TWI673476B - 軟性基板之應變量測與應力優化之方法、裝置、回授系統與電腦可讀取記錄媒體 - Google Patents

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TWI673476B
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Abstract

一種軟性基板之應變量測與應力優化方法包括各別取得軟性基板複數點的成膜前與成膜後振幅，計算軟性基板之複數點的成膜後應變值並轉換為應力值。分別取得複數個第一軟性基板的各第一軟性基板上所形成之單層薄膜上的複數點的振幅並轉換為應變值；取得第二軟性基板上所堆疊成之複數層薄膜上的複數點的振幅並轉換為應變值；求解方程式得到各單層薄膜之材料係數；在應變值設為零時，固定該第一軟性基板上形成之這些單層薄膜的一部份的厚度，比對一對應數值資料庫，計算出所欲優化之第一軟性基板上所形成之該些單層薄膜的另一部分的厚度。

Description

軟性基板之應變量測與應力優化之方法、裝置、回授系統與電腦可讀取記錄媒體
本揭露是有關於一種軟性基板之應變量測與應力優化之方法、裝置、回授系統與一種電腦可讀取記錄媒體。
在沉積有機薄膜製程中，軟性基板例如是塑膠或是極薄的玻璃，是常被採用的。目前遭遇的問題是，在基板上沉積薄膜容易造成薄膜應力，而導致基板翹曲(warpage)的現象。基板翹曲會使得在沉積有機薄膜製程之生產線傳輸方面，例如以卷對卷(roll-to-roll)製程，產生極大的問題。
目前現有的應力量測方式是應用於硬性的基板，例如矽晶圓。將薄膜沉積在矽晶圓上，利用薄膜應力量測儀器，透過斯托尼等式(Stoney equation)的轉換，得到薄膜應力值。但是這種量測方式無法量測滾輪式製程所沉積的薄膜。
如何在生產線上量測軟性基板上的薄膜應力，進一步優化薄膜生長的厚度以降低應力，並即時回饋給薄膜沉積的機台，調整製程參數，使得後續製程順利進行，實為未來發展亟欲尋求突破的議題之一。
本發明係有關於一種用於軟性基板之應變量測與應力優化方法，可以即時優化薄膜生長的厚度，以減少基板的翹曲，並即時調整薄膜製程參數，減少卷對卷生產線的傳輸問題與製程問題，使得生產線製程得以順利進行。
根據本發明之一實施例，提出一種軟性基板之應變量測與應力優化方法，該方法包括應變量測方法與應力優化方法。該應變量測方法包括以下步驟：取得一軟性基板在成膜前之複數點的成膜前振幅；取得該軟性基板對應該成膜前之該複數點的成膜後振幅；根據該軟性基板之該複數點的成膜前振幅、該複數點的成膜後振幅與該軟性基板上的成膜厚度，計算該軟性基板之該複數點的成膜後應變值；根據該軟性基板之該複數點的應變值，轉換為該軟性基板之該複數點的應力值。該應力優化方法包括以下步驟：分別取得複數個第一軟性基板的各第一軟性基板上所形成之單層薄膜上的複數點的振幅，並透過應變量測方法轉換該些複數點的振幅為該各第一軟性基板上之單層薄膜上之對應該些複數點的應變值；取得一第二軟性基板上所堆疊成之複數層薄膜上的複數點的振幅，並透過應變量測方法轉換該些複數點的振幅為第二軟性基板上所堆疊成之該些複數層薄膜上的該些複數點的應變值，其中第二軟性基板上所堆疊成之該些複數層薄膜分別相同於該些第一軟性基板上所分別形成的多個單層薄膜，且第二軟性基板上所堆疊成之複數層薄膜上的複數點對應於該各第一軟性基板上所形成之單層薄膜上的該些複數點；根據該各第一軟性基板上所形成之單層薄膜上的該些複數點的應變值與該第二軟性基板上所堆疊成之該些複數層薄膜之複數點的應變值，針對各對應點求解聯立方程式，得到各對應點之各單層薄膜之材料係數；透過各單層薄膜之材料係數，在應變值設為零的條件下，固定該些第一軟性基板上所形成之該些單層薄膜的一部份的厚度，比對一成膜厚度與成膜後振幅之對應數值資料庫，計算出各對應點所欲優化之該各第一軟性基板上所形成之該些單層薄膜的另一部分的厚度。
