JP4522574B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置とその作製方法に関し、特に、半導体チップの端子側に、外部端子を再配置したCSPタイプの半導体装置とその作製方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置は、電子機器の高性能化と軽薄短小化の傾向(時流)からLSIのASICに代表されるように、ますます高集積化、高機能化、小型化が進んでいる。
従来は、ウエハ工程を経たウエハに対し、裏面研磨を施してから、ダイシングを行い、各ペレット(チップないし半導体素子とも言う)に切断分離した後、ペレット毎に、ダイボンディング、ワイヤボンディング、樹脂封止等を行い、半導体装置を組み上げており、ワイヤボンディング法による半導体素子とリードフレームの電気接続が行なわれていた。
近年、高速信号処理の点でワイヤボンディングに優れる、チップのバンプを用いたフリップチップ接続が採られるようになってきた。
フリップチップ接続には、パッケージングされていないチップをそのままプリント基板に搭載するベアチップ実装という方法もあるが、取り扱いが難しく、信頼性保証の観点からは、パッケージングされたバンプ付き半導体装置が望ましい。
【0003】
最近では、パッケージングされたバンプ付き半導体装置を形成する方法として、ウエハレベルで、配線、外部端子部(メタルポストからなる)形成、樹脂封止、バンプ形成を行った後、各半導体措置に切断分離して、CSP(Chip Scale Package)を形成する製造方式が提案されている。(ChipScale International 99/SEMI 1999)
尚、このようにして作製されたCSPをウエハレベルCSPとも言う。
そして、このような半導体装置の作製を、ここでは、ウエハレベルでの半導体装置の作製と言う。
図5にその一部断面を示す。
図5中、610は半導体チップ(単にチップとも言う)、615は電極(端子とも言う)、620はSiNパッシベーション層、625はポリイミド層、630は配線、631はシードメタル層、632は電解銅めっき層、640は樹脂封止層(エポキシ樹脂層)、650はメタルポスト(電解銅めっき層で、外部端子部とも言う)、660はバリアメタル、670は半田ボールである。 この方式によるCSPでは、チップの端子が、チップ面上に形成した再配線層と接続して、再配置されたメタルポスト650に接続され、メタルポスト650がバリアメタル層660を介して、半田ボール670に接続され、更に、半田ボール670をバンプとして、プリント基板に半田接続されるため、従来の、フリップチップ接続によるチップのプリント基板への搭載に近い形態である。
尚、メタルポストを埋めるように樹脂封止層が形成されている。
【0004】
この方式においては、 構造上、メタルポストは半田ボール径の2/3程度の径(100〜200μm)が必要であり、また、その高さは約100μmであるため、太く剛性が大きい。
したがって、個片化後(個別の半導体装置の状態で)、基板に実装された状態で温度変化を繰り返し受けると、Siチップと実装基板間の熱膨張係数差(Δα)に起因する熱歪みが発生し、メタルポスト下部のSiチップクラックを生じるという問題がある。
また、チップの回路面側のみ樹脂封止する構造であるため、反りが発生し、半田ボールの平坦度が悪く、実装歩留まりが悪いという問題もある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このように、上記ウエハレベルCSPにおいては、基板に実装された状態で温度変化を繰り返し受けると、メタルポスト下部のSiチップクラックを生じるという問題や、チップの回路面側のみ樹脂封止する構造であるため、反りが発生し、半田ボールの平坦度が悪く、実装歩留まりが悪いという問題があり、その対応が求められていた。
本発明は、これに対応するためのもので、基板に実装された状態での温度変化によるSiチップクラックを生じにくい構造の、更には、反りが発生しにくく、実装歩留まりの良い構造の、半導体チップの端子側に、外部端子を再配置した半導体装置と、その作製方法を提供しようとするものである。
