

モールド樹脂１６に比べて第１の封止樹脂５２は高い熱伝導率の樹脂材料を用いているため、第１の封止樹脂５２がなくモールド樹脂１６のみ場合に比べて、パワー回路３２と温度検出素子５１との間の熱抵抗を低くすることができる。また、モールド樹脂１６に比べて第２の封止樹脂５３は低い熱伝導率の樹脂材料を用いているため、第２の封止樹脂５３がなくモールド樹脂１６のみ場合に比べて、パワー回路３２及び温度検出素子５１と第１のケーシング１５との間の熱抵抗を高くすることができる。

そのため、温度検出素子５１は、水８や巻線１１などの温度の影響を受けにくくなり、より精度の高いパワー回路３２の温度検出が可能となる。ポンプ２の急な負荷増加によるパワー回路３２の温度上昇や、水８の急な温度上昇の場合においては、インバータ出力を低下させるように波形生成回路４２からＰＷＭ信号４３を出力するので、パワー回路３２の熱破壊を起こすことなく、ポンプ２及び給湯装置１００を停止させることなく運転を継続できる。

以上のように、モールド樹脂１６より熱伝導率の高い第１の封止樹脂５２を用いてパワー回路３２と温度検出素子５１とを封止し、更にその外周をモールド樹脂１６より熱伝導率の低い第２の封止樹脂５３で封止して水８や巻線１１などの温度の影響を小さくすることにより、パワー回路３２の温度を高精度に検出できるので、ポンプ２の急な負荷増加によるパワー回路３２の温度上昇や、水８の急な温度上昇においても、ポンプ２の出力を低下して運転継続が可能となり、パワー回路３２の熱破壊を防止できる。

実施の形態３．
以上の実施の形態１、２では、トランジスタ３０とダイオード３１を同一パッケージ内に実装したパワー回路３２と、プリドライバ回路４４を回路基板１３上に実装するものであるが、本実施の形態では、プリドライバ回路４４をパワー回路３２と同一パッケージ内に実装する。

パワー回路３２は、例えば１６ｋＨｚなど、高い周波数、且つ高電圧で動作しこれに起因する発生ノイズも大きいため、コンデンサなどの電子部品を追加したり、回路配線の引き回しを変更するなどのノイズ対策を行う必要がある。回路配線は短いほうがノイズの影響を受けにくく、高い周波数の信号を扱う回路については特に有効となる。

プリドライバ回路４４をパワー回路３２内に実装することによりトランジスタ３０との距離を短くすることができるので、プリドライバ回路４４より出力される駆動信号４５は、パワー回路３２または制御回路４６の動作にて発生するノイズ、あるいは商用電源に重畳し給湯装置１００内に侵入するノイズの影響を受けにくくなり、ノイズ重畳によるトランジスタ３０の誤動作、過電流遮断等の保護機能動作を防止することができる。

以上のように、プリドライバ回路４４をパワー回路３２内に実装することにより、駆動信号４５へのノイズ重畳を防止し、トランジスタ３０の誤動作や、これに起因する過電流遮断等の保護機能動作を防止することができるので、ポンプ２及び給湯装置１００の停止が防止でき、ポンプ２及び給湯装置１００の信頼性が向上する。
また、プリドライバ回路４４をパワー回路３２内に実装することにより、回路基板１３の縮小が可能となり、ポンプ２の小型化が図れる。

実施の形態４．
以上の実施の形態３では、プリドライバ回路４４をパワー回路３２と同一パッケージ内に実装するものであるが、本実施の形態では、波形生成回路４２、プリドライバ回路４４、パワー回路を同一パッケージ内に配置する。

回路配線は短いほうがノイズの影響を受けにくく、高い周波数の信号を扱う回路については特に有効となることは実施の形態３で述べた。ここで、波形生成回路４２は専用ＩＣやマイコンなどから構成され、出力されるＰＷＭ信号４３は低い電圧、例えば５Ｖなどである。また、プリドライバ回路４４より出力される駆動信号４５は高い電圧、例えば１５Ｖなどであり、電圧が低いほうがノイズ耐力は低いので、低い電圧の回路配線を短くすることは非常に有効である。

そこで、波形生成回路４２、プリドライバ回路４４をパワー回路３２内に実装して、波形生成回路４２とプリドライバ回路４４との間の距離を短くすることにより、波形生成回路４２より出力されるＰＷＭ信号は、パワー回路３２または制御回路４６の動作にて発生するノイズ、あるいは商用電源に重畳し給湯装置１００内に侵入するノイズの影響を受けにくくなり、ノイズ耐力が向上する。

以上のように、波形生成回路４２、プリドライバ回路４４をパワー回路３２内に実装することにより、波形生成回路４２より出力されるＰＷＭ信号４３及びプリドライバ回路４４より出力される駆動信号４５へのノイズ重畳を防止し、プリドライバ回路４４及びトランジスタ３０の誤動作や、これに起因する過電流遮断等の保護機能動作を防止することができるので、ポンプ２及び給湯装置１００の停止が防止でき、ポンプ２及び給湯装置１００の信頼性が向上する。

