JP4504010B2 - 体積力の作用を含む、積層及びグレーデッド型の構造体の大変形と応力の測定 - Google Patents
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Description
本願は、基板上に特徴部分(feature)を形成された装置の応力の測定と分析に関する。
本願は、体積力(body
force)、例えば前記構造体全体に均一に分布している重力、静電力もしくは電磁力、荷重もしくは支持力などの作用、並びに前記構造体の特定の位置に集中している力の作用を包含する、積層構造体又はグレーデッド型構造体の大きな変形を測定する技法を含んでいる。
均一なプレート又は多層構造体の応力と付随する湾曲とは関連がある。この関係式を利用して、前記応力及びその応力によって起こる湾曲の進展もしくは表面の変形を研究することができる。応力が起こす、構造体の、平面外の撓み(out-of-plane deflection)が構造体の全厚に比べて小さい場合、各種の近似法を使用して、前記曲率と応力の間の関係式を導き出すことができる。一例は下記ストーニィの式(Stoney's formula)である。
その平面内基準座標が図3にxとyで表されている当初平坦な積層又はグレーデッド型のプレートを考案する。そのプレートは、平面内寸法がLx×Lyで、z軸にそった均一な厚さがhである長方形であると仮定する。そのプレートは、図3に示すように、その中心から、a、b及びcの距離を置いてアイソタクチックに支持されている。これらの垂直の支持体は、垂直方向の変位だけを拘束するが、摩擦はないと仮定する。
均一なプレートの単純な支持体の反力(図3と4を参照)は静平衡(static equilibrium)から知ることができる。
第一に、Lx=Ly=Lである正方形パネルの場合を考案する。正方形プレートについて平衡式(10)を解いて下記式を得る。
正方形のプレート(一辺がLの)について2.3章で得た結果は、L2をπR2で置き換えることによって、半径がRの円形プレートまで広げることができる。定数A1、A2、A3、A4、及びA5は、円形プレートの場合も同じままである。
ここで、Lx≠Lyである長方形プレートのより一般的な場合を考察する。長方形プレートについて、2.2章の平衡式を使用して、式(19)、(25)及び(26)を下記のように修正する。
均質な弾性特性を有するプレート(E及びνが空間で不変である場合)については、さらに単純化することができる。この場合、式(12)、(13)及び(15)〜(17)は下記のようになる。
基板の薄い皮膜の場合の上記一般解から、いくつもの有用な分析結果を引き出すことができる。図4は、薄い皮膜を堆積された正方形と円形の基板の略図を示す。
薄い皮膜を有する正方形の基板の臨界曲率を、式(40)によって再び示す。hf≪hであるから、皮膜の厚さhfと皮膜の弾性特性は上記臨界曲率の結果に影響せず、その結果は均質パネルについて2.6章で得られた結果と同一であることに留意すべきである。この薄い皮膜の限度内では、有効臨界荷重の式(41)は下記のようになる。
上に薄い皮膜を堆積された半径がRで厚さがhの円形基板(hf≪h)も、L2=πR2の場合の3.1章の結果を利用して分析できる。分岐時の正規化された臨界曲率は下記の通りである。
大変形に対する重力の影響を、大きい長方形のガラスパネルであってSi3N4の皮膜を堆積されたものと堆積されていないものを使用して実験によって調べた。皮膜の厚みは2種類であった(hf=0.60mm及び0.73mm)。ガラスパネルは長方形で、長さLx=650mm、幅Ly=550mm及び厚さh=1.1mmであった。
第一に、パネルの大変形挙動を、小歪と小回転のプレートの動力学及び有限要素法(FEM)を利用して分析した。ABAQUS汎用有限要素コード(バージョン5.5、1996年、Hibbitt、Karlsson及びSorenson、米国ロードアイランド州ポタケット)を使用した。最初の配置構成は、完全にフラットした。堆積中、その薄い皮膜は、均一なミスマッチ歪σfを発生した。その皮膜応力の値は、計算変位が実験で得た垂直方向の変形と密接に整合するように調節した。重力による加速度、g=9.81m/s2によって、加えるミスマッチ応力を、その大きさがすべての実験測定値に整合する変形を起こすまで増大させた。
有限要素法による計算値を表4〜7及び図10〜13の実験結果と比較する。これらの実験で得た各種の観察結果は、計算結果と好都合に類似していることが分かる。予想どおりに、これらの試験結果は、支持体が、配置構成#2の場合よりパネルの重心からはるかに離れている配置構成#1の場合に、荷重と形態の動揺に対し特に敏感なようである。
FinotらはAl−Cuの薄い皮膜(hf=0.5μm)又はWの薄い皮膜(hf=0.9μm)を上に堆積された円形Siウェーハ(直径2R=150mm及び厚さh=337.5μm)の曲率の測定値を報告した(Finotら、Journal of Applied Physics、81巻3457頁1997年)。Siの弾性特性はE=130GPaであり、v=0.28でありそしてその密度ρ=2.33g/cm2である。Finotらの試験結果を本発明の理論と比較するため、本発明の発明者らは、上記円形ウェーハと同じ表面積を示す等しい長さ:L=132.9mmの正方形の断面を利用する。その薄い皮膜の特性はこの分析には入らないことに留意すべきである。式(40)は、0.133m−1という臨界曲率を与えるが、この値は、Finotらの実験測定値0.14m−1と充分一致している。この場合、重力を無視しても誤差は4%より小さい。引用したFinotらの論文の図4に示されているように、曲率の実験値は薄い皮膜の分析結果と良好に一致した。
Claims (20)
- 体積力の作用下にて積層構造体又はグレーデッド型構造体を有する装置の曲率を進展させる有効力と曲率との間の分析関係を得るための方法であって、
プレート構造体を提供して前記装置の積層構造体又はグレーデッド型構造体を表し;
前記プレート構造体の平面内で均一でありかつ前記平面に垂直の方向にそって変化する第一空間変動関数を使用して、前記装置に作用して前記装置の曲率の進展に影響する体積力を表し;