更に、本発明のCSPタイプの半導体装置を2つ以上、それぞれのバンプを1方向にそろえた状態で、バンプを介して積み重ね、隣接する半導体装置同志をバンプで接合している、スタック型の半導体モジュールを提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の作製方法は、半導体チップの端子側に配設された絶縁層上に配線を形成した半導体装置で、前記配線と前記端子とは、前記絶縁層の前記端子の領域を貫通する第1のビア部を介して、電気的に接続されており、且つ、前記配線は、前記半導体チップを貫通する第2のビア部に接続し、前記半導体チップの前記端子側とは反対側の前記第2のビア部領域にバンプを外部端子として形成しているCSPタイプの半導体装置を作製する、半導体装置の作製方法であって、ウエハプロセスを完了後、ウエハレベルで、順に、(a)ウエハ基板の端子側の第2のビア部の形成領域に、ウエハ基板を貫通させない穴を形成する穴部形成工程と、(b)ウエハ基板の端子部を第1のビア部の形成領域として開口し、且つ、第2のビア部の形成領域である穴部の表面部を含めて、ウエハ基板の端子側に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、(c)絶縁層上に、給電層を形成する給電層形成工程と、(d)給電層上に、配線、第1のビア部、第2のビア部の形成領域に合せた開口を有する耐めっき性のレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、(e)レジスト層の開口部から露出した給電層上に、電解めっきを施して、配線、第1のビア部、第2のビア部を形成する、電解めっき工程と、(f)レジスト層を剥離後、露出した給電層を、配線、第1のビア部、第2のビア部の機能を損なわないようにエッチング除去するソフトエッチング工程と、(g)ウエハ基板の端子側とは反対側を研磨して、穴部を貫通させ、第2のビア部を形成する、研磨工程と、(h)ウエハ基板の端子側とは反対側の、第2のビア部にバンプを形成するバンプ形成工程とを、行なうことを特徴とするものである。
そして、上記半導体装置の作製方法であって、バンプ形成工程後、個別の半導体装置に切り出す切断工程を行うことを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかの半導体装置の作製方法であって、絶縁層形成工程が、感光性ポリイミドを用いて、フォトリソ法にて行なうものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの半導体装置の作製方法であって、バンプ形成工程は、ウエハ基板の端子側とは反対側に、バンプ形成領域を開口して、ウエハ基板を覆う保護層を形成した後に、バンプの形成を行なうものであることを特徴とするものであり、保護層の形成を感光性ポリイミドを用いて、フォトリソ法にて行なうことを特徴とするものである。
尚、ここで言う半導体チップとは、ウエハプロセスを完了した半導体ウエハ基板に面付け配置された、単位の回路領域、及びこれを切断して前記単位の回路領域毎に分離したものも含む。
【0007】
本発明に関わるCSPタイプの半導体装置は、半導体チップの端子側に配設された絶縁層上に配線を形成した半導体装置で、前記配線と前記端子とは、前記絶縁層の前記端子領域を貫通する第1のビア部を介して、電気的に接続されており、且つ、前記配線は、前記半導体チップを貫通する第2のビア部に接続し、前記半導体チップの前記端子側とは反対側の第2のビア部にバンプを外部端子として形成していることを特徴とするものである。 そして、上記の半導体装置であって、絶縁層がポリイミドであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかの半導体装置であって、絶縁層の厚さが25μm以上であることを特徴とするものである。
尚、場合によっては、絶縁層上に形成された配線を覆うように、ソルダーレジスト層、ポリイミド層等からなる保護層を設けても良いことは言うまでもない。
【0008】
本発明に関わる半導体モジュールは、上記本発明に関わる半導体装置を、2つ以上、それぞれのバンプを1方向にそろえた状態で、積み重ね、隣接する半導体装置同志をバンプと配線とで接合していることを特徴とするものである。
そして、上記の半導体モジュールであって、積み重ねられた半導体装置が、それぞれ、メモリ機能部、ロジック機能部、L、C、Rの受動素子部として、形成されていることを特徴とするものである。
尚、ここでは、半導体チップ用基板を用いて、L、C、R等の受動素子部を形成したチップも半導体チップとして扱う。
【0009】
【作用】
本発明は、上記のような構成にすることにより、基板に実装された状態での温度変化によるSiチップクラックを生じにくい構造の、更には、反りが発生しにくく、実装歩留まりの良い構造の、半導体チップの端子側に、外部端子を再配置したCSPタイプの半導体装置とその製造方法の提供を可能とするものである。
【0010】
絶縁層形成工程に、感光性ポリイミド層を用いれば、絶縁層の厚さを厚く(25μm以上)とすることも容易にでき、ポリイミド自体が強固で、熱応力に強い構造の半導体装置の作製を可能にしている。
【0011】