また、波形生成回路４２、プリドライバ回路４４をパワー回路３２内に実装することにより、回路基板１３の縮小が可能となり、ポンプ２の小型化が図れる。

実施の形態５．
以上の実施の形態４では、波形生成回路４２、プリドライバ回路４４、パワー回路３２を同一パッケージ内に配置するものであるが、本実施の形態では、さらに温度検出素子５１あるいは温度検出素子５１を含む温度検出回路４０全体を、同一パッケージ内に配置する。

波形生成回路４２、プリドライバ回路４４、温度検出素子５１あるいは温度検出素子５１を含む温度検出回路４０全体をパワー回路３２内に実装することにより、波形生成回路４２、プリドライバ回路４４、トランジスタ３０のそれぞれの間の距離、温度検出素子５１あるいは温度検出回路４０とトランジスタ３０との距離を短くすることができる。従って、波形生成回路４２より出力されるＰＷＭ信号４３及びプリドライバ回路４４より出力される駆動信号４５はノイズの影響を受けにくくなり、ノイズ耐力が向上する。

また、温度検出素子５１あるいは温度検出素子５１を含む温度検出回路４０全体と、パワー回路３２とを同一パッケージ内に配置し、この間の熱抵抗を低くすることができるので、温度検出精度が向上する。

ポンプ２の急な過負荷運転によるパワー回路３２の急な温度上昇においても、熱抵抗が低い分パワー回路３２の温度を精度よく検出できるので、温度検出信号４１を基に波形生成回路４２にてインバータ出力を低下するようＰＷＭ信号４３を出力し、水８の流量を低下させて動作させることができる。

以上のように、波形生成回路４２、プリドライバ回路４４、温度検出素子５１あるいは温度検出素子５１を含む温度検出回路４０全体をパワー回路３２内に実装することにより、波形生成回路４２より出力されるＰＷＭ信号４３及びプリドライバ回路４４より出力される駆動信号４５へのノイズ重畳を防止し、トランジスタ３０の誤動作や、これに起因する過電流遮断等の保護機能動作を防止することができるので、ポンプ２及び給湯装置１００の信頼性が向上する。

また、パワー回路３２の温度検出精度が向上するので、急激な温度上昇によるパワー回路３２の熱破壊を防止することができる。ポンプ２の過負荷運転や、高温の水８を流量制御運転の場合においても流量低下を最小限に抑制することができる。

また、波形生成回路４２、プリドライバ回路４４、温度検出素子５１を含む温度検出回路４０全体をパワー回路３２内に実装することにより、更に回路基板１３の縮小が可能となり、ポンプ２の小型化が図れる。

実施の形態６．
上記実施の形態４では、波形生成回路４２、プリドライバ回路４４、パワー回路を同一パッケージ内に配置するものであるが、本実施の形態では、波形生成回路４２、プリドライバ回路４４、パワー回路３２内のトランジスタ３０及びダイオード３１をワンチップ構成にする。

波形生成回路４２、プリドライバ回路４４、パワー回路３２内のトランジスタ３０及びダイオード３１をワンチップ構成にしたので、それぞれの回路間及びトランジスタ３０との距離を更に短くすることができる。そのため、波形生成回路４２より出力されるＰＷＭ信号４３及びプリドライバ回路４４より出力される駆動信号４５は、実施の形態５に比べて更にノイズ体力が向上し、ノイズ重畳によるトランジスタ３０の誤動作や、これに起因する過電流遮断等の保護機能動作を防止することができる。

また、温度検出素子５１あるいは温度検出回路４０とトランジスタ３０との間の熱抵抗を非常に小さくすることができるので、より高い精度でパワー回路３２の温度を検出することが可能となり、急激な温度上昇による熱破壊を防止することができる。ポンプ２の過負荷運転や、高温の水８を流量制御運転の場合においても流量低下を最小限に抑制することができる。温度検出素子５１あるいは温度検出回路４０も含めてワンチップ構成にしてもよい。

また、波形生成回路４２、プリドライバ回路４４、パワー回路３２内のトランジスタ３０及びダイオード３１をワンチップ構成にしたので、それぞれの回路間の配線を短縮、パッケージ６０の小型化ができ、また回路基板１３のさらなる縮小が可能となる。

以上のように、温度検出素子５１あるいは温度検出回路４０をパワー回路３２内に実装し、パワー回路３２内のトランジスタ３０及びダイオード３１をワンチップ構成にしたことにより、波形生成回路４２より出力されるＰＷＭ信号４３及びプリドライバ回路４４より出力される駆動信号４５へのノイズ重畳を防止し、トランジスタ３０の誤動作、過電流遮断等の保護機能動作を防止することができる。ポンプ２及び給湯装置１００の停止が防止でき、ポンプ２及び給湯装置１００の信頼性が向上する。