前記平面内で均一でありかつ前記平面に垂直の方向にそって前記装置の温度で変化する第二空間変動関数を使用して、前記装置の熱応力の作用を表し;
前記平面内の位置を引数とする非線形関数を使用して、前記平面内の二つの主要方向内及び前記平面に垂直の第三の主要方向内それぞれの前記装置の変位を表し;
前記第一と第二の空間変動関数及び前記変位に関する前記非線形関数に基づいて、前記装置の全位置エネルギーを計算し;
次いで
前記平面内の前記二つの主要方向にそった主曲率と軸方向の伸長それぞれに関して前記全位置エネルギーを最小化して、前記装置の曲率を進展させる有効力と前記二つの主要方向にそった主曲率との間の関係を表す分析関係を導き出す;
ことを含んでなる方法であり、
前記プレート構造体が一辺の長さがLの正方形プレートであり、且つ、前記プレート構造体が、前記プレート構造体の中心から前記平面内の二つの主要方向のうちの第1の方向の一方側に距離aだけ離れた1つの点、並びに、前記プレート構造体の中心から前記第1の方向の他方側に距離bだけ離れた点から前記二つの主要方向のうちの第2の方向の両方向側へそれぞれ距離cだけ離れた1対の点、の3点で平衡に支持されたとした場合において、
前記二つの主要方向のうちの前記第1の方向にそった前記主曲率をK1、前記二つの主要方向のうちの前記第2の方向にそった前記主曲率をK2、不整合歪、集中した機械的荷重及び重力を含む前記装置の曲率を進展させる前記有効力をfe、弾性特性を表わす定数をA3,A4,A5としたとき、
前記分析関係は、
前記式において、A3,A4,A5,及びfeは、
- 前記分析関係を使用して、前記有効力の増大過程において前記二つの主要方向にそった主曲率が等しい値をとる状態から異なる値をとる状態に変化する時点に対応する主曲率である臨界曲率をリアルタイムで求めることをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記装置の曲率を測定し;次いで
前記分析関係を使用して、上記曲率測定値に基づいて前記装置の応力をリアルタイムで求める;
ことをさらに含む請求項1に記載の方法。 - 光プローブビームを前記装置の表面に投射し;
前記表面からの前記光プローブビームの反射ビームを集め;次いで
前記反射ビームを処理して前記曲率の情報を得る;
ことによって、前記曲率が測定される請求項3に記載の方法。 - 前記処理が、
前記光プローブビームを照射された前記表面の領域の前記反射ビームのコヒーレント干渉縞のグラジエントを得て;
次に、
前記グラジエントを使用して、前記領域に関する前記曲率を計算する;
ことを含んでいる請求項4に記載の方法。 - 前記装置の製造中の応力の変動を監視するために、前記測定を前記装置の製造中に行う請求項5に記載の方法。
- 前記装置の製造中の応力の変動を監視するために、前記測定を前記装置の製造中に行う請求項4に記載の方法。
- 前記装置の製造中の応力の変動を監視するために、前記測定を前記装置の製造中に行う請求項3に記載の方法。
- 前記全位置エネルギーを計算する際に、前記装置の重心に作用する荷重を含めることをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記体積力が、前記装置に作用する重力を含む請求項1に記載の方法。
- 前記体積力が、前記装置に作用する静電力を含む請求項1に記載の方法。
- 前記体積力が、前記装置に作用する電磁力を含む請求項1に記載の方法。
- 複数の支点を提供して、前記プレート構造体を支持し;次いで
前記支点が生成する前記プレート構造体に対する支持力の作用及び前記全位置エネルギーのうちの前記プレート構造体に作用する重力の作用を含めて前記分析関係を導き出す;
ことをさらに含む請求項1に記載の方法。 - 前記支点の幾何学的配置構成及び前記支持力を選択して前記装置の応力を減らすことをさらに含む請求項13に記載の方法。
- 前記支点の幾何学的配置構成及び前記支持力を選択して、前記装置の変形を、前記有効力の増大過程において前記二つの主要方向にそった主曲率が等しい値をとる状態から異なる値をとる状態に変化する時点に対応する臨界変形状態より低く維持することをさらに含む請求項13に記載の方法。
- 前記プレート構造体が、基板及びその基板上に形成された少なくとも一つの皮膜を含み、前記第二空間変動関数が前記一つの皮膜の熱応力及び前記基板の熱応力を含んでいる請求項1に記載の方法。
- 積層構造体又はグレーデッド型構造体を有するプレート構造体付き装置を保持する試料ホルダー;
前記試料ボルダーに対して配置されて前記プレート構造体の曲率を測定する曲率測定モジュール;及び
曲率測定値を前記曲率測定モジュールから受け取り、次に前記プレート構造体に作用する力の作用を含む前記プレート構造体の応力を、分析関係にしたがって計算するよう作動する処理モジュール;
を備えたシステムであって、
前記処理モジュールが、以下の操作すなわち
前記プレート構造体の平面内で均一でありかつ前記平面に垂直の方向にそって変化する第一空間変動関数を使用して、前記装置に作用して前記装置の曲率の進展に影響する体積力を表し;
前記平面内で均一でありかつ前記平面に垂直の方向にそって前記装置の温度で変化する第二空間変動関数を使用して、前記装置の熱応力の作用を表し;
前記平面内の位置を引数とする非線形関数を使用して、前記平面内の二つの主要方向内及び前記平面に垂直の第三の主要方向内それぞれの前記装置の変位を表し;
前記第一と第二の空間変動関数及び前記変位に関する前記非線形関数に基づいて、前記装置の全位置エネルギーを計算し;
次いで
前記平面内の前記二つの主要方向にそった主曲率と軸方向の伸長それぞれに関して前記全位置エネルギーを最小化して、前記装置の曲率を進展させる有効力を前記二つの主要方向にそった主曲率にリアルタイムで関係づける前記分析関係を導き出す;
操作を実行するようにプログラムされているシステムであり、
前記プレート構造体が一辺の長さがLの正方形プレートであり、且つ、前記プレート構造体が、前記プレート構造体の中心から前記平面内の二つの主要方向のうちの第1の方向の一方側に距離aだけ離れた1つの点、並びに、前記プレート構造体の中心から前記第1の方向の他方側に距離bだけ離れた点から前記二つの主要方向のうちの第2の方向の両方向側へそれぞれ距離cだけ離れた1対の点、の3点で平衡に支持されたとした場合において、