尚、感光性ポリイミドを用いて、フォトリソ法にて保護層を形成するとは、ウエハ基板の配線とは反対側の面を覆うように、全面に感光性ポリイミドを塗膜し、これを選択的に露光し、現像処理等を施し、バンプ形成領域を開口させる方法である。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明を実施の形態を挙げて説明する。
図1は本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態の1例の工程の一部を示した工程断面図で、図2は図1に続く工程を示した工程断面図である。
図3は本発明に関わるCSPタイプの半導体装置の実施の形態の1例の断面図で、図2(l)に示す構造の、ウエハ状態でない個別の半導体装置である。
また、図4は本発明に関わる半導体モジュールの実施の形態の1例の断面図である。
尚、図1はウエハ基板の一部断面についての工程図である。
図1〜図4中、105は半導体チップ、110はウエハ基板、115は端子(電極とも言う)、117は穴、120は絶縁層、130は給電層、140はレジスト層、150は配線、160は第1のビア部(単にビア部とも言う)、165は第2のビア部(単にビア部とも言う)、170は保護層、180はバンプ(外部端子とも言う)、191、192、193は半導体装置である。
【0013】
はじめに、本発明のCSPタイプの半導体装置の実施の形態の1例を挙げる。
以下、図3に基づいて、本例を説明する。
本例は、後述する、ウエハ状態で図1、図2に示す工程で形成された図2(l)に示す構造のものを、チップ毎に切断分離して得られた、ウエハ状態でない個別のCSPタイプの半導体装置で、半導体チップ105の端子115形成側に配設された絶縁層120上に配線150を形成した半導体装置である。
そして、絶縁層120上に形成された配線150と半導体チップ105の端子115とは、半導体チップ105の端子115上に設けられた絶縁層120を貫通する第1のビア部160を介して、電気的に接続されており、且つ、絶縁層120上に形成された配線150は、半導体チップを貫通する第2のビア部165に接続し、半導体チップ105の配線150とは反対側の面の、第2のビア部165領域にバンプ180を外部端子として、二次元的に配列(これをエリアアレイとも言う)して形成されている。
【0014】
各半導体チップ105は、通常の半導体プロセスで形成されるもので、端子115はAl電極が一般的で、パッシベーション層としては、SiN膜またはSiN膜+ポリイミド層が通常用いられる。
配線150は、電解めっき層からなる。
電解めっき層としては、導電性の面、コスト面から一般には銅層を主体としたものが用いられるがこれに限定はされない。
電解めっき層として、銅層を主体とし、その表面部にバリアメタル層を設けても良い。
例えば、電解銅めっき上に順次電解ニッケルめっき1〜2μm厚、Auめっき0. 1μm層を設けて、バリアメタル層としたものが挙げられる。
第1のビア部160、165は、無電解めっき層上に電解めっきを施し形成されるもので、電解めっき層と無電解めっき層とからなる。
無電解めっき層としては、ニッケルめっき層、銅めっき層が一般的で、電解めっき層としては、銅めっき層が一般的であるが、これに限定はされない。
絶縁層120としては、絶縁性、処理特性、機械的強度、耐性等に優れたものが好ましく、特に、ポリイミドが挙げられ、その厚さは、基板に搭載する際の熱応力緩和の面からは、厚い方が好ましい。
絶縁層120の厚さは25μm以上が、基板に搭載する際の熱応力緩和の面から、好ましい。
バンプ180としては、半田バンプや、Au層、Au−Sn層等が用いられる。
【0015】
本例の変形例としては、 配線150を覆うように、樹脂封止したもの、あるいは単に保護層を設けたものが挙げられる。
【0016】
次いで、本発明の半導体装置の製造方法の実施形態の1例を、図1、図2基づいて説明する。
本例は、半導体ウエハ状態で図2(l)に示す構造の、CSPタイプの半導体装置を多数面付けして作製する製造方法の1例である。
端子(電極)115領域を開口した状態でパッシベーション層を配設したウエハプロセスを完了後のウエハ基板を用意し、ウエハ状態のまま、以下の処理を施す。
先ず、ウエハ基板110の端子側に、穴117を形成する領域に開口を有する耐エッチング性のレジスト(図示していない)を設け、ドライエッチングあるいはウェットエッチングにより、第2のビア部を形成するための穴117を形成する。(図1(b))
次いで、ウエハ基板110の端子115を開口して、形成された穴部の表面部を含め、ウエハ基板110の端子面側を覆う絶縁層120を形成する。
本例では、形成された穴117の表面部を含め、ウエハ基板110の端子面側全面を、覆うように感光性ポリイミド層を形成し(図1(c))、更に、フォトリソ法により、感光性ポリイミド層のウエハ基板110の端子部領域を開口して、残部を絶縁層120とする(図1(d))が、絶縁層形成方法は、これに限定されない。