更に、より高い精度でパワー回路３２の温度を検出することが可能となり、急激な温度上昇による熱破壊を防止することができる。ポンプ２の過負荷運転や、高温の水８を流量制御運転の場合においても流量低下を最小限に抑制することができる。

また、それぞれの回路間の配線が短縮できパッケージングが小さくできるので、回路基板１３のさらなる縮小が可能となり、ポンプ２の小型化が図れる。温度検出素子５１あるいは温度検出回路４０も含めてワンチップ構成にしても全ての効果が同様に得られる。

本発明の活用例として、給湯装置１００内の水を加熱する時に使用するポンプ２の例を示したが、給湯装置１００の水を利用して風呂水を加熱（追い炊き）する時に使用するポンプや、家庭用ポンプなどに利用可能である。その場合は、熱交換器３では水同士が熱交換を行う。

実施の形態１を示す図で、給湯装置１００の構成図。 実施の形態１を示す図で、ポンプ２の断面図。 実施の形態１を示す図で、回路基板１３の構成図。 実施の形態１を示す図で、パワー回路３２を内蔵するパッケージ６０の外観斜視図。 実施の形態１を示す図で、温度検出回路４０及びその近傍の構造図。 実施の形態２を示す図で、温度検出回路４０及びその近傍の構造図。

符号の説明

１ タンク、２ ポンプ、３ 熱交換器、４ 水回路、５ 冷媒回路、６ 水温検出手段、７ 水量制御部、８ 水、９ 冷媒、１３ 回路基板、１４ リード線、１５ 第１のケーシング、１５ａ 軸孔、１６ モールド樹脂、１７ ステータ部、１８ 軸受、１９ ホイール、２０ 磁石部、２１ ロータ部、２２ 吸水口、２３ 吐出口、２４ 第２のケーシング、２４ａ 軸孔、２５ 羽根車、２６ ポンプ部、２７ 軸、２８ ワッシャー、３０ トランジスタ、３１ ダイオード、３２ パワー回路、３３ 直流電源入力部、３４ コンデンサ、３５ インバータ出力部、３６ 制御電源、３７ 速度指令信号、３８ 位置検出回路、４０ 温度検出回路、４１ 温度検出信号、４２ 波形生成回路、４３ ＰＷＭ信号、４４ プリドライバ回路、４５ 駆動信号、４６ 制御回路、４８ タブ、４９ パッケージ樹脂、５０ リード、５１ 温度検出素子、５２ 第１の封止樹脂、５３ 第２の封止樹脂、６０ パッケージ、１００ 給湯装置。

Claims (6)

1. 冷媒と水、または水同士とが熱交換を行う熱交換器と、水を貯留するタンクと、水を循環させるポンプとを備え、
   前記ポンプは、
   水の吸水口及び吐出口を有する第２のケーシングと、羽根車とを備えるポンプ部と、
   電磁鋼板を積層して形成される鉄心と、この鉄心のスロットにインシュレータを介して挿入される巻線と、駆動回路が実装された回路基板と、略釜形状の第１のケーシングとを備え、モールド樹脂にて成型されたステータ部と、
   略中心部に軸受を備え、磁石部が設けられるロータ部とを具備し、
   前記駆動回路は、前記ステータ部とロータ部とで構成されるブラシレスＤＣモータを駆動する回路であり、且つパワー回路と、このパワー回路の温度を検出する温度検出回路とを備え、
   前記温度検出回路は温度検出素子を備え、前記温度検出素子と前記パワー回路とを前記モールド樹脂より熱伝導率の高い第１の封止樹脂で覆うことを特徴とする給湯装置。
2. 前記第１の封止樹脂の外側に、前記モールド樹脂より熱伝導率の低い第２の封止樹脂樹脂を設けたことを特徴とする請求項１記載の給湯装置。
3. 前記駆動回路は、前記パワー回路に駆動信号を出力するプリドライバ回路を備え、前記パワー回路と前記プリドライバ回路とを同一パッケージ内に配置したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の給湯装置。
4. 前記駆動回路は、更にインバータ波形を生成する波形生成回路を備え、前記パワー回路と前記プリドライバ回路とともに前記波形生成回路を同一パッケージ内に配置したことを特徴とする請求項３記載の給湯装置。
5. 前記温度検出回路を、前記パワー回路と前記プリドライバ回路と前記波形生成回路とともに同一パッケージ内に配置したことを特徴とする請求項４記載の給湯装置。
6. 前記駆動回路は、前記パワー回路に駆動信号を出力するプリドライバ回路と、インバータ波形を生成する波形生成回路とを備え、前記パワー回路と、前記プリドライバ回路と、前記波形生成回路とを１チップにて構成することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の給湯装置。

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