根據本發明之另一實施例，提出一種軟性基板之應變量測與應力優化裝置包括一處理器與一記憶體，處理器電性連接記憶體，記憶體中儲存有多個指令。當處理器執行該些指令時，軟性基板之應變量測與應力優化裝置用以執行如前段所述之軟性基板之應變量測與應力優化方法。
根據本發明之又一實施例，提出一種軟性基板之應變量測與應力優化回授系統，包括如前段所述之軟性基板之應變量測與應力優化裝置、一阻障層塗布裝置以及一有機發光二極體生產裝置。阻障層塗布裝置耦接於軟性基板之應變量測與應力優化裝置，其中阻障層塗布製程完成即為成膜後狀態；有機發光二極體生產裝置耦接於軟性基板之應變量測與應力優 化裝置，其中當軟性基板之應變量測與應力優化裝置取得軟性基板成膜後之複數點的平均應力值小於一預設閥值的絕對值時，輸出應力均勻訊號到有機發光二極體生產裝置，進行一有機發光二極體生產製程；當軟性基板成膜後之複數點的平均應力值大於預設閥值的絕對值時，輸出應力不均勻訊號回授到阻障層塗布裝置，進行阻障層的厚度調整。
根據本發明之再一實施例，提出一種電腦可讀取記錄媒體，當電腦載入一程式並執行後，完成如前所述之軟性基板之應變量測與應力優化方法。
為讓本發明的上述特徵能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為根據本發明一實施例之軟性基板之應變量測與應力優化之裝置的示意圖。軟性基板之應變量測與應力優化裝置100包括一處理器110與一記憶體120，該處理器110電性連接該記憶體120，記憶體120中儲存有多個指令，當處理器110執行該些指令時，軟性基板之應變量測與應力優化裝置100用以執行軟性基板之應變量測與應力優化之方法。處理器110例如是一晶片、一電路、一電路板或儲存數組程式碼之記錄媒體。
在一實施例中，軟性基板之應變量測與應力優化裝置100更包括一自動對焦光學顯微鏡130，該自動對焦光學顯微鏡130電性連接處理器110與記憶體120。請同時參照圖2。圖2為根據本發明一實施例之軟性基板之應變量測與應力優化之方法的流程圖。在一實施例中，執行圖2所示之軟性基板之應變量測與應力優化方法可用程式的方式，此程式例如可為一種內儲程式，儲存於一電腦可讀取記錄媒體，例如硬碟、光碟、隨身碟、記憶體等。在電腦執行該程式時，可執行如圖2所示的方法。以下更搭配圖1說明執行此方法的各步驟。軟性基板之應變量測與應力優化之方法分別包括應變量測方法與應力優化方法，其中，應變量測方法之步驟包括步驟S110、步驟S120、步驟S130、以及步驟S140;應力優化方法包括步驟S210、步驟S220、步驟S230、以及步驟S240。
在步驟S110中，取得軟性基板之複數點的成膜前振幅;例如，在一實施例中，可透過自動對焦光學顯微鏡130量測軟性基板在成膜前之複數點成膜前焦距，處理器110將軟性基板在該成膜前之該複數點成膜前焦距轉換為軟性基板之複數點的成膜前振幅。此時可以進行軟性基板的成膜前振幅之上視圖之繪製。接著，在軟性基板上進行一薄膜成長製程，例如，在一實施例中，可於成長一阻水/氧之氮化矽(SiN x)薄膜後，進行步驟S120。在步驟S120中，取得軟性基板之複數點的成膜後振幅;例如，在一實施例中，可透過自動對焦光學顯微鏡130量測軟性基板對應成膜前之複數點的成膜後焦距，處理器110將軟性基板之複數點的成膜後焦距轉換為軟性基板之複數點的成膜後振幅。此時可以進行軟性基板的成膜後振幅之上視圖之繪製，即可得到軟性基板的應變之空間分布圖。
依據論文:Electronic skin: architecture and components所揭露的基板的應變應力公式(1)： (1)
其中A為振幅，h為成膜厚度，ε 0為成膜前應變值，ε c為成膜後應變值。若基板尚未成長薄膜時，可得到公式(2)： 或是 (2)