前記二つの主要方向のうちの前記第1の方向にそった前記主曲率をK1、前記二つの主要方向のうちの前記第2の方向にそった前記主曲率をK2、不整合歪、集中した機械的荷重及び重力を含む前記装置の曲率を進展させる前記有効力をfe、弾性特性を表わす定数をA3,A4,A5としたとき、
前記分析関係は、
前記式において、A3,A4,A5,及びfeは、
- 前記曲率測定モジュールが、光プローブビームを生成して前記プレート構造体に導き、次いで前記プレート構造体による前記光プローブビームの反射ビームを処理して前記曲率を測定する請求項17に記載のシステム。
- 前記曲率測定モジュールが、
前記反射ビームの光路に互いに間隔を置いて配置され、かつ、前記反射ビームの波面に対し、予め定められた位相操作であってそれらによって生成される回折によって生成される位相操作を生成するよう配置構成された第一と第二の格子;
前記反射ビームを前記第一と第二の格子から受け取るように配置され、かつ、前記第二格子からの二つの回折成分であって前記第二格子によって前記第一格子からの二つの異なる回折成分を回折させることからつくられる二つの回折成分を選択し組み合わせて干渉パターンをつくる光素子;及び
前記光素子に対して設置されて、前記干渉パターンを受け取りその干渉パターンを示す電気信号を生成する光感知装置;
を備えている請求項18に記載のシステム。 - 表面の応力を求める方法であって、
表面の1又は2以上の特徴部分の寸法を測定し;
前記表面にコヒーレント光ビームを正反射させるため、前記寸法より大きい波長のコヒーレント光ビームを選択し;
前記コヒーレント光ビームを前記表面に照射して、反射プローブビームを生成させ;
前記反射プローブビームの回折成分の第一セットを、第一格子を使用することによってつくり;
前記反射プローブビームの回折成分の第二セットを、前記第一格子から予め定められた距離をおいて位置する第二格子を使用することによってつくり、そして回折成分の第一セットは各々、前記第二格子によって回折されて複数の回折成分を生成し;
前記第二格子が、回折成分の前記第一セットから選択された二つの異なる回折成分を回折することによってつくる二つの回折成分を組み合わせて干渉パターンをつくり;次いで
前記干渉パターンを処理して前記表面の曲率の情報を求め;
分析関係を使用して、前記曲率の情報に基づいて前記表面の応力をリアルタイムで求める;
ことを含んでなる方法であって、前記分析関係が、
前記表面内で均一でありかつ前記表面に垂直の方向にそって変化する第一空間変動関数を使用して、前記表面に作用する体積力を表し;
前記表面内で均一でありかつ前記表面に垂直の方向にそって前記表面の温度で変化する第二空間変動関数を使用して、前記表面の熱応力の作用を表し;
前記表面内の位置を引数とする非線形関数を使用して、前記表面内の二つの主要方向内及び前記表面に垂直の第三の主要方向内それぞれの前記表面の変位を表し;
前記第一と第二の空間変動関数及び前記変位に関する前記非線形関数に基づいて、前記表面の全位置エネルギーを計算し;次いで
前記表面内の前記二つの主要方向にそった主曲率と軸方向の伸長それぞれに関して前記全位置エネルギーを最小化して、前記表面の曲率を進展させる有効力と前記二つの主要方向にそった主曲率との間の関係を表す分析関係を導き出す;
ことによって得られる方法であり、
前記表面が一辺の長さがLの正方形プレートであり、且つ、前記表面が、前記表面の中心から前記表面内の二つの主要方向のうちの第1の方向の一方側に距離aだけ離れた1つの点、並びに、前記表面の中心から前記第1の方向の他方側に距離bだけ離れた点から前記二つの主要方向のうちの第2の方向の両方向側へそれぞれ距離cだけ離れた1対の点、の3点で平衡に支持されたとした場合において、
前記二つの主要方向のうちの前記第1の方向にそった前記主曲率をK1、前記二つの主要方向のうちの前記第2の方向にそった前記主曲率をK2、不整合歪、集中した機械的荷重及び重力を含む前記表面の曲率を進展させる前記有効力をfe、弾性特性を表わす定数をA3,A4,A5としたとき、
前記分析関係は、
前記式において、A3,A4,A5,及びfeは、
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Families Citing this family (72)
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EP1337942B1 (en) * | 2000-11-17 | 2016-10-12 | Battelle Memorial Institute | Method and system for structural stress analysis |
US20030229476A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-11 | Lohitsa, Inc. | Enhancing dynamic characteristics in an analytical model |
KR100750575B1 (ko) * | 2003-01-27 | 2007-08-21 | 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 계층 구조 설계 및 제조 방법, 응력 분석 시스템 및 국소 응력 계산 방법 |
WO2004068088A2 (en) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Oraxion | Optical characterization of surfaces and plates |
WO2004068066A2 (en) * | 2003-01-28 | 2004-08-12 | Oraxion | Full-filled optical measurements of surface properties of panels, substrates and wafers |