ここでは、ポリイミドが絶縁性、処理特性、機械的強度、耐性等の面から絶縁層120として好ましく、用いているが、絶縁性、処理特性、機械的強度、耐性等に優れたものであれば、絶縁層120として用いることができる。
【0017】
次いで、絶縁層120上に、後に行なう電解めっきの給電層130を形成する。(図1(e))
給電層130は、配線、ビア部を形成するための電解めっきを行なうためのもので、後にソフトエッチングにて配線、ビア部以外の給電層を除去するため、できるだけ薄くする。
給電層130の形成はスパッタリングあるいは無電解めっきにて行なう。
無電解めっきは、必要に応じ、絶縁層120の面の粗化を行い、Pdイオン等を含む溶液に浸漬する等の方法により、表面を活性化して行う。
無電解めっきとしては、無電解ニッケルめっき、無電解銅めっきが挙げられる。
スパッタリングの場合、導電性の面、コスト面等から、スパッタ銅層が一般的であるが、スパッタニッケル、スパッタニッケル−クロムも適用できる。
【0018】
次いで、フォトリソ法により、配線、第1のビア部、第2のビア部の形成領域に合せた開口を有する耐めっき性のレジスト層140を形成した(図1(f))後、電解めっきを行い、レジスト層140の開口から露出した給電層130の上に電解めっき層を配設して、配線150、第1のビア部160、第2のビア部165を形成する。(図1(g))
通常、感光性のフォトレジストを用い、フォトリソ法により形成するが、これに限定はされない。
感光性のフォトレジストとしては、所望の解像性を有するもので、耐めっき性があり、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
処理性の面からは、ドライフィルムレジストが好ましい。
電解めっき層としては、導電性、コスト面から銅単層、あるいは銅層を主体とし、ニッケル層またはニッケル層、Au(金)層等を積層したものも用いられる。
電解銅めっき、電解ニッケルめっき、電解Auめっきは、公知のめっき法により形成できる。
【0019】
次いで、レジスト層140を剥離(図2(h))後、露出した給電層130を、配線150、第1のビア部160、第2のビア部165の機能を損なわないようにエッチングする。(図2(i))
【0020】
次いで、ウエハ基板110の端子と反対側を、研磨機にて研磨して、全体を薄くして、第2のビア部形成領域の穴117を貫通させ、第2のビア部165を形成する。(図2(j))
次いで、バンプ形成領域を開口して、ウエハ基板110の配線150とは反対側の面に保護層170を形成した(図2(k))後に、バンプの形成を行なう。(図2(l))
保護層170の形成方法としては、感光性ポリイミドを用いて、フォトリソ法にて行なう方法が挙げられる。
半田バンプ形成の場合は、保護層170の開口部に、スクリーン印刷法で塗布後、またはボール搭載法等により配設した後、半田ボールからなる外部端子をリフロー形成する。
これにより、ビア部165に半田ボールが接続形成され、端子(電極)115は第1のビア部160、配線150、第2のビア部165を介して、半田ボールに接続される。
半田ボールは、通常、0. 2〜0. 5mmφ程度である。
Auバンプ形成の場合には、保護層170の開口部に無電解めっきを施して形成する。
このようにして、ウエハ状態で図2(l)に示す構造の、CSPタイプの半導体装置が多数面付けして作製される。
【0021】
この後、切断分離して、各半導体チップ毎に、外部端子が再配置された、図3に示す個別のCSPタイプの半導体装置を得ることができる。
【0022】
【実施例】
(実施例1)
実施例1は、図3に示す個別のウエハ状態でないCSPタイプの半導体装置を、図1、図2に示す工程を経た後、更に、半導体チップ毎に、切断分離して得たものである。
図1、図2に基づいて説明する。
端子(電極)115領域を開口した状態で、SiN膜+ポリイミド層からなるパッシベーション層を配設したウエハプロセスを完了後の、厚さ0.5mmのシリコン基板をベース基材とするウエハを用意し、ウエハ状態のまま、以下の処理を施した。
先ず、感光性レジストAR900(東京応化社製)を用い、フォトリソ法により、ウエハ基板110の端子面側に、穴117を形成する領域に開口を有する耐エッチング性のレジスト(図示していない)を設け、これをエッチングマスクとして、KOH液を用い、ウェットエッチングし、ウエハ基板110にビア部を形成するための穴117を形成した。(図1(b))
穴117のサイズは、径略0.3mmφ、深さ略0.3mmとした。
次いで、形成された穴117の表面部を含め、ウエハ基板110の端子面側全面を、覆うように、東レ社製、UR−5480からなる感光性ポリイミド層を塗布形成し(図1(c))、更に、所定の領域を露光、現像、乾燥キュアして、ウエハ基板110の端子部領域を開口して、絶縁層120を厚さ10μmに形成した。(図1(d))