其中A 1為成膜前振幅。在基板成長薄膜後，由公式(1)可簡化並推導得公式(3)： (3)
其中A 2為成膜後振幅。在一實施例中，公式(3)可儲存於記憶體中，處理器110透過該記憶體中的公式(3)，可將軟性基板的複數點的成膜前振幅A 1與成膜後振幅A 2轉換為軟性基板的複數點的成膜後應變值ε c。亦即藉由計算公式(3)的結果，可以得到軟性基板的複數點的成膜後應變值ε c。此時可以進行軟性基板的應變分布之上視圖的繪製。在一實施例中，可以對基板進行多點取樣，取得成膜前振幅A 1與成膜後應變值ε c，並藉由公式(3)建立一成膜厚度h與成膜後振幅A 2對應數值資料庫以供後續進行優化。
在步驟S140中，處理器110將軟性基板之複數點的成膜後應變值，透過記憶體中的軟性基板在成膜後的膜之楊氏係數，例如氮化矽(SiN x)薄膜的楊氏係數，轉換為軟性基板的複數點的成膜後應力值。
圖3為根據本發明一實施例之。請同時參照圖2與圖3。如前所述，應力優化方法包括步驟S210、步驟S220、步驟S230、以及步驟S240。在步驟S210中，各別取得複數個第一軟性基板的各第一軟性基板上所形成之單層薄膜上的複數點的振幅，並透過前述之應變量測方法將該些複數點的振幅轉換為該各第一軟性基板上之單層薄膜上之對應該複數點的應變值。以圖3的實施例舉例說明。在此實施例中，以在軟性基板上成長兩層薄膜為例。首先，在第一軟性基板SX1上成長薄膜311，再取另一第一軟性基板SX1成長薄膜321，同樣地透過自動對焦光學顯微鏡130的焦距量測後轉換為第一軟性基板SX1之該些複數點的振幅，可分別取得第一軟性基板SX1之複數點的振幅，再透過前述之應變量測方法將該些複數點的振幅轉換為第一軟性基板SX1上之單層薄膜上之對應該些複數點的應變值。在一實施例中，舉例而言，薄膜311的應變值為X，薄膜321的應變值為Y。
在步驟S220中，取得第二軟性基板SX2上所堆疊成之複數層薄膜上的複數點的振幅，並透過前述之應變量測方法轉換為第二軟性基板SX2上所堆疊成之該些複數層薄膜上的該些複數點的應變值，其中第二軟性基板SX2上所堆疊成之該些複數層薄膜分別相同於該些第一軟性基板SX1上分別所形成的多個單層薄膜，且第二軟性基板SX2上所堆疊成之該些複數層薄膜上的該些複數點對應於各第一軟性基板SX1上所形成之單層薄膜上的該些複數點。請參照圖3。在第二軟性基板SX2上依序成長薄膜311與薄膜321，同樣地透過自動對焦光學顯微鏡130的焦距量測後轉換為該些複數層薄膜(薄膜311與薄膜321)上的複數點的振幅，可取得第二軟性基板SX2上所堆疊成之該些複數層薄膜(薄膜311與薄膜321)上的複數點的振幅，透過前述之應變量測方法將該些複數點的振幅轉換為第二軟性基板SX2上所堆疊成之複數層薄膜上的複數點的應變值。在一實施例中，舉例而言，薄膜311與薄膜321上所堆疊成之薄膜的應變值為ε。其中，第二軟性基板SX2上所堆疊成之複數層薄膜上的複數點對應於各第一軟性基板SX1上所形成之單層薄膜上的複數點。也就是在單層薄膜與堆疊薄膜之量測取樣的點位是固定對應同一取樣點，且取樣的個數也是相同的。在一實施例中，第一軟性基板SX1與第二軟性基板SX2的尺寸例如是邊長2公分之正方形。量測取樣的點數例如是400點，亦即每1公釐間距量測1點。第一軟性基板與第二軟性基板的厚度例如為50~200微米，單層薄膜厚度例如約為500奈米~1微米。
在步驟S230中，根據各第一軟性基板SX1上所形成之單層薄膜上的該些複數點的應變值與第二軟性基板SX2上所堆疊成之該些複數層薄膜之該些複數點應變值，針對各對應點求解聯立方程式，得到該各對應點之各單層薄膜之材料係數。請參照圖3，在一實施例中，舉例而言，各別量測第一軟性基板SX1上所形成之薄膜311與薄膜321的兩個取樣點，可以得到薄膜311的應變值為X 1與X 2，薄膜321的應變值為Y 1與Y 2。以及量測第二軟性基板SX2上薄膜311與薄膜321上所堆疊成之薄膜的兩個取樣點，可以得到薄膜311與薄膜321上所堆疊成之薄膜的應變值為ε 1與ε 2。由以上各已知數值，可以求解以下聯立方程式(4)，可以得到ρ 1與ρ 2分別為單層薄膜的材料係數。此實施例中，ρ 1與ρ 2分別為薄膜311與薄膜321的材料係數。取得材料係數可以修正理論與實際的誤差。