US7966135B2 (en) * | 2004-06-01 | 2011-06-21 | California Institute Of Technology | Characterizing curvatures and stresses in thin-film structures on substrates having spatially non-uniform variations |
US7363173B2 (en) * | 2004-06-01 | 2008-04-22 | California Institute Of Technology | Techniques for analyzing non-uniform curvatures and stresses in thin-film structures on substrates with non-local effects |
US7487050B2 (en) | 2004-06-01 | 2009-02-03 | California Institute Of Technology | Techniques and devices for characterizing spatially non-uniform curvatures and stresses in thin-film structures on substrates with non-local effects |
US7289256B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Electrical characterization of interferometric modulators |
US7574338B1 (en) * | 2005-01-19 | 2009-08-11 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Finite-difference simulation and visualization of elastodynamics in time-evolving generalized curvilinear coordinates |
JP4418390B2 (ja) | 2005-03-22 | 2010-02-17 | 三菱重工業株式会社 | 3次元形状処理装置及び曲面生成プログラム並びに方法 |
KR100655446B1 (ko) * | 2005-10-14 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 휨 시뮬레이션 방법 |
US7636151B2 (en) * | 2006-01-06 | 2009-12-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for providing residual stress test structures |
FR2898410B1 (fr) * | 2006-03-07 | 2008-05-09 | Airbus France Sas | Procede de caracterisation de la tenue en fatigue d'une piece a partir de son profil de surface |
JP2009529785A (ja) * | 2006-03-09 | 2009-08-20 | ウルトラテック インク | 基板の曲率および応力マッピングデータに基づくリソグラフィ位置ずれの判定方法 |
JP2007241018A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Epson Toyocom Corp | 全反射ミラー |
US20080228452A1 (en) * | 2007-01-15 | 2008-09-18 | Sangpil Yoon | Hybrid Finite Element Method for Simulating Temperature Effects on Surface Acoustic Waves |
US20080182344A1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-07-31 | Steffen Mueller | Method and system for determining deformations on a substrate |
US7805258B2 (en) | 2007-02-16 | 2010-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for film stress and curvature gradient mapping for screening problematic wafers |
EP2116945A4 (en) * | 2007-02-28 | 2010-12-15 | Univ Keio | DEVICE FOR CALCULATING A DIGITAL VALUE OF STRUCTURAL ANALYSIS |
US7930113B1 (en) | 2007-04-17 | 2011-04-19 | California Institute Of Technology | Measuring stresses in multi-layer thin film systems with variable film thickness |
US7990543B1 (en) | 2007-08-31 | 2011-08-02 | California Institute Of Technology | Surface characterization based on optical phase shifting interferometry |