【0023】
次いで、絶縁層120の表面部を、過マンガン酸カリウム溶液に浸漬して、粗化し、水洗後、以下の条件にて、無電解めっきを行い、無電解ニッケルめっき層からなる無電解めっき層130を、0. 5μmの厚さに形成した。(図1(e)) これにより、ビア部形成の際の給電層を穴部117にも形成した。
<無電解ニッケルめっき>
センシタイジング;S−10X(上村工業製) 3分
アクチベーティング;A−10X(上村工業製) 3分
無電解めっき;NPR−4(上村工業製) 1分
【0024】
次いで、無電解ニッケルめっき層からなる給電層130が形成された面側全体を覆うように、東京応化製のレジストPMER−AR900を、バーコータにより12μmの厚み(プリベーク後)に塗布形成し、露光現像を行い、配線部の形状に合せた開口を有するレジスト層140を形成した(図1(f))後、レジスト層140の開口から露出した給電層130上に、順に、以下のように、電解ニッケルめっき、電解銅めっき、電解無光沢ニッケルめっき、電解金めっきを順に行ない、それぞれ、1μm、8μm、 1μm、0. 1 μmの厚さに形成し、配線の主層となる電解銅めっき層とバリアメタル層を電解めっき形成し、配線150、第1のビア部160、第2のビア部165を形成した。(図1(g))
【0025】
次いで、レジスト層140をアセトンにて剥離した(図1(h))後、配線150、ビア部160、165の機能を損傷しないように露出した給電層130を、ニムデンリップC−11にてソフトエッチングして剥離除去した。(図1(i))
更に、触媒を除去するために、マコー株式会社製のウエットブラスト加工装置で、アルミナ砥材#1000(平均粒径11. 5μm)、砥材濃度20%、ポンプ圧0. 5kg/cm2 、処理速度10m/minの条件下でウエットブラスト処理を行った。
【0026】
研磨機を用い、ウエハ基板110の端子面でない側の面を研磨して、全体を0.25mm程度に薄くし、第2のビア部形成領域の穴117を貫通させ、第2のビア部165を形成した。(図2(j))
【0027】
次いで、洗浄処理を施した後、ウエハ基板110の配線150とは反対側の面に、東レ社製、UR−5480からなる感光性ポリイミド層を塗布形成し、更に、所定の領域を露光、現像、乾燥キュアして、ウエハ基板110の端子部領域を開口して、保護層170を厚さ10μmに形成した。(図2(k))
【0028】
次いで、配線部150の外部端子形成領域である、保護層170の開口部に半田ボールを搭載、リフローし、半田ボールからなるバンプ180を形成した。(図2(l))
このようにして、ウエハ状態で、CSPタイプの半導体装置を、多数面付けして作製した。
【0029】
この後、切断分離して、各半導体チップ毎に、外部端子が再配置された、図3に示す個別のCSPタイプの半導体装置を得た。
作製されたCSPタイプの半導体装置は、配線150の表面にAuめっき層が施されており、図4に示すような半導体モジュールを形成する際の接続や、必要なバリア性にも対応できる。
勿論、作製されたCSPタイプの半導体装置は、配線基板にフリップチップ接続され、図4のような半導体モジュールの形態はとらず、単体として使用することもできる。
【0030】
(実施例2)
実施例2は、実施例1における、半田バンプ形成に代え、Auバンプ形成を行なったものである。
第2のビア部165の保護膜170の開口が完了したウエハ(図2(k))に対し、触媒付与処理を施した後、 露出した第2のビア部165の面上に、
無電解Niめっき、無電解Auめっきを、それぞれ、3μm厚、0. 1μm厚に、順に施した。
この後、実施例2と同様、切断分離して、ウエハ状態でない個別のCSPタイプ半導体装置を得た。
尚、無電解Niめっきは実施例1と同様の薬液を用いて行なった。
また、無電解Auめっきは以下のようにして行なった。
<無電解Auめっき>
レクトロレスAu(EEJA社製) 80℃、5分
この場合、作製されたCSPタイプの半導体装置は、配線150の表面にAuめっき層が施されており、図4に示すような半導体モジュールを形成する際、共晶によるバンプ接続を可能とし、必要なバリア性にも対応できる。
【0031】
(実施例3)
実施例3は、実施例1において形成された、図2(l)のウエハ状態で、シリカフィラー入りのエポキシ樹脂で、ウエハの端子(電極)形成側を樹脂封止した後、切断分離して個別のCSPタイプの半導体装置としたものである。
この場合、作製されたCSPタイプの半導体装置は、配線基板にフリップチップ接続され、図4のような半導体モジュールの形態はとらず、単体として使用される。
あるいは、これを図4の半導体モジュールにて、半導体装置191に置き換え、半導体モジュールに使用することもできる。