聯立方程式(4) (4)
請參照圖4，圖4為根據本發明另一實施例，說明軟性基板之應力優化之方法的示意圖。請同時參照圖2與圖4。在一實施例中，若當第一軟性基板SX1所欲成長的薄膜為三層，則須分別量測各單層薄膜在第一軟性基板SX1上的應變值，以及第二軟性基板SX2上所堆疊成之三層薄膜之複數點應變值，此時需量測三個取樣點，由以上各已知數值，可以求解聯立方程式(5)，得到各對應點之三層薄膜之材料係數。舉例而言，分別量測第一軟性基板上形成之薄膜311、薄膜321與薄膜331的三個取樣點，可以得到薄膜311的應變值為X 1、X 2與X 3，薄膜321的應變值為Y 1、Y 2與Y 3，以及薄膜331的應變值為Z 1、Z 2與Z 3。接著，量測第二軟性基板上薄膜311、薄膜321與薄膜331共同所堆疊成之薄膜的三個取樣點，可以得到薄膜311、薄膜321與薄膜331所堆疊成之薄膜的應變值為ε 1、ε 2與ε 3。由以上可以求解以下聯立方程式(5)，可以得到ρ 1、ρ 2與ρ 3分別為單層薄膜的材料係數。此實施例中，ρ 1為薄膜311的材料係數、ρ 2為薄膜321的材料係數，ρ 3為薄膜331的材料係數。
聯立方程式(5) (5)
以上兩實施例分別以在軟性基板上成長兩層與三層薄膜為例，但本發明不以此為限。若欲在軟性基板上成長多層薄膜，則可參照以上方式求得各層薄膜的材料係數，此處不再贅言。
在步驟S240中，透過各單層薄膜之材料係數，在應變值設為零的條件下，固定該些第一軟性基板SX1上所形成之該些單層薄膜的一部份的厚度，比對一成膜厚度與成膜後振幅之對應數值資料庫，計算出各對應點所欲優化之該第一軟性基板SX1上所形成之該些單層薄膜的另一部分的厚度。請同步參照圖3。承以上步驟S230之兩層薄膜實施例，當取得薄膜311的材料係數ρ 1與薄膜321的材料係數ρ 2後，可以進行薄膜311與薄膜321的厚度優化。在一實施例中，首先，可在第一軟性基板SX1上成長已知厚度的薄膜311，例如為成長具有阻水/氧功能的氮化矽薄膜100奈米，此步驟即為固定第一軟性基板SX1上所形成之一單層薄膜的厚度。藉由公式(3)，其中氮化矽薄膜之成膜厚度h為100奈米，氮化矽薄膜之成膜後振幅A 2經量測可得，軟性基板的成膜前振幅A 1為已知，可求得氮化矽薄膜之成膜後應變值ε cx。
根據步驟S230取得的氮化矽薄膜的材料係數ρ 1、欲成長的第二層薄膜例如氧化矽薄膜的材料係數ρ2，利用聯立方程式(4)的第一條式子，將氮化矽與氧化矽共同所堆疊成之薄膜應變值ε1設為零，氮化矽薄膜的應變值為X1、氮化矽薄膜的材料係數ρ1(氮化矽薄膜之成膜後應變值εcx即為ρ1X1)與氧化矽薄膜的材料係數ρ2均為已知值代入方程式，即可得到欲優化的薄膜321的應變值為Y1(氧化矽薄膜之成膜後應變值εcy即是ρ2Y1)。此時，同樣的藉由公式(3)，軟性基板的成膜前振幅A1則為氮化矽之振幅，經量測已知，氧化矽成膜後應變值εcy可以視為ρ2Y1同樣也已知，將以上已知代入公式(3)，透過比對先前建立的對應數值資料庫，找出符合公式(3)的氧化矽薄膜之成膜厚度h與氧化矽薄膜之成膜後振幅A2之對應數值。該對應數值資料庫的準確度，會因為原來選擇的範圍，及取樣周間的大小而有所影響。例如資料庫建立的範圍為0.1微米~100微米，取樣周間為每100奈米取一點的值，在資料庫中找出符合或是最接近公式(3)之成膜厚度h與成膜後振幅A2的對應。藉由以上流程，透過調變成膜厚度h即可優化軟性基板成膜後的應力分布。