US8103328B2 (en) * | 2007-10-01 | 2012-01-24 | Quantum Applied Science And Research, Inc. | Self-locating sensor mounting apparatus |
US7716999B2 (en) * | 2007-10-31 | 2010-05-18 | 3M Innovative Properties Company | Test method for determining microstructure deformation resistance of a microstructured film |
US8258800B2 (en) * | 2008-02-11 | 2012-09-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for measurement and characterization of interferometric modulators |
RU2526708C2 (ru) * | 2008-02-11 | 2014-08-27 | Квалкомм Мемс Текнолоджис, Инк. | Способ и устройство считывания, измерения или определения параметров дисплейных элементов, объединенных со схемой управления дисплеем, а также система, в которой применены такие способ и устройство |
WO2009134501A2 (en) * | 2008-02-11 | 2009-11-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for measurement and characterization of interferometric modulators |
US8027800B2 (en) * | 2008-06-24 | 2011-09-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and method for testing a panel of interferometric modulators |
US8035812B2 (en) * | 2009-03-24 | 2011-10-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for measuring display quality with a hyperspectral imager |
FR2955654B1 (fr) * | 2010-01-25 | 2012-03-30 | Soitec Silicon Insulator Technologies | Systeme et procede d'evaluation de deformations inhomogenes dans des plaques multicouches |
CN101832766B (zh) * | 2010-03-12 | 2012-02-08 | 清华大学 | 钢框架梁柱端板连接节点转角的计算机辅助测量方法 |
CN101799285B (zh) * | 2010-03-12 | 2011-12-28 | 清华大学 | 钢框架梁柱连接节点转角的计算机辅助测量方法 |
US20130151160A1 (en) * | 2010-06-08 | 2013-06-13 | Schlumberger Technology Corporation | Method for determining the stress-strain state of a stratified medium |
TWI511218B (zh) * | 2011-03-02 | 2015-12-01 | Soitec Silicon On Insulator | 評估多層晶圓之非均勻形變的系統及方法 |
FR2978864B1 (fr) * | 2011-08-02 | 2014-02-07 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de correction de desalignement de positions sur une premiere plaque collee sur une deuxieme plaque |
US9245070B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-01-26 | Bridgestone Americas Tire Operations, Llc | System and method for determining statistical distribution of a rolling tire boundary |
WO2013154820A1 (en) | 2012-04-11 | 2013-10-17 | Bridgestone Americas Tire Operations, Llc | System and method for steady state simulation of rolling tire |
US8842273B2 (en) | 2013-02-14 | 2014-09-23 | United Sciences, Llc | Optical measurement of drilled holes |
US9188775B2 (en) | 2013-08-28 | 2015-11-17 | United Sciences, Llc | Optical scanning and measurement |
US9377412B2 (en) | 2014-04-16 | 2016-06-28 | Apple Inc. | Electronic device having components with stress visualization features |