【0032】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、基板に実装された状態での温度変化によるSiチップクラックを生じにくい構造の、更には、反りが発生しにくく、実装歩留まりの良い構造の、半導体チップの端子側に、バンプからなる外部端子を再配置したCSPタイプの半導体装置と、その製造方法の提供を可能とした。
更に、本発明のCSPタイプの半導体装置を2つ以上、それぞれのバンプを1方向にそろえた状態で、積み重ね、隣接する半導体装置同志をバンプと配線とで接合している、スタック型の半導体モジュールの形成を可能とした。
これにより、半導体装置を、それぞれ、メモリ機能部、ロジック機能部、L、C、R等の受動素子部等、各機能毎に分け、これらを積み重ねて、半導体モジュールを形成することもでき、利便性と汎用性を大きなものとしている。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態の1例の工程の一部を示した工程断面図である。
【図2】 図1に続く工程を示した工程断面図である。
【図3】 本発明に関わるCSPタイプの半導体装置の実施の形態の1例の断面図である。
【図4】 本発明に関わる半導体モジュールの実施の形態の1例の断面図である。
【図5】 従来のウエハレベルCSPの一部断面図である。
【符号の説明】
105 半導体チップ
110 ウエハ基板
115 端子(電極とも言う)
117 穴
120 絶縁層
130 給電層
140 レジスト層
150 配線
160 第1のビア部(単にビア部とも言う)
165 第2のビア部(単にビア部とも言う)
170 保護層
180 バンプ(外部端子とも言う)
191、192、193 半導体装置
Claims (5)
- 半導体チップの端子側に配設された絶縁層上に配線を形成した半導体装置で、前記配線と前記端子とは、前記絶縁層の前記端子の領域を貫通する第1のビア部を介して、電気的に接続されており、且つ、前記配線は、前記半導体チップを貫通する第2のビア部に接続し、前記半導体チップの前記端子側とは反対側の前記第2のビア部領域にバンプを外部端子として形成しているCSPタイプの半導体装置を作製する、半導体装置の作製方法であって、ウエハプロセスを完了後、ウエハレベルで、順に、(a)ウエハ基板の端子側の第2のビア部の形成領域に、ウエハ基板を貫通させない穴を形成する穴部形成工程と、(b)ウエハ基板の端子部を第1のビア部の形成領域として開口し、且つ、第2のビア部の形成領域である穴部の表面部を含めて、ウエハ基板の端子側に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、(c)絶縁層上に、給電層を形成する給電層形成工程と、(d)給電層上に、配線、第1のビア部、第2のビア部の形成領域に合せた開口を有する耐めっき性のレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、(e)レジスト層の開口部から露出した給電層上に、電解めっきを施して、配線、第1のビア部、第2のビア部を形成する、電解めっき工程と、(f)レジスト層を剥離後、露出した給電層を、配線、第1のビア部、第2のビア部の機能を損なわないようにエッチング除去するソフトエッチング工程と、(g)ウエハ基板の端子側とは反対側を研磨して、穴部を貫通させ、第2のビア部を形成する、研磨工程と、(h)ウエハ基板の端子側とは反対側の、第2のビア部にバンプを形成するバンプ形成工程とを、行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1に記載の半導体装置の作製方法であって、バンプ形成工程後、個別の半導体装置に切り出す切断工程を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1または2記載の半導体装置の作製方法であって、絶縁層形成工程が、感光性ポリイミドを用いて、フォトリソ法にて行なうものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項記載の半導体装置の作製方法であって、バンプ形成工程は、ウエハ基板の端子側とは反対側に、バンプ形成領域を開口して、ウエハ基板を覆う保護層を形成した後に、バンプの形成を行なうものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項4に記載の半導体装置の作製方法であって、保護層の形成を感光性ポリイミドを用いて、フォトリソ法にて行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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