欲成長整面基板的薄膜可計算多個取樣的點數。取樣的點數越密，可以得到較佳的優化結果。因為薄膜的材料係數可能隨著厚度而有細微變化，故當進行優化時要以對應所欲成長的薄膜厚度的材料係數代入方程式會較準確。
若欲在軟性基板上成長大於兩層薄膜時，承以上步驟S230之三層薄膜實施例為例，當取得薄膜311的材料係數ρ1、薄膜321的材料係數ρ 2與薄膜331的材料係數ρ 3後，可以進行薄膜311、薄膜321與薄膜331的厚度優化。首先，可在第一基板上成長已知厚度的薄膜311與薄膜321，例如為成長具有阻水/氧功能的氮化矽薄膜100奈米以及氧化矽薄膜100奈米，且根據步驟S230取得的薄膜311的材料係數ρ 1、薄膜321的材料係數ρ 2與薄膜331的材料係數ρ 3，用聯立方程式(5)的第一條式子，將ε 1設為零，薄膜311的應變值為X 1、薄膜311的材料係數ρ 1、薄膜321的材料係數ρ 2、薄膜331的材料係數ρ 3均為已知值代入方程式，即可得到欲優化的薄膜331的應變值為Y 1。若欲成長整面基板的薄膜，可計算多個取樣的點數。取樣的點數越密，可以得到較佳的優化結果。
以上兩實施例各別以在軟性基板上成長兩層與三層薄膜為例，但本發明不以此為限。若欲在軟性基板上成長多層薄膜，則可參照以上方式，固定該些軟性基板上所形成的該些單層薄膜的一部份(例如為阻水/氧薄膜的最頂層之外的其他所有層)的厚度，比對成膜厚度與成膜後振幅之對應數值資料庫，計算出各對應點所欲優化之軟性基板上所形成的該些單層薄膜的另一部分(例如為阻水/氧薄膜的最頂層)的厚度，此處不再贅言。
在一實施例中，例如沉積有機薄膜製程，薄膜311、薄膜321與薄膜311可以選擇水氣穿透率(Water Vapor Transmission Rate，WVTR)及氧氣穿透率(Oxygen Transmission Rate，OTR)較低的來保護後續成長的有機薄膜。例如為摻雜碳氫原子的氮化矽薄膜(SiN x：CH)或是摻雜碳氫原子的氧化矽薄膜(SiO x：CH)。
當薄膜的厚度變化時，可以分別取得在不同厚度下的材料係數。例如薄膜311的厚度分別為100奈米與200奈米，可以分別在薄膜311的厚度為100奈米時取得400個取樣點的材料係數，以及在薄膜311的厚度為200奈米時取得對應100奈米的400個取樣點的材料係數。比較薄膜311在不同厚度下相對應點之材料係數的變化，若差異很大，則可以增加取樣點數以達到較佳的優化結果。
請參照圖5。圖5為根據本發明一實施例之軟性基板之應變量測與應力優化之回授系統的示意圖。請同時參照圖1與圖5。本發明揭露一種用於軟性基板之應變量測與應力優化回授系統500，包括圖1的軟性基板之應變量測與應力優化之裝置100、一阻障層塗布裝置510以及一有機發光二極體生產裝置520。軟性基板之應變量測與應力優化裝置100包括處理器110、記憶體120與自動對焦光學顯微鏡130。阻障層塗布裝置510耦接於軟性基板之應變量測與應力優化裝置100，其中，完成阻障層塗布製程後，軟性基板即為成膜後狀態。有機發光二極體生產裝置520耦接於應變量測與應力優化裝置100。當應變量測與應力優化裝置100取得軟性基板成膜後之複數點的平均應力值小於一預設閥值的絕對值時，輸出應力均勻訊號送到有機發光二極體生產裝置520，進行有機發光二極體生產製程。舉例而言，應力值依方向分類，可分為正應力與負應力，當軟性基板往上彎設定為正應力，當軟性基板往下彎則為負應力。此時，取預設閥值的絕對值，是考慮形變量，不論方向性。當軟性基板成膜後之複數點的平均應力值大於該預設閥值的絕對值時，輸出應力不均勻訊號回授到阻障層塗布裝置，以進行阻障層的厚度調整，也就是進行阻障層塗布製程的參數調整。