CN103994747B (zh) * | 2014-05-30 | 2016-08-17 | 武汉理工大学 | 梁形结构拉伸弯曲复合变形场的无基准分布式测量方法 |
US9950476B2 (en) | 2014-06-05 | 2018-04-24 | The Boeing Company | Distortion prediction and minimisation in additive manufacturing |
US20150367418A1 (en) | 2014-06-20 | 2015-12-24 | Velo3D, Inc. | Apparatuses, systems and methods for three-dimensional printing |
US10101498B2 (en) * | 2014-09-05 | 2018-10-16 | Schlumberger Technology Corporation | Well survivability in multidimensional geomechanical space |
CN104344804B (zh) * | 2014-10-23 | 2017-12-15 | 上海卫星工程研究所 | 卫星模拟零重力状态单机指向精度测量方法 |
US10024654B2 (en) * | 2015-04-06 | 2018-07-17 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for determining in-plane distortions in a substrate |
EP3370948A4 (en) | 2015-11-06 | 2019-07-24 | Velo3d Inc. | PROFESSIONAL THREE-DIMENSIONAL PRINTING |
NL2017860B1 (en) * | 2015-12-07 | 2017-07-27 | Ultratech Inc | Systems and methods of characterizing process-induced wafer shape for process control using cgs interferometry |
US10207454B2 (en) | 2015-12-10 | 2019-02-19 | Velo3D, Inc. | Systems for three-dimensional printing |
US9919360B2 (en) | 2016-02-18 | 2018-03-20 | Velo3D, Inc. | Accurate three-dimensional printing |
US11691343B2 (en) | 2016-06-29 | 2023-07-04 | Velo3D, Inc. | Three-dimensional printing and three-dimensional printers |
US20180126461A1 (en) | 2016-11-07 | 2018-05-10 | Velo3D, Inc. | Gas flow in three-dimensional printing |
US10442003B2 (en) | 2017-03-02 | 2019-10-15 | Velo3D, Inc. | Three-dimensional printing of three-dimensional objects |
RU2650741C1 (ru) * | 2017-03-10 | 2018-04-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский индустриальный университет" (ТИУ) | Устройство для определения упругих постоянных малопластичных металлов и сплавов при повышенной температуре |
US10553623B2 (en) * | 2017-04-20 | 2020-02-04 | Applejack 199 L.P. | Non-contact measurement of a stress in a film on a substrate |
KR102194843B1 (ko) * | 2017-09-07 | 2020-12-23 | 주식회사 엘지화학 | 모노 프레임의 구조해석 툴 및 모노 프레임 설계방법 |
FR3074949B1 (fr) * | 2017-12-11 | 2019-12-20 | Electricite De France | Procede, dispositif et programme de traitement d'images de diffraction d'un materiau cristallin |
US10468230B2 (en) * | 2018-04-10 | 2019-11-05 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Nondestructive sample imaging |
US11105611B2 (en) * | 2018-05-15 | 2021-08-31 | Applejack 199 L.P. | Non-contact measurement of a stress in a film on substrate |
TWI673476B (zh) * | 2018-10-04 | 2019-10-01 | 財團法人工業技術研究院 | 軟性基板之應變量測與應力優化之方法、裝置、回授系統與電腦可讀取記錄媒體 |
CN109540666B (zh) * | 2018-11-06 | 2021-04-30 | 宁波用躬科技有限公司 | 一种土层对管片实际荷载特性的模拟加载系统及加载方法 |
CN110514111A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-29 | 北京理工大学 | 一种外接式相位定量检测装置与方法 |