在一實施例中，例如在有機發光二極體之量產製程中，先在軟性基板上進行阻障層(例如阻水/氧層)塗布。完成阻障層塗布製程後，軟性基板即為成膜後狀態。當軟性基板之應變量測與應力優化裝置100取得軟性基板成膜後之複數點的平均應力值小於一預設閥值的絕對值，預設閥值的絕對值例如為阻障層之平均應力值的10%，則輸出應力均勻的訊號到有機發光二極體生產裝置520，以進行有機發光二極體生產製程。當軟性基板成膜後之複數點的平均應力值大於該預設閥值的絕對值，預設閥值的絕對值例如為阻障層之平均應力值的10%，則輸出結果回授到阻障層塗布裝置510，進行調整阻障層塗布製程的參數，以調整阻障層厚度。阻障層塗布製程的參數例如為製程溫度或阻障層塗佈的厚度等等。
本發明實施例揭露的軟性基板之應變量測與應力優化方法在生產線上即時量測軟性基板上的薄膜應力，並即時回授量測結果給薄膜沉積的機台，可以隨時監控薄膜製程，以進一步優化薄膜生長的厚度，以降低因沉積薄膜造成的應力分布不均勻的問題，減少基板的翹曲，並即時調整薄膜製程的參數，減少卷對卷生產線的傳輸問題與製程問題，使得生產線製程得以順利進行。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧軟性基板之應變量測與應力優化裝置
110‧‧‧處理器
120‧‧‧記憶體
130‧‧‧自動對焦光學顯微鏡
311、321、331‧‧‧薄膜
500‧‧‧軟性基板之應變量測與應力優化回授系統
510‧‧‧阻障層塗布裝置
520‧‧‧有機發光二極體生產裝置
A、A1、A2‧‧‧振幅
h‧‧‧成膜厚度
SX1‧‧‧第一軟性基板
SX2‧‧‧第二軟性基板
ε0、εc、εcx、εcy‧‧‧應變值
X1、X2、X3、Y1、Y2、Y3、Z1、Z2、Z3‧‧‧應變值
ρ1、ρ2、ρ3‧‧‧材料係數
S110、S120、S130、S140、S210、S220、S230、S240‧‧‧流程步驟
圖1為根據本發明一實施例之軟性基板之應變量測與應力優化之裝置的示意圖。 圖2為根據本發明一實施例之軟性基板之應變量測與應力優化之方法的流程圖。 圖3為根據本發明一實施例之軟性基板之應力優化之方法的說明示意圖。 圖4為根據本發明另一實施例之軟性基板之應力優化之方法的說明示意圖。 圖5為根據本發明一實施例之軟性基板之應變量測與應力優化之回授系統的示意圖。

Claims (11)

  1. 一種軟性基板之應變量測與應力優化方法，包括：一應變量測方法，該應變量測方法包括：取得一軟性基板在成膜前之複數點的成膜前振幅；取得該軟性基板對應該成膜前之該些複數點的成膜後振幅；根據該軟性基板之該些複數點的成膜前振幅、成膜後振幅與該軟性基板上的成膜厚度，計算該軟性基板之該些複數點的成膜後應變值；以及根據該軟性基板之該些複數點的應變值，轉換為該軟性基板之該些複數點的應力值；以及一應力優化方法，該應力優化方法包括：分別取得複數個第一軟性基板的各第一軟性基板上所形成之單層薄膜上的複數點的振幅，並透過該應變量測方法之計算，轉換該些複數點的振幅為該各第一軟性基板上之該單層薄膜上之對應該些複數點的應變值；取得一第二軟性基板上堆疊成之複數層薄膜上的複數點的振幅，並透過該應變量測方法轉換該些複數點的振幅為該第二軟性基板上堆疊成之該複數層薄膜上的該些複數點的應變值，其中該第二軟性基板上所堆疊成之該複數層薄膜分別相同於該些第一軟性基板上所分別形成的多個單層薄膜，且該第二軟性基板上所堆疊成之該些複數層薄膜上的該些複數點對應於該各第一軟性 基板上所形成之該單層薄膜上的該些複數點；根據該各第一軟性基板上所形成之該單層薄膜之該些複數點的應變值與該第二軟性基板上所堆疊成之該些複數層薄膜之該些複數點的應變值，針對各對應點求解聯立方程式，得到各對應點之各單層薄膜之材料係數；以及透過該各單層薄膜之材料係數，在應變值設為零的條件下，固定該些第一軟性基板上所形成之該些單層薄膜的一部份的厚度，比對一成膜厚度與成膜後振幅之對應數值資料庫，計算出各對應點所欲優化之該各第一軟性基板上所形成之該些單層薄膜的另一部分的厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之軟性基板之應變量測與應力優化方法，其中透過一公式，將該軟性基板之該些複數點的成膜前振幅與成膜後振幅轉換為該軟性基板之該些複數點的成膜後應變值，該公式為，其中h為該些複數點的成膜厚度，A1為該些複數點的成膜前振幅，A2為該些複數點的成膜後振幅，且εc為該些複數點的成膜後應變值。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之軟性基板之應變量測與應力優化方法，其中該軟性基板之該些複數點的成膜後應變值透過該各軟性基板成膜後的膜之楊氏係數，轉換為該軟性基板之該些複數點的成膜後應力值。
  4. 一種軟性基板之應變量測與應力優化裝置，該軟性基板之應變量測與應力優化裝置包括一處理器與一記憶體，該處理器 電性連接該記憶體，該記憶體中儲存有多個指令，當該處理器執行該些指令時，該軟性基板之應變量測與應力優化裝置用以執行如申請專利範圍第1項所述之方法。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之軟性基板之應變量測與應力優化裝置，更包括一自動對焦光學顯微鏡電性連接該處理器與該記憶體，該自動對焦光學顯微鏡量測該軟性基板之該些複數點的成膜前焦距與成膜後焦距，該處理器將該軟性基板之該些複數點的成膜前焦距與成膜後焦距轉換為該軟性基板之該些複數點的成膜前振幅與成膜後振幅。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之軟性基板之應變量測與應力優化裝置，其中該處理器將該軟性基板之該些複數點的成膜前振幅與成膜後振幅儲存於該記憶體中，並且透過一公式將該軟性基板之該些複數點的成膜前振幅與成膜後振幅轉換為該軟性基板之該些複數點的成膜後應變值，該公式為，其中h為該些複數點的成膜厚度，A1為該些複數點的成膜前振幅，A2為該些複數點的成膜後振幅，且εc為該些複數點的成膜後應變值。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之軟性基板之應變量測與應力優化裝置，其中該處理器將該軟性基板之該些複數點的成膜後應變值透過各該軟性基板成膜後的膜之楊氏係數，轉換為該軟性基板之該些複數點的成膜後應力值。
  8. 一種軟性基板之應變量測與應力優化回授系統，包括：如申請專利範圍第4項之軟性基板之應變量測與應力優化裝 置；以及一阻障層塗布裝置，耦接於該軟性基板之應變量測與應力優化裝置，其中阻障層塗布製程完成即為成膜後狀態；其中，當該軟性基板之應變量測與應力優化裝置取得該軟性基板成膜後之複數點的平均應力值小於一預設閥值的絕對值時，輸出一應力均勻訊號以進行一有機發光二極體生產製程；當該軟性基板成膜後之複數點的平均應力值大於該預設閥值的絕對值時，輸出一應力不均勻訊號回授到該阻障層塗布裝置，進行阻障層的厚度調整。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之軟性基板之應變量測與應力優化回授系統，更包括一有機發光二極體生產裝置，耦接於該軟性基板之應變量測與應力優化裝置，該有機發光二極體生產裝置接收該應力均勻訊號以進行該有機發光二極體生產製程。
  10. 一種電腦可讀取記錄媒體，當電腦載入一程式並執行後，完成如申請專利範圍第1項所述之方法。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之電腦可讀取記錄媒體，其中該程式為一種內儲程式，儲存於該電腦可讀取記錄媒體中。
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