US11340179B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-05-24 | Bae Systems Information And Electronic System Integration Inc. | Nanofabricated structures for sub-beam resolution and spectral enhancement in tomographic imaging |
CN111457856B (zh) * | 2020-05-28 | 2021-11-16 | 合肥工业大学 | 一种完全消除重力影响的薄基片变形测量装置 |
CN112179541B (zh) * | 2020-09-02 | 2021-07-16 | 大连理工大学 | 一种基于变形反推的初始残余应力调整方法 |
TWI771820B (zh) * | 2020-12-04 | 2022-07-21 | 財團法人金屬工業研究發展中心 | 曲面塊材的殘留應力量測方法 |
CN113074854B (zh) * | 2021-03-31 | 2023-04-07 | 天津中环电炉股份有限公司 | 陶瓷涂层高温内应力的评价方法 |
CN113092040B (zh) * | 2021-04-16 | 2022-10-25 | 重庆大学 | 横向均布载荷下环形薄膜最大应力的确定方法 |
CN113237583B (zh) * | 2021-05-13 | 2022-03-15 | 中南大学 | 一种镁合金筒形件残余应力评估预测方法 |
CN114112145B (zh) * | 2021-11-10 | 2022-10-14 | 中国科学院半导体研究所 | 薄膜本征应力测量方法、电子设备及介质 |
CN114608475A (zh) * | 2022-02-28 | 2022-06-10 | 南京中安半导体设备有限责任公司 | 卡盘、相移式干涉仪及晶圆形貌干涉测量方法 |
CN114474896B (zh) * | 2022-03-03 | 2023-04-25 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种组合飞片及其制备方法、应用 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0643925B2 (ja) * | 1986-11-29 | 1994-06-08 | 株式会社日立製作所 | 複合材料の残留応力の測定方法 |
JPH0351729A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-06 | Nec Corp | 内部応力測定装置 |
US5134303A (en) * | 1990-08-14 | 1992-07-28 | Flexus, Inc. | Laser apparatus and method for measuring stress in a thin film using multiple wavelengths |
JP2936709B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1999-08-23 | 大同特殊鋼株式会社 | 薄板材の残留応力測定方法および装置 |
US5232547A (en) * | 1992-07-01 | 1993-08-03 | Motorola, Inc. | Simultaneously measuring thickness and composition of a film |
US5572323A (en) * | 1993-12-27 | 1996-11-05 | Ricoh Company, Ltd. | Infinitesimal displacement measuring apparatus and optical pick-up unit |
US5814729A (en) * | 1996-09-09 | 1998-09-29 | Mcdonnell Douglas Corporation | System for in-situ delamination detection in composites |
US6031611A (en) * | 1997-06-03 | 2000-02-29 | California Institute Of Technology | Coherent gradient sensing method and system for measuring surface curvature |
JP2000009553A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | 薄膜評価装置、薄膜評価方法、半導体シミュレーション装置、半導体シミュレーション方法、薄膜評価プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、及びシミュレーションプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US6025918A (en) * | 1998-07-07 | 2000-02-15 | Brown University Research Foundation | Apparatus and method for measurement of the mechanical properties and electromigration of thin films |
US6600565B1 (en) * | 2000-04-25 | 2003-07-29 | California Institute Of Technology | Real-time evaluation of stress fields and properties in line features formed on substrates |
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